Модели кристаллита

Согласно этой модели, кристалл снега начинает расти с относительно стабильной формы. Однако кристалл может быть легко дестабилизирован небольшим посторонним воздействием. За этим следует быстрый процесс кристаллизации из окружающего водяного пара. Такой ускоренный рост кристалла постепенно видоизменяет его, переводя в квазистабильную форму. Затем происходит последующее возмущение, и это снова обусловливает новое направление роста с другой скоростью. Слабая стабильность снежинки делает растущий кристалл очень чувствительным даже к ничтожным изменениям в его микроокружении. Эта гипотеза была разработана физиком-теоретиком Лангером, как отмечается в недавней публикации [17]. [c.44]

Эффективные заряды на атомах в кристал.лах ZnS составляют примерно 0,5 заряда электрона. Используя модель ковалентного кристалла, можно объяснить смещение электронной плотности к более электроотрицательному элементу. В рамках же ионной модели кристалла это свидетельствует о поляризации ионов — частичном перекрывании электронных облаков ионов. [c.99]

Моделирование - и прием научного познания, и педагогический прием обучения шаростержневые модели в познании состава, строения и свойств органических соединений магнитная доска плюс магнитные аппликации -в познании механизма химических реакций модели кристаллов и кристаллических решеток - в понимании законов симметрии и типов химической связи и т.д. [c.22]

Средняя дисперсность частиц металла, если исходить из кубической модели кристаллов, в приведенных условиях пассивации наибольшая и со- [c.336]

Рис. 59. Модель кристалла карбамида.

Все связи между атомами и тетраэдрические углы между ними одинаковы. Чтобы разрушить кристалл о атомной решеткой, нужно разорвать множество прочных ковалентных связей, энергия которых составляет сотни кДж/моль. Описанная модель кристалла алмаза хорошо согласуется. с-его экспериментально определенной структурой и прекрасно объясняет чрезвычайно высокую устойчивость углерода в этой модификации (Т 3773 К, малолетуч, нерастворим, неэлектропроводен). [c.35]

Схема установки, на которой изучались скоростные поля, представлена на рис. 15. Модель тигля 5 изготовлена из прозрачного органического стекла в масштабе 2 1. Радиус модели тигля 150 В качестве модели кристалла использовали диск 6, изготовленный из того же материала, что и тигель. Скорость вращения модели тигля и диска могла плавно изменяться. Модель тигля наполняли дистиллированной водой, которая служила моделирующей жидкостью. [c.48]

Точное квантовомеханическое описание металлической связи представляет сложную задачу, рассмотрение которой выходит за рамки настоящей книги. Поэтому в следующих разделах будут описаны лишь общие представления, на основе которых может быть понята металлическая связь — так называемая зонная модель кристалла. Следует сразу же оговориться, что зонная модель описывает поведение электронов в кристаллах с любым типом связи, но нас будут интересовать только те аспекты этой теории, которые непосредственно связаны с теорией металлической связи. [c.198]

Это — уравнение роста грани на макроскопическом кристалле, выраженное через число плоскостей решетки, возникающих за секунду. В этой форме уравнение пригодно только для специальной модели кристалла. Имея в виду обобщение, обратим [c.162]

Все эти особенности поведения указывают на усложнение механизма проводимости в этом соединении по сравнению с гексаборидами других р. 3. э. и делают, в частности, невозможным вычисление концентрации носителей и их подвижности с помощью простых соотношений, следующих из рассмотрения однополосной модели кристалла. [c.45]

В работах [16—18] был предложен подход к решению задачи о дефектах (примесных и адсорбционных центрах), позволяющий частично преодолеть указанную трудность и в то же время сохраняющий молекулярный характер модели кристалла. Суть его заключается в том, что на фрагмент кристалла накладываются периодические граничные условия Борна — Кармана. Поскольку такие граничные условия можно наложить только на фрагмент, имеющий форму элементарной ячейки (минимальной или расширенной), предложенный подход был назван [17, 18] моделью расширенной элементарной ячейки (РЭЯ). Чтобы отличать фрагменты, замкнутые циклическими граничными условиями, от кластеров, будем называть их в дальнейшем квазимолекулами. [c.54]

Рис. 1. Пространственная модель кристалла СиА (слева) и проекция ее на плоскость О Л (справа)

Фиг. 3. Модель кристалла перекиси декалина.

