Адсорбция примесей

Совол получают, пропуская хлор через расплавленный дифенил (т. пл. 70°С). В качестве катализатора применяют железные стружки. Температуру в процессе хлорирования поддерживают 100—110° С. Хлорированный продукт нейтрализуют раствором едкого натра и передавливают в вакуум-аппарат. В дистиллят, полученный после отгонки, вводят при 120° С специальную глину (глина кил) для адсорбции примесей и разрушения комплексных соединений хлордифенила с железом. После этого продукт фильтруют при повышенной температуре. [c.311]

Процессы внешнего массообмена газа с зернами (испарение материала последних или содержащейся в них влаги, адсорбция примесей из потока) должны быть подобны процессам межфазного теплообмена в том же кипящем слое. Поскольку диффузионный критерий Прандтля (критерий Шмидта S = v/D) для газов того же порядка, что и Рг, то зависимость диффузионного критерия Нуссельта (критерия Шервуда Sh = Pd/D) должен определяться аналогичной (П1.12) корреляцией. Малы будут и коэффициенты массообмена Р (м/с). Соотношение между массоемкостью газового потока (концентрацией насыщенного пара) и твердой фазой может быть еще значительно меньше, чем отношение их объемных теплоемкостей, и все описанные выше характерные особенности межфазного теплообмена справедливы и для процессов межфазного массообмена. [c.135]

В соответствии с теорией дислокаций в процессе роста кристалла, особенно при массовой кристаллизации, его решетка искажается. Температурные градиенты у поверхности кристалла, возникающие вследствие неизотермичности кристаллизации, адсорбция примесей и другие причины приводят к появлению дислокаций, дефектов поверхности грани, которая оказывается не идеально плоской, а имеющей неровный рельеф. При кристаллизации из растворов, из газов, при образовании твердой фазы в результате химической реакции рельеф поверхности кристалла может иметь точечные нарушения, но часто приобретает форму плоских или винтовых, спиральных, уступов (ступенек), имеющих молекулярные или немного большие размеры. При росте кристалла, образующие его частицы присоединяются к ступеньке (к ее ребру), в результате чего спираль закручивается вокруг некоторого центра. Это приводит к появлению новых слоев. [c.246]

Радикальным средством предотвращения полимеризации является очистка сланцевого газа от газового бензина, сероводорода и влаги. В этих целях проведены опытно-промышленные исследования эффективности искусственных цеолитов NaA для адсорбции примесей сланцевого газа. [c.193]

Низкотемпературные адсорберы для очистки воздуха от ацетилена и других углеводородов применяют в зарубежных установках [52]. В работе [53 отмечается, что адсорбция примесей из газовой фазы происходит более интенсивно и что при этом наблюдается большая адсорбционная емкость адсорбента. [c.118]

В большинстве случаев работать с кристаллическими осадками удобнее, чем с аморфными. Если осадок получается в виде достаточно крупных кристаллов, то его можно значительно быстрее отделить от раствора фильтрованием и промыть. Так, например, все кристаллические осадки соединений металлов с органическим реактивом — оксихинолином отфильтровываются и промываются значительно быстрее, чем аморфные гидроокиси тех же металлов или их сернистые соединения (сульфиды). Далее, кристаллические осадки имеют меньшую общую поверхность, поэтому значительно уменьшается адсорбция примесей на поверхности. [c.56]

Влияние концентрации примесей и порядка сливания растворов на чистоту осадка. Влияние концентрации адсорбируемых ионов на чистоту осадка выражается характерной кривой (рис. 5). Из графика видно, что при разбавлении раствора адсорбция примесей уменьшается, однако это уменьшение не прямо пропорционально разба,влению. Так, при разбавлении раствора (уменьшении концентрации примеси) в п раз количество примеси, захваченной одним и тем же осадком, уменьшается менее че.м в п раз. [c.60]

Н. А. Изгарышевым. А. Г. Самарцев наблюдал увеличение поперечного сечения тонких кристаллических нитей (так называемых усов или вискеров) при увеличении силы тока в цепи. Как установил А. Т. Ваграмян, поперечное сечение нити меняется таким образом, что плотность тока, а следовательно, и линейная скорость роста нити остаются постоянными. Рост усов с торца объясняется адсорбцией органических веществ и торможением процесса электроосаждения металла на боковой поверхности усов. Адсорбция примесей происходит и на торце, однако ее величина определяется соотношением скорости осаждения металла и скорости адсорбции органического вещества и поэтому она меньше, чем на боковой поверхности. При уменьшении скорости [c.390]

