Электроны, распределение по слоям атомах

Из следующих за скандием элементов титан имеет структуру 2, 8, 10, 2, ванадий — 2, 8, 11, 2 и т. д. Дальнейшее заполнение второго снаружи слоя приостанавливается лишь начиная с меди (№ 29), атом которой имеет структуру 2, 8, 18, 1. Распределение электронов по слоям в атомах еще более тяжелых элементов показано на приводимой таблице, представляющей собой периодическую систему элементов в форме, предложенной Вернером. [c.219]

Марганец. Распределение электронов по слоям 2 8 13 2. Марганец находится в побочной подгруппе УП группы периодической системы в середине четвертого (большого) периода между хромом и железом. На внешнем электронном слое его атом имеет [c.253]

Агомы фосфора (Зх Зр ), имеющие три непарных электрона (-Р-), объединяются в полимерные двумерные слои Р200 с пирамидальным распределением связей (I) кроме того, атомы фосфора образуют четырех атом ные молекулы тетраэдрической формы (II) [c.233]

Кислород. Кислород — наиболее распространенный элемент в природе. Атом кислорода имеет следующее распределение электронов по слоям )2)6. При химических реакциях атом кислорода дополняет свой внешний электронный слой до 8 электронов О + 2е = 0 , проявляя, сильные окислительные свойства. [c.154]

Марганец. Распределение электронов по слоям 2 8 13 2. Марганец находится в побочной подгруппе УП группы периодической системы в середине четвертого (большого) периода между хромом и железом. На внешнем электронном слое его атом имеет два электрона, а предпоследний электронный слой, как и у атомов хрома и железа, неустойчив. Марганец легко отдает два внешних электрона, проявляя металлические свойства. Кроме внешних электронов, марганец способен отдавать до пяти электронов с предпоследнего слоя, проявляя переменную валентность. [c.281]

Для обозначения распределения электронов в атоме (электронная формула) принимается следующая система записи впереди цифрой указывается электронный слой, затем буквой — подуровень и вверху, справа от буквы, цифрой — число электронов в слое. Например, возьмем атом хлора (С1), порядковый номер 17, элемент [c.65]

НИЗКИЙ оптический дихроизм хлоропластов может объясняться именно этой недостаточно строгой ориентацией. Парк и др. [251—253] определили молекулярный состав квантосом, исследуя разрушенные хлоропласты шпината. Для зеленых ламеллярных структур диаметром от 2000 до 80 нм, полученных центрифугированием при постепенно возрастающих скоростях, отношение хлорофилла к азоту было довольно постоянным. Крупные структуры были, по-видимому, лишены гран, тогда как фракция более мелких частиц содержала граны. Эти результаты служат доказательством равномерного распределения хлорофилла по всей ламеллярной структуре хлоропласта. Было высказано предположение, что обычно наблюдаемая флуоресценция одних только гран объясняется более высоким содержанием ламеллярных структур. В квантосомах были обнаружены небольшие количества трех переходных металлов — железа, марганца и меди, причём концентрация марганца оказалась наиболее низкой. Марганец необходим для выделения кислорода при фотосинтезе. Учитывая это. Парк и Пон [253] рассчитали молекулярный вес наименьшей единицы в ламелле, которая, очевидно, еще могла бы осуществлять фотосинтез, т. е. частицы, соответствующей одному атому марганца. Он оказался равным 9,6-10 . Позже [251] расчеты были проведены с учетом данных об объеме квантосом (полученных путем измерений на электронных микрофотографиях), а также результатов определений эффективной плавучей плотности разрушенных ламеллярных структур в ультрацентрифуге. Было обнаружено, что молекулярный вес квантосом равен 2-10 , что соответствует двум атомам марганца. Данные о молекулярном составе квантосом представлены в табл. 1. Мембрана толщиной 10 нм содержит 50% липида и 50% белка. Следовательно, с учетом разницы в плотности (1,0 1,4) можно считать, что на долю липида приходится около 6,5 нм толщины мембраны, а это согласуется с представлением о существовании двойного липидного слоя. [c.35]

Химический знак меди Си. Латинское название — куп-рум. Распределение электронов по слоям 2 8 18 1. Медь Си, серебро Ag и золото Аи входят в состав побочной подгруппы 1 группы периодической системы. Подобно щелочным металлам медь имеет на внешнем электронном слое один электрон и в соединениях выступает как одновалентный элемент. Однако, кроме этого, атом меди способен отдавать еще один электрон с предпоследнего электронного слоя, образуя ряд соединений двухвалентной меди. Эта способность терять электроны с внутреннего электронного слоя объясняется меньшей устойчивостью восемнадцати-электронцого слоя по сравнению с восьмиэлектронным. Именно поэтому переменная валентность характерна для м югих элементов, расположенных в середине больших периодов и имеющих ионы с незавершенным (или только [c.273]

Общее число электронов в оболочке нейтрального атома равно заряду ядра атома и, следовательно, порядковому номеру элемента. Так, например, в атоме водорода имеется всего 1 электрон, а в атоме урана — 92. Для того чтобы выяснить более точно строение атома, надо знать распределение его электронов по слоям. По мысли Бора, атом строится из электронов оболочками, которые распо- [c.24]

Например, нейтральный атом серы 5 с порядковым номером 16 имеет распределение электронов по слоям )2)8)6. Он может присоединить еще 2 электрона, переходя в двухзарядный отрицательный ион с электронной конфигурацией )2)8)8. [c.141]

Распределение электронов по квантовым слоям Кажущийся радиус 0,86 нейтрального ато-1 ма, А 1 [c.591]

Зарядность положительных элементарных ионов изменяется от 1 до 4 (свободные четырехзарядные ионы встречаются редко). Ионы максимальной зарядности образуются в результате отдачи всех внешних (или валентных) электронов нейтральным атомом. Например, атом А1 с распределением электронов )2)8)3 или атом 5п с распределением электронов )2)8)18)18)4, теряя соответственно 3 и 4 внешних электрона, переходят в А1 + и с электронной конфигурацией )2)8 и )2)8)18)18. Во внешнем слое ионов максимальной положительной зарядности содержится 8 или 18 электронов следовательно, такие ионы не могут больше терять электронов, а только приобретают ранее потерянные электроны, являясь окислителями. [c.141]

Атом лития, следующий за гелием в периодической системе, содержит три электрона. По принципу минимума энергии два из них расположатся, как и в атоме гелия, на 18-орбитали. Третий электрон в соответствии с принципом Паули должен располагаться на АО с п = 2. Однако таких возможностей две - 2з- и 2/>-орбитали, и электрон будет иметь меньшую энергию на той из них, где он будет испытывать действие более высокого эффективного заряда. Рассмотрим с этой точки зрения кривые распределения электронной плотности в атоме лития в зависимости от расстояния от ядра (рис. 2.11). Из этих кривых хорошо видно, что замкнутый слой 1з расположен гораздо ближе к ядру, чем основная плотность 2з- или 2/>-электрона. Однако внутренний максимум 2з-электрона практически полностью проникает в 1й-электронную плотность в близкой к ядру области, и определенная часть его плотности чувствует на себе почти полный зяряд ядра 2 = +3. Единственный максимум 2/>-электрона далек от ядра, а в области сосредоточения 1й-элек-тронов находится лишь незначительная его часть. Следовательно, в атоме лития электрон на 2з-орбитали испытывает на себе действие несколько более высокого эффективного заряда, он несколько хуже экранирован от ядра 1й-электронами, чем электрон на 2/>-орбитали, и прочнее связан с ядром. Соответственно, в основном состоянии атом лития будет иметь электронную конфигурацию 18 28 а конфигурация 1з 2р отвечает возбужденному состоянию. [c.35]

Такое распределение электронов может привести к неверному выводу о том, что углерод является двухвалентным элементом. Действительно, во втором (наружном) электронном слое спарены только два 25-электрона, в то время как два других 2р-электрона остаются неспаренными и способны образовывать химическую связь. Однако необходимо учитывать, что атом углерода в момент химической реакции возбуждается, т. е. переходит из основного состояния 18 28 2р ) в возбужденное (условно обозначается С ). При этом происходит распаривание 2-электронов и переход одного из них на 2р-орбиталь [c.15]

По причине своего негативного характера этот принцип называют иногда запретом Паули. Этот запрет означает, что любым двум электронам атома запрещено быть во всех отношениях похожими друг на друга, что все они дифференцированы и отличаются друг от друга а) либо нахождением в разных квантовых (энергетическ х) слоях (то есть различным общим запасом энергии, различным зна-че 1ием главного квантового числа п и различным принципиальным удалением от ядра) б) либо нахождением в р а з-ных энергетических подуровнях (то есть различием в энергетической характеристике, различием в значениях побочного квантового числа к, различными формами орбит) в) либо нахождением в разных энергетических состояниях (то есть еще некоторым, хотя и менее значительным, различием в энергетической характеристике, различными дозволенными поворотами орбит в магнитном поле) г) либо своим спином как особой качественной характеристикой еще не вполне выясненной природы. Принцип Паули по существу перекликается с известным выражением В. И. Ленина электрон так же неисчерпаем, как и атом (можно ведь понимать под неисчерпаемостью многообразие его качественных характеристик в разных условиях, то есть на различном удалении от ядра). Этот принцип поясняет индивидуал ьность элементов и дискретность свойств их (порционный, скачкообразный характер изменения) ведь у каждого элемента имеется свое особенное распределение электронов по слоям, по подуровням, по состояниям , по спину , а также (как это будет показано в гл. 10) свой особенный состав ядра. [c.122]

Химический знак Мп. Заряд ядра + 25. Распределение элект ронов по энергетическим уровням 2, 8, 13, 2. Атомный вес 55, Валентность марганца переменная от + 2 до + 7, т. е. его атом может терять не только два внешних электрона, но и до 5 элект ронов предпоследнего слоя. [c.171]

Рассмотрим изменения, которые вызывает в распределении электронов адсорбция. Допустим, что на поверхности люминофора адсорбируется молекула, обладающая большим сродством к электрону (высокой электроотрицательностью). Согласно представлениям, развиваемым Ф. Ф. Волькенштейном [3], вначале такая молекула образует относительно слабую связь с кристаллом, например вследствие того, что электронное облако, принадлежащее ближайшему атому или иону кристаллической решетки, затягивается на адсорбированную молекулу. По своей природе такая связь все же носит химический характер и потому можно считать, что образуется единая система, в которой адсорбированная молекула играет роль примеси. Нарушая периодическую структуру поверхности, она, подобно точечному дефекту в регулярной решетке или на дислокации, вызывает появление локального поверхностного уровня. Чем больше сродство молекулы к электрону, тем дальше соответствующий уровень от зоны проводимости. Если он оказывается ниже уровня Ферми, то адсорбированная молекула стремится захватить электрон, образуя тем самым прочную связь с кристаллом. Это приводит к снижению концентрации электронов ns у поверхности и к компенсирующему его притоку электронов из приповерхностного слоя. [c.137]

Атом любого элемента состоит из положительно заряженного ядра, величина заряда которого определяется порядковым номером элемента в периодической системе, и из электронов, расположенных вокруг ядра и составляющих его оболочку. Атом является системой электронейтральной число отрицательно заряженных электронов равно положительному заряду ядра. Распределение электронов по отдельным слоям (уровням) электронной оболочки атомного ядра подчиняется следующим правилам [c.46]

Как видно из табл. 26.2, для всех металлов, кроме лития, значения расчетных величин энергии кристаллической решетки близки к экспериментальным. Это свидетельствует о достаточной строгости выбранной модели ионной металлической решетки с электронным газом, который равномерно распределен по объему кристалла. Однако для металлов других групп периодической системы, кроме щелочных, расчет по формуле (26.9) приводит к величинам м. значительно превышающим экспериментальные (АЯсубл + 2 ). Из табл. 26.2 следует, что значения энергии кристаллической решетки для щелочно-зе-мельных металлов, вычисленные по ионной модели намного превосходят полученные экспериментально. Это означает, что у щелочно-земельных металлов в отличие от щелочных в ионном взаимодействии принимают участие не все валентные электроны. Чем выше положительный заряд ядра и чем меньше электронных слоев имеет атом, тем больше разница между фактической энергией кристаллической решетки и вычисленной по ионной модели. Очень большие расхождения и Ям свидетельствуют о непригодности ионной модели для этих элементов. [c.343]

Элементы V группы. Электронная конфигурация элементов этой группы з р , и, согласно правилу (8 — М), каждый атом должен иметь трех ближайших соседей. Образование трех о-связей с этими ближайшими соседями обеспечивает заполнение 5- и р-уровней. Кроме трех связывающих пар, в каждом атоме имеется пара разрыхляющих электронов. Каждый атом может быть связан с тремя другими атомами с образованием бесконечной структуры в случае тригонального распределения связей, как в структуре графита. Эта структура возможна для углерода, так как, когда каждый атом имеет гибридные 5р2-орбита-ли, на рг-орбитали остается единственный электрон, и все эти орбитали могут перекрываться с образованием л-связи. Элементы V группы имеют один дополнительный электрон, поэтому их рг-орбитали заполнены и, следовательно, неспособны участвовать в образовании связи с соседними атомами. С другой стороны, поскольку все четыре валентные орбитали полностью заняты, после того как образованы три ог-связи, у элементов V группы образование слоистых структур может происходить с помощью гибридных зр -орбиталей. При этом в основном сохраняется три-гональное распределение связей, но без сохранения слоистости структуры графита. Четвертая разрыхляющая пара электронов занимает четвертое тетраэдрическое положение и направлена в сторону от трех 0-связей в пределах слоя. Такой слой содержит шестичленные кольца, более похожие на кольца в алмазе, чем в графите они показаны на рис. 31—34. [c.143]

При помощи Оже-электронной спектроскопии изучено распределение меди и цинка в поверхностном слое сплава Си302п, подвергнутого потенциостатическому травлению [5в]. В пределах слоя толщиной 80 нм концентрация компонентов менялась в полном соответствии с расчетом, выполненным по модели линейной. полубесконечной диффузии. Высокая, разрешающая способность данного метода позволила зарегистрировать непрерывный концентрационный профиль палладия у растворяемых анодно сплавов систем Си—Рс1 (Ы ра==10 15 и 30 ат.% [57]) и Лg—Рс1 (№м=0,Зч-50 ат.% [59]). Толщина диффузионной зоны невелика и составляет 10- 15 нм (рис. 2.1). Характерно, что поверхность сплавов не покрывается палладием полностью. [c.45]

Предсказание профиля резиста требует моделирования экспозиции и проявления. Для количественного описания распределения энергии в полимерном слое, помещенном на подложку, наиболее часто используется метод Монте-Карло. Он состоит в моделировании траектории электронов в системе резист — подложка на ЭВМ. Взаимодействие электрона со средой представляет собой ряд последовательных отражений, при которых происходит изменение направления движения электрона и потеря им энергии. В большинстве подходов используют модель с одним отражением, направление которого случайно. При этом предполагается, что направление движения электрона изменяется в результате его упругого отражения от атомного ядра, причем угол столкновения может быть вычислен из приближенных решений уравнения Шре-дингера, предложенных Борном [7]. Угловое распределение рассеянных электронов зависит от потенциала. Чаще всего используют потенциал Томаса — Ферми, рассчитываемый в предположении, что на движущийся электрон действует ато.мный заряд близ. шжащего ядра, величина которого корректируется с учетом электронной оболочки атома. Предполагается также, что между двумя упругими столкновениями электрон движется по прямой с длиной, равной среднему свободному пути, и теряет энергию. Потерю энергии электроном обычно рассчитывают в соответствии с приближением постепенного понижения (метод SDA) по уравнению Бете [c.216]

Полный магнитный момент электронной системы складывается из орбитального магнитного момента, обусловленного орбитальным движением электронов, приводящим к возникновению слабых электрических токов, и собственно магнитного момента электронов, связанного с их спинами. Отнощение полного механического к полному магнитному моменту равно величине, называемой фактором расщепления Ланде g. Эта величина может быть определена спектроскопическими методами. Если -элек-трон проводит лищь часть своего времени на центральном атоме, то его вклад в орбитальный момент будет соответственно меньщим. При этом изменится величина g. Путем измерения g можно получить сведения о распределении магнитных электронов. Так, в случае комплексного иона [Ir le] , центральный атом которого обладает низкоспиновой конфигурацией я-электроны лигандов — ионов хлора — будут частично переходить па iie-заполненное место в слое. По-видимому, эта дырка при-близительно на 68% находится на атоме 1г и на 32% — на атоме С1 [365]. [c.314]

Б присутствии поверхностных плёнок посторонних веществ распределение электронов и положительно заряженных частиц на поверхности зависит от относительного срод-СТ1 а положительных ионов металла и ато-л ов поверхностной плёнки к эле,<тронам при этом, в общем случае, поверхностная нлёака создаёт добавочный двойной слой. Если он обращён отрицательной сторон.й наружу, то он увеличивает ра оту выхода электронов если же внешняя часть слоя полсжительна, то работа выхода уменьшается. [c.404]

Рассмотренный порядок квантованпя энергии электронов иногда осложняется так называемым провалом электрона , наблюдаемым у некоторых элементов. Так, распределяя электроны у хрома (№ 24, Сг) в соответствии с рисунком 30, мы получим 2/8/8 4/2. Фактически же распределение электронов у хрома несколько иное 2/8/8-Ь 5/1. Атом хрома как бы спешит поскорее заполнить пропущенный rf-подуровонь нредвнешнего квантового слоя за счет переброски ( провала ) одного s-электропа с четвертого квантового слоя на третий. На общем числе валентных электронов (у Сг—6) это не отражается, и при выводе электронной формулы провал электрона можно не учитывать, тем более, что у одного из последующих элементов провал всегда возмещается обратным переходом электрона. На радиально-круговом графике провалы электрона и их ликвидация указаны разно направленными стрелочками между соответствующими подуровнями. [c.134]

Надо отметить, что работа [270] — одно из немногих исследований, в котором экспериментально изучено распределение вводимых примесей. При исследовании распределения примесей во льду обнаружено, что НСЮ4 и КОН в отличие от HF распределялись неравномерно. При этом справедливо отмечено, что равномерно ввести примеси в кристаллический лед сложно. Распределение примесей в образцах льда исследовали, разрезая образец на кон.-центрические слои, находящиеся на разном расстоянии от центра. Для определения концентрации ионов l , F и К+ применяли масс-спектрометрию. Обнаружено, что концентрации НС1О4 и КОН повышались по направлению к центру образца и в рабочей области значительно превышали концентрации образующихся при облучении локализованных электронов. Неравномерности распределения фтористоводородной кислоты обнаружено не было. Это связано, по-видимому, с тем, что атом фтора может замещать кислород в кристаллической решетке льда, а молекулы HF присутствуют в кристалле в диссоциированной форме. [c.66]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология