Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Физические основы образования

    Наряду с рассмотренными положительными сторонами теория Аррениуса имела два существенных недостатка. Первый недостаток был связан с тем, что данная теория игнорировала взаимодействие ионов с диполями воды или другого растворителя, т. е. ион — дипольное взаимодействие. А именно это взаимодействие, как показано далее, является физической основой образования ионов в растворе при растворении электролита. Таким образом, без учета ион — дипольного взаимодействия нельзя было объяснить процесс образования ионов и устойчивость ионных систем. И теория Аррениуса оставляла открытым вопрос о причинах электролитической диссоциации. [c.16]


    М е л и г Г., Физические основы образования топливных струй в дизелях, ATZ, 16, 1934. [c.158]

    Физические основы образования льда [c.273]

    Поскольку мы уже отмечали доминирующее значение параметров усадки ф и колебания усадки А на формирование точности размеров деталей из пластмасс, в следующем разделе рассмотрим физические основы образования усадки, основные понятия и вопросы их стандартизации, необходимые для решения практических задач. [c.56]

    ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ОБРАЗОВАНИЯ И СТАБИЛИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ ЛЬДА (АССОЦИАТОВ ВОДЫ) В ВОДЕ [c.43]

    Физической основой образования МДС является способность активных атмосферных аэрозолей к поляризации и распаду в полях электромагнитных излучений. Теоретическая база данных процессов основывается на взаимосвязанных явлениях  [c.375]

    Таким образом, механизм сводообразования имеет прочную физическую основу — перемещение частиц. Причем для образования статического свода достаточны перемещения частиц свыше 1—3 мкм. Так как объемная усадка слоя и протекающие в нем релаксационные процессы связаны с перераспределением внутренних напряжений и с перемещениями, то можно полагать, что в слоях катализатора возникают своды статического и динамического равновесия. Возникновение и существование последних при истечении из отверстий — доли секунды. Крупномасштабные своды возникают в сравнительно высоких слоях, а мелкомасштабные — как в высоких, так и в низких. Наличие как тех, так и других оказывает неблагоприятное влияние на структуру слоя, изменяя пористость в его объеме. Внутренние устройства в слоях (перегородки, насадки и т. п.) препятствуют образованию крупномасштабных сводов и существенно уменьшают ограждающее влияние стенок. Возникновению мелкомасштабных сводов способствуют способы загрузки, дающие рыхлую упаковку слоя. Способы загрузки, дающие более плотную упаковку частиц, снижают возможность их перемещений, а следовательно, исключают образование мелкомасштабных сводов или уменьшают их размеры. [c.41]

    Физические основы процесса. Электрическая очистка основана на ионизации молекул газа электрическим разрядом. Если газ поместить в электрическое поле, образованное двумя электродами, к которым под- [c.238]

    Мы убедились в том, что молекулы адсорбата могут находиться на поверхности адсорбента в течение длительного времени. Интересно поставить вопрос — как проводит это время молекула в адсорбционном слое В результате колебаний атомов адсорбента, между ними и молекулой адсорбата происходит непрерывный обмен энергией. Если молекула получит импульс, нормальная составляющая которого превысит Qa, молекула покинет поверхностный слой. Если же этот импульс будет направлен, в основном, тангенциально к поверхности, молекула будет скользить по ней, сталкиваясь с другими молекулами. Такая поверхностная подвижность молекул составляет физическую основу явлений растекания и смачивания. Жидкость растекается по жидкой поверхности на 2—3 порядка быстрее, чем по твердой, поскольку микрошероховатость отсутствует и все точки жидкой поверхности энергетически равноценны. Но и на твердых поверхностях существование двухмерной подвижности установлено экспериментально. Хорошо известный пример с растеканием насыщенного раствора КС по стеклу в солевых мостиках, с последующим высыханием, и образованием ползущей твердой корки, иллюстрирует это явление. В работах Фольмера было установлено, что молекулы бензофенона уходят из кристалла по стеклу на расстояния порядка 0,1 мм, значительно превышающие молекулярные дистанции. [c.134]


    Для того чтобы представить себе настоящие и будущие возможности использования ЯМР в биологии и медицине, любой интересующийся этими проблемами врач или биолог должен быть знаком хотя бы с основами явления ядерного магнитного резонанса. Однако большинство соответствующих пособий написано в расчете на физиков и физико-химиков, и вследствие обилия математических формул и специального языка малопригодно для врачей и биологов. В настоящее время появился уже целый ряд обзорных работ по применению ЯМР-томографии для исследования определенных участков тела и определенных заболеваний, но они имеют, в основном, медицинскую направленность и лишь вкратце касаются основных положений ЯМР, а вопросы спектроскопии в них не рассматриваются вообще. С другой стороны, хотя для читателей с естественно-физическим образованием относительно легко понять физические основы метода ЯМР, им часто не хватает знания биологических и медицинских аспектов проблемы. [c.5]

    Физические основы работы низкотемпературного гелиевого ионного проектора довольно просты, несмотря даже на то что механизм образования изображения пока еще не ясен во всех деталях. Объект в форме тонкой иглы с радиусом острия в несколько сотен ангстрем вмонтирован в колбу автоэлектронного проектора, в которую вводят 1 10 мм рт. ст. гелия его давление при этом таково, что средняя длина свободного пробега иона как раз сравнима с расстоянием между острием и экраном. При более высоких давлениях ионно-атомное рассеяние будет размывать изображение. Экран заряжают отрицательно по отношению к эмиттеру. [c.202]

    Переходы между различными конформациями в молекулах биополимеров, в частности переходы спираль—клубок, осуществляются обычно в узких областях изменения температуры, состава растворителя или pH раствора. Физическая основа таких переходов заключается в том, что состояние макромолекулы, в котором имеется большое число контактов между мономерными единицами, обычно энергетически более выгодно, в то время как состояние свободной макромолекулы более выгодно энтропийно из-за ее гибкости. Поэтому свободные энергии этих двух состояний различным образом меняются при изменении температуры, состава растворителя (например, если его молекулы способны к образованию водородных связей с макромолекулами, или если меняется [c.19]

    Физической основой периодического повторения химических и других свойств элементов является то, что в ряду элементов, расположенных в порядке возрастания их атомных весов, периодически повторяется образование новых наружных электронных оболочек. К одной подгруппе периодической системы элементов всегда относятся те элементы, атомы которых в наружных электронных оболочках содержат одинаковое число электронов. [c.492]

    В. и. Кузнецов [15] считает, что, кроме простого и независимого растворения, в обеих фазах не имеется никакого существенного добавочного химического механизма, влияющего на коэффициент распределения, т. е. что в этом случае экстрагирование происходит на основе простого физического распределения, а не на основе образования солеобразных соединений с растворителем. [c.116]

    Рассмотренные качественные особенности систем дают нам физические основы для их количественного кинетического описания. Рассмотрим это описание последовательно для процессов образования ядер и на этой основе для кинетики реакции в целом. [c.269]

    Уже давно установлена двойственная роль наполнителя [139, 141] химическое действие — связывание кислотных окислов хромита окисью кальция, что исключает необходимость применения для этой цели дорогой соды физическое действие — образование инертного скелета, предотвращающего сплавление и обеспечивающего газопроницаемость прокаливаемой массы. Б работе [166] объяснена роль наполнителя образованием расплавом на твердых частицах пленочной фазы толщиной 1 мкм. Часть пленочной фазы, покрывающая частицы наполнителя, является пассивной, ибо она устраняется от участия в основной реакции. Очевидно, должно существовать оптимальное содержание наполнителя и, следовательно, СггОз в шихте. Однако эти теоретические воззрения не могут послужить основой для разработки методики расчета состава шихты. [c.84]

    К 1940 г. началась новая эпоха генетических исследований. В это время к природе гена стала проявлять интерес группа людей, отличавшихся от классических генетиков как по своему складу, так и по своим устремлениям. Многие из этих новичков были мало знакомы не только с достижениями генетики, накопленными за предыдущие десятилетия, но даже и с биологией вообще. Некоторые из них просто не имели обо всем этом никакого представления. Они по образованию были в основном физиками, и их биологические интересы ограничивались в значительной степени только одной проблемой какова физическая основа генетической информации Конечно, не было ничего нового в том, что физики обратились к решению биологических проблем. Многие выдающиеся открытия в биологии XIX в. были сделаны физиками Луи Пастер, Г. Гельмгольц и сам Мендель были по образованию физиками. Но специфическое обращение физиков к генетике в 40-х годах было вызвано совершенно особой причиной. Как раз в то время, когда в просвещенных кругах перестали исповедовать старомодный витализм (учение о том, что явление жизни в конечном счете можно объяснить только существованием мистической жизненной силы , по своей природе не являющейся ни физической, ни химической), Нильс Бор выдвинул идею, что некоторые биологические явления, возможно, нельзя будет объяснить полностью, исходя лишь из традиционных физических понятий. После того как он сформулировал квантовую теорию атома. Бор развил более общие представления. В соответствии с этим взглядом невозможность описания классической физикой квантового поведения представляет собой лишь эвристический пример того, как столкновение с явлением, кажущимся глубоким парадоксом, приводит со временем к более высокому уровню знания. Бор изложил этот взгляд в речи Свет и жизнь на Международном конгрессе по светолечению в 1932 г. На первый взгляд, —сказал Бор, —это положение может показаться крайне прискорбным, но, как часто случалось в истории науки, когда новые открытия выявляли существенную ограниченность понятий, универсальная применимость которых до того не подвергалась сомнению, это позволило нам расширить свой кругозор и дает большую возможность устанавливать связь между явлениями, которые д о того могли казаться даже противоречащими друг другу . Бор, в час тности, считал, что хорошо бы иметь в виду такую возможность и при исследовании жизни Признание огромной важности существенно [c.31]


    Для экспериментального доказательства той или иной конформации молекулы углевода используются физические и химические методы. Среди первых большое значение приобрел ядерный магнитный резонанс. Применяя этод метод исследования, Лемьё установил, что метил-2-де-зокси- >-рибозид в водных растворах имеет преимущественно конформацию С1, а в хлороформе — 1С. Полуэмпири-ческие расчеты молекулярного вращения также дают возможность выбора конформации. Особенно широко в конформационном анализе углеводов была использована способность сахаров образовывать медные и боратные комплексы. Раствор аммиакатов меди, содержащий ионы Си(ЫНз) , изменяет свою проводимость, если вступает в реакцию комплексообразования с углеводами. При этом молекулярное вращение сахара также изменяется. Этот эффект незначителен, если комплексообразование мало сказывается на геометрии молекулы, и он достигает больших величин, если формирование комплекса требует искажения исходной конформации. Замыкание клешнеобразного комплекса атома меди с кислородами происходит обычно у вицинальных гидроксилов, расположенных под углом 60°, но не 120 или 180°. Расстояние между атомами кислорода не должно превышать 3,45 А. На основе образования медноаммиачного комплекса для О-метил-р-О-глюкопиранозида [c.146]

    Теорию процессов на неоднородных поверхностях нельзя считать в какой-либо мере исчерпанной или законченной. Физические основы теории нуждаются в серьезной разработке и, в частности, в вопросах о генезисе неоднородных поверхностей, их природе, характере и связи с электронной структурой твердого тела, анализа возможностей образования поверхностей с заданным распределением и причин, ведущих к тому или иному распределению. Серьезной проблемой являются также физические основы соотношения линейности в катализе и причины, обусловливающие те или иные численные значения коэффициентов этого соотношения. Разработка методов независимого определения таких коэффициентов на огыте принесла бы существенную пользу. Одним из таких методов могло бы быть точное определение зависимости величин теплот адсорбции и энергии активации адсорбции от заполнения поверхности в идентичных условиях, как и сопоставление с кинетическими данными для соответствующих каталитических реакций. Важной прй-блемой является также дальнейшая разработка вопросов, связанных с адсорбцией смесей на неоднородных поверхностях и трактовкой вытекающих отсюда кинетических закономерностей. Необходима дальнейшая разработка вопросов кинетики сложных реакций на неоднородных поверхностях. Однакэ следует заметить, что современный уровень этой теории уже позволяет решать конкретные проблемы кинетики каталитических реакций и, в частности, дать интерпретацию кинетических зависимостей. [c.250]

    Причина соответствий между ,Кх и Хм становится очевидной, если рассмотреть физические основы некоторых из шкал электроотрицательностей. Шкала Полинга — Гайсинского связана с квадратными корнями из средних теплот разрыва связей в галогенидах металлов с образованием атомов в основных состояниях, а шкала Малликена [237] основана на потенциалах ионизации ионов металлов в валентных состояниях . Шкала Оллреда — Рохова [9] связана с электростатическими силами притяжения между ядром и электроном, находящимся на расстоянии, равном ковалентному радиусу, рассчитанными с использованием эффективных ядерных зарядов по Слейтеру. Далее, было найдено, что существуют корреляции между электроотрицательностями и работой выхода при термоионной или фотоэмиссии [ИЗ] и между электроотрицательностями и последовательными потенциалами ионизации [201]. .  [c.51]

    Физической основой переходов типа спираль — клубок является тот факт, что состояние макромолекулы, в котором мономерные единицы участвуют во внутримолекулярных водородных связях, обычно является энергетически более выгодным, тогда как состояние свободной макромолекулы более выгодно энтропийно из-за ее гибкости. Поэтому свободные энергии этих двух состояний различным образом меняются при изменении температуры, состава растворителя (например, если его молекулы способны к образованию водородных связей с макромолекулами) или pH раствора (если ионигация мономерных единиц вносит дополнительный энергетический эффект). Температуре перехода соответствует равенство свободных энергий двух состояний. Кооперативный характер перехода, проявляющийся в узости его интервала, обусловлен. как уже отмечалось выше, сильной зависимостью изменения свободной энергии молекулы при образовании водородной связи в одной из мономерных единиц от наличия или отсутствия водородной связи в соседних с ней мономерных единицах. Эта кооперативность, во всяком случае для молекул полипептидов, носит, по-видимому, чисто энтропийный характер (см. 23). [c.293]

    Во введении мы обсуждали, что является квантовомеханическим эквивалентом валентного штриха. Структурной картине образования двухцентровых связей отвечает преобразование делокализованных МО в локализованные ЭМО, что можно осушествить только для насыщенных соединений или для соединений с изолированными кратными связями. Таким образом, почти во всех соединениях, где химики привыкли видеть симптомы сопряжения, использование валентных штрихов для описания химических связей как раз вызывает возражения. Поскольку строение ненасыщенных соединений в общем случае нельзя представить в рамках локализованных двухцентровых связей, то не существует серьезной физической основы для сравнения электронных свойств молекул путем сопоставления их валентных схем. Но именно в этом и состоит традиционная сущность химической теории сопряжения. [c.15]

    Сенсибилизация радиационной полимеризации осуществляется как на физической основе, например, путем создания высокодефектных микрогетерогенных эвтектических систем мономера с неполимеризую-щейся добавкой, так и на химической, в частности, путем применения газов-сенсибилизаторов (с высокими потенциалами ионизации относительно мономера) и добавок, легко радиализующихся с образованием дополнительного ресурса радикалов.  [c.72]

    В настоящем обзоре излагаются физические основы фото-, рентгеноэлектронной и рентгеновской спектроскопии, необходимые для понимания различных аспектов применения методов к изучению валентных электронных уровней. Рассмотрены вопрос о сравнении экспериментальных данных с расчетами и степень достоверности различных методов расчета. Приведены энергии ионизации и другие характеристики уровней для более чем двухсот свободных молекул и изолированных групп в кристаллах. Опубликованный к настоящему времени материал в этой области столь велик, что заведомо исключает охват всех исследованных соединений. В рамках настоящего обзора рассмотрены данные для простых и комплексных неорганических соединений и примыкающих к ним простых органических и элементоорганических молекул. В обзор включены также данные по зонной структуре нескольких десятков соединений типаЛ"5 (п=1,2,3,4), а также окислов переходных и непереходных металлов. Совместное рассмотрение свободных молекул и твердых тел диктуется не только совпадением применяемых физических методов, но и единством самой природы химической связи, что выражается в наличии общих закономерностей. В последней главе обзора рассмотрены степень участия различных атомных орбиталей в образовании химической связи, взаимосвязь атомных и молекулярных орбитальных энергий, изменения электронного строения в ряду изо-электронных и изовалентных соединений. [c.6]

    Материалы настоящего сборника отражают основные направления зарубежных исследований в области физико-химической природы и механизма светочувствительности фотографических эмульсий. В ранее опубликованном сборнике Физические основы фотографической чувствительности (Издатинлит, 1953) в основном рассматривались физическая картина образования и природа скрытого фотографического изображения. Работы, включенные в настоящий сборник, описывают явления в условиях, приближающихся к практически существующим в реальных фотографических эмульсиях. Поэтому они представляют не только теоретический, но также значительный практический интерес. Учет этих работ, их изучение и проверка, несомненно, должны облегчить дальнейшее разв1итие исследований в области комплексной проблемы природы и механизма светочувствительности и способствовать улучшению технологии производства фотографических эмульсий. [c.3]

    ОСНОВЫ ЛЬДОТЕХНИКИ Физические основы процессов образования льда [c.320]

    Для двухкомпонентных систем мономер — неполимеризующая-ся добавка отмечена сенсибилизация, иногда весьма эффективная, имеющая в своей основе физическую (например, образование эвтектической смеси [44]) или химическую (например, образование комплексов [45]) природу. [c.76]

    Физические основы процесса. Электрическая очистка основана на иони зации молекул газа электрическим разрядом. Если ионизированный газ поместить в электрическое поле, образованное двумя электродами, к которым подведен постоянный электрический ток высокого напряжения, то ионы и электроны начнут перемещаться по направлению силовых линий. Направление вектора скорости заряженных частиц будет определяться их знаком, а скорость движения и, следовательно, кинетическая энергия — напряженностью электрического поля. При повышении разности потенциалов между электродами (напряженности электрического поля) до нескольких десятков тысяч вольт кинетическая энергия ионов и электронов возрастает настолько, что они при своем движении, сталкиваясь с нейтральными газовыми [c.251]


Смотреть страницы где упоминается термин Физические основы образования: [c.42]    [c.123]    [c.401]    [c.5]    [c.123]    [c.404]    [c.165]    [c.239]    [c.310]    [c.29]    [c.47]   
Смотреть главы в:

Холодильные установки -> Физические основы образования




ПОИСК







© 2024 chem21.info Реклама на сайте