Для получения воспроизводимых результатов при измерениях на твердых электродах используют разные способы обновления поверхности непосредственно в исследуемом электролите. Такие методики позволяют избежать влияния предыстории электрода иа результаты измерений, а также адсорбции примесей, скорость которой контролируется диффузией. Обновление поверхности достигается либо вращением электрода и приведением его в контакт с абразивным материалом, либо с помощью специального ножа из рубина или сапфира, который связан с устройством, перемещающим электрод при срезании на небольшое расстояние. При обновлении электрода возможно изменение его структуры, что необходимо учитывать при трактовке результатов. [c.16]

Эффективный метод очистки раствора — адсорбция примесей активированным углем. [c.386]

Захват примесей кристаллами обычно тем меньше, чем выше температура системы и чем она лучше перемешивается, что препятствует накапливанию примесей в диффузионном слое у поверхности граней. Однако, когда Д > 1, интенсификация перемешивания может привести к большему загрязнению. С ростом скорости кристаллизации чистота продукта также увеличивается, за исключением тех случаев, когда при больших пересыщениях на поверхности образующихся кристаллов появляется большое число дефектов, что способствует адсорбции примесей, или образуются агрегированные блоки и сростки, что увеличивает захват содержащего примеси маточного раствора. [c.256]

Возможность зарождения двумерного зародыша, состоящего из одного слоя атомов, на чужеродной подложке невелика. Это может быть либо на активной сильно взаимодействующей подложке либо при очень больших пересыщениях, т. е. когда диаметр критического зародыша не превышает нескольких атомных размеров. В том случае, когда подложка идеальная (плоская, однородная и изотропная), образование зародышей равновероятно в любой ее точке. Но в большинстве случаев она неоднородна геометрически (ступени, углы, изломы, выходы дислокаций и т. п.), химически (различный состав ионов, адсорбция примесей) и электрически. Все это усложняет процесс гетерогенного зарождения кристаллика и затрудняет выяснение его закономерностей. [c.238]

Как установил А. А. Бочвар, абсолютная температура рекристаллизации металлов составляет приблизительно 0,4 от абсолютной температуры их плавления. Температура рекристаллизации существенно зависит от степени предшествующей деформации металла в холодном состоянии. Даже весьма малые количества примесей в металле могут резко замедлить процесс рекристаллизации. Это объясняется в основном адсорбцией примесей. Примеси, концентрирующиеся на границах деформированных зерен, увеличивают их устойчивость, т. е. повышают температуру рекристаллизации. При рекристаллизации примеси должны покинуть границу, и этот процесс в известных условиях может определить суммарную скорость. Положение о том, что движение атомов при рекристалли- [c.387]

ЗАКОНОМЕРНОСТИ АДСОРБЦИИ ПРИМЕСЕЙ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ В УГЛЕРОДНЫХ МАТЕРИАЛАХ [c.139]

В результате этого изменение величины адсорбции примесей металлов, в зависимости от степени совершенства материала, непосредственно связано с удельной поверхностью кристалла, характеризующей количество ненасыщенных связей С—С. [c.141]

Закономерности адсорбции примесей переходных металлов в углеродных материалах. М. А. Авдеенко, И. А. Березин. Физическая химия конденсированных фаз, сверхтвердых материалов и их границ раздела. Наукова думка , К., 1975, с. 139—143, [c.229]

Представляет интерес выяснить причины столь низкой эффективности единичной ступени очистки при практически применяемых скоростях перемещения расплавленных зон. Из-за отсутствия дополнительных данных можно лишь высказать предположение, что, поскольку перемещение жидкой фазы происходит исключительно в результате продвижения фронта кристаллизующегося твердого материала, при процессе имеются слишком широкие возможности механического включения примесей. Это предположение согласуется с экспериментальным наблюдением [58], что при одинаковой скорости перемещения зон механическое неремешивание повышает четкость разделения. Дополнительным фактором, снижающим эффективность кристаллизации, является адсорбция примесей на гранях кристаллов. В области указанной весьма высокой чистоты даже тонкая адсорбированная пленка может существенным образом влиять на качество продукта. [c.67]

Так, было показано, что адсорбция ряда ионов из раствора на поверхности полупроводниковых кристаллов кремния и германия сопровождается образованием мономолеку-ляр ного слоя. Исследование десорбционных характеристик, изучаемых по уменьшению радиоактивности поверхности кристаллов в результате отмывки, позволило установить три механизма адсорбции примесей на поверхности этих кристаллов физический, ионнообменный по группам — ОН, образующимся на окисленной. поверхности кристаллов, и восстановление достаточно электроположительных металлов. [c.183]

Известны случаи изменения количества загрязнехгий нормальнымА1 веществами, не способными вступать в комплекс. Вещества, образующие комплексы при помощи индукции , были уже рассмотрены. Наибольшее значение имеют примеси за счет окклюзии некомплсч сообразующих веществ, а также адсорбция примесей, обычно ароматических, на поверхности, реагентов. [c.222]

Рененерация ОСК с использованием твердых поглотителей. Известно, что возможно проведение очистки ОСК путем адсорбции примесей на твердых пористых поглотителях. Метод адсорбции нашел применение для очистки ОСК от соединений меди, железа, ртути, З-метил-4-нитрофенола, м-крезола и его нитрозо- и сульфопроизвод-ных, хлорпроизводных метана и т.д. В качестве адсорбентов предаа-гается использовать катиониты, прохлори1Юванные каолиновые брикеты, силикагель, активированный уголь, сульфоуголь. [c.43]

Адсорбция органических веществ определяет целый ряд особенностей роста электролитических осадков. Так, наблюдается увеличение поперечного сечения тонких кристаллических нитей (так называемых усов или вискеров) при увеличении силы тока в цепи. Поперечное сечение нити меняется таким образом, что плотность тока, а следовательно, и линейная скорость роста нити остаются постоянными. Рост усов с торца объясняется адсорбцией органических веществ и торможением процесса электроосаждения металла на боковой поверхности усов. Адсорбция примесей происходит и на торце, однако ее величина определяется соотношением скорости осаждения металла и скорости адсорбции органического вещества и поэтому она меньше, чем на боковой поверхности. При уменьшении скорости осаждения металла в первую очередь происходит отравление края торца, и диаметр нити уменьшается. Наоборот, при увеличении силы тока адсорбция на краях торца не успевает происходить, и диаметр нити увеличивается. Рост усов сопровождается внедрением органических молекул в осадок. Согласно количественной теории рост нитевидных кристаллов возможен, если ток превышает некоторую критическую величину / р= onst где г — радиус нити — концентра- [c.374]

Адсорбция примесей посторонних ПАОВ также устраняет и поля-, рографические максимумы 3-го ро1а. По этой причине последние были обнаружены и изучены лишь после разработки методов глубокой очистки воды и водных растворов от следов ПАОВ (см. 1.2). [c.234]

Прежде всего необходимо отметить, что адсорбционные процессы в твердых телах, как правило, реализуются в неравновесных условиях из-за малюй скорости диффузионных процессов равновесие между объемом зерен и их границами устанавливается крайне медленно. Другой особенностью адсорбции на границах зерен в реальных поликристаллических телах является широкий спектр значений энергий адсорбции примеси. Это связано как с резким отличием энергий границ по-разному ориентированных зерен (см. гл. I, 2), так и с неоднородностью самих границ, т. е. с наличием дефектных участков с неодинаковой плотностью энергии и даже пустот разного размера. При этом для адсорбции примесей на границах зерен характерна значительная избирательность. Одной из ее причин является преимущест- [c.114]

С другой стороны, наличие в растворе посторонних веществ, способных адсорбироваться кристаллом, но не участвующих в построении кристаллической решетки, может уменьшить скорость кристаллизации. Примеси, адсорбируясь на гранях кристалла, изолируют активные участки поверхности, что приводит к замедлению роста и препятствует получению крупных кристаллов. Вследствие избирательной адсорбции примесей на определенных гранях форма кристалла искажается, а их размеры изменяются. Например, КС1 меняет кубический габитус на октаэдрический под влиянием некоторых поверхностно-активных веществ или ничтожной примеси Pb lj. Другим примером может быть следующий. В процессе сернокислотной экстракции фосфорной кислоты из природных фосфатов образуется кристаллический осадок aSOi-O.S НаО в форме гексагональных призм. Примеси F или SiFg , адсорбируясь на [c.250]

Адсорбция примесей осадком основного компонента. Возможен обмен ионов между раствором и веществом, поглощенным осадком. Например, на поверхности кристаллических осадков адсорбируются потенциалопределяющие ионел. Поверхностная адсорбция выражается уравнением [c.75]

Адсорбция примесей на границах зерен поли,кристаллических материалов может вызывать резкое изменение их свойств, и прежде всего механических (с этим, в частности, связана так называемая крас-нолом-кость сталей, которая вызывается адсорбцией серы, а также меди на границах зерен). Для защиты от этих вредных явлений не обходима очистка материала от опасных примесей возможен такж иной, адсорбционный путь — введение более поверхностно-активны.., добавок, не вызывающих подобных эффектов, но способных вытеснит., вредные примеси с границ зерен (либо добавок, связывающих такие примеси). [c.94]

Как установил А. А. Бочвар, абсолютная температура рекристаллизации металлов составляет приблизительно 0,4 от абсолютной температуры их плавления. Температура рекристаллизации существенно зависит от степеин предшествующей деформации металла в холодном состоянии. Даже весьма малые количества примесей в металле могут резко замедлить процесс рекристаллизации. Это объясняется в основном адсорбцией примесей. Примеси, концентрирующиеся на границах деформированных зерен, увеличивают их устойчивость, т. е. повышают температуру рекристаллизации. При рекристаллизации примеси должны покинуть границу, и этот процесс в известных условиях может определить суммарную скорость. Положение о том, что движение атомов при рекристаллизации подобно их движению при самодиффузии, неточно. Перемещения атомов прн рекристаллизации совершаются на малые расстояния, сравнимые с размерами самих атомов, и не являются поэтому результатом большого числа блужданий. Кроме того, в отличие от самодиффузии эти перемещения носят кооперативный характер, так как в них участвуют группы атомов. Следует учесть, что при рекристаллизации перемещения атомов совершаются под влиянием поля напряжений. Все эти особенности позволяют сравнивать атомный механизм рекристаллизации как с самодиффузией, так и с пластическим течением, которое, как указывалось в гл. XIV, связано с движением дислокаций и мартенсит-ным превращением. Следует отметить, что различные факторы, ускоряющие самодиффузию, понижают температуру рекристаллизации. [c.515]

Чем больше адсорбируюш,ая поверхность, тем больше адсорбция примесей, тем больше загрязнение осадка. Поэтому к адсорбции более склонны осадки с развитой поверхностью, т. е. аморфные осадки. [c.149]

В программе EOR1N1 предусмотрены следующие способы задания материальных функций. Расход жидкости Q, закачиваемой в пласт, считается постоянным во времени, пористость тп - постоянной по координате, зависимости if с) и А/х) могут быть произвольными. Изотерма адсорбции примеси и ее распределение между фазами -линейны [c.200]

Для комплексной Г. о. от H S и SO используют метод Сульфрен -адсорбцию примесей при их взаимод. друг с другом с образованием S на катализаторе (У-А12О3), к-рый периодически регенерируют продувкой очищенным газом при 350°С испарившаяся S конденсируется при охлаждении газа. Общее содержание S в газе после очистки до 1 г/м . [c.463]

Получение. Г. выделяют из прир. гелионосных горючих газов. Сухой газ, очищенный от Oj, под давл. 2 МПа подается в систему теплообменников и сепараторов, где благодаря конденсации при -28, — 41 и — 110°С отделяется значит, часть углеводородов. Полученная парожидкостная смесь дросселируется до давл. 1,2 МПа и в результате отделения жидкой фазы парогазовая смесь обогащается Г. ло содержания 3%. При послед, дросселировании до 1,0 МПа происходит дальнейшее обогащение-сначала до содержания 30-50% Г., затем при охлаждении кипящим при - 203 С и 0,04 МПа азотом-до 90%. Сырой Г. (70-90% по объему Г.) очищают от водорода (4-5%) с помощью СиО при 650-800 К, а затем осушают в адсорберах силикагелем. Окончательная очистка достигается охлаждением сырого Г. кипящим под вакуумом Nj и адсорбцией примесей на активном угле в адсорберах, также охлаждаемых жидким Nj. Производят Г. техн. чистоты (99,80% по объему Г.) и высокой чистоты (99,985%). [c.514]

Критич. зародыши образуются на активных центрах пов-сти электрода. Такими центрами м. б. поры в оксидной пленке, выходы винтовых дислокаций, вакансии, изломы на ступенях роста и др. энергетич. неоднородности пов-сти. Число активных центров, участвующих в процессе электрохим. нуклеации, возрастает с увеличением Г). Вокруг возникшего и растущего криста ша образуются зоны экранирования ( дворики роста ), в к-рых нуклеации не происходит. Радиус зон экранирования уменьшается с ростом л. Постепенно происходит исчерпание числа свободных активных центров и прекращение з ождения новых кристаллов, наступает насыщение. Адсорбция примесей из р-ра на электроде снижает число активных центров и, соотв., общее число зародышей. Стадия зарождения кристаллов определяет в конечном итоге осн. физ.-мех. св-ва гальванич. покрытий, в т. ч. их пористость. [c.430]

Формы роста кристаллов определяются относит, пересыщением р-ра, к-рое в условиях Э. соответствует величине ехр (-nFr /RT) - 1 (Л - газовая постоянная), а также концентрацией разряжающихся ионов, условиями массопереноса, адсорбцией примесей. При малых плотностях тока через электрохим. ячейку и, соотв., низких перенапряжениях т наблюдается рост единичных кристаллов, в частности нитевидных. Кол-во металла, вьщеляющегося на еяинице площади пов-сти растущих граней при электролизе, сохраняется постоянным при разл. величинах силы тока и, соотв., общая площадь растущих фаней подстраивается к заданной плотности тока. Быстро растущие фани кристаллов вырождаются в процессе роста, кристалл оказывается оформленным медленно растущими фанями. В отсутствие тимесей кристаллы с гранецентрир. или объемпоцентрир. кубич. решетками обычно оформлены фанями (111), (100), (ПО). [c.431]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология