Точка роста

Кроме того, масло может непосредственно проникать в трещины. При этом полагают, что если масло, проникшее в трещину, имеет возможность выйти из нее в промежуток между двумя повторяющимися контактами, то рост трещины будет не столь значительным. Если же заполненная маслом трещина полностью изолируется от поверхности, наблюдается прогрессивное образование питтинга [271]. [c.252]

Осуществление одного из этих четырех случаев определяется значениями констант Ь и Я. Однако эти величины зависят от темпе ратуры и сплавы при разных температурах могут отвечать разным случаям. Наибольший практический интерес с точки зрения повышения жаростойкости путем легирования представляют случаи 4 и особенно 2, приводящие к такому образованию защитного слоя, когда с ростом его толщины диффузионный поток одного из металлов делается малым по сравнению с потоком другого. Если при этом в образующемся на поверхности почти чистом окисле второго металла (к ме и ( д)лг/ станут достаточно малыми, то рост пленки окисла сильно замедлится и она будет обладать хорошими защитными свойствами. Это достигается, если концентрация с атомов Ме в сплаве превосходит критическую концентрацию и если Ь достаточно велико, т. е. в окисле сильно убывает с ростом концентрации атомов Ме в его решетке. [c.95]

Процесс отсасывания газа из замкнутого объема сопровождается увеличением отношения давлений и температуры в цилиндре. Если этот объем мал, то рост Гц кратковременный. Достигнув максимума, температура газа в цилиндре падает из-за охлаждения его водой и рассеивания тепла в окружающую среду. Подобный перевод компрессора на холостой ход сопровождается затратой работы на преодоление трений в механизме движения компрессора и совершение индикаторной работы холостого хода, что составляет примерно 15—20 % от номинальной работы. Как [c.287]

Если вместо углубления топки дымовую трубу сделать выше на ту же величину к, то рост силы тяги будет меньше А. Это происходит потому, что газы в трубе холоднее топочных, поэтому рг. вых>рг. т-Углубление топки, таким образом, более эффективно, чем повышение трубы. [c.79]

Если В отчетном году среднее количество часов, отработанных одним списочным работником, составляло 1860 ч, а в базисном периоде — соответственно 1842 ч, то рост производительности труда одного списочного работника (табл. 15.2) составит 103,9 х X 1860 1842 - 104,9 %. [c.270]

На рис. 2.38 и 2,39 приведены результаты изменения АТ и q , полученные при я = 2, когда дополнительные каналы размещались на различном расстоянии от соплового сечения ВЗУ. Удаление дополнительных каналов от соплового сечения, особенно при ц< 0,6, дает некоторое увеличение АТ . Если сравнить эффективность по АТ для = 0,126 при их расположении сразу за сопловыми каналами (рис. 2.36, кривая 3), то рост АТ более значителен, т.е. удаление дополнительных каналов от соплового сечения положительно влияет на эффект температурного разделения. [c.94]

Если потери рабочего времени составляют т%, а их сокращают до п%, то рост производительности труда равен [c.37]

Наиболее простым и легко реализуемым на практике распределением является монотонно возрастающий по всем ступеням подвод тепла и холода. При таком распреде.пений величина теплоподвода возрастает по мере перетока жидкости из ступени в ступень, независимо от места ввода исходной смеси. Аналогично, величина теплоотвода также возрастает по мере движения потока пара как в ступенях обогащения пара низкокипящими, так и в ступенях обогащения жидкости высококипящими компонентами. Ввиду того, что потоки пара и кидкости движутся в системе противоточно, то рост теплоподвода и теплоотвода будет осуществляться также в противоположных направлениях. [c.55]

Так как под действием электролита окисная пленка растворяется, то рост ее будет зависеть от относительных скоростей образования и растворения барьерного слоя. При равенстве этих скоростей [c.454]

Это уравнение показывает, что влияние общего давления на положение равновесия определяется знаком величины 2v. Если XV > О, то рост Р будет вызывать уменьшение х / и увеличение [c.93]

Количественная теория температурной зависимости скорости реакции началась с оценки влияния температуры на число No соударений реагирующих молекул. Так как No пропорционально J/ Т, то рост температуры на 10° лишь очень немного изменяет No- Например, для интервала температур от 600 до 610 °К имеем (iVo),, / (iVo)(,(io = 610/600 = 1,01, т. е. несравненно меньше, чем по правилу Вант-Гоффа. Простой подсчет показывает, что если бы все соударения приводили к реакции, то она протекала бы практически мгновенно. Так, например, для реакции 2HI Но + la при 700 °К число соударений в [c.252]

В химии полимеров, как и в любой быстро развивающейся науке, появляются новые проблемы, точки роста и методы исследования. Поэтому вузовские курсы и практикумы наряду с изложением и проработкой фундаментального материала систематически обновляются новыми идеями, подходами, вскрытыми закономерностями и фактами. Особенно ценными являются оригинальные методологические подходы, позволяющие находить новые решения или по-иному рассмотреть устоявшиеся концепции. [c.3]

Энтропийный и энтальпийный факторы химических реакций, протекающих в изобарно-изотермических условиях. Если изменение энтальпии АН отражает в основном стремление атомов к объединению в молекулу, т. е. к укрупнению, к агрегации, к определенному порядку, то величина AS отражает противоположную тенденцию стремление частиц к разъединению, дроблению, к беспорядку. Движущей силой процесса, протекающего в изобарно-изотермических условиях, может быть или стремление системы перейти в состояние с наименьшей энергией, т. е. выделить теплоту в окружающую среду, уменьшить энтальпию (стремление к порядку) , или стремление системы перейти в состояние с наибольшей термодинамической вероятностью, т. е. увеличить энтропию (стремление к беспорядку). Если процесс протекает так, что АН = О, то рост энтропии становится его единственной движущей силой. И наоборот, при условии AS = О единственной движущей силой процесса является убыль энтальпии. [c.107]

Особенно высоко осмотическое давление в точках роста. Так, у клеток стеб- [c.181]

Выполненные за период 1999-2001 гг. исследования отличает сочетание фундаментальных подходов и полученных результатов с умением найти выходы на практические приложения, выявить точки роста новых технологий, предложить пути модернизации и улучшения качества существующих материалов и устройств, в том числе и при решении экологических проблем. Все работы выполнялись при активном участии молодежи -студентов и аспирантов. К сожалению, из-за скудости финансирования молодежь работала на общественных началах, что не позволяло закрепить наиболее талантливых молодых исследователей (а такие были, и не мало ) ВНИИ. [c.117]

Во всех случаях действие катализатора проявлялось в понижении температуры, при которой начинается пневматолиз, и ускорении роста карбоидных частиц и кристаллов графита. Нижняя температурная граница каталитического пневматолиза лежит около 400—500° С. Катализаторами чаще всего служат металлы, способные образовывать карбиды, наиболее известный катализатор — железо. Специфично разложение ацетилена на меди. Понижение температуры пневматолиза указывает на то, что катализатор облегчает диссоциацию и этим способствует цепному реагированию. Однако это не объясняет образования специфических структур и кристаллов графита. Нарастание происходит на самом образующемся угольном теле. Форму нароста можно объяснить или тем, что частицы катализатора сохраняются на растущей поверхности и перемещаются по мере ее роста, или тем, что катализатор только задает расположение точек роста, которые дальше передаются, как бы по эстафете. [c.103]

Так как под воздействием электролита оксидная пленка растворяется, то рост ее будет зависеть от относительных скоростей образования и растворения барьерного слоя. При равенстве этих скоростей толщина барьерного слоя сохраняется практически постоянной. При этом с внешней стороны барьерный слой под действием электролита разрыхляется и в нем образуются поры. В порах (d = 0,05- 0,l мкм), заполненных электролитом, происходит дальнейшее формирование нового барьерного слоя. Таким образом, оксидная пленка растет за счет образования пористого слоя, продвигаясь в глубь металла (см. рис. 3.36). Толщина анодных пленок для каждого условия проведения процесса имеет свой предел, до которого возможен их рост. [c.343]

Если факел развивается в неадиабатных условиях, т. е. при наличии интенсивной теплопередачи в сторону поверхности нагрева, то рост температуры в той или иной части факела, естественно, определяется соотношением интенсивностей тепловыделения и теплоотдачи. [c.325]

Кроме размера пор, большую роль играет объем пор силикагеля и его поверхность. Если рост поверхности дает увеличение количества силанольных групп (их плотность около 5 на 1 нм ) и количества привитой фазы при равной плотности прививки, то рост объема пор играет сложную роль. При увеличении объема пор не только увеличивается проницаемость силикагеля, но и уменьшается объем самого диоксида кремния и соответственно прочность силикагеля он легче разрушается в процессе транспортировки, при набивке колонок, повышении давления при эксплуатации колонок. Правда, прочность определяется не только толщиной стенок ячеек силикагеля, но и их структурой. [c.94]

В растворе, находящемся в состоянии покоя, по мере роста кристаллов жидкость, находящаяся в непосредственном соседстве с гранями кристалла, перестает быть пересыщенной, и если в эту зону не будет поступать материал из других соседних областей, то рост кристаллов прекратится. [c.641]

В зоне температур поверхности ниже точки росты водяных паров (iij=20—30°С) на фронтальной части зонда также образовались плот- [c.213]

О результатах совершенствования технологии производства ПЭНД по мере использования все более активных катализаторов свидетельствуют улучшающиеся технико-экономические показатели производства ПЭНД, повышение технического уровня этих производств. Если Оценить степень совершенства процесса производства ПЭНД отношением себестоимости полимера и мономера Сп/См, то рост технического уровня промышленных процессов можно охарактеризовать данными табл. 4.1. В качестве эталона взято производство ПЭВД, отличающееся, как известно, наиболее простой технологической схемой. Из приведенных данных видно, что упрощение технологических схем производства ПЭНД, которое стало возможным при использовании высокоактивных катализаторов, значительно снижает отношение Сп/См, приближая его к достигнутому в производствах ПЭВД. [c.131]

СИМОСТИ электрофоретической подвижности частиц от напряженности электрического поля Н (2—20 В/см) в широком интервале pH (3—12). Измерения проводили на частицах кристаллического кварца с эквивалентным радиусом 0,23 мкм при постоянной ионной силе раствора, равной 1 10 . При постановке этой части работы мы исходили из следующих общих представлений. На рис. 10.5 приведена обычная схема падения потенциала в ДЭС. Если принять, что вода в ГС является частично структурированной (обладает напряжением сдвига) и прочность структуры убывает по мере удаления от поверхности частицы, то рост напряженности внешнего электрического поля, приводящий к росту электрофоретической скорости частицы, будет вызывать, согласно Стоксу, рост силы трения, испытываемой частицей при движении. Результатом этого в свою очередь может стать разрушение наружной части ГС и смещение границы скольжения по направлению к частице на величину Ал , так что большее значение -потенциала будет соответствовать большей напряженности внешнего электрического поля. Силу трения Ftp и предельное напряжение сдвига 6 можно рассчитать в первом приближении [c.180]

Коэффициент К учитывает сопротивление процессу при доставке растворенного вещества к поверхности растущего кристалла (точке роста), сорбции этого вещества на поверхности, построении кристаллической решетки. При агломерации процесс можно рассматривать как формально аналогичный прямому межфазовому переносу и описывать уравнением (6.37) в этом случае коэффициент К зависит от концентрации твердых частиц, гидродинамики и других факторов. Размерность К будет различной в зависимости от значений показателей степени пит. При отсутствии агломерации и линейной зависимости скорости линейного роста от пересыщения (п = 1) К + (брт) 0 , где /Ср — константа скорости построения кристаллической решетки — сорбции растворенного вещества из области непосредственно вблизи растущей по- [c.332]

Если температурный режим не соответствует оптимальному, то рост культуры, а также скорость обменных процессов в клетке заметно ниже максимальных значений (рис. 5.1). Наиболее неблагоприятное влияние на развитие культуры оказывает резкое изменение температуры. При аэробной очистке сточных вод влияние температуры усугубляется еще вследствие соответственного изменения растворимости кислорода. Очень чувствительны к температуре бактерии нитрификаторы их наибольшая активность наблюдается при температуре не ниже 25 °С. [c.161]

Дата Листьев Надземная масса, г Луковиц Точек роста, шт Масса надземная, г [c.96]

Кроме выступов атомных размеров на гранях кристалла, очевидно, существуют выемки V в промежутках между выступами (см. рис. 1). Расстояния между выемками й равны расстояниям между выступами йу. Атомы, попадающие в выемки, притягиваются особенно сильно, по той же причине, по которой атомы металла при его кристаллизации стремятся расположиться в наиболее плотной упаковке — здесь находится минимум потенциальной энергии вследствие возможности взаимодействия с несколькими окружающими атомами. Рост кристаллов происходит на местах с особенно благоприятным для этого расположением атомов — в так называемых точках роста и центрах кристаллизации [12]. [c.12]

Если в выемки V или более глубокие, например V (см. рис. 1), попадают атомы другого вещества с близким атомным радиусом, то рост кристалла тоже может происходить, причем (при определенных условиях) кристаллизуется твердый раствор. Перед нами будет случай изоморфизма. В кристаллохимии и в учении о сплавах атомные (и ионные) радиусы находят себе повседневное применение (правила Гольдшмидта). В качества примера широкого обобщения в учении о сплавах приведем рис. 2, взятый из работы И. И. Корнилова [13]. Структурное соответствие играет также большую роль в области клатратов [14] и молекулярных сит [15]. [c.12]

Однако если рост товарной продукции при структурных сдвигах обусловлен увеличением доли более дорогой продукции независимо от затрат на ее производство, то рост чистой продукции — увеличинием доли высокорентабельной продукции, приводящим к росту прибыли, что совпадает с хозрасчетными интересами предприятий. Если при оценке по товарной продукции возможна разнонаправленная динамика роста производительности труда и хозрасчетного дохода, в частности, при увеличении выпуска убыточной продукции, то при оценке по чистой продукции это исключено. [c.98]

На равномерность нагрева тела при контактном способе подвода тока влияют два фактора. Во-первых, поскольку при увеличении температуры удельное сопротивление металлов возрастает, а неметаллов уменьшается, то рост температуры при нагреве металлов способствует равномерности нагрева. Для неметаллов тот же фактор действует в обратном направлении. Во-вторых, влияние переменного магнитного поля, создаваемого в проводящем теле проходящим током, вызывает неравномерность нагрева этого тела по сечению. По этой причине активное сопротивление тела при переменном токе i nep будет больше, чем при постоянном Rao i- [c.207]

Основанием мультиплетной теории являются деформация и перераспределение связей в реагирующих молекулах под действием активных центров (кристаллизационные зародыши или точки роста на поверхности катализатора). Реакция между двумя молекулами АВ и СО с образованием конечных молекул АО и ВС под влиянием дуплета из атомов К постадийно протекает следующим образом [c.140]

Из (4.71) видно, что если реакция идет с увеличением числа молей (Av > 0), то рост общего давления приведет к уменьшению относительного содержания продуктов реакции в смеси. Таким образом, равновесие будет смещаться влево. Это соотЕ1етствует принципу Ле-Шателье, качественно описывающему поведение системы при незначительном выводе ее из равновесного состояния на увеличение общего давления система реагирует уменьшением числа частиц. Если в реакции число молей уменьшается, то рост давления будет способствовать увеличению доли продуктов. [c.73]

Если же потенциал сдвигается в сторону, совпадающую со знаком заряда специфически адсорбированных ионов, то рост заряда поверхности электрода приводит в конце концов к преобладанию сил электростатического отталкивания над силами специфической адсорбции и происходит десорбция специфически адсорбированных ионов. Поэтому электрокапиллярные кривые, снятые при одной и той же концентрации для двух электролитов, один из которых поверхностнонеактивен, а другой содержит специфически адсорбирующийся анион, сливаются при достаточно отрицательных зарядах поверхности. При тех потенциалах, где происходит десорбция поверхностно-активных ионов с поверхности электрода, сдвиг ветвей электрокапиллярной [c.151]

Так как при растворении газ1х бразных веществ в жидкости объем системы уменьшается, IW < О, то рост давления способствует увеличению растворимости газов. Эта зависимость для малорастворимых веществ выражается законом Генри (1802 г.) растворимость газа при постоянной температуре п(лолорциональна его давлению. [c.253]

Физическая основа корреляции величин температуры разложения и плавления не проста. Если максимальная температура разложения у ВаСОз объясняется прежде всего самым слабым в рассмотренном ряду поляризующим действием иона Л 2+, то рост т. пл. в ряду карбонатов Са—Ва объясняется увеличением в этом ряду структурного соответствия размеров катиона и аниона. Если бы этот фактор не играл главной роли, можно было бы ожидать обратной закономерности в изменении т. пл., поскольку рост размера катиона в ряду Са + — Ва + при прочих равных условиях ослабляет кулоновское взаимодействие положительно и отрицательно заряженных ионов. [c.41]

В то же время полимеризация, индуцируемая радикалами, обладает рядом специфических особенностей. Так, например, как разветвленные, так и линейные полимерные молекулы могут быть образованы только в результате развития радикальной цепи за счет отрыва атома водорода от растущих или уже сформированных полимерных молекул, поскольку только такие отрывы могут служить точками роста цепи. Кроме того, твердые полимеры, образующиеся при радикальной полимеризации СН2 = СНХ, характеризуются стереохимически неупорядоченной ориентацией групп X относительно атомов углерода полимерной цепи. Как показывает опыт, такие полимеры, носящие название атактических, не получаются, как правило, в кристаллической форме, имеют низкую температуру плавления и обладают слабой механической прочностью. [c.295]

При исследовании мелкозернистых холоднопрессованных композиций на основе непрокаленного нефтяного кокса (типа МПГ) авторы работы [104] установили, что объемная усадка материала при обжиге возрастает пропорционально выходу летучих. Плотнойть образцов находилась в сложной зависимости от удельной поверхности порошка кокса (5к) и пресс-порошка (5п). При их фиксированных величинах, когда удельная поверхность пресс-порошка составляла 0,5—1,0 м /г, а 5 = = 8-г 10 м /г, увеличение содержания связующего снижало объемную массу обожженных заготовок (рис. 64). Для указанной величины 5 такое содержание связующего было избыточным, в результате чего произошло снижение плотности. Если же незначительно увеличить удельные поверхности кокса до 10—12 м /г и пресс-порошка до 1,0—1,5 м /г, то рост содержания пека вместо снижения приведет к некоторому воз- [c.167]

Фосфор является одним из важнейших биогенных элементов и входит в состав нуклеиновых кислот, сахарофосфатов, клеточных мембран, ферментов, костной ткани. Он активно участвует в процессах обмена веществ и синтеза белка, определяет энергетику клетки, активно влияет на рост растений, концентрируясь в семенах и точках роста. [c.20]

Соединение фосфора. Фосфор является одним из важнейших биогенных элементов и относится к ключевым элементам в биосфере, поскольку его электронные структуры обеспечивают быстрое образование и разрушение химических связей с биологическими молекулами (например, с протеинами, аденозинтрифосфатом). Такая химическая стабильность объясняет его активность как энергетического челнока , а также его ключевое положение в знаменитой биомолекуле ДНК (дезоксирибонуклеиновой кислоты). Фосфор входит в состав нуклео-протеидов, сахарофосфатов, фосфатидов, фитина и других соединений. Он активно участвует в процессах обмена веществ и синтеза белка, определяет энергетику клетки, активно влияет на рост растений, концентрируясь в семенах и точках роста. Соединения фосфора входят в состав тканей живых организмов — мозга, костей, панцирей. [c.60]

Кроме улучшенных методов изготовления керамики, способствующих уменьшению числа дефектов структуры, разрабатываются новые способы упрочнения керамики за счет торможения роста тех тре-шин, которые возникают при растяжении или сдвиге Один из таких способов основан на структу рно. 1 превращении (рис. 13.1,а), в результате которого повышается вязкость В нем используется свойство кристалла диоксида циркония 2г02 увеличивать свой обьем на 3 - 5% и изменять структуру под действием напряжения, возникающего на конце распространяющейся трещины. Трещина, приближаясь к включенным в керамическую матрицу зернам 2Юг, вызывает их расширение. Результатом этого расширения является локальное сжатие прилегающей к зерну зоны керамической матрицы. Растущая трещина оказывается сжатой в точке роста, что мешает ее дальнейше.му увеличению. Кристаллические зерна 2гОг вводят во многие керамические материалы, что значительно повышает их вязкость. [c.156]

Если в системе возможно протекание реакции передачи цепи, то рост макрорадикалов ограничивается их взаимодействием с молекулой агента передачи 2Н. В результате этой реакции обрузует-ся свободный радикал 2% способный начать новую цепь. В этом случае один первичный радикал инициатора может привести к образованию нескольких полимерных цепей, которые получаются в результате роста одной кинетической цепи. Таким образом, длина кинетической цепи (т. е. среднее количество молекул мономера, заполимеризовавшихся под действием одного первичного радикала) может быть много больше степени полимеризации полученных макромолекул. Кинетическую схему радикальной полимеризации можно представить следующим образом. [c.112]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология