Кристаллы типы элементов

На практике очевидны три момента 1) если только картины запечатлелись в памяти, то погасания и соответствующие элементы симметрии быстро распознаются на серии фотографий 2) необходимо искать как сетку О/с/, так и сетку 1 /, чтобы определить, перпендикулярна ли плоскость с-скольжения оси а, поскольку потеря чередующихся рядов в О/с/ похожа на большее разделение в о.р. присутствие всех рядов в 1/с/ дает точное разделение в о.р. и говорит о погасаниях в О/с/ 3) погасания, вызванные наличием одного типа элементов симметрии, могут скрывать погасания, которые в противном случае должны быть обусловлены другим типом элементов симметрии. Это одна из причин, по которой не удается установить пространственную группу, к которой относится кристалл (т.е. на основании полученных данных можно отнести кристалл к двум или более пространственным группам). Кроме того, важно знать, какие прецессионные фотографии будут демонстрировать какую-либо симметрию в обратной решетке, включая зеркальные плоскости и оси второго порядка. Например, если существует зеркальная плоскость, перпендикулярная оси а, то интенсивность отражений Ик1 и Ш одна и та же таким образом, одна сторона зоны ккО (или НО ) будет зеркальным отражением интенсивностей другой ее стороны. Для того чтобы определить пространственную группу, важно сохранить след этих наблюдаемых зеркальных плоскостей. В прецессионных фотогра- [c.385]

Металлические кристаллы. У элементов типа натрия и меди имеется только один валентный s-электрон, так что в их кристаллах [c.101]

Металлические кристаллы. У элементов типа натрия и меди имеется только один валентный -электрон, так что в их кристаллах валентная зона, построенная из атомных я-орбиталей, заполнена лишь наполовину (рис. 96,6). Следовательно, при незначительном возбуждении энергетическое состояние каждого из электронов может меняться в пределах всей энергетической зоны. Это имеет место, например, при приложении к металлу электрического поля. Тогда электроны начинают двигаться в направлении поля, что определяет электропроводность металлов. [c.149]

Молекулярные сита типа А. Химический состав одиночного элемента кристалла типа А может быть представлен формулой [1, 2] [c.199]

Простейшим типом твердого тела является кристалл химического элемента, в котором каждый узел решетки занят атомом. Если принять, что каждый атом ведет себя как простой гармонический осциллятор с тремя степенями свободы (по направлениям осей х, у и г), то Су=ЗЯ, где — вклад, вносимый каждой степенью свободы, поскольку для атома в кристалле каждая степень свободы связана как с кинетической, так и с потенциальной энергией (разд. 9.5). Этому равенству приблизительно удовлетворяют значения Су при комнатной температуре для элементов тяжелее калия. На этом основан закон Дюлонга и Пти (1819 г.) при комнатной температуре произведение л дельной теплоемкости при постоянном давлении и атомного веса элемента, находящегося в твердом состоянии, есть постоянная величина Ср, равная примерно 6,4 кал/(К-моль). Этот закон играл важную [c.28]

Данные табл. 7.2 ясно показывают, что даже для кристаллов некоторых элементов невозможно дать простое описание химических связей. Становится очевидным, что характер связей следует считать промежуточным между четырьмя пое-дельными типами. Среди них в неорганической химии наиболее важны связи, промежуточные между ионными и ковалентными. [c.341]

Нейтронографией устанавливают взаимное расположение в кристалле атомов элементов, находящихся рядом в периодической системе, этого не дает электронография и лишь в некоторых случаях с большим трудом дает рентгеноструктурный анализ. В связи с этим нейтронография — эффективный метод исследования твердых растворов. С помощью нейтронографии получены ценные данные о катионном упорядочении в ферритах типа шпинели, где катионы имеют близкие атомные номера, установлено местоположение атомов в ряде упорядоченных твердых растворов. Нейтронография имеет важное значение в изучении структур природных и синтетических сложных оксидов, а также силикатов, содержащих совместно магний и алюминий, для изучения распределения ядер отдельных изотопов элемента в кристаллических структурах. Обычно нейтронографию используют для уточнения или дополнения структурных данных, полученных методом рентгенографии. В ряде случаев совместно используют оба метода, что позволяет наиболее подробно исследовать структуру вещества. [c.206]

Элементарная ячейка содержит по одному атому каждого типа, входящего в состав кристалла . При этом атомы разных типов отличаются не только своими химическими свойствами, но и положениями в элементарной ячейке. Поэтому элементарная ячейка даже кристалла чистого элемента может содержать больше одного атома. [c.10]

Любопытно заметить, что элементы матрицы аа не связаны условием типа (3.4), поскольку даже однородное по кристаллу относительное смещение атомов во всех парах повышает энергию кристалла. Однако элементы матрицы aj, как и элементы матриц и Р, подчиняются ряду неравенств, обеспечивающих положительность энергии (3.1) при произвольных ы (п) и (п). В частности, [c.77]

Рис., З.-З. Матричные элементы в базисе из эквивалентных орбиталей для кристалла типа алмаза и цинковой обманки.

Оптические свойства. Ионные кристаллы, у элементов которых внешние электронные оболочки представляют собой октеты типа благородного газа, обычно бесцветны и прозрачны. Кристаллы, состоящие из ионов типа меди и промежуточного типа, как правило, окрашены. [c.170]

Матричное устройство, описанное в работе [49], также является характерным примером сочетания полезных свойств сегнетокерамики типа Р1.2Т и жидких кристаллов. Каждый элемент этого устройства представляет собой сэндвич, состоящий из слоя сегнетокерамики и жидкого кристалла. [c.198]

Обсуждение спектров КР начинается со спектров кристаллов отдельных элементов, включающих ковалентно-связанные линейные цепочечные структуры, подобные селену, слоистые двумерные структуры типа графита или трехмерные гигантские [c.443]

Если в решетку кремния добавить фосфор, он займет место одного из атомов кремния, но внесет в систему один дополнительный электрон. Это почти так, как если бы в решетку добавили ион Si . Поскольку валентная зона кристалла заполнена, эти дополнительные электроны должны перейти в зону проводимости. Таким образом, примесь фосфора дает проводимость п-типа. Элемент третьей группы, например галлий, будет при введении в решетку почти эквивалентен иону Si+ и, таким образом, создаст дырку в зоне проводимости, так что возникнет проводимость р-типа. [c.237]

Для того чтобы определить структуру вещества, необходимо найти положения отдельных атомов или ионов, их чередование в пространственной решетке и расстояния между ними. Это осуществляют с помощью рентгеноструктурного анализа. Изучение структур показало, что существуют группы веществ, характеризуемые идентичными пространственными расположениями атомов и отличающиеся друг от друга только величиной межатомных расстояний. Поэтому существует понятие о структурном типе (например, у кремния и германия структура кристаллов типа алмаза). Значит, структуру этих элементов можно описать при помощи одной пространственной модели с указанием численных значений межатомных расстояний для каждого элемента. [c.27]

Фазовые соотношения в бинарных системах с попарным участием элементов, входящих в состав рассматриваемых ТР, хорошо известны [92] в системах Al—N, Si—С — это (в том числе) изост-руктурные гексагональные фазы A1N, Si , в системах Si—N, Al— С — ромбоэдрические S13N4, AI4 3, в системе А1—Si индивидуальных фаз нет (эвтектика). В системе С—N кристаллические нитриды углерода , по крайней мере при равновесных условиях синтеза, не возникают. С учетом этих данных, становится понятной установленная [86] тенденция примесных атомов Si, С в A1N (и Ai, N в SI ) к объединению, когда для примеси в кристалле реализуется элемент структурного и химического окружения в собственной гексагональной фазе (SI или A1N, соответственно) — как системе с наиболее благоприятным структурным типом для образования максимально химически стабильного состояния. Все иные рассмотренные типы локальной координации примесей ока- [c.58]

Класс структур типа MX, Заряды катионов и анионов одинаковы, большинство соединений образовано взаимодействием непереходных элементов подгрупп IA—VIIB, ПА—VIB. У сО единений, полученных из элементов подгрупп IIIA—VB, ионность связи низкая. Для переходных элементов большинство соединений образовано из двухзарядных ионов четвертого периода и элементов группы VIB и относится к оксидам двухзарядных ионов пятого периода. Основные типы структур представлены на рис. 4.5. Почти все ионные кристаллы типа MX можно описать пятью структурами и их модификациями, если к четырем структурам, показанным на рисунке, добавить тип Na l. [c.186]

Соединения благородных газов. Со времени открытия благородных газов (гл. 1, разд. 4) их считали химически неактивными и не образующими соединений элементами. Позже появился ряд соединений , в которых молекулы инертных газов были захвачены молекулярными кристаллами типа бензохино-на (так называемые клатраты), но их соединения в строгом смысле этого слова не были известны. В 1962 г. Бартлетт при реакции кислорода с гексафторидом платины получил ионное соединение [02]+[Р1Рб] . Исходя из близости первых потенциалов ионизации 1 Ог (12,70 эВ) и Хе (12,13 эВ), он предположил возможность осуществления такой же реакции для Хе и впервые получил соединение благородного газа Хе(Р1Рв) (, где X = , 2. В дальнейшем было синтезировано много подобных соединений, которые состояли в основном из ксенона, фтора и кислорода, а из соединений других инертных газов досто-рерно обнаружен только бесцветный кристаллический фторид [c.265]

КРИСТАЛЛ (греч. хриотаХЛое — горный хрусталь) — твердое тело со строго закономерным расположением атомов, ионов или молекул, образующих кристаллическую решетку. Отличается однородностью, анизотропией св-в и способностью при благоприятных условиях приобретать форму многогранников определенного типа. Элементы ограничения К.— грани, ребра и вершины, к-рые связаны между собой зависимостью сумма граней - - сумма вершин равна сумме ребер -f- два. Граням в кристаллической решетке соответствуют ее плоские сетки, ребрам — ряды, вершинам — отдельные узлы. У каждого кристаллического вещества — своеобразное расположение слагающих его материальных частиц, своя кристаллическая структура, поэтому величина углов между соответствующими гранями у К. одного и того ше вещества — величина постоянная (закон постоянства углов). К.— симметричные тела. Симметрия кристаллических многогранников, как конечных фигур, описывается элементами симметрии — центром инверсии (1), плоскостями симметрии (т), поворотными (2, 3, 4 и 6) п инверсионными (4 и 6) осями симметрии, сочетание к-рых обусловливается [c.654]

Зонную теорию обычно используют для описания ионных кристаллов [104], которые, как правило, являются хорошими изоляторами. Полагают поэтому, что ее можно применять также при описании молекулярных кристаллов. Например, с использованием этой теории рассматривались электрические свойства кристаллов Ь и Зв [102], а также электрические свойства кристаллов типа антрацена [33]. Однако при рассмотрении молекулярных кристаллов встретились затруднения, которых не возникает, например, в случае ковалентных кристаллов типа германия или соединений двух элементов. Бьюб [18] приводит более 100 таких соединений, имеющих тесное соответствие между энергетической щелью и длинноволновой границей поглощения. Изучение всех этих кристаллов несколько осложнено наличием экситонов их спектр вполне определяется энергетической щелью. Дополнительной характеристикой служит и то, что вообще в таких соединениях эффективная масса электрона (а также дырки) имеет примерно тот же порядок величины, что и масса свободного электрона. Молекулярные кристаллы, такие, как антрацен, отличаются от только что обсуждавшихся неорганических соединений тем, что начало сильного поглощения у них непосредственно не связано с энергетической щелью между нижней зоной и зоной проводимости. Край поглощения кристаллом непосредственно связан с краем погло- [c.661]

Относительная роль этих факторов зависит от типа твердого тела. Например, в случае ионных кристаллов непереходных элементов главным является фактор, обусловленный решеткой, тогда как в случае переходных элементов основной вклад в градиент поля вносят электроны незаполненных оболочек. Роль факторов дезэкранирования, вероятно весьма важная в случае ионов тяжелых элементов, но еще недостаточно хорошо изученная, обсуждается в статье Силлеску (стр. 218). [c.253]

Вообще говоря, вопрос о значениях РВ по отношению к потенциалам ионизации тех же элементов непрс-стой. Поскольку при образовании кристалла из отдельщ.1х атомов выделяется энергия (энергия атомизации) следовало бы ожидать увеличения прочности связи электрона с атомным остовом, а не его уменьшения, как это имеет место на опыте. Однако, на самом деле, собственная энергия отрыва электрона от атома в кристалле выше, чем в изолированном атоме, но как только е вырывается из решетки, остальные электроны атома в кристалле перераспределяются с образованием структуры, энергетически более выгодной, чем исходная электронейтральная структура. В табл. 9 показано различие в энергиях диссоциации молекул типов М2 и М . Такое же, если не еще большее, различие будет и между энергиями атомизации кристаллов типа М и М . [c.42]

При исследовании кристаллов типа КС1-Т1 получены данные, которые показывают, что некоторые центры захвата могут быть приписаны активатору. Предполагается [18], что ими могут служить ионы таллия Т1к. Так как ионизационный потенциал атома Т1 меньше ионизационного потенциала атома К, то в месте расположения таллия образуется потенциальная яма, в которую захватывается электрон зоны проводимости, перемещающийся по катионным узлам решетки. Ловушками для электронов в щелочно-галоидных кристаллах могут служить также иновалентные примести (например. Сак), собственные дефекты (Ус]) и их комплексы с ионами активатора (Т1кУ сО- Следует отметить, что в гомологических рядах кристаллофосфоров с увеличением атомного номера элементов, образующих основание люминофоров, глубина однотипных ловушек для электронов уменьшается [65]. [c.222]

Эти результаты хорошо согласуются с данными ДТА и свидетельствуют о том, что кристаллы ОУМ-1 и ОУМ-12 неоднородны по размеру и уровню надмолекулярной организации, и только при оптимальной гибкости олигомерного блока (например, в случае ОУМ-6) из раствора и из расплава формируются однородные по морфологии, размеру и уровню надмолекулярной организации кристаллы. Структурные элементы исследованных олигомеров, различаюшихся длиной и гибкостью олигомерного блока, имеют, по-видимому, разное строение. Это особенно ярко проявляется при кристаллизации олигомеров на подложке, способствующей плоскостнЬй ориентации структурных элементов. Олигомер ОУМ-1 кристаллизуется в этих условиях с образованием снопообразных сферолитов из игольчатых структур. При кристаллизации ОУМ-6 формируются кольцевые сферолиты, а при кристаллизации ОУМ-12-сферолиты радиального типа (рис. 2.17). Из сравнения рис. 2.14 и 2.17 следует, что кристаллы, сформированные из расплава на подложке и в процессе синтеза олигомеров, существенно различны. Фототермограмма ароматического олигоуретанметакрилата ОУМ-7 имеет свою специфику. При нагревании ОУМ-7 до температуры плавления [c.71]

Крупные кристаллы С можно получить вырашиванием в контейнере, изготовленном из карбида кремния. В этом методе сублимации используют свойство карбида кремния улетучиваться и разлагаться выше 2000°С. Тигель из карбида кремния, наполненный графитом, нагревают в графитовой печи в течение 6—8 ч при 2500 — 2600°С в атмосфере аргона, водорода или окиси углерода. Конструкция печи должна обеспечить создание вдоль тигля необходимого температурного градиента для роста кристалла. Тип проводимости кристалла можно регулировать введением в защитную атмосферу азота или фосфора (га-тип), бора или алюминия (р-тип). Для легирования можно использовать и соединения указанных элементов, например, окислы азота, бора и алюминия, А1С1з, ЫазР04 и др. [c.227]

Интернациональные обозначения (система Германа — Morena) являются более информативными, чем обозначения по Шенфлису в них указывается как символ трансляционной группы кристалла (тип решетки Браве), так и символ точечной группы с указанием в нем элементов симметрии кристалла (осей и плоскостей симметрии). Для решеток Браве используются следующие символы Р — примитпйная А, В, С — базоцентрированные 7 —гранецентрированная, / — объемно-центрированная. В обозначениях пространственных групп гексагональной системы наряду с символом С (центрирована грань, перпендикулярная оси 6-го порядка) употребляется символ Я, в обозначении ячейки тригональной (ромбоэдрической) системы употребляется также символ R. [c.42]

Из определения неприводимой части зоны Бриллюэна следует, что объем ее будет разным для кристаллов с одинаковой решеткой Браве, но относящихся к разным кристаллическим классам для кристаллов типа МаС1 или алмаза, например, он равен (1/48) Уь(в группе Он — 48 элементов), а для кристалла типа 2п5— (1 24) V (в группе Та — 24 элемента). [c.61]

Для теплот образования из элементов, ядерных расстояний в кристаллах (типа Na l) и энергий кристаллических решеток гидридов щелочных металлов даются следующие значения [c.236]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология