Дефекты, влияние собственные

Центрами окраски называются комплексы точечных дефектов, обладающие собственной частотой поглощения света и соответственно изменяющие окраску кристалла. Влияние центра окраски в кристаллической решетке можно наг- [c.311]

Неравновесные собственные дефекты. На основании имеющихся данных можно считать, что концентрации собственных дефектов при высокой температуре близки к равновесным, особенно в порошкообразных люминофорах (см. гл. X). Однако в процессе охлаждения кристаллов диффузия дефектов быстро замедляется, и в охлажденном образце концентрация их всегда значительно выше той, которая отвечает комнатной температуре. Отсюда ясно, что она зависит от скорости охлаждения, изменяя которую можно проследить за влиянием собственных дефектов на люминесценцию и другие структурно-чувствительные свойства кристаллов. При этом, конечно, нужно учитывать и те связанные с примесями и интеркристаллическими реакциями явления, которые будут рассмотрены в последующих главах. [c.95]

Кристаллизацию из растворов в расплавленной соли или в жидком растворителе (в нормальных или надкритических условиях) используют для веществ с незначительным давлением пара и с высокой точкой плавления. Кроме того, метод кристаллизации из растворов может быть принят и по другим причинам. Например, при выращивании из обычного раствора или из раствора в расплаве температура кристаллизации понижается. В связи с этим в процессе синтеза уменьшаются давление пара и концентрация собственных дефектов. Влияние давления оказывается существенным при кристаллизации веществ, склонных к разложению или испарению, например при синтезе [c.59]

Взаимное влияние собственных и примесных дефектов путем образования ассоциатов и в связи с изменением условия нейтральности часто наблюдается одновременно. Однако для простоты рассмотрим сначала гипотетический случай ассоциации, когда предполагается, что все дефекты электронейтральны и поэтому взаимодействие по второму типу невозможно. Рассмотрим кристалл простого вещества, состоящий из атомов М и содержащий вакансии Ум- Пусть этот кристалл находится в равновесии с паром, в котором имеются атомы примеси Р, причем парциальное давление примеси равно рр. Примесные атомы размещаются в узлах решетки кристалла. [c.253]

Можно указать две основные причины возникновения дефектов в кристаллах. Первая обусловлена тепловым движением частиц, формирующих кристалл. С повышением температуры твердого тела энергия такого движения растет, поэтому возрастает и вероятность образования подобного рода дефектов, обычно называемых собственными или тепловыми. Другой вид дефектов связан с наличием в структуре вещества тех или иных примесей. Вообще говоря, абсолютно химически чистых веществ не существует. Однако влияние примесей на свойства вещества может быть незначительным, и тогда их присутствием пренебрегают. Когда присутствующие примеси существенно изменяют свойства твердого тела, говорят о дефектах химического состава кристалла или примесных дефектах. [c.87]

Кажущееся увеличение размеров дефекта путем подключения протекторов, которые одновременно уменьшают степень влияния и благодаря их собственной отдаче защитного тока. [c.243]

Дефект в виде парафиновой пробки по всей длине трубы приводит к смещению собственных частот в среднем на 11%. Чтобы оценить влияние наслоения парафина в интервале 0..31 мм (трубы без парафина и до полного заполнения внутренней полости трубы), были построены зависимости собственных частот трубы от толщины слоя парафина Г на внутренней поверхности (рис.4.). Анализ графика показывает, что при увеличении толщины слоя парафина значения собственных частот падают. [c.12]

Значения с/ рассчитаны для двух положений образца при изгибных колебаниях. Минимальное значение с/ соответствует такой ориентации видимых дефектов (сучков, трещин), при которой их влияние на собственную частоту наибольщее. [c.812]

В. я. Хаимов-Мальков [78] рассмотрел процессы диффузии в монокристаллах лейкосапфира, согласно которым собственные точечные дефекты могут взаимодействовать с примесными атомами (центрами), меняя их валентное состояние и пространственную конфигурацию. В результате образуется малоподвижный примесно-дефектный комплекс. Такой процесс описывается в рамках твердофазных химических реакций. Изменение валентного состояния примеси и, следовательно, структуры примесного центра, приводит к соответствующему изменению объема кристалла, определяемого с помощью дилатометра. То есть в конечном счете по этой причине возникают механические напряжения, обладающие значительными градиентами и оказывающие влияние на процесс диффузии. [c.77]

Выше уже отмечалось влияние дефектов кристаллической структуры на собственное поглощение щелочно-галоидных кристаллов и указывалась их роль в образовании электронных и дырочных центров захвата. Дефекты структуры играют существенную роль также и в других явлениях и определяют целый ряд важнейших свойств реальных кристаллов. В своей книге Фотолюминесценция жидких и твердых веществ В. Л. Левшин [189], отмечая большую роль внутренних неоднородностей и нарушений кристаллической структуры в явлениях люминесценции, считает, что наличие дефектов структуры и их тесное взаимодействие с решеткой является необходимым условием возникновения длительного свечения кристаллофосфоров. [c.98]

Повышение чистоты материалов позволяет на более высоком уровне изучать закономерности зарождения новой фазы, учитывая образование собственных и примесных дефектов структуры в кристаллах [252]. Для создания общей теории гетерогенного нестационарного зародышеобразования необходимы точные количественные данные о влиянии указанных дефектов и режимов кристаллизации на кинетические параметры процесса. Последнее возможно только при использовании статистических методов исследования и соответствующей обработке экспериментальных данных. [c.116]

Реальные кристаллы существенным образом отличаются от идеальных. Тепловые колебания атомов, ионов или молекул нарушают расположение частиц в кристалле. Смещения частиц из равновесных положений под влиянием тепловых колебаний довольно значительны и возрастают с повышением температуры. При комнатной температуре отклонения составляют 0,1—0,2 А, что, как правило, равно нескольким процентам периода идентичности. Такого типа дефекты кристаллической структуры, возникающие при тепловых колебаниях, от действия электромагнитных волн, вызванные бомбардировкой а-частицами, нейтронами, протонами, ионами тяжелых металлов, можно назвать энергетическими. Как результат воздействия на структуру кристалла различного рода примесей возникает в ней избыток либо электронов, либо дырок (см. рис. 5.10), что приводит к появлению другого типа дефектов — электронных. Наконец, имеется еще третья категория — атомные дефекты, которые могут быть вызваны 1) собственными атомами структуры 2) примесями 3) дислокациями. [c.264]

Однако даже в эластомерах на последних стадиях кристаллизации поликристаллы (сферолиты или зерна) занимают, как правило, практически весь объем образца. Это означает, что большую часть поликристаллов занимает не собственно кристаллический материал, а проходные цепи и аморфные прослойки между соседними ламелярными кристаллами наличие этих макродефектов определяет особенности механических свойств предельно закристаллизованных эластомеров. Поэтому при рассмотрении влияния условий кристаллизации на морфологию, а морфологии — на механические свойства полимеров иногда пользуются представлениями о дефектах, рассматривая даже не связанную с монокристаллами аморфную часть как макродефекты. К сожалению, до сих пор отсутствует строгая количественная теория, которая бы дала возможность обосновать такое рассмотрение и разделить собственно дефекты внутри кристалла от складок и проходных цепей, от аморфной части, не связанной с монокристаллами, но входящей в качестве дефектов в поликристалл, а также от аморфной части, остающейся за границами поликристаллов и не связанной с ними, к которой только и может быть строго отнесено понятие аморфная фаза (по-видимому, доля ее на последних стадиях кристаллизации весьма мала даже в эластомерах). [c.26]

Помимо примесей, сильное влияние на свойства окислов оказывает соотношение металл кислород. При небольших отступлениях от стехиометрического состава сильно возрастает проводимость. Модель дефектов строилась по аналогии с собственными дефектами в щелочногалоидных кристаллах, т. е. предполагалось, что образуются вакансии в анионной или катионной подрешетке или ионы в междоузлиях. Вакансии захватывают электроны или дырки. Электронейтральность кристалла, как и в случае примесей, обеспечивается изменением валентности эквивалентного количества основных переходных ионов. [c.4]

Как уже говорилось, так ое положение вызвано тем обстоятельством, что плотный поликристаллический углерод при образовании кристаллического соединения часто превращается в поликристаллический порошок. В этих условиях такие свойства соединений, как тепловое расширение, сжимаемость, твердость и электропроводность, могут определяться скорее границами между кристаллитами, чем свойствами собственно кристаллической решетки. Исследования межкри-сталлических границ указывают на то, что в некоторых случаях их влияние сводится, по-видимому, лишь к дополнительному эффекту [593]. К счастью, картина рентгеновской дифракции и величина магнитной восприимчивости вряд ли сильно меняются в результате превращения графита в поли-кристаллические порошки при образовании кристаллических соединений. Другая сложность заключается в том, что некоторая часть добавок может закрепиться в графите на дефектах структуры их вклад в количественные характеристики кристалла зависит от природы этих дефектов, которая может быть весьма различной и в любом случае с трудом поддается изучению. Эта неопределенность осложняет детальную интерпретацию ряда результатов [261, 407, 408, 411]. [c.160]

Таким образом, при сравнительно низких концентрациях примеси основная ее часть находится в виде свободных дефектов замещения [Ом +], а концентрация нейтральных комплексов пренебрежимо мала. Другими словами, рассмотренный случай отвечает полной диссоциации комплексов. Здесь, однако, следует помнить о том, что концентрация примеси должна оставаться большой по сравнению с константой собственной разупорядоченности Кз, Кр или Кар, в противном случае влияние примеси вообще пропадает и в кристалле будет доминировать собственная разупорядоченность (предельный случай I в предыдущем разделе). Поэтому более строгое условие, при котором в примесном кристалле реализуется решение (5.39), следует записывать в виде [c.143]

Хотя это рассуждение проведено для высокой температуры, оно дает в основном верную ориентировку, что подтверждается результатами расчета для ZnS и dS по уточненной схеме (см. рис. 83 и 84). Становится ясным, в частности, влияние ширины запрещенной полосы и асимметрии в расположении уровней противоположно заряженных собственных дефектов на электропроводность кристаллов. Так, в случае чистого dS, получаемого при 927° С, близость уровней Vs и Vs к зоне проводимости и соответственно большое расстояние их от валентной зоны Eg относительно велико) приводит к тому, что для получения р-проводимости необходимы давления паров серы, превышающие 60 ат . При этом нужно учесть что, как видно из рис. 86, достаточно присутствия 10 I (это на порядок ниже чувствительности нефелометрической реакции на хлор), чтобы сульфид кадмия превратился в -полупроводник даже при ps,= 100 атм. Отсюда ясно, почему dS во всех случаях обладает электронной проводимостью . [c.201]

Чистота сырья. Основные сведения о влиянии примесей в сырье на спекание и рекристаллизацию ферритов частично уже рассмотрены выше. Следует особенно подчеркнуть радикальное изменение характера микроструктуры при использовании сырья особой чистоты. Так, спекание оксида магния в случае, когда содержание примесей не превышало количества собственных равновесных дефектов решетки MgO, протекало иначе, чем при использовании сырья обычной реактивной чистоты. Основная особенность — сравнительно легкое достижение плотности, весьма близкой к теоретической. [c.240]

Совокупность упрощенных решений обобщенной системы уравнений будет содержать и все решения, найденные в предыдущем разделе для чистого кристалла. Прежде всего, это очевидно для исчезающе малых концентраций примеси. Так, если концентрация примеси мала по сравнению с одной из констант собственного разупорядочения ионных кристаллов Кз, Кр или Кар (обладающих соответственно дефектами Шоттки, Френкеля или антифренкелевскими дефектами), влияние примеси несущественно и концентрации доминирующих дефектов во всем интервале давлений неметалла определяются решениями I—III, полученными в предыдущем разделе. Аналогично, в случае полупроводника реализуются решения I—III, приведенные в разделе 4.4, если концентрация примеси мала по сравнению с константой собственной ионизации К1. [c.160]

При измерениях с индикаторами, кроме обычных технических ошибок (дефекты аппаратуры, собственная окраска раствора, неравномерное освещение при колориметрических сравнениях и т. д.), существуют ошибки, зависящие от природы индикатора. К этим ошибкам следует отнести 1) ошибки, связанные с тем, что при диссоциации индикатора (как кислотного, так и основного) изменяется pH исследуемого раствора —, кис 10тная ошибка 2) ошибки, связанные с влиянием нейтральных солей — солевая ошибка 3) ошибки, происходящие от того, что протеины и продукты их распада, а также некоторые другие вещества, находящиеся в коллоидном состоянии, [c.88]

Наряду с влиянием ионизированных примесных дефектов на концентрацию собственных дефектов наблюдается обратный эффект. Влияние собственных дефектов на концентрацию заряженных примесных дефектов осуществляется через рав1ювесие ионизации и тем самым непосредственно зависит [c.261]

В областях II и III концентрации собственных дефектов изменяются — концентрация Vph увеличивается, а Vs уменьшается. Это явление можно рассматривать как влияние примеси на растворимость в кристалле избытка свинца или избытка серы [30]. Однако существует некоторая неопределенность в вопросе о том, что считать избытком свинца или серы в смешанном кристалле такого рода для ответа на этот вопрос, очевидно, необходимо определить, что под-зазумевается под точно стехиометрическим смешанным кристаллом [31]. "ораздо более определенным является противоположный эффект — влияние собственных дефектов на растворимость примеси. Некоторые особенности такого влияния видны уже из рис. XVI. 1, откуда ясно, что растворимость примесного атома в заряженной форме резко изменяется в точке, где его концентрация становится больше концентрации преобладающих собственных дефектов. Дополнительные сведения дает расчет концентраций дефектов как функции р 2 (или рхг) при постоянной активности примесных атомов. [c.451]

В [24] были изучены спектры поглощения топких монокристаллов сульфида кадмия, вырезавшихся из образцов, пластически деформировавшихся при температурах 100— 150К за счет образования и движения в базисной плоскости дислокаций с вектором Бюргерса вдоль <1120>. Полученпые результаты представлены на рис. 3. Анализ кривой поглощения показывает, что даже при большой плотности дислокаций (10 см ) ни положение, ни форма экситонной полосы существенно не меняются, а в районе линий, соответствующих образованию экситонных комплексов, появилась дополнительная полоса поглощения, ширина которой составляет не менее 0,01 эв. Появление этой полосы непосредственно определяется введенными в кристалл дислокациями и не может быть связано с влиянием собственных точечных дефектов или их комплексов, которые могли бы возникнуть при деформации. Такие дефекты достаточно хорошо изучены, и даже весьма значительные их концентрации не приводили к появлению подобной широкой полосы поглощения. С другой стороны, обычный электронный переход пе может обеспечить столь большого коэффициента поглощения (100 сж ), так как малы плотности состояний и силы осциллятора. [c.243]

Анализ литературных источников и собственные исследования показывают, что на напряженно-деформированное состояние КСП оказывает влияние множество факторов технологического, конструкторского и механического происхождения. Это такие параметры технологического процесса температурный режим работы КСП, степень заполнения корпуса СП, режим загрузки и число оборотов КСП. На долговечность также оказывает влияние, как было сказано ранее, дефекты механического происхождения, как отдулины, трещины, выпучины, износ трущихся поверхностей бэчда-жей и роликов и т.д. [c.118]

Акустическая Д. основана на изменениях под влиянием дефектов упругих колебаний (диапазон частот от 50 Гц до 50 МГц), возбужденных в металлич. изделиях и диэлектриках. Различают ультразвуковые (эхо-метод, теневой и др.) и собственно акустические (импедансный, своб. колебаний, акустико-эмиссионный) методы. Наиб, распространены ультразвуковые методы. Среди них самый универсальный-эхо-метод анализа параметров акустич. импульсов, отраженных от поверхностных и глубинных дефектов (площадь отражающей пов-сти > 1 мм ). При т. наз. теневом методе о наличии дефекта судят по уменьшению амплитуды или изменению фазы ультразвуковых колебаний, огибающих дефект. Резонансный метод основан на определении собств. резонансных частот упругих колебаний при их возбуждении в изделии применяют для обнаружения коррозионных повреждений или утонений стенок изделий с погрешностью ок. 1%. По изменению скорости распространения (велосимметрич. метод) упругих волн в местах нарушения сплошности контролируют качество многослойных металлич. конструкций. [c.29]

Чтобы обосновать возможность применения виброакустического метода для диагностики труб, необходимо провести аналитические исследования акустических свойств их материала, которые заключаются в определении собственных частот труб, влияния различных дефектов и присоединенных масс на спектр собственных частот колебаний труб. Собственные частоты описываются дифференциальными уравнениями обш,ей теории колебаний, основные положения которой изложены в работах А. Пипарда, Я.Г. Пановко, Дж. Стретта (Релея), В.Н. Тюлина, К. Магнуса, М.Б. Виноградова, В.Т. Гринченко, Р. Бишопа, Ю.Н. Новичкова и других. [c.7]

Во ВТОРОЙ главе приведены результаты аналитических исследований акустических свойств насосно-комнрессорных труб определены собственные частоты исправных труб, оценено влияние на них присоединенной массы муфты, дефектов в виде отверстия, в виде поперечной треш,ины, истирания металла, парафиновой пробки. [c.7]

Следует, однако, отметить, что влияние добавок на процесс спекания весьма сложно и не всегда однозначно. Образование плотных пленок примесей на поверхности зерен может иногда замедлить процесс спекания. В частности, при некоторых условиях спекание спектральных чистых оксидов происходит полнее, чем оксидов, содержащих примеси. По П. П. Будникову, Т. Н. Кешишяну и В. К- Яновскому, спектрально чистый MgO уже при 1600 °С приобретает собственные дефекты решетки в таком количестве, которое позволяет достигнуть при спекании относительной плотности 0,96...0,98 (т. е. 96...98% от теоретической), а относительная плотность спекаемого в тех же условиях менее чистого MgO составляла 0,91...0,95. В то же время при 1320° С спектрально чистый MgO спекался еще значительно хуже, чем чистый. [c.348]

При изучении диффузии точечных дефектов существует два взаимодополняющих подхода. В первом случае учитывается влияние нарушений кристаллической решетки, а во втором — влияние кристаллической решетки на состояние дефектов. При этом симметрия играет центральную роль (при классификации как собственных, так и несобственных дефектных состояний). Совокупность элементов симметрии, присущих любой точке кристаллической решетки, образует группу симметрии, которая позволяет упрострггь решение задачи, если использовать теорию групп. Эксперимен-тальнью методы определения симметрии дефекта основаны на определении его анизотропных характеристик путем поляризованного возбуждения, либо с помощью различного рода воздействий, например, механических (одноосное сжатие), а также магнитными, электрическими, световыми полями. Во всех случаях возбуждения информацию о симметрии дефекта дает расщепление вырожденных уровней. [c.81]

Наличие несплошностей, а также конструктивньи концентраторов напряжений, связанных с резкими переходами от основного металла к металлу шва или от одного элемента к другому, может способствовать снижению надежности сварного соединения. Их отрицательное влияние иногда проявляется даже в случае статического приложения нагрузок при неблагоприятном сочетании с собственными напряжениями при действии низких температур или агрессивных сред. Наиболее сильное влияние наличия несплошностей имеет место при работе конструкции под усталостной нагрузкой. В этом случгю даже небольшой дефект или концентратор может стать источником зарождения трещины. [c.8]

Одним из распространенных видов влияния высоких температур на свойства металлов является тепловое охрупчивание стали. Оно проявляется в том, что уменьшается вязкость разрушения стали и смещается в сторону более высоких температур переход от хрупких к вязким формам разрушения. Последнее считается опасным для конструкций, которые по условиям эксплуатации должны периодически охлаждаться до температур, при которых металл может оказаться в хрупком состоянии. В частпости, некоторые конструкции ядерных энергетических установок, расчетная нагрузка которьгх в основном зависит от массы и собственных напряжений, возникающих от изменения температурного состояния, после охлаждения и при повторном разогреве оказываются при высоких эксплуатационных напряжениях, в то время как металл обладает низкими вязкими свойствами. Разумеется, опасной считается не хрупкость металла как таковая, а неблагоприятное сочетание трех факторов трещин или трещиноподобных дефектов, высоких напряжений и низкой вязкости металла. Полной уверенности, что трещин нет и что они не могут появиться из-за высоких местных временных напряжений, не имеется. Поэтому стремятся по возможности иметь более высокую вязкость металла, исключающую распространение возникших трещин за пределы дефектного участка. [c.450]

Для примесных полупроводников возможны два случая. Если эффективные дефекты, возникающие под действием облучения, обладают тем же характером (донорным или акцепторным), что и существовавщие до этого дефекты или примеси, т. е. если они изменяют концентрацию основных носителей тока, то эффект облучения будет очень слаб в этом твердом теле. Концентрация нарущений, существовавщих до облучения, часто составляет 10 — 10 8 на 1 г, т. е. она больше, чем концентрация дефектов, получающихся при облучении. Если образованные дефекты оказывают влияние на концентрацию второстепенных носителей тока, то происходят очень значительные изменения в свойствах твердого тела. Действительно, если учесть, что произведение числа электронов проводимости на число дырок постоянно при данной температуре пр = N ), то изменение числа второстепенных носителей тока приведет к одновременному изменению числа главных носителей тока. Поскольку концентрация второстепенных носителей тока может быть очень низка, даже меньше 10 ° г , то возможно, что в противоположность предыдущему случаю эффекты будут значительны для относительно малых доз радиационной энергии могут наблюдаться изменения типа проводимости образца. Например, в случае германия, когда произведение пр равно 6-10 6, акцепторные уровни (вакансии), образующиеся под действием радиации, играют доминирующую роль [70]. После облучения германия -типа возникает большое число дырок в результате концентрация носителей тока п, а следовательно, и проводимость быстро убывают если доза рассеянной энергии достаточна для создания примерно Ю з эффективных акцепторных дефектов, полупроводник становится собственным полупроводником, причем его проводи- [c.217]

В рассмотренных простейших примерах видны некоторые существенные особенности электронной кинетики. Они сводятся к возможности имитации классической кинетики и кинетики на неоднородных поверхностях, к эффектам активирования и торможения, к влиянию па процесс различных факторов, вызывающих генерацию или разрушение дефектов. Характерны антагонистические действия добавок доноров и акцепторов,, и можно ожидать компенсационных эффектов при введении с.мссей добавок и противоположного поведения п- и р-полупроводников. Любопытно, что в этом приближении для полупроводников с собственной проводимостью можно ожидать сходных эффектов, так как хотя электропроводность их растет как при добавлении акцепторных, так и при добавлении донорных примесей, но, поскольку переходный комплекс имеет определенный знак, рост электропроводности будет в одном случае сопровождаться ростом активности, а в другом — его падением. [c.19]

Поэтому сварное соединение представляет собой сложную фнзико-химическую, механическую и электрохимическую макро- и микрогетерогенную систему со следующими характерными видами неоднородности структурно-химической макро- н микронеоднородностью зон (основной металл, литой металл шва, переходные зоны термического и термом ханического влияния и т. д. в пределах каждой зоны) неоднородностью напряженного состояния — собственного (остаточные сварочные напряжения и пластические деформации) и от внешней нагрузки геометрической неоднородностью, обусловленной наличием технологических концентраторов (граница шва и основного металла, дефекты формы шва — подрезы, непровары и др.) и конструктивных концентраторов, определяемых типом сварного а динения 11 [c.494]

Первая глава представляет собой краткий обзор имеющихся литературных данных о механизме поглощения света чистыми кристаллами щелочно-галоидных соединений, о влиянии дефектов кристаллической структуры на спектры их собственного поглощения и о свойствах и структуре электронных и дырочных центров окраски в субстрактивно и аддитивно окращенных кристаллах щелочно-галоидных соединений. [c.6]

В хорошо отожженном твердом теле при любой заданной температуре должно быть равновесие концентраций дефектов Шоттки и Френкеля, а относительная концентрация каждого из этих типов дефектов зависит от величины соответствующих энергий их образования. Мотт и Герни [20] вычисляли число дефектов Френкеля, находящихся в термодинамическом равновесии при температуре Г, следующим образом. Пусть N означает число однотипных атомов, имеющихся в кристалле, М — общее число возможных мест в междоузлиях. Примем, что п атомов покинули свои регулярные места в узлах кристаллической решетки, образуя п равновесных дефектов Френкеля. Тогда, допуская, что 1) концентрация дефектов столь мала, что они по существу не взаимодействуют друг с другом, 2) объем кристалла остается постоянным, так что энергия дефектов пе зависит от температуры, 3) присутствие дефектов Френкеля не оказывает влияния на собственные частоты колебаний решетки, можно записать [c.217]

Тот факт, что процессы обмена со слоем играют роль как при хемосорбции, так и при десорбции газов — в особенности на полупроводниковых твердых веществах типа окислов и сульфидов, — известен уже давно по изменению проводимости таких полупроводников в атмосфере различных газов. С точки зрения электронных дефектов можно подразделить полупроводниковые катализаторы на катализаторы п-типа и р-типа, за исключением собственных полупроводников (р-/г-проводимость). Катализатор п-типа характеризуется наличием свободных электронов е, т. е. электронов в зоне проводимости, и присутствием, по закону электрической нейтральности, в эквивалентной концентрации анионных вакансий или металлических ионов в междоузлиях. Катализатор р-типа характеризуется соответствепио наличием недостатка электронов , т. е. дырок в валентной зоне, с эквивалентной концентрацией незанятых катионных узлов. За исключением случаев жестких соотношений при реакции (как, например, для Нг на NiO), в случае катализаторов п- типа будет происходить обмен электронами только между зоной проводимости и соответствующей молекулой, а в случае катализаторов р-типа — обмен электронами только между валентной зоной и находящимся на поверхности газом. При этом характерный для каждого полупроводника п- или р-типа обменный уровень вещества слоя является потенциалом Ферми или, иначе говоря, электрохимическим потенциалом т]- или т]+ свободных электронов или дырок соответственно. Как показано ниже на примере простой реакции, появление в зоне и уход или эмиссия электронов из валентной зоны или зоны проводимости катализатора, так же как невозможность электронного обмена, определяется абсолютным значением т] и и энергетического уровня попадающей на поверхность или находящейся на ней молекулы газа. В настоящем изложении мы вначале пренебрежем электрическим диффузионным потенциалом, всегда появляющимся вблизи поверхности в результате возникновения объемных зарядов. Влияние диффузионного потенциала Vd, зачастую определяющего течение реакции, будет обсуждено в заключение, исходя из известного соотношения г] + = j V, где J.I — химический потенциал в электрон-вольтах, а К — электрический потенциал. [c.219]

То, что необходимо учитывать строение электронных оболочек примесных ионов, явствует из сравнения влияния примесей N1 + и Действительно, если рассматривать только разницу зарядов основного и примесного катионов, то пришлось бы сделать вывод, что ион Ы" " должен влиять на е азотнокислого бария сильнее, чем ион К , так как введение иона в решетку Ва(НОз)2 приводит к образованию большего числа дефектов, чем введение иона N1 . Так, при образовании раствора замещения ион Ь образует два дефекта собственно ион Ь на месте иона Ва и анионную вакансию. Ион N1 + дает при образовании раствора замещения только один дефект — вакансий в этом случае не образуется. Анологичная ситуация возникает и при образовании раствора внедрения. Таким обра- [c.84]

В заключение следует отметить, что собственное атомное разупорядочение существенным образом влияет на магнитные свойства ферритов и это обстоятельство надо учитывать, когда решается задача получения материала со строго повторяющимися параметрами. В качестве технологического приема, стабилизирующего магнитную индукцию и квадратность термостабильной петли гистерезиса, можно рекомендовать дополнительные к основной термообработке отжиги при температурах 700—800° в течение времени, достаточного для равновесного перераспределения ионов по подрешеткам (продолжительность отжига зависит от природы феррита [35]). Примером поразительного влияния атомных дефектов на магнитные свойства является поведение феррита никеля, резко закаленного с высоких температур и обладающего определенной концентрацией ионов N1 + в Л-узлах решетки (при 1300° в формуле Ы111 1л Реж [Ы1 Ре21л ]04 х=0,9955). Как показали измерения Ройнтона и Робертсона [36] появление N1 + в тетраэдрических узлах шпинельной структуры приводит к изменению анизотропии кристалла и ширины линии ферромагнитного резонанса. [c.270]

При интерпретации экспериментальных данных следует иметь в виду и другие функции повышенного давления паров элементов, образующих основание люминофора. Некоторые из них, в частности, влияние на растворение иновалентной примеси, уже упоминались (см. гл. III, 2). Изменяя концентрацию собственных дефектов, избыток рМг или рзг может оказывать также влияние на интеркристаллические реакции ассоциации-диссоциации типа [c.205]

Ранее нами уже рассматривались многие из тех процессов, которые могут происходить при отжиге, а именно сегрегация и осаждение примесей в области линейных и поверхностных дефектов, а также связанное с этим возникновение областей повышенного электрического сопротивления, обратимое и необратимое превращение центров свечения, увеличение степени самокомпенсации полупроводниковых кристаллофосфоров и диффузия примесей по дислокациям. При отжиге на воздухе нужно считаться с сорбцией кислорода, а выше определенной температуры — также с окислением основания люминофора. К этому следует добавить возможность полиморфных превращений. Например, при медленном охлаждении или отжиге закаленных ге/сс-2п5-Си-фосфоров, содержащих большое количество меди (1 10 г/г и более), происходит переход от структуры вюрцита к структуре сфалерита [82]. Благоприятное действие избытка меди может быть связано как с повышенной плотностью дислокаций, а потому и собственных дефектов, облегчающих самодиффузию, так и со стимулирующим влиянием хлористой меди u l, имеющей структуру сфалерита . Полиморфные превращения при отжиге наблюдались также у люминофоров других классов, например у aS04-Mn [59]. [c.311]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология