Коэффициент вторичной света

Прозрачность. Пропускание света минералами определяется только качественно, очень редко коэффициент пропускания света Т можно установить с помощью инструментов. Качественно различают следующие степени пропускания света и соответственно минералы различной прозрачности прозрачные (горный хрусталь) полупрозрачные и просвечивающие в массе (сильно замутненные вторичными включениями и тонкозернистые агрегаты прозрачных минералов) прозрачные в толстых и тонких краях (сфалерит, киноварь). Две последние степени пропускания света можно узнать по слабому свечению тонких трещин в минерале. Все в той или иной степени прозрачные минералы доступны для изучения под микроскопом в проходящем свете. Непрозрачные минералы изучаются в полированных шлифах в отраженном свете. [c.90]

Это явление характеризуется коэффициентом вторичной эмиссии з, который представляет отношение электронов эмиссии к электронам падающим и поглощенным. Однако вторичная эмиссия является только одним из многих процессов, имеющих место при облучении электронами. Другими следствиями бомбардировки могут быть флуоресценция, изменения в эффективности флуоресценции, электропроводности, химических связях, действии ферментов, термическом расширении и поглощении видимого света, инфракрасного и ультрафиолетового излучения, а также ионизации и образование распределения зарядов в самом кристалле. Облучающие электроны могут отражаться, рассеиваться и терять энергию ( разброс ). Ни один из этих эффектов в данной главе не рассматривается, но в разделе П,2 можно найти сведения об определении сродства к электрону методами торможения электронного луча. [c.692]

Первое представляет собой экранирование от фотохимически активного света посредством отражения или поглощения света стабилизатором (стабилизаторы типа А). Поглощенная стабилизатором энергия первичного света (а иногда и вторичного света люминесценции макромолекул полимера или сопутствующих компонентов) затем преобразуется им в колебательную энергию либо в излучение, не поглощаемое данным полимерным материалом. Важным условием эффективности этого пути стабилизации является как можно большее перекрывание спектра поглощения полимера спектром стабилизатора, особенно в области солнечного ультрафиолета, как за счет сходства их спектров, так и вследствие превышения коэффициентов экстинкции стабилизатора. Очевидно, стабилизаторы типа А универсальны и используются вне зависимости от природы полимеров и путей их фотодеструкции. Тем са- [c.160]

Принцип действия фотоумножителя основан на использовании двух явлений — фотоэффекта и вторичной электронной эмиссии. Электроны, вылетевшие с поверхности катода под действием света (фотоэффект) и ускоренные электрическим полем, устремляются к первому эмиттеру и выбивают из него вторичные электроны — вторичная электронная эмиссия. Последние вследствие более высокого положительного потенциала во втором эмиттере направляются к нему и вновь выбивают вторичные электроны. Этот процесс повторяется на последующих эмиттерах. При этом каждый первичный электрон может выбить а вторичных. Здесь о — коэффициент вторичной эмиссии эмиттера. В зависимости от материала эмиттера а может изменяться от 3 до 30. Для большего усиления фототока эмиттеры обычно изготовляют из материала, имеющего высокий коэффициент вторичной эмиссии. [c.154]

Случай первый. Люминесцирует только ион металла. Пусть Л м — коэффициент превращения возбуждающего света в свет люминесценции D — геометрический фактор, учитывающий, какая часть люминесцентного излучения измеряется i, сг и Сз — концентрации металла, реагента и получающегося в растворе комплекса ki, 2 и кз — коэффициенты поглощения возбуждающей радиации с длиной волны X ионами металла, реагентом и комплексом 4, и кв — коэффициенты поглощения света люминесценции ионов металла самими ионами металла, реагентом и комплексом. Величины коэффициентов ki, к и к имеют некоторое усредненное и постоянное значение, если используется достаточно узкополосный вторичный светофильтр. [c.82]

Температурные коэффициенты вторичных реакций иногда могут быть установлены по аналогии. Например, если во время поглощения света исходными молекулами возникают метильные радикалы, то при комнатной температуре они будут проявлять малую тенденцию к образованию метана путем вырывания водорода из алифатических соединений, содержащих водород [c.43]

При разрежении в аппарате 0,085 МПа температура кипения утфелей составляет 72—78 °С, избыточное давление греющего пара 0,07—0,10 МПа. Эффект кристаллизации составляет (ед) I—12—13, II — 5—7, III—10—12. Для заводки кристаллов содержание сухих веществ в сиропе должно быть 82—83 % при 73—75 °С. На 40 т сиропа через пробный кран в вакуум-аппарат вводят около 50 г тонкоиз-мельченной сахарной пудры, просеянной через сито с числом нитей на 1 см 67. Через 30—40 сек отбирают пробу утфеля на стекло и в проходящем свете наблюдают качество кристаллов. Если образуется слишком много кристаллов или образуются вторичные кристаллы ( мука ), их растворяют введением сиропа (подкачки) и повторно заводят затравку. При нормальном содержании равномерных кристаллов (3—5 тыс. Шт. в 1 г) их наращивают постепенными подкачками сиропа и оттеков. При заводке кристаллов коэффициент пересыщения сиропа составляет обычно 1,2—1,3. Для пеногашения иногда вводят ПАВ в количестве 0,005—0,01 % к массе утфеля. [c.68]

Скорость фотохимических реакций не зависит от температуры, так как определяется вероятностью поглощения квантов света молекулами исходных веществ. Температурный коэффициент фотохимических реакций может быть обусловлен как вторичными процессами, так и тем, что с повышением температуры обратные реакции могут ускоряться в большей степени, чем прямые.-Это приводит к тому, что температурный коэффициент фотохимических реакций может быть больше, меньше или равен единице, как это видно из табл. 12. [c.130]

Величины /г и йр. При измерении малых концентраций флуоресцирующего соединения, когда поглощение возбуждающего света анализируемым раствором незначительно, а эффект концентрационного тушения еще неощутим, коэффициент /р при возбуждении монохроматическим светом пропорционален произведению 22 , где В — энергетический выход флуоресценции однако значения фактора пропорциональности, зависящие от спектральных характеристик источника возбуждения, приемника излучения, первичных и вторичных [c.88]

Для инициирования процессов твердофазной полимеризации наиболее часто применяют ионизирующие излучения, поскольку они обладают большой проникающей способностью и позволяют проводить инициирование практически по всему объему твердого мономера без введения добавок специальных инициаторов. В процессе облучения образуются радикалы, ионы, вторичные электроны [31], т.е. налицо большая универсальность действия излучения. Однако образование различного типа частиц вызывает определенные трудности при установлении механизма реакции. Более однозначные результаты удается получить при фотохимическом инициировании, используя радикальные фотоинициаторы. Однако и здесь не обходится без трудностей, так как в твердой фазе происходит снижение потенциала ионизации и возможны процессы фотоионизации [304]. Высокие коэффициенты поглощения и рассеяния света при фотоинициировании приводят к неравномерному распределению в образце образующихся под действием света активных центров. Это обстоятельство затрудняет изучение кинетики. [c.76]

Угловая зависимость обратной величины эффективного коэффициента диффузии, полученная по начальному наклону автокорреляционной функции затухания рассеянного света, аналогична угловой зависимости средней интенсивности рассеяния, в которую введена поправка Р (9) согласно уравнению (76). Эта зависимость имеет четкий максимум при промежуточных значениях q. При малых q S q) становится меньше равного единице значения для невзаимодействующих частиц, при больших 5 q) стремится к предельному значению, равному единице, хотя при более высоких концентрациях имеется вторичный широкий пик для S(q), указывающий на наличие диффузного слоя следующих ближайших соседей, примыкающего к слою ближайших соседей, который обусловливает появление первичного резкого пика. При разбавлении эти пики. смещаются к меньшим значениям q вследствие увеличения расстояния между частицами при уменьшении их числа. [c.200]

Причина светорассеяния состоит в том, что переменное электрическое поле световой волны вызывает колебание электронов частиц, постоянное уменьшение и увеличение расстояния между зарядами (индуцирование диполей), что обусловливает возникновение вторичного излучения, распространяющегося по всем направлениям. Чем крупнее частица, тем больше в ней появляется подобных диполей, а чем менее прочно электроны связаны с атомными ядрами, т. е. чем выше поляризуемость (деформируемость) электронных оболочек, тем легче происходит индуцирование диполей. Поэтому с возрастанием числа и размеров частиц, с увеличением коэффициента рефракции, зависящего от поляризуемости, увеличивается интенсивность рассеянного света. [c.406]

В печной теплотехнике тормозное излучение электронов имеет практическое применение в электрор олутевых -печах (см рис. 62). Поток электронов со скоростью, достигающей десятых долей скорости света, бьющий в анод, вызывает теплогенерацию в результате превращения кинетической энергии электронов. Однако часть этой энергии в виде тормозного излучения рассеивается и поглощается охлаждаемым ограждением печи. Таким образом, тормозное излучение в электроннолучевых печах наряду с вторичной эмиссией электронов (с анода) уменьшает коэффициент полезного использования энергии. [c.233]

Методы, основанные на измерении величин, характеризующих световое излучение, путем преобразования их в электрический сигнал и обработки его вторичными блоками, имеют широкое распространение, поскольку они хорошо вписываются в технологический процесс. К таким методам можно условно отнести фотометрический, деиситометрический, колориметрический и некоторые разновидности поляризационного и спектрального методов. Фотометрический метод предполагает измерение вторичной освещенности, яркости, светового потока или интенсивности светового излучения, полученного после взаимодействия с контролируемым объектом. Использование той или иной физической величины зависит от конкретной реализации метода, выбранной оптической системы и первичного измерительного преобразователя. Деиситометрический состоит в том, что измеряется оптическая плотность или коэффициент пропускания. Поляризационный отличается использованием поляризованного света и анализом поляризации прошедшей компоненты. Колориметрический заключается в анализе цветовых составляющих света или их отношения. При реализации этих методов основной процесс измерения или преобразования может быть сведен во многих случаях к фотометрическому, поэтому рассмотрим его как основной вариант построения аппаратуры и отметим особенности в реализации других методов. [c.251]

Температурный коэффициент фотохимических реакций может быть обусловлен зависимостью от температуры как первичного акта, в результате которого образуются активные центры реакции, так и вторичных процессов. Температурной зависимости первичного акта нужно ожидать в тех случаях, когда реакция проводится в спектральной области, расположенной вблизи границы, разделяющей сплошной и дискретный спектры поглощения, или же вблизи границы предиссоциации. Действительно, в этих случаях, благодаря увеличению числа молекул, находящихся на более высоких колебательных уровнях, те длины волн, которые при низких температурах приходятся на дискретный участок спектра поглощения, при повышении температуры могут оказаться в области сплошного поглощения или в области предиссоциации, в результате чего эффективность этих длин волн повышается. Яркой иллюстрацией такого перемепхения границы фотохимически активного света являются случаи перемещения границы предиссоциации в сторону больших длин волн при повышегши температуры, установленные Анри [743]. Нужно, однако, сказать, что такие случаи среди изученных фотохимических реакций сравнительно редки, и температурный ход реакций в подавляющем большинстве случаев связан с температурной зависимостью вторичных процессов. [c.385]

Праттон и Мэрон утверждают Первичный процесс поглощения света должен практически не зависеть от температуры. Далее, поскольку вторичные процессы в фотохимических реакциях по природе своей тепловые, они должны иметь температурные коэффициенты, типичные для обычных реакций. Однако большинство вторичных процессов в фотохимических реакциях представляет собой взаимодействие атомов или свободных радикалов друг с другом, а также молекул с ними. Для таких реакций, как правило, энергия активации мала или даже равна нулю . [c.261]

На рис. 25 представлена схема фотоумножителя № 931-А одного из ранних, но все еще применяемых типов. Как видно на этом pjH yHKe, свет, испускаемый фосфором, проходит через стеклянный корпус, попадает на фотокатод и выбивает из него электроны. Последние фокусируются электростатически на первый динод . Каждый электрон, попадающий таким образом на поверхность динода 1, выбивает из нее несколько вторичных электронов, которые фокусируются электростатически на динод 2. Этот процесс на первой ступени дает значительное усиление, аналогичное коэффициенту усиления А, рассмотренному ранее (сы. [c.72]

Мы произвели прямой приближенный расчет вклада вторичного рассеяния в наблюдаемый поток рассеяния [15]. Вертикальный канал разбивался по длине на 7 участков, первый и последний участки были вдвое короче остальных. Задавая коэффициент экстинкции й или долю света, рассеянного на единице длины а=1— можно в каждом элементе найти интенсивность рассеянного света. Зная телесные углы, под которыми видно поперечное сечение канала, проходящее через центр рассеивающего объема, легко вычислить вклад этих элементов (с учетом ослабления света) в наблюдаемый поток рассеяния. Относительно индикатрисы сделано следующее допущение рассеяние вперед и назад одинаково и вдвое превышают рассеяние под углом 90°. Основная примесь вторичного расссяния в наблюдаемый поток связана с действием участка, содержащего рассеивающий объем, а вклад остальных участков невелик [15]. Рассеяние третьего порядка можно приближенно учесть, считая [c.310]

Каждый из членов правой части изображает собой одну из равнодействующих полупотоков , образующих вилку рис. 450. Угол ф, отсчитываемый ог секущей плоскости, нанесен на рисунке. Допустим, что при данной величине коэффициента рассеяния среды можно пренебречь вторичным рассеянием света, пока он пронизывает некоторый слой конечной толщины Д. Чем больше коэффициент рассеяния, тем меньше может быть принята толщина такога слоя. [c.716]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология