Пирамида кристаллографическая

В процессе гидротермальной перекристаллизации в синтетический кварц входит неструктурная примесь, коэффициент захвата которой возрастает с увеличением скорости роста. Частицы этой примеси при относительно низких скоростях роста,незначительно превышающих значение пороговой скорости захвата, селективно адсорбируются гранями, закрепляясь только в определенных активных точках растущей поверхности. Если такие активные центры будут представлены точками выхода дислокаций или каких-либо других дефектов на поверхности грани, то при некоторых значениях скорости роста коэффициента диффузии и концентрации примеси в растворе адсорбированные частицы примеси, зарастая, дадут цепочки включений, ориентированные вдоль линии дефекта. В случае превышения оптимального значения скорости роста или увеличения концентрации примеси в растворе последняя адсорбируется на всей поверхности грани, образуя в наросшем материале сплошные зоны, маскирующие тонкую дефектную структуру. Поскольку пороговые скорости, при которых начинается захват неструктурной примеси, варьируют для различных кристаллографических поверхностей, в каждом отдельном цикле кристаллизации удается декорировать ростовые дислокации в какой-нибудь одной пирамиде роста. [c.163]

Как известно, грани положительной тригональной призмы на полярной диаграмме скоростей роста кристалла кварца соответствует седловая точка в сечении хг ей соответствует минимум, тогда как в сечении, перпендикулярном к оси г,— резкий максимум. Это обстоятельство приводит к неустойчивости этой грани. При малейшем отклонении от точной ориентировки, соответствующей кристаллографической плоскости (1120), на ней появляются ступеньки граней других индексов. Обычно образуются ступеньки сингулярных граней гексагональной призмы и граней положительной тригональной дипирамиды < + 5>. По мере нарастания кристалла такие грани образуют паразитные пирамиды На рис. 21 видно образование паразитных пирамид <+5> при наращивании кристаллов по плоскости (1 Г20) в щелочной и фторидной системах соответственно. Хорошо прослеживается укрупнение рельефа по мере роста вследствие слияния более мелких ступенек граней в более крупные. Видно также, что по мере нарастания основной грани <- -л > ступеньки < + 5> во фторидной системе испытывают значительное тангенциальное смещение, тогда как в щелочной системе такого смещения почти не наблюдается, что объясняется различием соотношений скоростей роста граней +х и +5 в указанных двух системах. [c.98]

Из-за различных скоростей роста и различных энергий адсорбции примесь входит в пирамиды роста граней разных кристаллографических форм в разных количествах. В связи с этим физические свойства пирамид могут весьма сильно различаться. Так, если разрезать кристалл нормально к его граням, отполировать и протравить образовавшиеся поверхности, то довольно часто обнаруживается, что вещество разных пирамид роста растворяется с разной скоростью. Материал из разных пирамид роста обычно различается по твердости, показателю преломления, иногда по цвету и т. д. [c.57]

Алмаз обладает ярко выраженной спайностью, поэтому длина трещины при прочих равных условиях зависит от кристаллографической плоскости, по которой она распространяется. Следовательно, для получения сопоставимых значений необходимо учитывать ориентацию пирамиды индентора на испытуемой плоскости [63]. Значения полученные с учетом этих условий, приведены в табл. 26. Там же приведены значения упругой свободной ПЭ определенные из соотношения (У.З). Расчетные (см. табл. 22) и [c.69]

Определяемая величина твердости алмаза зависит от условий испытаний типа пирамиды индентора и величины приложенной к нему нагрузки, типа кристаллографической плоскости испытываемого алмаза и ориентации на ней пирамиды, совершенства внутреннего строения кристаллов, [c.70]

Кристаллы построены из мономерных молекул. В ячейке содержится два кристаллографически независимых комплекса, координационные полиэдры которых мало различаются. Атом Со координирован тремя атомами N тридентатного органического лиганда и двумя атомами С1. Координационный полиэдр — промежуточный между квадратной пирамидой и тригональной бипирамидой. Межатомные расстояния, усредненные для обоих независимых комплексов, указаны на рис. 125. Усредненные валентные углы следующие С1(2) — Со — С1(2) = 104° l( ) — Со — N(d = [c.176]

Кристаллографическая тетрагональная пирамида получается (см. рис. 1.6, а) действием оси 4 на непараллельную ей грань. Она не имеет основания и является простой формой. [c.35]

Добавив к исходным пяти ступеням ось 3, получим пять кристаллографических видов симметрии тригональной ромбоэдрической) сингонии (табл. 1.6) (I. Сз—3 II. Сз —3 III. sv—Sm IV.D3—32 V.Dj —3m). I. Кристалл перйодата натрия, ось 31 полярна. Общая форма — тригональная пирамида (1), частная форма — моноэдр (2). П. Кристалл доломита. Общая форма — ромбоэдр (1). Частные формы — гексагональная призма и пинакоид (2). III. Кристалл турмалина. Общая форма — дитригональная пирамида, тригональные пирамиды, дитригональная призма, моноэдр. IV. Кристаллы низкотемпературного кварца. Общая форма — три-гональный трапецоэдр. Частные формы — гексагональная призма, тригональная дипирамида, ромбоэдры. V. Кристалл кальцита. [c.50]

Первая модификация парафина (устойчивая при повышенных температурах) кристаллизуется в форме длинных, относительно крупных кристаллов, напоминающих по внешнему виду волокна, возможно, шестигранного сечения и заканчивающихся пирамидами. Характерные образцы этой структуры показаны на рис. 5. Эта структура упоминается в литературе под наименованиями ленточная , волокнистая и т. д. Из этих названий наиболее близко форму кристаллов данной модификации описывает наи-% менование волокнистая структура . Это наименование и будет оставлено при дальнейшем изложении, хотя оно и не укладывается в строгую кристаллографическую терминологию. В соответствии с этим и модификация парафина, дающая эту кристаллическую форму, будет именоваться волокнистая модификация . [c.60]

Медь(11) образует комплексы различных геометрических структур, электронные спектры которых похожи и магнитная восприимчивость примерно одинакова. Поэтому прийти к каким-то определенным выводам относительно структуры этих соединений можно, только если изучаются твердые соединения, а не их растворы и если можно воспользоваться результатами кристаллографических исследований. Недавние исследования пятикоординационных аддуктов, образуемых различными льюисовыми основаниями и гексафторацетилацетонатом меди (II), привели к созданию метола, позволяющего различить [35] апикальные и жваторпальные изомеры тетрагона.тьной пирамиды. [c.52]

Электронно-микроскопические исследования выявили очень дефектную структуру кристаллов алита в клинкерах и твердых растворах 3S. Блочность кристаллов проявляется в виде ручьевых узоров со средним размером ячеек 200—400 нм, что вызвано пересечением трещинами скола системы винтовых дислокаций, ориентация которых одинакова. Распространение трещины происходит по определенным кристаллографическим плоскостям. Таким образом, зная расстояние между дислокационными линиями, можно определить плотность дислокаций в минерале. Движение сетки дислокаций в процессе излома кристалла и скопления их на границах раздела блоков вызывает образование характерной ячеистой структуры минерала. Другим компонентом дефектной структуры является образование ямок травления в местах выхода дислокаций. Ямки травления на кристаллах исследуемых образцов имеют форму пирамиды, а их размеры увеличиваются пропорционально длительности травления. Этот факт свидетельствует в пользу того, что ямки травления дислокационные, поскольку ямки травления недислокационного происхождения, как правило, имеют форму усеченной пирамиды и исчезают при продолжительном травлении. [c.237]

Для выращивания кристаллов кварца можно применять затравочные пластины самых различных ориентаций, в том числе и иррациональных. Применение заготовок указанных ориентаций в первую очередь определялось требованиями к качеству выращиваемых кристаллов. Проведенными исследованиями было пока-зано, что на различно ориентированных затравках образуются кристаллы с различной однородностью и различной степенью дефектности. Наиболее однородные и в значительной степени мо-нопирамидные кристаллы удается получить именно на затравках указанных выше ориентаций. На рис. 1 приведены фотографии кристаллов, получаемых на затравках различных ориентаций. Следствием гранного механизма роста кристаллов синтетического кварца является их ярко выраженное секториальное строение. На рис. 2 представлено идеализированное секториальиое строение для различных типов кристаллов кварца. Захват структурных и не-структурных примесей существенно зависит от кристаллографической ориентации поверхности затравки скорости и других условий роста. Поэтому возникающие неоднородности распределения примесей по пирамидам и зонам роста (в пределах каждой пирамиды) образуют секториальное и зонарное строение (рис. 3). [c.21]

Микроскопические исследования препаратов из кристаллов с неструктурной примесью проводились на оптических (МП, МБИ, МБС) и электронном (УЕМ-6А) микроскопах. Предварительные визуальные наблюдения показали, что обнаруживаемый в некоторых отожженных молочно-белых кварцевых пластинках шелковистый блеск обусловлен светорассеянием на трещинах размером примерно 0,2 мм. В процессе исследования под оптическими микроскопами специально приготовленных препаратов (пластины толщиной от 1 до 0,1 мм ориентировались параллельно различным кристаллографическим плосткостям) при интенсивном боковом освещении было установлено, что в молочно-белом кварце присутствуют скопления микроскопических закономерно ориентированных трещин размером от 1 до 0,005 мм. Были изучены микрофотографии, которые дают представление о морфологических особенностях и распределении трещин в объеме различных пирамид роста. Подавляющее большинство трещин имеет размеры от 0,01 до 0,1 мм и ориентировано параллельно граням ромбоэдров. Реже встречаются системы, параллельные плоскостям х, с, з н образованные более крупными трещинами. Размеры трещин уменьшаются с увеличением их числа. Поэтому визуально они обнаруживаются лишь в зонах с пониженной концентрацией неструктурной примеси. Обычно эти системы параллельны плоскости базиса, что определяется по величине угла отражения светового пучка. Полученные данные подтверждают вывод Д. П. Григорьева, сделанный в 1967 г., о проявлении нескольких направлений спайности в кристаллическом кварце. Трещины, параллельные плоскости х, были встречены только в секторе <+х>. При увеличениях порядка 80—400 было обнаружено, что мельчайшие трещины, параллельные граням основного положительного ромбоэдра, имеют эллипсовидную форму и почти соприкасаются друг с другом, образуя сет- [c.121]

Следует подчеркнуть, что в случае кристаллизации в растворах с добавками окислителей не все ионы железа переходят в трехвалентное состояние, поскольку одновременно с желтой цитриновой окраской в пирамиде <с> в пирамидах < + л > образуется зеленая окраска. Общее увеличение содержания ионов Ре + в растворе способствует также повышению концентрации структурной примеси железа в пирамидах роста основных ромбоэдров, что создает благоприятные условия для образования потенциальных центров аметистовой окраски. Таким образом, при одних и тех же термобарических параметрах в результате селективной адсорбции кристаллографическими плоскостями растущего кварца разновалентных ионов железа и различий в способе внедрения этих ионов в решетку в синхронных слоях кристалла могут формироваться центры зеленой цитриновой (<с> и <+. >) и радиационной аметистовой (<г> и <Я>) окрасок. [c.178]

Если материал непластичен, то напряжения разрешаются трещинами, обычно закономерно ориентированными. Иногда эти трещины поражают пирамиду роста лишь одной кристаллографической формы. Такие случаи отмечались при выращивании сегнетовой соли с примесью иона олова [Штернберг А. А., 1962], MgS04 7Н2О. В некоторых случаях примеси приводят к охрупчиванию кристаллов, и макродефекты пластического типа (двой-никование, расщепление) сменяются при введении таких примесей трещиноватостью. [c.61]

Ограненные (кристаллографические) прггтинги и питтинги неправильной формы (анизотропно растущие в различно ориентированных зернах металла), как правило, являются травлеными. Они обнаружены на железе, углеродистых, низколегированных и нержавеющих сталях, никеле, алюминии, цинке, хроме. Форма кристаллографических питтингов соответствует правильным пирамидам, призмам, и сложным многогранникам, как правило, ограниченным низкоиндексными плоскостями кристаллической решетки, а тип огранки определяется пустотами кристаллической решетки, образовавшимися на начальных стадиях зарождения питтингов. [c.124]

Г В зависимости от условий кристаллизации, концентрации, химического строения и молекулярной массы полимера молекулы могут складываться в разных кристаллографических направлениях. Формирование тех или других плоскостей складывания контролируется эпергетичегкой выгодностью такого процесса. Например, в монокристаллах ПЭ молекулы могут складываться в плоскостях (ПО) (плоскости с наиболее плотной упаковкой), в плоскостях (100)—следующих по численности находящихся в них атомов), а также и в некоторых других. Направления складок определяют внешнюю форму кристаллов, так как рост их происходит в направлении, нормальном к плоскостям складывания. При кристаллизации ПЭ из разбавленных растворов могут быть получены ромбовидные кристаллы, шестигранные, кристаллы в виде усеченного ромба. Кристаллы с различными поверхностями роста могут быть выращены и из других полимеров (ПОМ, найлоны и т. д.). Закономерный сдвиг складки в кристаллографическом направлении [001] по мере ее удаления от центра кристаллизации приводит к образованию кристаллов в виде полых пирамид форма последних характерна для многих полимерных кристаллов. Они отличаются лишь углом при вершине пирамиды. В связи с этим высаживание на плоскую подложку для ЭМ исследования сопровождается обычно коллапсом кристаллов, что приводит к возникновению трещин и морщин на их поверхности (рис. I. 5, б). [c.36]

В настоящее время установлено, что на процесс меления большое влияние оказывает кристаллографическая форма частиц пигмента. Так, например, описанное выше явление меления лакокрасочных покрытий, содержащих в качестве пигмента двуокись титана, имеет место только в том случае, если частицы двуокиси титана имеют структуру анатаза (пирамиды тетрагональной системы). Если же прокаливанием или иным путем получить двуокись титана со структурой рутила (иглы тетрагональной системы), то такая двуокись титана в отличие от анатазной не мелит. Установлено также, что покрытия, содержащие в качестве пигмента цинковые белила, мелят только в том случае, если частицы цинковых белил имеют форму зернышек. Если же частицы цинковых белил имеют форму более или менее крупных игл, то меление или не имеет места совсем или происходит в незначительной степени. Поэтому в промыщленности стремятся для лакокрасочных целей получать двуокись титана в форме рутила, а цинковые белила в форме возможно более крупных игл. [c.89]

Диметил глиоксимат меди (СНзСОЫНСОЫХ ХСНз)гСи [11] образует моноклинные кристаллы. Атомы меди располагаются в общих положениях и молекула не имеет центра симметрии. Две молекулы комплекса объединяются в димеры за счет дополнительных связей между атомом меди одной молекулы и атомом кислорода другой. Длина дополнительной связи Си...О 2,43А. Атом меди имеет пятерн то координацию и находится внутри тетрагональной пирамиды, в основании которой лежат 4 атома азота молекул лиганда, а вершину занимает атом кислорода соседней молекулы. Металлоциклы плоские, но не копланарные, двугранный угол между ними равен 21°44. Расстояния Си—N в среднем равны 1,94А, но несколько отличаются в двух кристаллографически неэквивалентных металлоциклах. [c.9]

Ка уже упоминалось, кристаллы, имеющие комбинационные формы, встречаются часто. Простейшие формы любой кристаллографической системы — призма и пирамида. Куб, например, представляет собой призматическую форму правильной системы, а октаэдр — пирамидальную форму. Некоторые сочетания этих двух форм были показаны на рис. 6. Две простые комбинационные формы в тетрагональной системе показаны на рис. 10. На рис. 10,а и б показаны тетрагональные призма и бипирамида соответственно на 1рис. 10,е — тетрагональная призма, ограничиваю- [c.25]

Кристаллы мономолибдатов 2п и Си имеют довольно слол<-ное и сходное строение. Тетраэдры М0О4 соприкасаются с тремя разными кристаллографически не зависимыми полиэдрами второго металла, из которых два имеют форму искаженных октаэдров, третий — тетрагональной пирамиды. Как обычно, полиэдры меди отличаются от аналогичных полиэдров цинка явно выраженным удлинением двух транс-связей в октаэдре к аксиальной связи в пирамиде. Обе структуры по традиции описываются как каркасные однако сопоставление расстояний Мо—О и 2п—О (или Си—О) (см. табл. 2) показывает, что атомы кислорода связаны с молибденом значительно прочнее, чем с другим металлом и, следовательно, структуру правильнее представить в виде островной М 1[Мо04]. То же относится и к структурам других соединений, описываемых ниже. [c.9]

Геоыетрическая пирамида — сложная форма. Она является комбинацией двух простых кристаллографических форм пирамиды и моноэдра (одиночная грань основания). [c.35]

В каждой из этих метионильных боковых цепей связывающие металл донорные атомы серы занимают вершину тригональной пирамиды, в углах основания которой находятся атомы углерода метиленовой и метильной групп и атом Pt. Координация, таким образом, создает новый хиральный (асимметрический) центр при тиоэфирном атоме серы. Оба хиральных центра обнаружены в кристаллической структуре хелатов Pt(II)—метионин например, в кристаллах Pt(L-MetH) l2 имеются два кристаллографически независимых комплекса, в которых донорные атомы серы противоположны в оптическом отношении [75]. Это согласуется с наличием двух альтернативных мест связывания [Pt U] " остатками метионина в цитохроме с по одному с каждой стороны от атома серы [145]. [c.194]

Для комплекса, имеющего структуру квадратной пирамиды и КЧ 5, те1глоту гидратации люжно рассчитать двумя способами 1) рассчитывают средний радиус, т. е. (5г -) Г )/6, где Г — кристаллографический радиус з ентрального иона 2) предполагают, что радиус квадратной пиралшды такой же, как радиус октаэдра. Это эквивалентно исключению растворителд [c.119]

Тригональная (тригирная). Обычно четыре кристаллографические оси три оси составляют между собой углы в 120°, четвертая ось перпендикулярна к плоскости их расположения. Три отрезка на горизонтальных осях равны между собой. Простые формы — моноэдры, пинакоиды, ромбоэдры, тригональные и гексагональные призмы, пирамиды, дипирамиды, трапецоэдры и др. [c.248]

Гексагональная (гексагирная). Четыре кристаллографические оси (см. 5). Простые формы — пинакоиды, тригональные и гексагональные призмы, пирамиды, дипирамиды, трапецоэдры. [c.248]

Если плоскость параллельна (наклонна), например, тетрагире, при действии последней на эту плоскость возникает кристаллографическая призма — рис. 21, а (соответственно пирамида, рис. 21, Ь), отличающаяся от геометрической и щзмы (пирамиды) прежде всего тем, что получаются фигуры, лишённые граней основания, т. е. боковые стороны их уходят в бесконечность. (Иа рис. 21 обозначены волнистым пунктиром.) [c.42]

Формы. Все грани кристалла, одинаково ориентированные по отношению к осям кристалла, называются простой формой. Простая форма, состоящая из двух параллельных граней, называется пинакоидом. Простые формы, состоящие из 3, 4, 6, 8 или 12 граней, параллельных вертикальной оси симметрии (оси с), называются призмой. Простая форма, параллельная горизонтальной оси и пересекающая две другие, называется дома. Простые формы, состоящие из плоскостей, которые пересекают все три оси, называются пирамидами. Число граней, образующих простую форму, зависит от симметрии кристалла например, в триклинной системе наибольшее возможное число равняется 2, а в кубической системе 48. Некоторые классы симметрии, входящие в одну систему, могут содержать половину или даже четвертую часть всех граней, образующих форму в классе наивысшей симметрии в этой системе. Эти классы соответственно называются вми-эдрическими и тетартоэдрическими, в отличие от класса с наиболее высокой симметрией, называемого голоэдрическим, В некоторых классах могут встречаться кристаллы, имеюш,ие разные грани на противоположных концах кристаллографической оси такие кристаллы называются гемиморфныжи. В классах, которые не имеют центра симметрии и обладают только осями симметрии, могут встретиться эпанптоморфные формы, дающие кристалль правого и левого типа. [c.242]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология