Включения в кристаллах

Мешалка служит для предотвращения накопления кристаллов на охлаждаемой поверхности, удаления образовавшихся кристаллов, которые ссыпаются через слой жидкости и при этом растут во взвешенном состоянии, и, наконец, для механического перемещения кристаллов к разгрузочному отверстию. Утверждают, что образование включений в кристаллах и сросшихся кристаллов в кристаллизаторах этого типа сводится до минимума. Размеры кристаллов можно в известных пределах регулировать, изменяя расход хладагента и подачу кристаллической пульпы, а также число оборотов мешалки. Дополнительные данные и схемы кристаллизаторов этого тина опубликованы в литературе [13, 68]. [c.85]

Газожидкие включения в кристаллах заполняют полости (пустоты, пузырьки) всевозможной формы и величины. Несмотря на разнообразие внешней формы пустот, стенки их представлены гранями, которые имеют наибольшую ретикулярную плотность. Такие полые кристаллы называются отрицательными. Включения размером более 0,01 мм составляют 0,0 % их общего количества все другие имеют меньшие размеры. [c.39]

При исследовании газожидких включений часто невозможно отличить первичные от вторичных. В характерных проявлениях первичные включения в кристалле фиксируют направления роста (грани, ребра, вершины), а вторичные — ориентировку трещин, которые всегда пересекаются между собой. В одном кристалле нередко наблюдается несколько пересекающихся систем залеченных трещин, что свидетельствует о разном времени их образования. [c.41]

Полученные результаты объясняются тем, что ферромагнитная часть металлических включений в кристаллах, которая учитывается только при магнитной сепарации, может сильно варьировать относительно их общего количества. Поэтому в магнитную группу попадают алмазы с малым общим количеством включений, содержащих ферромагнитные фазы, что приводит к достаточно высоким средним показателям прочности и термостойкости кристаллов. В свою очередь немагнитная группа содержит осколки, в которых обычно присутствует мало включений, и кристаллы с большим количеством неферромагнитных включений, что сопровождается снижением прочности и термостойкости алмазов этой группы. Ясно, что усреднение указанных дефектов по группам может дать непредсказуемый результат сепарации, который в общем случае зависит также от морфологических характеристик кристаллов исходной партии. [c.444]

Твердые включения в кристаллах, выращенных методом Чохральского, представлены в основном алюминатом иттрия, образующимся в результате значительного нарущения стехиометрии в связи с диссоциацией АЬОз и испарением продуктов этой диссоциации. Твердые включения нередко представлены частицами тигельного материала и материала тепловых экранов иридия, молибдена, вольфрама. Вокруг включений всегда образуются розетки повыщенных напряжений, дислокаций. [c.207]

Если —концентрация последовательностей из звеньев, включенных в кристаллит, то [c.88]

Источником изгибов и сжатий, заставляющих дефекты перемещаться внутри кристалла, могут служить тепловые колебания конца цепи, происходящие в дефектных местах. Дислокации после выхода из ламели исчезают в одной из складок, что приводит к постепенному увеличению ее длины. Одпако по оценкам Петерлина, такая схема не может объяснить экспериментальные результаты. Поэтому был пред.ложен кооперативный механизм, связанный с перемещением целого отрезка цепи, включенного в кристаллит. Такому процессу соответствует вполне определенная вероятность при достаточно высоких температурах. Обычно эти механизмы не связывают с процессами частичного плавления, а используют их для объяснения эффектов отжига в I температурной области за счет диффузии в твердом состоянии. [c.78]

Включения в кристаллах являются основными объемными дефектами, снижающими механические свойства синтетических алмазов. [c.97]

Механические включения в кристаллах алмаза условно делятся на следующие группы [c.150]

ВИДНЫ небольшие точки, которые могли образоваться в результате включения в кристалл во время кристаллизации воды, ее диффузии вдоль линии дислокации и взаимодействия со слоем алюминия. Другой пример показан на рис. 26 здесь взят кристалл сахарозы, расколотый на две половины с выступами на одной из них и углублениями на другой. Половина с высту- [c.393]

По этим фотографиям нельзя определить ориентацию ямок травления, но примечательно следующее авторы [16] предположили, что ямки травления образуются в областях, состоящих из мельчайших инородных включений, таких, как железо или соли щелочных металлов , и утверждали, что само появление гексагональных ямок травления служит доказательством влияния симметрии решетки на течение химической реакции . В том же году были проведены более точные измерения [17], подтвердившие результаты предшествующей работы и позволившие предположить, что гексагональные ямки, образованные при окислении кристаллов цейлонского графита на воздухе при 800°, обязаны своим происхождением инородным включениям в кристалле. Не считая работы [18], в которой изучено изменение формы ямок травления при окислении графита СОа, содержащей определенные примеси (например, НС1), а также работы [19], где подчеркивается, что на базисных плоскостях особо чистого графита при взаимодействии с кислородом всегда образуются гексагональные ямки травления, практически не встречается исследований, в которых проводилось микроскопическое изучение топографии окисленных кристаллов. Лишь в 1950 г, начаты детальные исследования этого вопроса [4, 5]. [c.128]

Газожидкие включения в кристаллах заполняют полости (пустоты, пузырьки) всевозможной формы и величины. Несмотря на разнообразие внешней формы пустот, стенки их представлены гранями, которые обладают наибольшей [c.28]

Включения в кристалле кварца [c.367]

И плавленая сера, и серный цвет всегда несколько загрязнены различными примесями. Для очистки серы ее часто перекрнсталлнзовывают из сероуглерода. Следует отметить, что подобная сера обычно содержит примесь включенного в кристаллы растворителя. Глубокая очистка серы может быть достигнута многократно повторенным длительным нагреванием ее расплава в присутствии окиси магния. Очень чистая сера совершенно не имеет запаха и весьма склонна к переохлаждению. [c.320]

Фишер [59] так же объясняет электролюминесценцию инжекцией носителей. Используя представления Лемана [72], он предполагает, что проводящие включения в кристаллах ZnS имеют линейчатую иглообразную форму и основные явления разыгрываются около этих включений. Прц этом вводится представление о биполярной природе инжекции носителей зарядов, сущность которого заключается в следующем. При наложении поля определенной полярности из одного конца проводящего включения в объем кристалла ZnS выходят дыркп, а из противоположного — электроны. Дырки захватываются [c.139]

Для исследования причин нестабильности физических свойств синтетического кварца и факторов, влияющих на образование ростовых дефектов кристаллов, во ВНИИСИМС в 1957 г. на базе систематического анализа результатов лабораторных и опытнопромышленных циклов кристаллизации был оптимизирован процесс синтеза и совместно с технологами опытного производства разработаны вначале технологический регламент синтеза пьезокварца для серийного завода, а в дальнейшем — промышленные процессы получения всех разновидностей технического кристалло-сырья кварцевой группы. В распоряжение института поступили результаты опытов по синтезу кварца, проведенных на разнотипном автоклавном оборудовании объемом от 1 до 12 000 л в широком диапазоне физико-химических условий при температурах до 500 С и давлении до 280 МПа. Такое положение достаточно наглядно характеризует значительное расширение экспериментальных возможностей ВНИИСИМС в период отработки промышленного метода синтеза пьезокварца. Экспериментальные исследования показали, что пониженное качество кристаллов связано с захватом примеси коллоидно-дисперсной фазы, выделяющейся из раствора. Для производства кристаллов пьезокварца, удовлетворяющих по качеству требованиям радиопромышленности, были отработаны режимы кристаллизации, исключающие захват этой примеси. Выявлены и устранены также факторы, вызывающие образование трещин и включений в кристаллах, детально исследован механизм формирования ростовых дислокаций в кварце и их влияние на оптические свойства синтетического кварца. Результаты технологических исследований были сопоставлены с данными измерений внутреннего трения в кварце, проведенных [c.12]

Габитус, облик, рельеф граней, распределение примесей и включений в кристалле целиком определяются его структурой, физико-химическими условиями в среде роста, пересыщением, присутствием примесей, симметрией питания, а также кинетикой процесса роста. Согласно теории Хартмана и Пердока, удельный вес грани в облике кристалла убывает в последовательности f, S, К, что соответствует уменьшению ретикулярной плотности граней и повышению их структурной шероховатости. Для алмаза атомно-гладкими f-гранями являются (111), ступенчатыми 5-гранями— (ПО), атомно-шероховатыми Л -гранями—(100). Реальный облик алмазов сложнее предсказываемого теорией и обусловлен конкретным сочетанием указанных выше факторов. В этой связи изучение особенностей морфологии кристаллов синтетического алмаза обеспечивает получение информации, необходимой как для совершенствования процесса кристаллизации, так и для более глубокого понимания природного алмазообразования. [c.390]

Следует отметить, что помимо термомагнитной обработки для оценки количества ферромагнитных включений в кристаллах алмаза возможно использование метода ЭПР. Учитывая сравнительную нетрудоемкость проведения таких измерений и их информативность, изучались возможности применения данного метода не только для определения содержания примесей, но и для оценки механических свойств кристаллов синтетического алмаза. Основной задачей было нахождение параметров, позволяющих характеризовать кристаллы по содержанию в них включений, поскольку именно они являются одним из основных дефектов, определяющих прочность кристаллов. [c.447]

В зависимости от исходного состава шихты и условий кристаллизации такие силикаты, как форстерит и минералы группы гу-мита, могут выделяться до кристаллизации фторфлогопита. Этому способствует макроликвация фторсиликатного расплава, интенсивно протекающая в перегретом расплаве при его испарении. При нарушении равновесности расплава происходит выделение кристаллов силикатов по механизму кристаллизации из раствора-расплава. При кристаллизации массы расплава эти первичные кристаллы служат центрами гетерогенного роста кристаллов слюды. Нагревание раскристаллизованных многофазных включений в кристаллах слюды показало, что силикатные минералы-примеси выделяются в широком интервале температур и составов остаточного расплава. [c.49]

Единого взгляда на причину образования газовых включений в кристаллах фторфлогопита нет. Наиболее распространено представление о более высокой растворимости газа в расплаве, чем в твердой фазе, что в процессе роста кристалла приводит к выделению газа на фронте кристаллизации. Экранируя фронт кристаллизации, газовый пузырь затем трассируется на весь наросший слой. [c.54]

Очень прочно адсорбированные на грани частицы (с большим т) являются для ступеней препятствием, называемым частоколом Кабреры . Ступень роста может двигаться по поверхности, только проникая между частицами, образующими частокол , и охватывая их (рис. 1-25). Частицы, которые ступень обошла, оказываются включенными в кристалл. Если среднее расстояние между частицами примеси меньше диаметра двумерного критического зародыша, ступени роста останавливаются и скорость роста такой отравленной грани падает до нуля. Если же при данной концентрации примеси на поверхности увеличить пересыщение (вследствие чего уменьшится размер критичес- кого зародыша), ступень начнет двигаться. Таким образом, существует критическое пересыщение, до которого скорость роста равна нулю (область заторможенного роста пли мертвая зона ). Чем выше содержание данной примеси в растворе, тем больше критическое пересыщение (рис. 1-26). [c.49]

Помимо гетерометрии к образованию трещин могут приводить все перечисленные выше источники внутренних напряжений, в особенности твердые включения в кристаллах. [c.129]

Первое требование диктуется тем, что исходный сросток или исходный блочный кристалл при дальнейшем разрастании таковым и останется. Более того, качество кристалла (или качество отдельных кристаллов, если говорить о сростке) будет ухудшаться, так как наличие границ раздела между соседними индивидами при дальнейшем росте благодаря кристаллизационному давлению приводит к возникновению больших напряжений, появлению трещин и включений в кристаллах. В некоторых случаях воспитывают затравку, т. е. проводят многократные кристаллизации с целью получения удовлетворительных результатов. При этом иногда приходится начинать со сростка нескольких кристаллов. Его разращивают, выбирают лучшие участки кристаллов, снова разращивают— и так до получения достаточно совершенного монокрис-тального блока, пригодного в качестве затравки. [c.148]

В отличие от низкОмолекулярньГх кристалличес1 их веществ, полимеры не бывают полностью кристаллическими (поэтому кристаллизующиеся полимеры и получили название частично-кристаллических ), Доля объема полимера, занятая кристаллитами (геометрическая степень кристалличности) может меняться в широких пределах в зависимости от условий кристаллизации и строения макромолекулы. Остальная доля объема занята макромолекулами или сегментами макромолекул, не включенными в кристаллит и не образующими упорядоченных структур. Факт существования неупорядоченных областей в частично-кристаллических полимерах обнаруживается по диффузному гало на большеугловых рентгенограммах. Вследствие этого полимеры часто рассматривают как двухфазные системы или даже композитные материалы (кристаллиты, вмонтированные в аморфную матрицу). Однако понятие аморфная фаза здесь чисто условно [21, гл, 2 40, 41], поскольку четких границ между фазами не существует, и одни и те же молекулы могут принимать участие в образовании разных фаз . Переход кристаллита к аморфной части происходит не скачкообразно, а постепенно через ряд промежуточных форм упорядоченности [гл. И]. Степень порядка в переходных областях может быть и очень высока (приближаясь к степени упорядоченности кристаллитов, с которыми они соседствуют) и достаточно низка (как в расплаве). Вследствие этого свойства аморфных областей в частично-кристаллических полимерах заметно отличаются от свойств полимера, целиком находящегося в аморфном состоянии (см. разделы I. 2 и II. 2). [c.30]

Таким образом, механизм полимеризационного плавления можно представить себе следующим образом. Рассмотрим молекулу СН3СНО, в которой карбонильная группа находится непосредственно рядом с ионом, способным инициировать цепь, причем этот ион или находится на поверхности, или в некоторых случаях включен в кристалл. Когда температура достигнет точки плавления кристалла, то произойдет инициирование полимер-ной цепи [c.281]

Между гидрохиноном и инертным газом нет никакого сильного взаимодействия следовательно, у последнего нет никакой самопроизвольной тенденции быть включенным в кристалл, как это наблюдается для полярных соединений, подобных сероводороду и двуокиси серы. Поэтому необходимо контролировать условия таким образом, чтобы атом инертного газа имелся на поверхности растущего кристалла всякий раз, когда молекулы гидрохинона соединяются, образуя клетку [275]. И так как растворимости газов в воде низки, это можно осуществить только при использовании очень высоких давлений. В работе Пауэлла [209] применялись давления газов 40, 20 и 4 атм соответственно для аргона, криптона, ксенона. Растворимости газов возрастают с увеличением атомных весов. [c.115]

Для электронной структуры радикального фрагмента, представленной на рис. 1.1, направления, соответствующие главным значениям -фактора и констант СТВ, должны совпадать. Совпадение главных осей g- и Л-тензоров действительно наблюдается в эксперименте [31, 33]. Некоторое несовпадение осей, полученное для радикала ДТБН, включенного в кристалл, составляет всего несколько градусов, причем это несовпадение осей, возмож- [c.14]

Примеси, включенные в кристалл, могут влиять и на его рост и облик. Адсорбируясь как на дефектных местах кристалла, так и по всей его поверхности, примеси образуют неустойчивые смешанные кристаллы, способные к интенсивному растворению. В результате одновременно на одном и том же кристалле наблюдаются рост и растворение кристалла, в результате чего снижается скорость роста кристалла и искажается его форма. В том случае, когда сродство атомов примеси и основного вещества велико, примесь может включиться в процесс построения основного кристалла и образовать в массе последнего свой собственный кристалл. Такого рода параллельный рост двух крйсталлов приводит к тому, что возникают кристаллы алита с включениями, состоящими из мельчай-. ших кристалликов примеси. Растущий кристалл может захватить и просто механические примеси. Такие тонкодисперсные примеси, не дающие с основным веществом ни твердых растворов, ни химического соединения, очень часто наблюдаются в составе кристаллов алита и белита. [c.200]

Некоторые авторы называют этот случай соосаждения внутренней адсорбцией . Но, как указывалось выше (стр ИЗ), адсорбция—поверхностное яв.чение. В данном случае примеси также осаждаются на поверхности кристаллов, однако, поскольку это осаждение происходит в процессе кристаллизации, когда формирование кристаллов еще не закончено, адсорбированные примеси покрываются слоями вновь осаждающегося вещества, т. е. оказываются включенными в кристалл, другими словами— окклюдированными . Поэтому эточ случай соосаждения вернее называть адсорбционной окклюзией>. [c.117]

Линденмейер и Петерсон [117, 119] пытались объяснить фракционирование при кристаллизации увеличением свободной энтальпии кристалла, вызванным включенными в кристалл из сложенных цепей или исключенными из него концами молекулы. Им удалось показать, что в том случае, когда включенные концы цепи вызывают повышение свободной энтальпии, общая свободная энтальпия кристалла должна уменьшаться при фракционировании. Однако трудно представить себе сам механизм фракционирования, поскольку на поверхности указанный дефект не должен оказывать подобного влияния. Дефект начинает проявляться только после осаждения на поверхности кристалла следующего слоя (см. разд. 4.3.4, рис. 4.58). В то же время после осаждения нового слоя трудно обратить процесс кристаллизации. Механизм действия исключенных концов цепи не отличается в принципе от рассмотренных выше кинетических причин фракционирования. [c.140]

У кристаллизующей молекулы остается два свободных конца длиной (Л о о -0/2. После включения в кристалл эта длина может уменьшаться до нуля, что приводит к средней длине (/УцСр - 1)/А. Суммирование этих двух усредненных величин, умноженных на соответствующие вероятности 2р,/(1 + р и (1 — р )/(1 + р ), приводит к уравнению (85). [c.238]

Для удаления аммонийных солей раствор их, выпаренный до консистенции густой кашицы, переносят в фарфоровый, кварцевый или платиновый тигель и нагревают последний, осторожно обводя его пламенем бунзеновской горелки до прекращения разбрызгивания раствора вследствие исварения частиц воды, включенных в кристаллах, а затем нагревание ироиз-водят несколько сильнее до тех пор, пока не прекратится выделение белых паров аммонийной соли. При тех малых количествах, какие обыкновенно применяются при анализе, вся операция длится лишь несколько минут. [c.19]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология