Проводимость в галогенидах

Соединения с ионной связью плохо растворяются в неполярных растворителях (тетрахлориде, бензоле и др.), растворы их в воде обнаруживают электрическую проводимость. Галогениды металлов -элементов и ряда неметаллов могут подвергаться в воде сильному гидролизу (см. гл. 8). Ковалентные соединения плохо растворимы в воде, но сравнительно хорошо растворимы в неполярных растворителях. [c.124]

Рис. 8.15. Схематическое представление основного и первого возбужденного-синглетных уровней одного класса красителей, применяемых для сенсибилизации. Энергетические уровни красителя показаны относительно верха валентной зоны и дна зоны проводимости галогенида серебра.

Значение ионной проводимости галогенидов серебра для фотографического процесса обусловлено тем, что перемещение ионов серебра необходимо как для образования скрытого изображения, так и для выделения фотолитического серебра. [c.416]

Константы в уравнениях проводимости галогенидов щелочных металлов [29] [c.209]

В настоящей работе не получено никаких данных, свидетельствующих об участии пустых бромных узлов в проводимости галогенидов серебра при температурах от 20 до 200 . [c.98]

Ионная проводимость галогенидов щелочных металлов и их окрашивание под действием рентгеновских лучей. [Данные для LiF]. [c.19]

Ряд определений методами осадительного титрования, проводимых в водных растворах, можно осуществить при добавлении к воде смешивающегося с ней растворителя (для уменьшения растворимости осадка) или при использовании чистого неводного растворителя в качестве среды для титрования. Примером второго случая может служить титрование сульфата в среде уксусной кислоты раствором ацетата бария или титрование галогенидов и роданидов в среде метанола раствором нитрата серебра. [c.349]

Дефекты по Френкелю — не единственный тип дефектов в ионных кристаллах. В. Шоттки (1935), показал, что в реальном кристалле могут отсутствовать межузельные ионы и в то же время часть узлов решетки оказывается незанятой. Так как в целом должен соблюдаться баланс электрических зарядов, то каждой катионной вакансии соответствует анионная вакансия. Комбинацию катионной и анионной вакансии в ионном кристалле называют дефектом по Шоттки. Процесс протекания тока в таком кристалле можно рассматривать как последовательное осуществление перехода ионов кристаллической решетки в соседнюю вакансию. Подвижности катионных и анионных вакансий в общем случае различны, что и определяет преимущественную катионную или анионную проводимость. Типичный пример соединений с дефектами по Шоттки — галогениды щелочных металлов. [c.96]

Надо заметить, что свойства серебра не являются промежуточными между свойствами меди и золота — это можно видеть уже при сопоставлении первого и второго потенциалов ионизации и температуры плавления металлов, их электрической проводимости, а также ряда химических свойств (низкая растворимость галогенидов серебра, окислительная активность неустойчивого оксида и др.). Серебро во многих отношениях похоже на палладий, т. е. на своего соседа по периоду. [c.204]

Когда краситель поглощает свет, в кристалле галогенида серебра, по-видимому, появляются электроны проводимости точно так же, как при поглощении света самим галогенидом [c.251]

Под действием газообразного брома или иода на поверхности серебра образуются галогениды с ионной проводимостью. При повышении температуры рост пленки происходит по параболической зависимости. [c.147]

Галогениды серебра обладают эффектом фотопроводимости. Считается, что освещение галогенида серебра перебрасывает фотоэлектроны из валентной зоны в зону проводимости галогенида (см. разд. 8.9.2). Механизм образования свободного серебра в этом случае включает миграцию фотоэлектронов и внедренных ионов серебра в избранные точки на зерне, а затем появление свободных атомов серебра в результате соединения ионов и электронов. Образовавшиеся таким образом свободные атомы серебра действуют как эффективные ловушки возникающих впоследствии фотоэлектронов, и новые ионы серебра превращаются в нейтральные атомы вблизи того места, где появился первый атом. Поэтому крупицы серебра растут в отдельных исходных точках. Остающиеся после отрыва электронов положительно заряженные дырки могут обладать некоторой подвижностью и диффундировать к поверхности галогенидосеребряных зерен, выделяя свободный галоген. На рис. 8.14 показан механизм образования изображения, базирующийся на представлениях Гёрни и Мотта. Альтернативная схема, предложенная Митчеллом, предполагает первоначальный захват электрона ионом Дg+ с последующей адсорбцией Ag+ на растущей крупице серебра для захвата возникающих позже электронов. В обоих случаях основные процессы аналогичны. Стадии до образования крупицы из двух атомов обратимы, что согласуется с экспериментальным фактом стабильности скрытого изображения лишь при формировании агрегатов из более чем двух атомов (см. выше). [c.247]

Еще в 1928 г. Гиле и его сотрудники [42] провели ряд работ, в которых было ясно установлено влияние пластических деформаций на проводимость галогенидов щелочных металлов. Создание напряжений выше предела текучести тотчас вызывало увеличение проводимости, за которым следовало медленное уменьшение ее до первоначальной величины. Смекал тогда уже оценил важность этих работ, но в тридцатых годах в связи с повышенным интересом к теории дефектов, и в частности дефектов Шоттки — Вагнера, опытам Гиле не было придано должного значения. В настоящее время эти ранние эксперименты можно объяснить, пользуясь теорией дислокации. Установлено, что в процессе пластической деформации вакансии порождаются дислокациями, вследствие чего проводимость возрастает медленное уменьшение проводимости вызвано агрегацией излишних вакансий, которые, в конце концов, осаждаются на дислокациях. [c.63]

Предел, до которого проходит реакция, зависит от природы групп R и Y. Исследования проводимости галогенидов этил- и метилолова показали, что в чистом состоянии эти вещества не являются истинны.ми электролитами, однако растворы их в метиловом или этиловом спирте, воде, пиридине и ацетоне — относительно хорошие проводники. В бензоле, эфире, нитробензоле или нитрометане их проводимость мала [440, 445, 452, 778, 846, 923]. Было найдено, что константа ионизации хлористого триме-тилолова в этиловом спирте равна 3,5-10" при, 25° [440]. Дихлорид диметилолова почти полностью диссоциирует в воде [722] [c.77]

Изучение проводимости галогенидов тетралкиламмония в водных растворах в интервале температуры 4—25 °С под давлением до 4000 бар [9] подтвердило вывод об особой природе гидратации ионов тетралкиламмония, обусловленной гид-рофобностью их алкильных групп. Вблизи этих крупных гидрофобных ионов кулоновские силы играют при гидратации меньшую роль по сравнению с их ролью вблизи нормальных ионов (например, ионов щелочных металлов) и гидростатическое давление влияет на гидратацию ионов тетралкиламмония очень незначительно. По-видимому, в растворах крупных ионов этого ряда следует учитывать катион-катион-ное взаимодействие. Необходимо отметить, что зависимость проводимости тетразамещенных ионов аммония от давления имеет максимум. [c.404]

Класс I. Удельная проводимость галогенидов щелочных металлов (за исключением фторидов) тщательно измерена Ван-Артсдаленом и Яффе [29]. Соответствующие результат ы приведены в табл. 24. [c.208]

Как раньше подчеркивалось, наши результаты и рассмотрения сделаны для фотосенсибилизации проводимости галогенидов и оксидов металлов в сухих условиях. Поэтому мы не думаем, что они могут быть прямо перенесены на оптическую сенсибилизацию AgBr в фотографической эмульсии, где оно контактирует с посторонними примесями, желатиной, водой и др. [c.249]

Электропроводность галогенидов серебра в темноте сильно зависит от условий изготовления кристалла, его биографии, что особенно зарлетно при температурах выше комнатной здесь различия между отдельными образцами могут доходить до десятков и даже сотен раз. На темновую проводимость галогенидов серебра сильно влияют также примеси солей с валентностью иной, нежели у Ag+ и Hal как уже говорилось, каждый такой примесный ион, включенный в решетку, увеличивает в пей число подвижных [c.13]

Различие в удельной электрической проводимости указывает на то, что СНз- и СгНз-галогениды представляют собой поляризованные комплексы, в то время как остальные в той или иной [c.76]

Галогениды не образуют нестехиометрических солей, и их классификация основывается не на проводимости, а на фиксированной или изменяющейся валентности непереходных и переходных элементов (сравните, например, Mg l2, СиС , Hg l2). [c.21]

Процесса. (около 490 нм, что эквивалентно 247 кДж/моль), вероятно, соответствует минимальному энергетическому зазору между валентной зоной и зоной проводимости. Однако сенсибилизированное красителем формирование изображения можел быть получено на длинах волн до 1300 нм (101 кДж/моль), на которых для возбуждения электрона в галогениде энергии недостаточно. Богатые энергией поверхностные узлы и возмущения, вносимые близлежащими ионами галогенида серебра, играют важную роль, поскольку они определяют относительную энергию положения уровня красителя над верхним краем валентной зоны галогенида серебра. Показанный на рисунке энергетический диапазон отражает статистическое распределение. На энергетические уровни красителя налагается ограничение, так как уровень 5, должен лежать чуть выше дна зоны проводимости или достаточно близко к зоне, чтобы перенос электрона мог происходить за счет тепловой энергии. [c.252]

Мембраны из сульфида серебра характеризуются большой ионной проводимостью, они хорошо проводят ток по сравнению, например, с другими нерастворимыми соединениями серебра. Поэтому сульфид серебра был использован в качестве матрицы для изготовления некоторых других электродов. Например мембрана, содержащая наряду с Ag2S какой-либо галогенид серебра, представляет собой электрод на га-логенид-ноны. Активность галогенида влияет в соответствии с равновесием [c.474]

По ряду свойств водород похож на щелочные металлы, но в большей степени проявляет сходство с галогенами. Признаки, общие у водорода и галогенов близкие значения энергий ионизации двухатомность и ковалентность связи молекул Нз и Гд отсутствие электрической проводимости полярность связей в большинстве соединений сходство галогенидов и гидридов активных металлов закономерное изменение свойств в ряду Н—А1. [c.371]

Исследование поводимости галогенидов серебра позволило обнаружить аномалии, резко отличающие импульсную проводимость этих систем от импульсной проводимости классических ионных кристаллов [5, 6] [c.77]

Ионные гидриды, например КН и СаНг представляют собой белые кристаллические вещества с высокими температурами плавления, т.е. соли. Их расплавы характеризуются высокой электрической проводимостью, при электролизе расплавленных гидридов водород выделяется на аноде. Гидриды s-элементов I группы, как и большинство галогенидов этих элементов, имеют структуру типа Na l. В химическом отношении ионные гидриды ведут себя как основные соединения. [c.302]

Изменение концентрации точечных Д. используется для управления физ.-хим. св-вами твердых в-в и хим. процессами с их участием. Так, допируя галогениды серебра ионами кадмия и увеличивая тем самым в них концентрацию катионных вакансий, удается понизить адсорбцию на них додециламина-коллектора в процессе флотации. Точно так же допирование прир. сульфида свинца (галенита) ионами серебра и висмута изменяет заряд пов-сти н ее способность к адсорбции заряженных молекул коллектора при флотации. Допируя TiOj ионами тантала, можно существенно изменять скорость заполнения межгрануляр-ного пространства при спекании методом горячего прессования. Ионную проводимость ZrOj. возникающую вследствие допирования СаО, связывают с образованием вакансий и своб. ионов 0 . Точечные Д. изменяют скорость полиморфных превращений, коррозии металлов и сплавов, процессов спекания и рекристаллизации керамич. материалов. Т. наз. вакансионные состояния часто предшествуют образованию частиц продукта в виде самостоят. твердой фазы при гетерог хим. р-циях. В ряде случаев получение кристаллов с заданной концентрацией точечных Д. определенного вида необходимо при создании материалов для микроэлектроники, лазерной техники, люминофоров и др. [c.30]

Типичные К -полупроводники с шириной запрещенной зоны более 2 эВ и низким значением темновой проводимости. Их люминесценция обусловлена наличием активатора или дефекта решетки. Наиб, распространенные К.-сульфиды, селениды и теллуриды Zn и d, оксиды Са и Мп, оксисульфиды 1п и La (IhjGjS, LajOjS), галогениды щелочных металлов. Активаторами обычно служат ионы металлов (Си, Со, Мп, Ag, Eu и др.). [c.535]

При плавлении может существенно изменяться тип хим. связи или, точнее, соотношение между вкладами разных типов связи. Так, мн. полупроводники при плавлении образуют Р. с металлич. проводимостью. Нек-рые галогениды, напр. ОаС1з, в кристаллич. состоянии имеющие ионную проводимость, дают Р., состоящий в осн. из молекул (ОазС ), в результате чего электрич. проводимость резко падает. Изменение типа связи иногда наблюдается и при изменении т-ры Р. Напр., у Те вблизи т-ры плавления (142 °С) наблюдаются цепочечные молекулы, но уже при 152 С он имеет металлич. характер. [c.177]

К кислотно-основному (ионному) катализу относятся реакции гидратации, дегидратации, аминирования, изомеризации, алкилирования и т. п. (см. табл. 8). Катализаторами для этих реакциГ служат твердые кислоты или основания, обладающие лишь ионной проводимостью. К кислотным катализаторам относятся малолетучие кислоты (Н3РО4, Н2504), нанесенные на пористые носители, кислые соли (фосфаты, сульфаты), а также твердые неорганические вещества, способные передавать анионы (алюмосиликаты, частично гидратированные оксиды А1, 51, У, галогениды металлов). К основным катализаторам относятся гидроксиды и оксиды щелочных и щелочноземельных металлов на носителях и без них, щелочные или щелочноземельные соли слабых кислот (карбонаты и т, п.). [c.226]

Если мембрана изготовлена из механической смеси Ag2S и Ag l (AgBr, Agi), то электроды на основе таких композиций можно использовать для определения галогенид-ионов. Хотя хлорид, бромид и иодид серебра являются соединениями с ионной проводимостью, в которых перенос заряда осуществляется ионами Ag, при комнатной температуре они имеют довольно высокое сопротивление, а также значительный фотоэлектрический потенциал. Поэтому такие электроды можно использовать только в условиях постоянного освещения, что создает определенные трудности. Указанные недостатки галогенидов серебра устраняются при изготовлении мембран из сульфида серебра, в котором диспергированы тонко измельченные соответствующие галогениды. Поскольку последние имеют более высокую растворимость, чем сульфиды, то сульфид серебра можно рассматривать как химически инертную матрицу с [c.196]

Химия водорода во многом отличается от химии других элементов, что обусловлено одноэлектронностью ато ма и отсутствием промежуточных электронных слоев По ряду свойств водород похож на щелочные металлы, но в большей степени проявляет сходство с галогенами Признаки, общие у водорода и галогенов близкие значения энергий ионизации, двухатомность и ковалентность связи молекул На и Гг, отсутствие электрической проводимости, полярность связей в большинстве соединений, сходство галогенидов и гидридов активных металлов, закономерное изменение свойств в ряду Н— [c.371]

К соединениям, которые можно титровать как кислоты, относятся кислотные галогениды, ангидриды кислот, карбоновые кислоты, аминокислоты, энолы, такие, как барбитураты и ксантины, ИМ1ИДЫ, фенолы, пирролы, сульфаниламиды. К соединениям, которые можно титровать. как основания, относятся амины, азотсодержащие гетероциклические соединения, четвертичные аммониевые соединения, щелочные соли органических кислот, щелочные соли неорганических кислот и некоторые соли аминов. Многие соли галоидоводородных кислот можно титровать в уксусной кислоте или уксусном ангидриде после прибавления ацетата. ртути, который удаляет ион галоида переведением а неионизированный комплекс га-логенида ртути. Гидрохлориды слабых оснований, не содержащие группировок, способных ацетилироваться, можно та.кже титровать в уксусном ангидриде без добавления ацетата ртути, используя в качестве индикатора малахитовый зеленый или кристаллический фиолетовый. Титрования, проводимые при избытке уксусного ангидрида, следует приме- [c.150]