Многие вопросы, излагаемые ниже, связаны с анализом, вычислением и минимизацией потенциальной энергии кристаллической структуры 7, которая рассматривается как функция структурных параметров. В виде такой функции можно представить и свободную энергию Р, добавив к числу независимых параметров температуру и давление. Однако в последнем случае при конкретном расчете придется учесть колебательное движение молекул, что приведет нас к динамической модели кристалла. [c.141]

Продемонстрируем, к каким следствиям может привести учет последнего замечания на примере анализа модели кристалла с. взаимодействием ближайших соседей. [c.117]

Если мы хотим рассмотреть модель кристалла с парным взаимодействием только ближайших соседей, мы должны считать отличными от нуля лишь коэффициенты Л и М, аргументы которых равны нулю или одному из векторов, соединяющих ближайших соседей. Так, в случае примитивной кубической решетки с взаимодействием ближайших соседей следует исходить из отличных от нуля коэффициентов А (0), А (по) и коэффициентов М (т, п т, п ), аргументы которых т, п, т, п = О, По, где п — номер-вектор, соединяющий выделенный узел с каким-либо одним из его ближайших соседей. Если оси координат выбраны вдоль осей симметрии четвертого порядка (избранная система координат), то вектор По может отличаться только знаком от одного из ортов координатных осей е , е , е По = Ср, где / = 1, 2, 3. [c.117]

Другими словами пространственная решетка с рассмотренными межатомными взаимодействиями (центральными силами) не оказывает никакого сопротивления сдвигу в координатных плоскостях из- бранной системы при сдвиге решетка как бы складывается без изменения расстояния между узлами. Следовательно, примитивная кубическая решетка с взаимодействием только ближайших соседей является нереалистической моделью кристалла. [c.118]

Начнем с анализа скалярной модели кристалла и положим, что случайная величина и есть смещение атома относительно узла с номером п [c.132]

Грубая модель кристалло-аморфного полимера—трехмерная сетка, узлы к-рой образованы кристаллитами. Деформационные свойства такой сетки определяются аморфными сочленяющими участками, состоящими из проходных цепей. Доля последних не превышает 30%, и лишь десятая часть из них реагирует непосредственно на нагрузку. Именно малой долей держащих нагрузку цепей обусловлена низкая реальная прочность кристаллизующихся полимеров (всего несколько процентов от теоретич. прочности). [c.277]

Грубой моделью кристалло-аморфного полимера является суперсетка, узлы которой образованы кристаллитами, играющими роль зажимов , а деформационные свойства обусловлены аморфными сочленяющими участками, состоящими из проходных цепей. Доля этих цепей (в расчете на число цепей в единичном сечении кристаллита) редко превышает 30%, а из этих 30% примерно лишь десятая часть непосредственно реагирует на нагрузку. Именно по этой причине (малая доля держащих нагрузку цепей) реальная прочность кристаллизующихся полимеров обычно составляет несколько процентов от теоретической (которую нетрудно рассчитать, зная параметры кристаллической решетки [16, с. 8 25, гл. I 31, с.451—477]). [c.44]

Большое теоретическое и прикладное значение получили исследования Ловица по кристаллизации. Ловиц ввел понятия о пересыщении, о так называемой самопроизвольной и принудительной кристаллизации. Ловиц открыл наличие в растворах при кристаллизации конвекционных потоков, выяснил роль зародышей кристаллизации, дал способы выращивания больших кристаллов. Он предложил также применять кристаллизацию для химико-аналитических определений. Для этого он изготовил модели кристаллов солей из черного воска и подметил явление изоморфизма. Ловицу принадлежит оригинальный метод качественного анализа солей по рисунку скелетных кристаллических образований на поверхности стекла, получающихся после испарения капли раствора. [c.411]

Впрочем выяснилось, что теория в своей современной форме не в состоянии объяснить механизм некоторых упругих явлений скольжения в кристаллической решетке, появления трещинок на поверхности и т. д. Для построения точной модели кристалла необходимо детальное изучение этих явлений. [c.262]

Совершенно иной подход к описанию структуры расплавов полимеров был сделан Стюартом [168] на основании результатов опытов с моделями полимерных цепей из пружинок и бусинок. Вследствие особой геометрии модельных молекул он наблюдал в основном их параллельное расположение относительно друг друга. К подобной структуре приводит также использование для описания предполагаемого в расплаве полимеров ближнего порядка кинк-модели (рассмотренной в разд. 4.2.3 модели кристаллов, в которых цепи макромолекул имеют резкие изломы). На рис. 5.1 представлено двумерное изображение структуры расплава полимеров с рядом изломов [c.16]

Т0В0Й статистики для простых моделей (например, модель кристалла Дебая). Согласно общим знаниям конденсированных фаз, эти модели можно рассматривать в общем слу- [c.183]

Ротационными обычно называют кристаллы, описьгеаемые динамической моделью. Кристаллы, в которых ориентационный беспорядок имеет статическую природу, естественнее называть разупоря-доченными. [c.171]

Рассмотрение моделей кристаллов разного размера и соответствующие расчеты показывают, что частицы металла, на которых происходит прочная адсорбция азота, сопровождающаяся появлением активной в ИК-снектре полосы, имеют на поверхности наибольшее число так называемых В- цен-тров, т. е. центров, будучи адсорбированным на которых атом металла имел бы контакт с пятью соседними атомами металла. Это в свою очередь позволяет прийти к выводу о том, что, несмотря на относительно высокую теплоту адсорбции и отсутствие подвижности, молекулы азота не образуют с атомами металла химической связи, а удерживаются на поверхности дисперсионными силами и сильным электрическим полем Вд-центров, которое возникает в результате неполной компенсации электрических полей ядер и электронов атомов металла этих центров и поляризует адсорбированные молекулы (рис. 2). Дисперсионное взаимодействие молекул азота с В 5-центрами должно быть более сильным, чем с плоской поверхностью кристалла, так как адсорбированная молекула взаимодействует в этом случае с большим числом атомов металла. Хардевелд и Монтфорт [11] считают, что высокую интенсивность и значительное смещение полосы поглощения физически адсорбированных молекул относительно частоты колебания свободной молекулы азота можно объяснить сильной поляризацией адсорбированных молекул электрическим полем Вд-центров. [c.118]

Решш систему (7) для простейшей модели кристалл предста-вш линейной цепочкой атомов с взаимодействием между ближайшими соседями движение всех атомов будем рассматривать в плоскости в направлении, перпендикулярном цепочке силы взаимодействия между дополнительными атомами и атомами цепочки возьмем соответствующими обрезанному гармоническому взаимодействию [c.231]

Проведен расчет модели кристалла, поверхность которого полностью за)1ята хемосорбатом, и показано, что эффективная масса электронов в зоне энергий, образующейся нри гомеополярной хемосорбции, сравнима с эффективной массой электрона в зоне нроводимости кристалла. При заполне1ип1 такой хемосорбционной зоны электронами из адсорбированных атомов или из кристалла может значительно изменяться поверхностная проводимость. Так как хемосорбированные атомы могут [c.35]

Последнее дает возможность охарактеризовать статическую модель кристалла с помощью совокупности структурных параметров, в число которых в общем случае входят линейные и угловые параметры ячейки а, Ь, с, а, р, у, координаты центров масс симметрически независимых молекул X,, Y,, Zi эйлеровы углы, характеризующие ориентацию этих молекул, ф,-, 0г, я 5г. Такой способ описания статической модели органического (шире— молекулярного) кристалла можно распространить и на случай частично нежестких молекул, например, молекул, в которых возможны повороты отдельных групп вокруг ординарных связей тогда в число структурных параметров придется включить торзионные углы, характеризующие эти повороты. [c.140]

Рассматриваются кооперативные модели эволюции тонкой структуры приповерхностного слоя при растворении в электролитах с малым пересыщением моно- и поликристаллов 3d -металлов. 1фи-тически сопоставлены нелинейные решения уравнений кооперативных актов растворения, от моделей Хирса-Раса-Паунда, Лайтхила-Уит-хема до современных решений, основанных на теории солитонов. В задачах о растворении М, не базирующихся на модели кристалла Косселя-Странского, анализируются решения уравнения Буссинеска [c.33]

Собственные значения, т. е. квадраты собственных частот, отвечающие функциям (3.27), даются законом дисперсии (3.24). К сожалению, последовательный анализ законов дисперсии сложной кристаллической решетки, определяемых в виде решений уравнения (3.24), затруднителен. Однако нетрудно осуществить качественное исследование, направляющей нитью в котором будут известные нам свойства колебаний двухкомпонентной модели кристалла. [c.83]

Значенпе транс, яционной симметрии удобно выяснить на модели кристалла в виде цепочки из атомов, находяш ихся на одинаковом расстоянии однн от другого и обладающих одной валентной АО [c.50]

Метод ГАПРЛ основан на модели кристалла, состоящего из частиц (блоков) размером (по нормали к отражающей плоскости) D = ndo, где п — число ячеек размером do (межплоскостное расстояние) в частице. Средний по кристаллу размер частиц D— = iV3do=2"Pn> где рп —доля частиц, содержащих п ячеек. [c.362]

Более корректный анализ полосной структуры комплектного монокарбида титана выполнен Конклином и Силверсмитом [9], также использовавшими метод ППВ. Указанные авторы осуществили три варианта расчетов они использовали модель нейтральных атомов титана и углерода, модель кристалла с двухзарядными ионами Ti + и С и вариант с процедурой самосогласования. [c.266]

Инверсионная ось содержит в себе центр инверсии, а ось — ПЛОСКОСТЬ симметрии, перпендикулярную к ней. Это обстоятельство иногда подчеркивается тем, что после наименования оси ставится знак С или Р соответственно, как этО и сделано в первом столбце табл. 3. Такая символика является нестрогой, т. е. в других случаях мы аналогичных элементо В симметрии не указываем например, ось 2, содержащуюся в каждой четной поворотной оси Ьл, или Ы). Избежать такой -двойственно сти легко, если в каждом виде симметрии указывать только те симметрические преобразования, которые приводят фигуру к совмещению 1самой с собой. Указание на С и Р при осях и имеет скорее педагогическое значение, так как именно эти элементы симметрии на моделях кристаллов учащиеся будут находить скорее и легче, чем сами инверсионные О си. [c.29]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология