Дефекты нейтральные

Знак плюс в верхнем индексе означает положительный, а знак минус отрицательный заряд дефекта относительна решетки, предполагаемой нейтральной. При несовпадении зарядов ионов 1 и 2 возможно появление зарядов и у дефектов 5 и 6. [c.35]

Сильно влияют на свойства твердых тел точечные примесные дефекты. При образовании последних частицы примесей (молекулы, атомы или ионы) располагаются или в узлах пространственной решетки кристалла, вытесняя из них частицы основного вещества, или занимают места в междоузлиях. Примесные дефекты в кристаллах могут существовать или в нейтральном, или в заряженном состоя- [c.88]

Сильно влияют на свойства твердых тел точечные примесные дефекты. При образовании последних частицы примесей (молекулы, атомы или ионы) располагаются или в узлах пространственной решетки кристалла, вытесняя из них частицы основного вещества, или занимают места в междоузлиях. Примесные дефекты в кристаллах могут существовать или в нейтральном, или в заряженном состоянии. В определенных условиях атомы примесей могут ионизироваться, существенно изменяя свойства кристалла. Б качестве примера рассмотрим состояние примесных атомов алюминия и фосфора в кристаллах кремния. Кремний [c.79]

Механизм действия многочисленных полупроводниковых катализаторов, как показал Ф. Ф. Волькенштейн, существенно зависит от положения уровня Ферми (т.е. усредненного значения химического потенциала электрона в полупроводнике). Частицы на поверхности катализатора связаны с ней одноэлектронной или более прочной-—двухэлектронной связью. Чем выше уровень Ферми, тем больше доля частиц, несущих отрицательный заряд, и тем меньше доля частиц, связанных с поверхностью донорной связью, т. е. положительно заряженных. Число нейтральных частиц при изменении уровня Ферми проходит через максимум. Таким образом электронные свойства полупроводника определяют возможные состояния частиц на его поверхности и, следовательно, и направление химических процессов между ними. Влияние дефектов или примесей также зависит от того, как отзывается их появление иа положении уровня Ферми. [c.322]

Наиболее простым дефектом является примесный атом пятой или третьей группы таблицы Менделеева, Рассмотрим, например, атом мышьяка в германии. Мышьяк имеет пять валентных электронов. Для реализации ковалентной связи с ближайшими соседними атомами кремния требуется четыре электрона пятый электрон связан положительным зарядом иона. В этом связанном состоянии электрон обладает более низкой энергией, чем электрон, находящийся в зоне проводимости. При высокой температуре под влиянием тепловых колебаний связанный электрон может отрываться от иона мышьяка и перемещаться как свободный электрон иными словами, электрон может перейти в зону проводимости. Такого рода примеси или дефекты кристаллической решетки называют донорами. В основном состоянии они нейтральны, а при возбуждении дают положительно заряженный ион и один свободный электрон. [c.239]

Естественно, что вклад различных механизмов рассеяния в суммарное времй релаксации зависит от температуры кристалла. По мере изменения энергии носителей заряда роль одних механизмов рассеяния уменьшается, а других возрастает. Поэтому характер движения носителей заряда под действием внешнего поля зависит от того, какой из механизмов рассеяния является преобладающим в данном интервале температур. При очень низких температурах в выражении (391) можно учитывать только рассеяние на нейтральной примеси, точечных дефектах и дислокациях. С повышением температуры роль этих механизмов уменьшается по сравнению с рассеянием на ионах примеси. При высоких температурах доминирующим становится рассеяние на фононах. Поэтому можно считать, что подвижность носителей в зависимости от температуры, согласно формулам (446) и (448), будет определяться соотношением вида [c.251]

Прежде обычно имело значение только воздействие токов короткого замыкания на землю в высоковольтных воздушных линиях с низкоомным заземлением нейтральной точки, т. е. при появлении дефекта с несимметричной нагрузкой и большими токами через грунт, а также [c.429]

Химический состав возникающих оксидных пленок (т. е. отклонение от стехиометрического состава), природу дефектов в них, наличие примесей и др. установить трудно. По этой причине, а также вследствие экспериментальных сложностей (применение глубокого вакуума, работа с монокристаллами, необходимость точного измерения образующейся оксидной фазы) низкотемпературное окисление представляет наименее изученную область окисления металлов. Все теоретические работы в области низкотемпературного окисления в той или иной степени основаны на развитии идей Вагнера о механизме высокотемпературного окисления металлов [45]. Вагнер высказал рабочую гипотезу, что при окалинообразовании диффундируют через оксид не нейтральные атомы, а ионы и электроны. Если суммарный электрический ток равен нулю, то через слой окалины должны диффундировать эквивалентные количества положительных и отрицательных носителей тока. Другими словами, либо эквивалентное количество катионов и электронов должно диффундировать в одном и том же направлении, либо эквивалентное количество анионов и электронов — в противоположных направле- [c.41]

Особенность Г. с с галогенами, нек-рыми галогенидами металлов и др.-способность удерживать часть внедрившихся атомов или молекул даже при высоких т-рах. Такие соед. наз. остаточными , они устойчивы даже при нагревании в нейтральных средах и в вакууме до 1200-1500 С предполагают, что внедрившиеся атомы и молекулы закрепляются на дефектах кристаллической решетки графита. [c.609]

В общем случае величина а Т. т. зависит от механизма рассеяния носителей заряда, к-рое может происходить на тепловых колебаниях атомов (ионов), нейтральных и заряженных собств. и примесных точечных дефектах, линейных, поверхностных и объемных дефектах кристаллич. решетки. В случае металлов а имеет электронную природу и подчиняется закону Ома. Для металлов характерно уменьшение а с т-рой. В отличие от металлов у полупроводников с повышением т-ры а увеличивается вследствие значит, возрастания концентрации своб. носителей заряда. В диэлектриках осн. носители заряда-ионы, вследствие чего а сопровождается переносом в-ва. Электронная проводимость диэлектриков возникает лишь при высоких электрич. напряжениях, близких к пороговым и соответствующих пробою. Как и в полупроводниках, о возрастает с повышением т-ры. [c.502]

Транспортная функция является одной из важных функций клеточных мембран (рис. 9.5). Мембрана создает существенные ограничения для проникновения различных веществ, однако она не является полностью непроницаемой небольшие нейтральные молекулы могут проникать через бислой в области структурных дефектов. Этот процесс осуществляется по градиенту концентрации переносимого вещества - из области, где его содержание высоко, в область с более низким содержанием. Такой процесс называется простой диффузией, он осуществляется неизбирательно и с низкой скоростью. [c.303]

По результатам УЗ-контроля гиб оценивают по трехбалльной системе. Баллом 1 (негоден) оценивают гиб, в котором обнаружены дефект с амплитудой эхо-сигнала, превышающей браковочный уровень либо уровень фиксации, если дефект находится в нейтральной зоне гиба дефект, условная протяженность которого превышает условную протяженность компактного отражателя дефект с условной шириной, большей 30 мм дефекты, имеющие признаки сетки трещин. [c.450]

Локализация носителя на таком дефекте означает переход нейтральной формы хемосорбции в заряженную . Молекула, однако, сохранит свое валентно-насыщенное состояние. Таким образом, появление заряжения при адсорбции не всегда адекватно появлению ионо-радикальной формы хемосорбции. [c.96]

Еще один критерий, который стал выдвигаться в последние годы — влияние адсорбции на электропроводность. Часто считают так если адсорбция вызывает изменение электропроводности, то происходит хемосорбция если нет — физическая адсорбция. Этот критерий также не однозначен. Нейтральная форма хемосорбции никак не влияет на электропроводность. Адсорбция на заряженных дефектах, являясь заряженной формой хемосорбции, также может не влиять на электропроводность, поскольку общий заряд поверхности при хемосорбции может оставаться неизменным. В то же время адсорбированные по физическому механизму молекулы, поляризуясь при адсорбции и создавая своим полем неглубокие ловушки для свободных носителей (электронов и дырок), могут вызывать заряжение поверхности и тем самым приводить к изменению электропроводности. [c.115]

Одну из наиболее важных групп красителей, применяемых для крашения кожи, составляют кислотные красители. Водные растЕ.оры этих красителей окрашивают все виды кожи и не так резко, как другие красители, выявляют дефекты лицевой поверхности кожи. Вследствие высокой растворимости эти красители легко проникают в глубь кожи, что способствует повышению устойчивости окраски. Крашение ведут при 60—65 °С и pH (красильной ванны и самой кожи) 4,5—5,0. В красильную ванну вводят нейтральный электролит, а при крашении в светлые тона — и анионоактивные выравниватели. Для создания оптимального значения pH в ванну добавляют уксусную, муравьиную или серную кислоту. Продолжительность крашения 1 ч, расход красителя 1,5—2% от массы кожи. [c.194]

Типичными дефектами решетки, вызывающими появление донорных примесных уровней в ионном кристалле М+К , могут быть замена иона металла М+ на ион металла большей валентности отсутствие иона металлоида на соответствующем месте внедрение нейтрального атома М в междоузлие. Акцепторные примесные уровни появляются при внедрении атома Н в междоузлие, отсутствии иона М+ на своем месте и пр. Соответственно, полупроводниковые кристаллы с избытком металла сверх стехиометрического количества или содержащие в качестве примеси металлы большей валентности обладают проводимостью -типа, а кристаллы со сверх стехиометрическим избытком металлоида или с внедренным металлом меньшей валентности-проводимостью р-типа. [c.27]

Точечные дефекты. Нейтральные и заряженные атомные дефекты. Наиболее вероятными точечными дефектами, возникающими под воздействием тепловых флуктуаций, являются нейтральные атомные дефекты. Кроме самопроизвольно возникающих равновесных дефектов внутри кристалла можно создать избыточные (для данной температуры) точечные дефекты, например, путем резкого охлаждения (закалка) или механической деформации кристалла (ковка, прокатка и т. п.). Наконец, увеличить количество дефектов в кристалле можно бомбардировкой (облучением) частицами с высокой энергией или вводом примесных ионовалентных атомов (ионов). Причем последние можно или непосредственно вводить при спекании окислов, или создавать условия (Роа и Т) для их образования. Только при наличии примесных ионов в кристалле появляется возможность образования чужеродных или инверсионных дефектов. [c.12]

Болезнь Хартнупа (дефект Нейтральные аминокисло- [c.297]

Ранее было указано, что иа скорость коррозии металлов оказывает влияние и характер обработки новерхиости конструкции. Эксиеримеиталыю было установлено, что гладкая поверхность металла но сравнению с rpy6oii, шероховатой, обладает большей стойкостью к коррозии. Гладкая поверхность металла имеет меньше различных дефектов в виде зазоров, царапин и т. д., которые могут явиться причиной образования очагов коррозии. Так, например, поверхности, грубо обработанные резцом, могут подвергаться более сильной коррозии вследствие того, что к поверхности металла, лежащего в углублении рисок, будет иосту-иать меньше кислорода, чем к участкам, лежащим на гребнях поэтому в случае нейтральной или щелочной среды, когда процесс коррозии металла идет с кислородной деполяризацией, на участках с большей концентрацией кислорода (гребни) потенциал будет более положителен, чем иа участках с меньшей концентрацией кислорода (углубление), и вследствие дифференциальной аэрации возникает коррозионный микроэлемент. [c.84]

Для ремонта аппаратов, работающих в щелочинх, нейтральных и слабокислых средах,используют чаще всего составы на основе эпоксидных смол. Заделку дефектов у аппаратов, работасщих в кислых средах, осуществляют с помощью замазок на основе полиэфирной, фенолофорыальдегвд-ной смол или хидкого стекла. [c.75]

Например, в кристаллах щелочных галогенидов более дефектна обычно анионная подрешетка. Основной тип дефектов — вакансии, так как размеры катионов и анионов в этом случае близки. Галоген из решетки удаляется в виде нейтральных молекул, а остающиеся электроны захпатываются катионами, расположенными вблизи анионных вакансий. При этом в щелочных галоге-нидах возникают F-центры или центры окраски. С химической точки зрения F-центр является как бы атомом металла, внедренным в решетку галогенида вблизи анионной вакансии. Однако избыточный электрон принадлежит не одному определенному катиону, а всем катионам, окружающим анионную вакансию. Дефектность решетки и ее нестехиометричность связаны между собой, но не тождественны. Кристаллы Na l или КС1 содержат сравнительно большое количество вакансий в обоих подрешетках, но отклонения от стериохимии очень невелики. В оксиде титана TiO эти величины примерно одинаковы. [c.279]

Итак, кристаллические вещества атомного и ионного строения не подчиняются закону постоянства состава. Здесь только следует отметить, что нестехиометри-ческий состав таких соединений обеспечивается образованием дефектов — катионных или анионных вакансий в ионных или нейтральных вакансий в атомных решетках. [c.37]

Кроме коррозионных элементов, описанных в разделе 4.2, при металлических контактах с другими установками, имеющими более положительный стационарный потенциал, могут образоваться гальванические коррозионные элементы. Для углеродистых сталей в грунтах и в нейтральной воде высоколегированные стали и цветные металлы, находящиеся в той же среде, равно как и сталь в бетоне, являются катодами [12]. Разность потенциалов между углеродистой сталью и этими материалами может составлять примерно 0,5 В. Согласно правилу соотношения площадей по формуле (2.43), опасность коррозии деталей с покрытием увеличивается по мере уменьшения размеров дефектов в покрытии и при заданном сопротивлении грунта р=1/я ограничивается не столько сопротивлением растеканию тока от дефекта Ri, сколько сопротивлением пор R2 и сопротивлением поляризации Rp. Так, для дефекта круглой формы диаметром d в покрытии толщиной I напряжение коррозионного эдемента в районе этого дефекта ЛУ, которое в соответствии с формулой [c.135]

В теллуридах цинка и кадмия дефектность определяется термической разупорядоченностью в подрешетке металла и наличием в междуузлиях нейтральных атомов теллура. В окислах, сульфидах и селенидах цинка и кадмия разупорядоченность связана с отклонением от стехиометрического состава (избыток металла) и наличием в междуузлиях нейтральных атомов халькогена. Природа дефекта, обусловленного избытком металла, наиболее четко установлена для окиси цинка (междуузельный однократноионизованный цинк). В случае сульфида и селенида кадмия более вероятным дефектом, преобладающим [c.33]

Рис. 2.11. Зависимость энергии системы GaNrNo от релаксационного свидга (вдоль направления [111] на дистанцию (d - d ld , d — межатомное расстояние в идеальном кристалл антиузельного дефекта замещения в нейтральном (а) и ионном состояни-Nq, 6) для = 1 (7) и 2 2). Горизонтальные линии — энергия GaN No, с учетом релаксации системы в целом

Примеси и решеточные вакансии относятся к одному из наиболее распространенных типов структурных дефектов в А120з-кера-миках, во многом определяя их функциональные характеристики. Так, присутствие нейтральных или заряженных кислородных вакансий заметно отражается на оптических, радиационных свойствах А1аОз [79—82. Наличие примесей (например атомов РЗМ) способствует изменению структурных, термомеханических свойств, влияет на морфологию зерен, адгезионную способность, модифицирует характеристики межфазных структур сложных керамик, содержащих оксид алюминия [83—86]. [c.131]

При такой модели центров захват электрона изменяет нейтральный зарядовый баланс в области расположения центра так, что подошедший щелочной ион вновь восстанавливает эту нейтральность . При термохимической обработке, которая не приводит к выносу щелочных ионов, а сопровождается выносом железа и других двухвалентных ионов, происходит преобразование таких центров в дефекты, в которых двухвалентный ион замещается одновалентным. Образующиеся центры теряют способность окрашиваться. Реакторное облучение, образующее различные элек-тронзахватывающие центры других типов, восстанавливает эту способность к окрашиванию. [c.80]

В нейтральных (водных) растворах хлоридов титановые сплавы не подвергаются коррозии при комнатной температуре, если поверхностная защитная оксидная пленка материала не нарушена. Если же нарушение оксидной пленки происходит, то у сплавов, склонных к коррозионному растрескиванию, следует ожидать развития коррозионного дефекта. Впервые коррозионное растрескивание в водных растворах было из ено на примере сплава Ti—7А1—2Nb, испытанного в растворе поваренной соли на образцах с предварительно нанесенной усталостной трещиной при консольном нагружении в условиях плоской деформации. Испытания были проведены при напряжениях ниже К - Развитие трещины в образцах продолжалось до тех пор, пока задаваемый коэффициент интенсивности напряжений К а а с ) не достигнет Ki . График зависимости коэффициента К от времени до разрушения т р приведен на рис. 1.4.21. Значение К, ниже которого растрескивания не происходит, обозначено на рис. 1.4.21 как параметр Отношение iifi /A i.s показывает чувствительность сплавов к коррозиоЕшому растрескиванию. Для сплавов, чувствительных к растрескиванию, эта величина находится на уровне 0,2. [c.78]

До сих пор мы рассматривали системы, фазы которых состояли только из нейтральных молекул. Если же в системе имеются ионы или они могут образовываться в результате диссоциации поверхностньгх молекул или функциональных групп, то поверхность раздела фаз может приобрести избыток зарядов того или иного знака. Вблизи такой заряженной поверхности раздела образуется электрическое поле, под влиянием которого к поверхности приблизятся ионы противоположного знака и образуется двойной электрический слой. За его пределами электрическое поле равно нулю. В том случае, когда ионы (или другие носители заряда — электроны, заряженные дефекты) имеются и в объеме другой фазы, возникает двойной слой одного из двух видов (рис. VII.1). Чаще всего электрические поля в обеих фазах вблизи поверхности раздела направлены в одну и ту же сторону и при переходе из одной фазы в другую электрический потенциал меняется монотонно (рис. VII.1,а). Может, однако, реализоваться случай (в присутствии ионов сильно поверхностно-активных веществ), когда потенциал меняется не монотонно, переходя через экстремум, и тогда электрические поля в обеих фазах направлены прямо противоположно (рис. VII. 1,6). [c.68]

При рассмотрении хемосорбции на регулярных атомах поверхности электронная теория хемосорбции обычно предполагает, что хемосорбированпые частицы не изменяют спектр поверхностных состояний неадсорбционного происхождения [1], характеризуемых положением уровней в зоне Е( и сечениями захвата электронов (Сп) и дырок (Ср). При адсорбции непосредственно на дефекте теория [1] показывает, что может либо совсем исчезнуть локальный уровень дефекта, либо может измениться величина Е . Однако такой путь не единственный. Даже при отсутствии взаимодействия непосредственно с дефектом кулоновские поля адсорбируемых молекул могут существенно изменить величины Ср/Сп и дефекта [27, 28], превратив его в центр захвата. Такие поля могут быть созданы диполями, возникающими при нейтральной форме хемосорбции, а в некоторых случаях вызываться даже физической адсорбцией, когда адсорбируемые молекулы обладают большим дипольным моментом и большой поляризуемостью, а решетка — высокой диэлектрической проницаемостью е. [c.96]

Обычный механизм образования нестехиометрического ионного кристалла состоит 1В захвате электронов вакантными анионными узлами решетки (дефектами по Шоттки) или междоузельньгми катионами (дефектами по Френкелю) и миграцией нейтрального металлоида из кристалла. В связи с этим вопрос об устойчивости металлических активных центров в полупроводниках оказывается тесно связанным с теорией дефектов по Шоттки и Френкелю. [c.121]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология