Люминофора температура

Печи муфельные (трубчатые). Для прокаливания некоторых видов сульфидных люминофоров применяются муфельные (трубчатые) электропечи (рис. 51). Шихту, подвергаемую прокаливанию, помещают в кварцевую трубу с наружным диаметром 150 мм и длиной 1300— 1350 мм. Кварцевая труба устанавливается в печь вертикально. Печь предварительно нагревается до 400—500 °С и в нагретую печь загружают шихту в несколько приемов, после чего температуру печи доводят равномерно до 1250 °С. После прокалки шихты температура равномерно снижается до 400 °С и кварцевая труба удаляется из печи. [c.175]

Некоторые составы сульфидных люминофоров разгружают из печи при температуре прокаливания. В трубчатую печь за одну операцию помещают 10 кг шихты. [c.175]

Определение непроницаемости гуммировочных материалов по интенсивности люминесцентного свечения. Сущность метода заключается в определении (при нормальных и повышенных температурах) глубины проникновения жидких агрессивных сред в гуммировочные материалы по изменению степени интенсивности люминесцентного свечения при освещении ультрафиолетовыми лучами введенных в гуммировочный материал люминесцентных веществ. Образцы в виде круга толщиной 2-4 мм и диаметром 23 мм — для испытаний при нормальной и 68 мм — при повышенной температурах — изготовляют из резиновой смеси, в которую при смешении на вальцах вводят люминесцирующее вещество — люминофор-59 в количестве от 0,01 до 0,1 масс. ч. на 100 масс. ч. каучука для резин, не содержащих углеродных саж, и от 0,5 до 1,0 масс. ч. на 100 масс. ч. каучука для резин, содержащих углеводородные сажи. Толщину образцов до испытания тщательно замеряют с точностью до 0,01 мм. Образцы испытывают с помощью специальных приборов в течение определенного времени (от 1 ч до нескольких суток) в зависимости от химической стойкости исследуемых образцов. [c.138]

При возбуждении катодным пучком люминофор должен иметь белый цвет свечения, отвечающий цветовой температуре — БМ-3 5000—6500° К БМ-4 6500—9000° К. [c.576]

Зависимость спектра излучения от температуры для многополосных люминофоров объясняется температурным тушением люминесценции, которое различно для различных полос. [c.10]

Рис. 1.4. Зависимость степени нелинейности стационарной яркости свечения голубой (1) и зеленой (2) полос люминофора 2пЗ-Си от температуры.

Для характеристического люминофора (Са, 2п)з(Р04)а-Зп при повышении температуры интенсивность зеленой полосы уменьшается, а красной — увеличивается (см. рис. 1.5). [c.10]

Интенсивность свечения люминофоров зависит от температуры (рис. 1.12). Характер этой зависимости определяется составом основы люминофора, химической природой активатора и присутствием так называемых гасителей люминесценции. В определенном температурном интервале при повышении температуры происходит уменьшение интенсивности свечения (температурное тушение люминесценции). [c.16]

Это свойство дает возможность использовать указанные люминофоры в лампах высокого давления, где температура колбы, на которую наносится люминофор, может достигать 200—300°. [c.17]

Дополнительный же максимум на этой кривой, может быть, по мнению автора, обусловлен двумя типами барьеров внутри кристаллов и между кристаллами (максимум при низких температурах зависит от гранулометрического состава люминофора). [c.19]

Скорость затухания у характеристических люминофоров не зависит от интенсивности возбуждающего света и температуры. [c.20]

Рис. 1.20. Зависимость длительности затухания свечения люминофора ZnS Ag от температуры

Свойства электронных ловушек можно исследовать методом термического высвечивания [46—49]. Суть его состоит в следующем. Люминофор охлаждают до температуры жидких азота (—195 °С) или гелия (—270 °С), а затем возбуждают светом, что локализует электроны на ловушках. Затем источник возбуждения выключают и начинают нагревать люминофор с некоторой постоянной [c.23]

В работе [48] КТВ определяли с большой точностью при помощи так называемого метода фракционирования. Этот метод отличается от описанного тем, что вместо плавного постоянного нагревания люминофор нагревают так, что температура испытывает небольшие колебания, накладывающиеся друг на друга. Это позволяет широкие максимумы на КТВ разрешить в виде отдельных элементарных максимумов, соответствующих отдельным элементарным уровням захвата (ловушкам). [c.25]

Явление стимуляции у цинксульфидных люминофоров, например, таких, как ZnS-Си, в том случае, если одновременно включены источники возбуждения и ИК-лучей, наблюдается при низкой температуре, причем понижение температуры усиливает стимуляцию. Обусловлено это тем, что стимуляция связана со срывом электронов с ловушек (см. ниже), а так как при понижении [c.25]

При комнатной температуре интенсивная стимуляция присуща люминофорам гпЗ Си -РЬ и гпЗ Си Мп [56]. В этом случае спектр излучения вспышки у люминофоров соответствует спектру излучения РЬ или Мп. Предполагается, что медь служит источником электронов, запасаемых на ловушках, образу ющихся при введении РЬ [56]. Спектральная область стимуляции этих люминофоров мало отличается от таковой для люминофоров 2п8 -Си. [c.26]

Тушение под влиянием действия ИК-лучей происходит при комнатной температуре тогда, когда на люминофор одновременно действуют возбуждающий свет и ИК-лучи. [c.26]

Химия люминофоров изучает твердофазные системы, один или несколько компонентов которых содержатся в малом количестве (10 — 1,0%). Особенность этого раздела химии твердого тела заключается в том, что в качестве компонентов системы рассматривают не только химические элементы или соединения, но также точечные дефекты кристаллической решетки (например, вакансии) и свободные носители тока (электроны и дырки). Концентрация дефектов и свободных носителей тока (особенно при высокой температуре, при которой происходит синтез люминофора) сравнима с содержанием примеси активатора в люминофоре. [c.29]

Все халькогениды заметно окисляются при нагревании в присутствии воздуха. Температура начала окисления сильно зависит от размера и состояния поверхности частиц порошка. Начиная с 550°, люминофоры из сульфида цинка заметно окисляются с образованием сульфата, хотя спад интенсивности свечения начинается после прогрева уже при 380—450°. Окисление при температуре выше 800° идет до окиси цинка. [c.32]

Все халькогениды цинка имеют заметное давление пара при температуре синтеза люминофоров ( 1000°). В парах халькогениды почти полностью диссоциируют по уравнению [c.32]

В силу плохой теплопроводности люминофоров температура поверхности экрана, непосредственно подверженной бомбардировке, существенно отлична от температуры подложки. 13еличина градиента почти не поддаётся учёту. Это вносит известную неопределённость в количественную оценку наблюдений и заставляет вэсти эксперименты при импульсном возбуждении, чтобы дать время экрану притти в состояние теплового равновесия, из которого он выведен бомбардировкой. [c.95]

Необходимая про-золжительность размола зависит от размера зерен люминофора и их твердости. Твердость люминофора определяется не только его химическим составом, но и маркой полуфабрикатов, применяемых при изготовлении люминофора, температурой прокалки (см. стр. 232). Например, если при изготовлении силикатного люминофора вместо кремниевой кислоты марки водная или для люминофоров применяют безводную кремниевую кислоту, то для размола образующегося люминофора требуется большая продолжительность. Обычно продолжительность размола составляет 40—100 ч. Средой для размола люминофора могут также служить скипидар, бутилацетат [c.277]

Общие сведения. Печи в производстве светяш ихся составов (люминофоров) применяются для прокаливания шихты. Температура во время прокаливания различна и зависит от марки люминофора (900—1250 С). Прокаливание ведут при постоянной температуре с интервалом 10—15 °С. Регулирование темнературы в печи произ-. водится автоматическими регуляторами. [c.173]

Лабораторией Ю.С. Лопатто в этот период было создано несколько марок отечественного стеклоуглерода, материала абсолютно непроницаемого для жидкостей и газов, что обусловлено его неупорядоченной кристаллической структурой и закрытой пористостью. Благодаря ограниченной подвижности примесей в этом материале он оказался необходимым при изготовлении электронных схем, а также как великолепный заменитель платины в лабораторной посуде, используемой при высоких температурах и в агрессивных средах типа тех, при которых получают люминофоры. [c.118]

Многие лантаноиды и их соединения нашли применение в различных областях науки и техники. Они применяются в производстве стали, чугуна и сплавов цветных металлов. При этом используется главным образом мишметалл — сплав лантаноидов с преобладающим содержанием церия и лантана. Добавка малых количеств редкоземельных металлов повышает качество нержавеющих, быстрорежущих, жаропрочных сталей и чугуна. При введении 0,35% мишметал-ла в нихром, из которого делают электроспирали электропечей и др. нагревательных приборов, срок его службы при 1000 °С возрастает в 10 раз. Добавка лантаноидов к сплавам алюминия и магния и других металлов увеличивает их прочность при высоких температурах. Европий является единственной основой для получения красного люминофора для цветных кинескопов. [c.501]

Для технических и научных целей в настоящее время необходимы вещества особо высокой чистоты. Это промышленность полупроводников, атомная, производство люминофоров, некоторые жа(ропрочные и механически прочные материалы, производство материалов для квантовой энергетики (лазеры) и т. д. Достаточно указать, что в важнейшем полупроводниковом материале германии примеси меди и никеля не должны превышать 10- %. Это составляет один атом примеси на миллиард атомов германия или 1 мг на 1 т. С повышением чистоты физические и химические свойства веществ сильно меняются. Например, прочность на разрыв лучших сортов стали составляет 180 кг/мм . Прочность железных усов (тонких монокристаллических нитей из чистого железа) составляет 1200 кг/мм . До 1942 г. считали, что уран имеет температуру плавления, равную 1850 °С. После получения этого металла в чистом состоянии оказалось, что температура его плавления равна 1130°С. Эти примеры показывают практическое значение очистки веществ. Необходимо отметить, что глубокой очистке подвергают уже довольно чистые вещества. [c.65]

Поглощение света или других видов энергии кристаллом приводит к преодолению запрещенной зоны основного вещества и к переходу электрона из валентной зоны в зону проводймости С (переход 1) или с уровней активатора в зону проводимости (переход 2). При поглощении света активатором возникают ионизованные центры свечения, т. е. вакантные уровни Ц, а при поглощении света основным веществом возникают дырки в валентной зоне. Дырки заполняют электронами с уровней активатора (переход 3), и также образуются вакантные уровни Ц. Часть электронов, попавших в зону проводимости С, могут рекомбинировать с ионизованными центрами свечения, т. е. переходить на вакантные уровни активатора (переход 4). Этим обусловлено кратковременное свечение, происходящее в начальный период после облучения люминофора ( мгновенное свечение ). Остальные электроны, попавшие в зону С, застревают на уровнях ловушек Л в местах нарушений кристаллической решетки (переход 5). При этом возможность прямой рекомбинации с ионизованными центрами свечения Ц полностью исключена, так как локальные уровни Л к Ц пространственно отделены друг от друга. Для такой рекомбинации требуется предварительное высвобождение электрона из ловушек Л с переходом его обратно в зону проводимости С (переход 6). Только-тогда по пути 4 может произойти акт высвечивания. Энергия, необходимая для переходов 6, может быть получена от тепловой энергии самой решетки. Для таких переходов требуется время, которое существенно зависит от температуры и разности уровней дна зоны проводимости С и ловушек Л. Излучение, сопровождающее рекомбинацию этих временно застревающих электронов на уровнях прилипания Л, представляет собой послесвечение кристаллов. [c.366]

Примесные дефекты появляются за счет внедрения при высокой температуре в кристаллическую решетку основы ионов или атомов посторонних элементов. Люминесценция, вызванная такими нарушениями, получила название активированной, а актиБИруюш ие примеси — активаторов. Большинство наиболее важных в практическом отношении люминофоров являются активированными. [c.5]

В этой книге химический состав люминофоров обозначается формулами типа МК-А, где МК — основа люминофора, а А — активатор, напри-лер 2пЗ-Си . При необходимости указать количественный состав люминофора (в %) относительное массовое содержание компонентов приводится в скобках после формулы компонента, например гп8(60) -С(18(40) Ag(0,02). Иногда в формуле указывается также применяемый плавень и температура синтеза (в С), например 2п8 Ag(0,02) КаС1(2)800°. [c.6]

Спектры излучения могут зависеть от интенсивности и длины волны возбуждающего света, а также от температуры. Влияние интенсивности возбуждающего света проявляется тогда, когда люминофор имеет несколько полос излучения и интенсивность свечения каждой из них по-разному зависит от интенсивности возбуждающего света, в частности, интенсивность одной Из полос быстрее достигает насыщения. Примером может служить люминофор 2п8 -Си [14], который при концентрации активатора 0,002—0,003% в спектре излучения имеет две полосы, интенсивность свечения которых / зависит от интенсйвности возбуждающего света Е по закону I— где а, в свою очередь, различно зависит от температуры для синей и зеленой полос (рис. 1.4). [c.9]

Влияние температуры на спектры излучения люминофоров различных классов подробно рассмотрено Студером и Гансом [16]. По данным этих авторов, при повышении температуры для различных люминофоров наблюдаются следующие изменения в спектрах [c.10]

Рис. 1.5. Зависимость спектров излучения люминофора (Са, 2п)д(Р04)2 0,083п от температуры.

Рис. 1.16. Зависимость интенсивности свечения люминофора ZnS - u от температуры при фото- (1) и электровозбуждении (2).

Как следует из вышесказанного, характер затухания определяется энергетическим распределением ловушек для электронов и дырок, что, в свою очередь, зависит от химической природы основы, активатора, соактиватора, температуры и длительности прокаливания люминофоров. [c.22]

При возбуждении катодным пучком люминофоров, люминесценция которых вызвана переходом внутри центра, затухание подчиняется иногда экспоненциальному закону. В ряде случаев этот закон сохраняется только на ранних стадиях. Следует отметить, однако, что скорость нарастания свечения и затухания не зависит от условий возбуждения и температуры. На дальних стадиях процесс затухания может подчиняться гиперболическому закону. Типичным примером являются люминофоры 2пГ2-Мп и 2п28104-Мп [6]., [c.22]

Затухание люминофоров на основе 2п8, 2п8 С(18, 2п8-2п8е при активации Си, Ад, Аи подчиняется закону, близкому к гиперболическому (рис. 1.20). Скорость затухания зависит от условий возбуждения и температуры и возрастает при увеличении ускоряющего напряжения, илотности тока и температуры. Возрастание плотности тока, с одной стороны, приводит к увеличению количества электронов и дырок, захватываемых на ловушках, а с другой, — усиливает выброс уже локализованных на ловушках зарядов. В результате высвечивание ускоряется. [c.23]

Для люминофора ZnS - u при = 0,0l7 связь между глубиной ловушки Е и температурой Т, соответствующей максимуму КТВ, может быть с достаточным приближением выражена формулой Урбаха [c.24]

При комнатной температуре стимуляция может возникнуть у цинксульфид-яых люминофоров с длительным послесвечением, если ИК-лучи действуют на люлшнофор в процессе послесвечения. В этом случае после выключения возбуждения можно при каждом включении ИК лучей наблюдать вспышки люминесценции, интенсивность которых убывает со временем [55]. [c.26]

На сегодняшний день данных о растворимости примесей, а также о природе и концентрации точечных дефектов в решетках различных соединений, явно мало. Сложность системы люминофор — активатор заключается и в том, что в большинстве случаев при комнатной температуре она неравновесна и представляет собой пересыщенный твердый раствор. [c.29]

Температура фазового перехода определена только для сульфида цинка (1020°), причем кинетика перехода сильно зависит от наличия в кристаллах примеси (например, меди) или от газовой среды, в которой происходит кристаллизация. Отметим, что хотя для всех соединений, кроме теллурида кадмия, найдены обе кристаллические модификации, в обычных условиях синтеза люминофоров сульфид кадмия имеет только вюрцитную модификацию, а селенид цинка — только сфалеритную. Примесь сульфида кадмия способствует образованию гексагональной структуры твердых растворов ZnS— dS даже при низ-itnx температурах, а примесь селенида цинка — образованию кубической структуры. Селенид кадмия при температуре выше 700° имеет гексагональную структуру. Сульфиды щелочноземельных металлов кристаллизуются в кубической гранецентрированной структуре типа Na l. [c.31]

Диаграммы состояния некоторых важнейших фосфатных систем (рис. II.5) показывают, что последние весьма тугоплавки. Для фосфатов характерны полиморфные модификации (табл. II.4) некоторые высокотемпературные модификации можно стабилизировать добавками других фосфатов. Так, высокотемпературные - a3(P04)2 и -Sr(P04)2 становятся стабильными при комнатной температуре, если введены добавки фосфатов цинка, магния и алюминия, что существенно при синтезе двойных фосфатных люминофоров, активированных Sn(II) [45—52]. Сведения о фазовом составе основы фосфатных люминофоров имеют большое практическое значение, так как различные фазы часто резко различаются по люминесцентным свойствам. В фосфатных системах, например ZnO— aO—Р2О5 или ZnO—SrO—PgOj, образуются как твердые растворы, так и индивидуальные химические соединения, в частности, с общей формулой (МеМе )з(Р04)2 [45—52]. [c.39]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология