Кристаллы типа АВ

Кристаллы со смешанными связями. Существует большая группа твердых веществ, в кристаллах которых одновременно реализуются разные по типу связи. При оценке свойств такого кристаллического тела необходимо вводить поправку на дополнительное специфическое взаимодействие. Так, в молекулярных кристаллах типа NH3, Н2О, НС1, на ряду с силами Ван-дер-Ваальса действуют и силы водородной связи, следствием чего служит относительное повышение прочности таких твердых веществ, а также температур их плавления. [c.80]

Рис. 14-30. Цикл SjзOg из трех кремнекислородных тетраэдров, обобществляющих три атома кислорода. Эта анионная структура встречается в мягких, крошащихся кристаллах типа бенитоита, ВаТ181зО,.

Обобщив этот цикл на ионные кристаллы типа МеХ, получим [c.26]

Поскольку имеются соотношения (IV. 15) и (IV.17) и известно также выражение для потенциальной энергии ионов в кристалле (IV. 14), то можно представить сжимаемость как функцию и п. Проведение соответствующих выкладок, которые несложны, но громоздки (поэтому они здесь не приводятся), дает для кристаллов типа А+В выражение [c.267]

В решетке ионных кристаллов — чисто ионная связь, т. е. связь, для которой полный перенос электронов от катиона к аниону скорее исключение, чем правило. Лишь для кристаллов типа хлорида натрия можно говорить о полном переносе заряда. Интеграл перекрывания одноэлектронных орбиталей ионов натрия и хлора оценивается значением —0,06. Можно сказать, что это чисто ионная связь. По отношению к этому же соединению сопоставление энергии электростатического взаимодействия с энергией ковалентного взаимодействия (непосредственно связанной с тем,-что называют поляризацией электронной оболочки) показывает, что вклад электростатического взаимодействия значительно больше и составляет (по Коулсону) для хлорида натрия 8,92 эВ, в то время как соответствующее значение для ковалентного взаимодействия 0,13 энергия отталкивания в этом случае равна —1,03 эВ (энергия, называемая нулевой , т. е. нулевая колебательная энергия, равна всего —0,08 эВ и ее часто вообще не принимают в расчет). К ионным кристаллам относятся кроме соединений типичных галогенов со щелочными металлами также и некоторые оксиды, в частности оксиды кальция и магния, в которых по экспериментальным данным имеются отрицательные двухзарядные ионы кислорода. В большинстве случаев ковалентный вклад больше. Кристаллы алмаза, кремния, германия, карборунда, серого олова содержат прочные ковалентные связи, так что любую часть этих веществ вполне и без всяких оговорок можно рассматривать кан молекулу макроскопических размеров. [c.281]

В кристаллах типа сфалерита, например в соединениях А " В , грани (111) заполнены только атомами А, а грани (ill)—только атомами В. В связи с этим между чередующимися плоскостями, перпендикулярными направлению (111), действуют силы электростатического притяжения, так как связи между А и В полярны. По этим плоскостям кристаллы не скалываются, тогда как кристаллы алмаза скалы- [c.131]

Молекулярные сита типа А. Химический состав одиночного элемента кристалла типа А может быть представлен формулой [1, 2] [c.199]

Полярность молекул жидкой воды делает ее прекрасным растворителем для ионных кристаллов типа Na l. Вода способна растворять Na l и разъединять его противоположно заряженные ионы Na и С1", потому что необходимая для их разъединения энергия обеспечивается образованием гидратированных ионов (рис. 14-20). Каждый ион Na в растворе тоже окружен октаэдром отрицательных зарядов, но вместо ионов С1 их роль играют отрицательные полюса атомов кислорода в молекулах воды. Ионы С1 в растворе тоже гидратированы, но к ним обращены положительно заряженные концы молекул воды (атомы Н). Неполярный раство- [c.621]

Теория Косселя и Странского [35—43]. В этой теории рассматривается идеальный кристалл (без дефектов решетки). Для простоты изложения в качестве примера можно выбрать кристалл типа ЫаС1 с кубической решеткой. Кристалл растет непрерывно посредством одного и того же повторяюшегося процесса. Частицы встраиваются в решетку, располагаясь одна за другой и образуя ряды и плоскости. То, в какое место вероятнее всего попадет частица, зависит от энергетических условий на поверхности кристалла. Частицы прежде всего размещаются в тех места.х, где это наиболее выгодно энергетически, т. е. там, где выполняется условие (3.62). Различные возможные положения частиц [/—4] иллюстрируются рис. 3.6. [c.264]

Ионные кристаллы типа Na l ведут себя оптически активно в среднем и дальнем инфракрасном диапазоне вследствие относительных колебаний анионной и катионной под-решеток. Это приводит к возникновению полос у отражательной способности в соответствующих областях частот, напоминающих полосы у металлов. Заметные полосы в ближнем инфракрасном диапазоне имеются и у отражательной способности легких двухатомных окислов типа MgO, aO и ВаО. У более тяжелых молекул типа AljO эти полосы расположены в средней и дальней части инфракрас- [c.194]

Второе ограничение, с которым связаны приведенные выше электростатические расчеты, состоит в том, что они применимы лишь к тем случаям, когда адсорбция происходит в центре кубической грани кристалла типа ЫаС1, Любое отклонение от этого условия может приводить к (Повышению прочности электростатической связи. Углы и ребра кристаллов, другие кристаллографические грани, нарушения решетки и т. д. могут служить активными центрами , где происходит сравнительно сильная электростатическая адсорбция ионов. О проблеме активных центров будет упоминаться также в разделе V, 12. [c.35]

Как мы видели в разделе У,4, кулоновские силы, действующие между ионом и кубической гранью ионного кристалла типа хлористого натрия, обладают небольшой величиной. На других кристаллографических гранях соответствующие силы могут быть значительно больше (в три или четыре раза). На ребрах, особенно в углах кристаллов, силы притяжения также оказываются значительно ббльши.ми, чем на плоской поверхности. Те участки грани кристалла, на которых рост кристалла остановился [c.67]

Заметим, что в выражении (Х.7) изменение энтальпии АЯ>0, следовательно, это выражение относится, собственно, к эндотермическим реакциям, в которых образование новых молекул, новых химических связей происходит за счет энергии, подводимой извне, например при увеличении давления и при нагревании. При этом энтропийный член уравнения (Х.7) возрастает, и, если температура достаточно велика, то достигается неравенство 7 А5>АЯ. При этом А/ <0, т. е. процесс идет самопроизвольно. Так, реакции восстановления водородом фторидов, бромидов и хлоридов металлов типа ШРб + ЗН2= Ш+6НР являются эндотермическими реакциями. При повышении температуры величина АР для реакции восстановления всех галидов понижается и для многих из них уже при 500 К становится меньше нуля (рис. 48). Благодаря этому уже ниже 300 К наблюдается образование металлического вольфрама на поверхности таких металлов как медь и никель (или ионных кристаллов, вроде флюорита и фторида лития, а также атомных кристаллов типа алмаза) при восстановлении гексафто- [c.148]

Жидкие кристаллы нематического, смектического и холестерического типов широко используются в газовой хроматографии. В нематической фазе молекулы свободно перемещаются только в параллельных плоскостях. Поэтому нематические жидкие кристаллы типа п, п -азоксифеиетола [c.304]

Теория Френкеля — Шоттки, позволяет получить количественные соотношения между проводимостью и концентрацией дефектов. Поэтому, измерив проводимость твердого электролита, можно по соответствующим уравнениям вычислить число дефектов. Было найдено, например, что в Na l при температуре, близкой к температуре плавления, концентрация вакансий равна (1 вакансия на каждые 10 000 катионов). Малая концентрация вакансий служит одной из причин того, что нормальные ионные кристаллы (типа Na l, Ag l и др.) даже при высоких температурах и в присутствии небольшого количества примесных ионов обладают проводимостью, не превышающей 0,1 См/м. Поскольку вакансии и межузельные ионы заряжены, можно ожидать, что они будут взаимодействовать между собой так же, как ионы в растворах электролитов. Френкель впервые указал, что это взаимодействие можно описать теорией Дебая — Гюккеля. Взаимодействие дефектов ведет к снижению энтальпии их образования и сказывается на величине проводимости ионных кристаллов. [c.107]

Тепловая энергия может вызвать образование дырки рядом с дефектом в нестехиометрических кристаллах типа /// и IV. Под действием электрического поля дырки в нее может попасть электрон из рядом расположенной частицы (или связи). Это равносильно перемещению дырки, что обусловливает способность кристалла проводить электрический ток. Такого типа кристаллы также являются полупроводниками. Проводимость, вызванная наличием положительных дырок, называют проводимостью р-типа (от positive — положительный) проводимость п-типа (от negative — отрицательный) вызвана перемещением [c.176]

Антиферромагнетизм вызван таким взаимодействием иоиов и электронов, при котором спины электронов располагаются навстречу друг другу (антипараллельно). Чаще всего это обнаруживается у кристаллов, в которых между нонами, обладающими магнитными моментами, находятся ноны, не имеющие магнитных моментов. Так, в кристалле МпО магнитный момент одного иона Мп + имеет направление, противоположное направлению (антипараллелен) магнитных моментов ближайших двух ионов Мп , между которыми находится ион кислорода. В кристаллах типа ЛАпЪ магнитные моменты электронон компенсируются. [c.195]

В твердом агрегатном состоянии у веществ могут образоваться не только ионные кристаллические решетки (решетки ионных кристаллов типа НаС1), но также молекулярные и атомные. Так, твердый иод и твердый диоксид углерода (сухой лед) имеют молекулярные решетки, в узлах которых находятся молекулы I, и СО2 соответственно, а алмаз и графит - атомные решетки, имеющие в узлах атомы углерода С и отличающиеся расположением этих узлов в пространстве. [c.52]

Теплоемкость одноатомных, близких к изотропным кристаллов весьма хорошо описывается формулой Дебая, хотя наблюдаются и некоторые расхождения. Теорию успешно применяют также к простым ионным кристаллам типа щелочногалогенид-ных. При этом в случае близких масс разноименных ионов колебательный спектр можно приближенно описать как де-баевский с одной характеристической температурой. При значительных различиях в массах ионов спектральная функция имеет две ветви, акустическую и оптическую, разделенные зоной разрыва. Акустическую ветвь можно аппроксимировать де- [c.188]

Например, галогениды аммония МН Г, существующие при низких температурах в виде кристаллов типа СзС1 (к. ч. = 8), при нагревании перестраивают структуру по типу ЫаС1 (к. ч. = 6). Для некоторых веществ наблюдается несколько полиморфных превращений. При обычном давлении нитрат аммония МН4НОз существует в пяти кристаллических формах, точки перехода между которыми лежат в пределах от -18 до 125 [c.124]

Дальнейшее статистическое рассмотрение будет относиться к кристаллам, в которых структурными единицами являются атомы, нейтральные или ионизованные (одноатомные кристаллы, ионные кристаллы типа Na l). [c.311]

Величина а для кристалла типа Na I запишется следующим образом [c.318]

Как мы видим, сходимость ряда плохая, и при подсчете постоянной Маделунга требуется учитывать очень большое число членов. Предложены методы улучшения сходимости ряда путем группировки членов ряда специальным образом. Точный расчет для кристалла типа Na l дает а = 1,747558. [c.318]

Задание. 1. Осуществить выращивание кристаллов 1пАз и твердого раствора 1пЛ5, в ампуле при помощи газотранспортной реакции (носитель — иод). 2. Определить пикнометрическую плотность полученных кристаллов, тип проводимости, при наличии достаточно крупных кристаллов — микротвердость. [c.80]

Соединения низшей степени окисления (степень окисления чаш,е всего +2 +1 — медь, ее электронные аналоги и ртуть) образуют молекулы или кристаллы ионного типа с большой степенью ионности. Например, оксид титана TiO образует ионные кристаллы типа Na l. В химических реакциях соединения низшей степени окисления обычно проявляют восстановительные свойства, за исключением непрочных соединений благородных металлов, вызывающих реакции окисления, что используется, например, в серебряно-цинковых аккумуляторах. [c.318]

ZnS) — при гк /гА = 0,41—0,23 3 — пригк //"а = 0,23—0,15. Приведенные здесь координационные числа приближенные. Надо учитывать, что поляризация ионов, их поляризующее действие и другие свойства могут существенно влиять на характер связи между ними, поэтому есть много отступлений от указанных чисел. Уже в кристаллах типа сфалерита (или вюрцита) связь ион но-ковалентна я. Координационное число 3 в ионных кристаллах вообще не реализуется. [c.129]

Что касается сродства к электрону металлов в валентном состоянии, то полных данных еще до сих пор нет. Однахо то, что уже опубликовано по ЕА, указывает на их большую близость к величинам соответствующих ЭО металлов. Поэтому для вычислений ол кристаллов типа МА,г мы будем применять ЭО атомов М в данном соединении. [c.110]

Как видно из табл. 59, учет реальной ионности химической связи в кристаллах позволил за-метно увеличить точность вычисления мольных рефракций. В самом деле, если расчет рефракций по классической ионной схеме дает среднестатистическую ошибку 28,5% (без учета гидридов и кристаллов типа А ЧВ ", где эта методика расчета вооби е не применима), а по кристаллическим ионным рефракциям — 8,9%, то развиваемый метод дает среднюю ошибку в 4,7% - Как и в случае молекул, среднее отклонение от средней ошибки в новом методе значительно меньше, чем в классических методиках в ионной схеме AR R = 28,Б 2I%, при расчете по кристаллическим ионным рефракциям — 8,9 3,0%, в нашем методе — 4,7 1,3%. [c.129]

Кристалл типа s l, обычно называемый типом центрированного куба (что вполне правильно лишь прп одинаковости всех частиц), состоит как бы из двух простых кубических решеток (рис. [c.379]

По внешнему виду и большинству физических свойств гидриды щелочных металлов похожи на соответствующие галогениды. Так, лучше других изученный LiH образует твердые бесцветные кристаллы (типа Na l), в отсутствие воздуха плавящиеся без разложения при 668 С. Солеобразная природа рассматриваемых гидридов была также непосредственно доказана выделением водорода ири электролизе расплавленного LiH на а н о д е. [c.410]

Направление скольжения практически всегда совпадает с направлением вектора решетки в плотноупакованной области, т. е. с направлением [ПО] в г. ц. к. металлах, [111] в о. ц. к. металлах и [2110] в гексагональных металлах. В ионных кристаллах направление скольжения всегда совпадает с направлением, вдоль которого лежат заряды одного знака, т. е. с направлением [ПО] в структурах типа Na l и [100] в кристаллах типа s l. В интерметаллических же соединениях (со слабо выраженным ионным характером связи) это правило в одних случаях выполняется, а в других нет. [c.177]

GaAs, GaSb) имеют структуру цинковой обманки. В этих кристаллах и кристаллах типа алмаза (Si, Ge, o -Sn) зоны Бриллюэна имеют одинаковую структуру. Однако в кристаллах со структурой цинковой обманки потенциал решетки имеет другую симметрию [c.239]

В кристаллах типа сфалерита, например в соединениях А "В , грани (111) заполнены только атомами А, а грани (1I1) —только атомами В. В связи с этим между чередующимися плоскостями, перпендикулярными направлению [111], действуют силы электростатического притяжения, так как связи между А и В полярны. По этим плоскостям кристаллы ие скалываются, тогда как кристаллы алмаза скалываются именно по плоскостя.м 111 . С другой стороны, каждая плоскость (ПО) состоит из равного числа атомов А и В, так что в целом между этими плоскосту ми не возникает электростатических 162 [c.162]