Изотермы кристаллизации

Рис. VI. 27. Изотерма кристаллизации (Ао —высота мениска ртути в начальный момент — в конце процесса кристаллизации А/ —в момент времени I).

Как видно из табл. VI. 1, исходя из полученного в кинетическом эксперименте значения л, нельзя сделать определенного вывода о механизме процесса зарождения кристаллической фазы, поскольку одно и то же значение п может соответствовать как гомогенному, так и гетерогенному случаю. Необходимо знать еще и форму растущих кристаллов. С этой целью кинетические исследования дополняют исследованиями структуры. Иногда в экспериментах получают дробные значения параметра п. Это объясняется наложением гомогенного и гетерогенного механизмов зарождения кристаллической фазы, изменением формы структурных образований в процессе роста, влиянием на форму изотерм кристаллизации молекулярно-массового распределения полимера. [c.190]

Цель работы. Получение изотерм кристаллизации и определение константы скорости кристаллизации полиэтилена. [c.197]

В ходе изотермической кристаллизации наблюдают и записывают значения уровня мениска ртути в дилатометре (/г) через каждые 5 мин (/). Полученные результаты вносят в таблицу. На основании полученных данных строят изотерму кристаллизации в координатах h — t. На рис. VI. 27 приведена характерная дилатометрическая кривая, из которой видно, что после некоторого индукционного периода т начинается кристаллизация. Кинетика кристаллизации описывается 8-образной кривой. Быстрое опускание мениска ртути в начальный момент обусловлено тем, что дилатометр из печи помещают в среду с более низкой температурой это изменение высоты столбика ртути в расчетах не учитывается. [c.197]

Рнс. 12.7. Изотерма кристаллизации полимера [c.178]

Если изотермическая поверхность кристаллизации совпадает с равновесной границей раздела фаз, силы поверхностного натяжения удерживают поднятый столб расплава и на фронте кристаллизации не возникает дополнительных напряжений. В противном случае (например, при вогнутой к расплаву изотерме кристаллизации) жидкий столбик стремится оторваться от кристалла и поддержание его будет непременно связано с деформацией поверхности кристаллизации. [c.101]

Поэтому для обеспечения стационарного роста кристаллов с малым диаметром (например, в период за-травления) надо опустить границу раздела кристалл — расплав, т.е. приблизить к расплаву изотерму кристаллизации. С точки зрения тепловой это означает, что должен быть обеспечен интенсивный отвод тепла от за- [c.104]

Изменяя тепловые условия выращивания, можно устанавливать изотерму кристаллизации на разной высоте от уровня расплава. Предельная высота подъема столба расплава ограничена значениями /г<,тр, нри кото- [c.106]

Если изотерма кристаллизации совпадает с формой внутренней равновесной поверхности (рис. 35), объем поднятой жидкости Vl запишется так [c.107]

Если изотерма кристаллизации является плоской и находится выше уровня расплава на высоте /1 = г/шах, краевой угол 0i=O, а объем поднятой жидкости должен определяться по формуле [c.107]

Рис 4.17 Изотермы кристаллизации (участок ОА — первичная, АВ — вторичная) [c.272]

Рис. 66. Зависимость плотности дислокаций и степени огранения от длины монокристалла кремния, выращенного в тепловом поле с наклонными изотермами а — несовпадение наклонов грани (111) и изотермы кристаллизации б — совпадение / — степень огранения 8 2 — плотность дислокаций I — длина кристалла

Из изотерм кристаллизации ненаполненного и наполненного полиуретана при различных температурах кристаллизации в координатах 1 [—1д(1 — а)] —определяются п и к, а из изотерм кристаллизации в полулогарифмических координатах а — 1д / можно определить полупериоды кристаллизации хо,5- [c.64]

Проблемы кинетики кристаллизации изложены в главе 8. Стремясь к максимальной общности изложения, автор исходит из формальной кинетики кристаллизации низкомолекулярных веществ, анализируя в дальнейшем изотермы кристаллизации в полимерах при постепенном наложении всех тех примесных факторов, которые рассмотрены в предыдущих главах. Изложение ведется в терминах первичной и вторичной нуклеаций и роста кристаллической фазы. При этом впервые подвергается де [c.6]

Рис. 80. Сравнение формы изотерм кристаллизации для фракций линейного полиэтилена различного молекулярного веса

Необычайная чувствительность изотерм кристаллизации даже к незначительным нарушениям структуры хорошо демонстрируется на рис. 95 для случая в = 0,01. Хотя отклонений от [c.263]

Рис. 96. Изотермы кристаллизации полиоксиэтилена в присутствии дифенилового эфира.

Полученные изотермы кристаллизации при —21 и —40° С совпали с соответствующими изотермами, определенными изотермическим методом. [c.115]

Для анализа изотерм кристаллизации степень кристалличности в зависимости от напряжения при релаксации рассчитали по уравнению Флори [c.71]

Рис. 1. Изотермы кристаллизации для температур кристаллизации —10 и —20°. Цифры у кривых указывают степень вытягивания.

На рис. 2 (а = 1) прямые линии параллельны и значение п оказывается равным 3,55 независимо от температуры кристаллизации. Это признак хорошей суперпозиции изотерм кристаллизации при степени растяжения, равной нулю [12]. Как видно из данных, приведенных в табл. 2, по мере возрастания удлинения образцов наблюдается небольшой разброс значений п, который становится все более заметным с повышением степени растяжения. [c.74]

На рис. 4 приведены типичные изотермы кристаллизации для различных температур при постоянной степени вытягивания. Возможность суперпозиции изотерм для а = 1 хорошо известна [10, 12], а рис. 4 показывает, что суперпозиция может производиться также и при высоких степенях вытягивания. [c.77]

Рис. 4. Изотермы кристаллизации для степени вытягивания 4 и 5. Цифры у кривых указывают температуру

Пунктирные кривые — изотермы кристаллизации при 1500°С. i—экспериментальные составы, не плавящиеся при 1500°С 2 — экспериментальные составы, плавящиеся при 1500°С [c.931]

Если принять, что кристаллич. области образца состоят только из стереорегулярных сегментов, то значение плотности образца, в принципе, отражает степень стереорегулярности. Однако измерения плотности дают обычно заниженные результаты, т. к. нек-рая доля стереорегулярных молекул может находиться в аморфной фазе. При очень малом содержании атактич. звеньев в образце лучшим способом их количественного определения является, по-видимому, метод изотермич. кристаллизации. При содержании в цепи более 1% атактич. звеньев изотермы кристаллизации начинают заметно отклоняться от теоретич. кривых, что позволяет легко установить присутствие атактич. участков в полимере. [c.398]

При изучении сополимеров условно выделяют два случая 1) количества всех сомономеров в сополимере сравнимы между собой 2) один из сомономеров присутствует в очень малых количествах. При И. сополимеров в обоих случаях подходят параметры и приемы, применяемые для И. гомополимеров, однако если в первом случае все упомянутые выше химич. и физич. методы дают приблизительно одинаковое количество информации, то во втором важную роль играют только методы, чувствительные к малым примесям. Так, обычно применяемые химич. методы И. подходят только в случае, если в сомономере, содержание к-рого мало, имеются легко обнаруживаемые группы или элементы, отсутствующие в др. сомономерах. В противном случае резко возрастает роль физич. методов исследования, напр, исследования процессов кристаллизации таких систем. Изучение изотерм кристаллизации сополимеров — наиболее чувствительный прием обнаружения малого количества примесных звеньев. Однако такие исследования не дают информации о природе примесного звена, и поэтому необходимо сочетать их с другими приемами анализа. При И. сополимеров важно установить факт образования сополимера в системе, т. к. практически никогда не удается полностью отделить сополимер от смеси сопутствующих гомополимеров. Установить существование сополимера в механич, смеси гомополимеров без их разделения удается только для сополимеров, молекулы к-рых линейны или частично разветвлены почти отсутствуют данные для трехмерных полимеров. [c.398]

Следует, однако, учитывать, что уравнение Колмогорова — Аврами выведено без учета специфики кристаллизации длинных молекулярных цепей. Поэтому к толкованию физического смысла кинетических параметров, определяемых с помощью этого уравнения (в особенности константы /г), в случае полимеров следует подходить с большой осторожностью и рассматривать их скорее как полезные полуэмпирические характеристики изотерм кристаллизации. [c.190]

При вытягиваг ии слитка со свободной поверхности расплава на границе кристалл — расплав существует силовое взаимодействие между жидкой и твердой фазами, обусловленное наличием мел<фазной поверхностной энергии. В зависимости от положения и кривизны изотермы кристаллизации силы поверхностного натял ения могут создавать напряжения на границе раздела фаз [c.100]

Выращивание кристаллов с краевым углом 02 (см. рис. 34), меньшим, чем его значения, определяемые условием равновесия прих = г ( .7), приводит к уменьшению высоты поднятия жидкого столбика. Так как равновесная поверхность границы раздела кристалл— расплав почти плоская для промышленных радиусов кристаллов (г>0,5 см), уменьшение высоты столба /1 = Утах ДОЛЖНО быТЬ ОграНИЧеНО значениями Ута.х>Уй (рис. 34). Следует заметить, что выращивание монокристаллов по методу Чохральского с малыми значениями (/тах весьма затруднительно и часто приводит к кристаллизации свободной поверхности расплава и примерзанию слитка. Поэтому скорость вытягивания надо поддерживать такой, чтобы плоская изотерма кристаллизации не опускалась ниже высоты Н=утах, соответствующей 01= л/2. [c.106]

В этой связи представляет практический интерес выяснение максимально возможного перегрева расплава слюды, после которого наступает полное разложение расплава и прекращается рост кристалла. Для нахождения этого предела проведена серия экспериментов в атмосфере аргона и водорода при температурах расплава 1410, 1470, 1500 и 1560 °С. Естественно, что названные температуры характеризуют максимальную температуру расплава на некотором удалении от фронта кристаллизации, поскольку последний в любом случае проходит по изотерме кристаллизации. Для сопоставления состава исходного материала и полученных кристаллов все опыты проведены перекристаллизацией одного крупного спонтаннообразованного монокристалла фторфлогопита, химический состав которого определен заранее. После проведения ростовых циклов изучались химический состав полученных кристаллов и особенности структуры полученной слюды (табл. 10). [c.70]

Изотермы кристаллизации ненаполненного полиуретана описываются уравнением Аврами до значений а = 0,90 — 0,95. На конечных стадиях кристаллизации, выше этих значений а, наблюдаются небольцше отклонения от прямолинейной зависимости, связанные с замедлением кристаллизации. Для наполненных систем систематические отклонения от прямолинейной зависимости начинаются при значениях а = 0,55—0,75. [c.64]

Отклонения от прямолинейной зависимости изотерм кристаллизации наполненного полиуретана более явны, чем для ненаполненного, и начинаются при меньщих степенях завершения процесса кристаллизации. Это явление может быть обусловлено тем, что столкновение растущих кристаллических структур друг с другом, до наступления которого процесс описывается уравнением Аврами, происходит благодаря присутствию наполнителя при более низких степенях превращения. Наполнитель способствует образованию большего числа зародышей кристаллизации, что обусловливает образование и большего числа кристаллитов, быстро заполняющих весь объем кристаллизующегося полимера. Естественно, что дальнейший рост кристалличности связан с процессом совершенствования первичных структур, который уже не описывается уравнением Аврами. В подтверждение этого предположения свидетельствует и тот факт, что указанные отклонения сильнее проявляются при понижении температуры кристаллизации, которое, в свою очередь, сопровождается ростом числа зародышей кристаллизации. [c.65]

Рис. /.32. Изотермы, кристаллизации ОЭГА в смеси с 50 масс. ч. ПЭ при 39,4 (/), 41,1 (2), 43,3 (3), 45,1 °С 4) после прогрева при 80 °С.

Изотермы кристаллизации ОЭГА в смеси с ПЭ, построенные в координатах уравнения Аврами, показаны на рис. V. 32. При кристаллизации чистого ПЭ значения п близки к 3, что обычно связывают с ростом трехмерных кристаллических структур (сферолитов) на гетерогенных зародышах. Кристаллизация ПЭ в смеси описывается значением п = 2. Конкретная причина изменения механизма кристаллизации ПЭ в присутствии жидкого ОЭГА остается неясной, однако можно предположить, что уменьшение п связано с одновременным протеканием процессов кристаллизации ПЭ в объеме и в размытых межфазных областях на зародышах различной природы. [c.238]

Из изотерм кристаллизации чистого ОЭГА были рассчитаны значения параметров п, к и полупериод кристаллизации туа- Близкие к 3 значения параметра п для начальной стадии кристаллизации ОЭГА соответствуют росту сферолитов на гетерогенных зародышах. [c.238]

Впервые валовая скорость кристаллизации чистого гомополимера в изотермических условиях была измерена Беккедалем [3] при исследованиях натурального каучука. Некоторые типичные изотермы кристаллизации из расплава линейного полиэтилена [4] и натурального каучука [5] приведены на рис. 70 и 71. В обоих случаях за ходом кристаллизации следили по изменениям удельного объема. [c.216]

Как указано в последней колонке табл. 11 при двумерном росте 2 и 3, а при одномерном 1 и 2. Очевидно, что даже при таких относительно мягких ограничениях, наложенных на процессы нуклеации и роста зародышей, детали геометрии роста и способа нуклеации не могут быть определены из изотерм кристаллизации на основании одной лишь оценки величины экспонента п. В случае изотерм, подчиняюшихся соотношению (185), все члены зависящие от температуры, заключены в параметр к, который не зависит от времени t. Поэтому можно построить координатную систему, абсциссой которой будет некоторое приведенное время, т. е параметр, включающий температуру и истинное время. В этой системе координат кинетика фазового перехода описывается точно так же, как в обычной системе, где по оси абсцисс отложено время. [c.227]

В заключение еще раз остановимся на результатах исследования кинетики кристаллизации и текстуры кристаллов в смесях изотактического и атактического полипропилена, проведенного Каваи с сотр. [18]. В работе [18], в полном соответствии с описанной выше гипотезой Кейта и др. [15, 16], наблюдалось постепенное вытеснение некристаллизующегося компонента из сферолитов в межсферолитное пространство и возрастание плотности сферолитов в направлении от центра к периферии. Тем не менее, несмотря на то, что должна была проявляться обычная для процесса вторичной кристаллизации тенденция к уменьшению скорости кристаллизации во времени, изотермы кристаллизации подчинялись уравнению Аврами во всем временном интервале измерений. Это явление рассматривалось как подтверждение высказанного выше предположения о том, что [c.268]

Изотермы кристаллизации анализировали в соответствии с модифицированным для полимеров [10] уравнением Аврами [11], описывающим в общем виде кинетику фазового превращения. Согласно этому уравнению, [c.72]

Рис. 4. (справа) Изотермы кристаллизации (Т <Т2< Тд). Точки на кривых указывают моменты завершепия первичной кристаллизации. [c.591]

Уайт и Силверман аналогичным способом исследовали изотермы кристаллизации для тридимита, девитрита, дисиликата натрия, диопсида и других кристаллических фаз в силикатных стеклах, содержащих щелочи, окиси свинца, кальция и магния. Результаты систематического определения изотерм как функций состава выражены на фиг. 917, А и Б для стекольных шихт с содержанием окиси свинца в количестве больше 18%. Добавление окиси калия, замещающего окись натрия, еще больше понижает температуру ликвидуса (фиг. 917, В к Г). [c.907]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология