Работа выхода поликристаллических

Работа выхода электронов поликристаллического молибдена ф = = 4,29 эВ. Анизотропия работы выхода монокристаллического молибдена гр. [c.381]

Ранее [1—5] был обнаружен новый эффект — влияние хемосорбции свободных радикалов на электропроводность и работу выхода поликристаллической пленки окиси цинка и недавно было показано ее влияние на работу выхода палладиевой мембраны. [c.123]

Поликристаллическая лента Проволока. Эффективная работа выхода Поликристаллическая лента чистотой 99,990/0. Эффективная работа выхода [c.103]

Средняя минимальная работа выхода поликристаллической W-нити в парах Сз [c.231]

Приведенные значения работы выхода электронов относятся к поликристаллическим образцам, поверхность которых очищена в вакууме прокаливанием или механической обработкой. Менее достоверные величины заключены в скобки. [c.333]

Для поликристаллических металлов область обратимой адсорбции может быть более широкой, чем на ртути, так как граням одного и того же кристалла с различными кристаллографическими индексами соответствуют различные работы выхода, а следовательно, и различные нулевые точки. На практике, однако, наблюдается обычно обратный эффект—область потенциалов, внутри которой происходит адсорбция на твердых металлах в условиях их электроосаждения, оказывается уже, чем определенная из данных электрокапиллярных или емкостных измерений на ртути. Дело в том, что при электровыделении металлов добавки поверхностно-актив-ных веществ либо включаются в катодный осадок, либо претерпевают химические превращения, т. е. так или иначе расходуются [c.442]

Для поликристаллических металлов область обратимой адсорбции может быть более широкой, чем на ртути, так как граням одного и того же кристалла с различными кристаллографическими индексами соответствуют разные работы выхода, а следовательно, и разные нулевые точки. На практике, однако, наблюдается обычно [c.499]

Эти данные, а также их сопоставление с результатами измерения дифференциальной емкости в растворах, содержащих поверхностно-активные вещества [57], и в расплавах солей [70—72] дают основание заключить, что потенциал нулевого заряда поликристаллического серебра равен —0,7 в ( 0,05 в). Следует подчеркнуть, что весьма близкие значения для потенциала нулевого заряда серебра были получены при помощи других методов [17, 72—74]. Разность работ выхода электронов из ртути и серебра, определенная в [75 ], также показывает, что потенциал нулевого заряда серебра лежит вблизи —0,7 в. [c.13]

Поскольку работа выхода характеризует однородную кристаллическую грань, то, в случае когда индексы А и В относятся к различным кристаллическим граня.м одного и того же проводника или к разны.м зернам на поверхности поликристаллического проводника, к. р. п. [см. уравнение (2)] в общем случае не будет равна нулю. Влияние таких неоднородных поверхностей на к. р. п. можно трактовать следующим образом [6]. [c.88]

Метод ионной бомбардировки в одинаковой степени пригоден и для монокристаллов, и для поликристаллических поверхностей. Фарнсуорт с сотрудниками [34] показали, что такая обработка оказывается эффективной для различных металлов и для полупроводника германия, который использовали в виде монокристалла для измерения работы выхода [35]. Бомбардировка положительными ионами аргона удаляет загрязнения из приповерхностного слоя толщиной до нескольких сотен атомных слоев в зависимости от времени и интенсивности обработки, но при этом все же остаются захваченные поверхностью положительные ионы. Кроме того, поверхность содержит некоторое количество дефектов, образовавшихся в результате смещения атомов металла нз их равновесных положений в решетке. Поэтому для освобождения от дефектов решетки и от захваченного аргона необходим отжиг при повышенной температуре. Вследствие значительной опасности загрязнения в процессе отжига необходимо поддерживать в системе давление ниже 10 ° мм рт. ст. [36]. Истинное состояние поверхности определяют методом дифракции медленных электронов. Однако вполне справедливо отмечено [37], что воспроизводимые дифракционные максимумы, получаемые после ионной бомбардировки и отжига, не обязательно доказывают чистоту поверхности, даже если они и соответствуют дифракционным максимумам поверхностной решетки металла упорядоченно загрязненная поверхность также может дать воспроизводимую картину, которую можно принять за результат ориентированной поверхности. [c.95]

Можно сделать заключение, что поверхность поликристаллического материала, состоящая из различных кристаллографических плоскостей, является неоднородной вследствие того, что разные грани кристаллов характеризуются различными теплотами адсорбции. Но, как мы видели из данных по работам выхода на вольфраме, эти различия не очень велики. Поэтому указанная неоднородность, по-видимому, обусловливает только некоторую часть наблюдаемого уменьшения теплот хемосорбции с увеличением степени заполнения, но не весь эффект в целом. [c.125]

Поскольку работа выхода электронов и удельные поверхностные энергии на разных гранях одного и того же кристалла могут иметь различные значения, представляет интерес изучить электронное взаимодействие при адсорбции посторонних молекул на поверхности монокристаллов. Исследование монокристаллов, однако, связано с целым рядом затруднений, поэтому в общем случае приходится ограничиваться изучением поликристаллических поверхностей, что также дает очень интересные результаты, так как сила взаимодействия весьма существенным образом зависит от природы металла и для одного и того же металла меняется при переходе от одного вида адсорбированных молекул к другому. [c.357]

Связь между величиной работы выхода электрона, измеренной методом вибрирующего конденсатора, и свойствами серебряных катализаторов окисления этилена до окиси этилена была исследована в ряде работ. Куммер [11 нашел, что адсорбция кислорода на поликристаллических образцах уменьшается в результате обработки их водородом при 530° С, а обработка окисью углерода снижает поверхностный потенциал на 0,2 в при давлении кислорода 100 мм рт.ст. В работе [21 был измерен поверхностный потенциал различных катализаторов, приготовленных осаждением серебра, восстановлением окиси се-ребра или разложением лактата серебра. Адсорбция фосфора, хлора или серы уменьшает поверхностные потенциалы на 20—250 мв. [c.69]

КРП Пленка на. Средняя работа выхода пятнистой поверхности. КРП относительно поликристаллического W [c.60]

КРП Поликристаллическая фольга. Средняя работа выхода пятнистой поверхности. КРП относительно поликристаллического Ш ( р принята равной 4,55 эв) [1158] [c.73]

Поликристаллический диск чистотой 99,5%. Эффективная работа выхода при 7 = 1300 К с1 /с1Т = = 10 эв/град [c.89]

Чистота поликристаллической (выход граней на поверхность 96% 100 -f4 /o 111 ) ленты 99,995%. Эффективная работа выхода [c.96]

ТЭ Поликристаллическая проволока. Эффективная работа выхода [257] [c.98]

Плоские поликристаллы с преимущественной ориентацией ПО , полученные при газофазном осаждении в водороде. Работа выхода изменяется по мере прогрева в вакууме при Т = 1980 °К в течение 150 ч Поликристаллическая проволока То же [c.102]

ТЭ Поликристаллическая (выход граней иа поверхность 80% 111 +15% 100 ) лента чистотой 99,9Уо- Эффективная работа выхода [1334], [c.106]

Следует также учесть, что ноны гидроксила, которые являются поверхностно-инактивиыми на ртути, сильно адсорбируются на железе и других твердых металлах, выступая, как было выше показано, в роли катализаторов коррозионного процесса. Это также нарушает адсорбционное равновесие и уменьшает концентрацию органического вещества на поверхности металла. Помимо этого поликристаллические тела имеют различные значения работы выхода электронов из отдельных граней кристалла, а следовательно, и разные значения потенциала нулевого заряда, и обладают оби- [c.138]

Поликристаллические подложки с напыленным РЗМ. Эффективная работа выхода [c.237]

Изменение работы выхода для поликристаллического Ш при адсорбции Оа на поверхно сти приведено в работе [813] (в зависимости от давления Ог при фиксированных температу рах XV) и [13Ш] (температурная зависимость ф при фиксированном давлении Ог). [c.242]

При увеличении pH раствора точка минимума С, -кривой смещается в отрицательную сторону. Близкие данные получены в работах [178. 179] при исследовании двойнослойной емкости поликристаллического пирографита (табл. 8). Существенно большая величина емкости двойного слоя при выходе на поверхность боковых граней обусловлена, по мнению ряда авторов [178, 179], участием в процессе заряжения внутренних областей кристалла. Об этом свидетельствует снижение емкости при повышении частоты переменного тока. Краевые грани, имею- [c.71]

Графическая зависимость работы выхода поликристаллической W-фoлbги от интеграль ного потока молекул Вги приведена в работе [923]. [c.242]

До температуры 0,08 К у хрома не обнаружена сверхпроводимость. В термопаре хром — платина хром проявляет положительную т. э. д с. по отношению к платине при температурах выше 293 К. Абсолютный коэффициент т. э. д. с. е претерпевает резкое изменение около 313 К. Т. э. д. с. пары хром — платина при 373 К достигает 2,5 мВ. Постоянная Холла при комнатной температуре 7 =-t-3,63-10 ° муКл. Магнитная восприимчивость х хрома возрастает с ростом температуры. При 273 К она составляет -t-3,5-10- , а при 1713 К -(-4,3-10-5. Температура Нееля для хрома 7 дг = 312 К ниже этой температуры хром переходит из парамагнитного в антиферромагнитное состояние. Работа выхода электронов ф=4,58 эВ для поликристаллического материала. Работа выхода для граии монокристалла (111) равна 3,88 эВ, для грани (110) ф=4,70 эВ, для грани (112) ф=4,05 эВ. [c.370]

ПЫХ для эталонных веществ следует использовать достаточно осторожно. Гопкинс и Ривьер [57] измерили абсолютные значения работы выхода для некоторых отсчетных электродов и других напыленных пленок и показали, что, например, для поликристал- лических пленок серебра, нанесенных на стекло, вольфрама и тантала, используемых в качестве подложек, работа выхода составляет 4,30, 4,32 и 4,44 эВ соответственно. Эти цифры можпо сравнить со значениями 4,29 и 4,62 эВ для поликристаллического лгассивного серебра и его монокристалла [грань (100)]. Имеются веские основания, позволяющие отнести все данные по КРП к работе выхода (4,54j эВ) для чистой, прошедшей длительное старение вольфрамовой фольги [56], для которой имеются более надежные данные, чем для любых других веществ. [c.128]

Зависимости работы, выхода от ориентации кристаллических гра -йей получается, естественно, лишь некоторое среднее значение ра1У6ты"выкйда, определяемое случайным расяределением кристаллических граней и соответствующих им значений работ выхода на поверхности поликристаллического катода. [c.88]

Изменения работы выхода электрона вследствие адсорбции можно также измерить в виде изменения величины контактной разности потенциалов между исследуемым материалом и инертным электродом. Преимущества этого метода заключаются в том, что его применение не ограничивается тугоплавкими металлами. Метод Кельвина был использован для измерения изменения работы выхода электрона при адсорбции различных адсорбентов на различных металлах. Обзор этих исследований был сделан Кульвером и Томпкинсом [157]. К сожалению, все измерения относились, по-видимому, к поликристаллическим материалам в этом случае, как уже было отмечено, получается усредненная величина реальной контактной разности потенциалов. Из работы ван Оострома [149] следует, что информация об усредненных изменениях величин работы выхода электрона малопригодна в случае существования хемосорбированных слоев. Это следует и из значительных изменений адсорбции азота на разных кристаллических гранях вольфрама, которые приведены в табл. 3. [c.165]

Этот результат можно объяснить с помош,ью гипотезы, недавно предложенной Или и Шутером [10]. В цитированной работе был обнаружен параллелизм между энергией сублимации поликристаллических пленок различных переходных металлов и их активностью в реакции нара-орто-конверсии водорода. Объясняя такую корреляцию, авторы обраш,ают внимание на изменение работы выхода нри переходе от одной грани кристалла к другой и делают вывод, что наиболее плотно упакованные грани должны быть наиболее каталитически активны. [c.23]

Эти результаты, как и результаты, полученные Хираса и Ногучи [111, говорят о том, что серебро может катализировать окисление этилена, если адсорбировано по крайней мере одно из реагирующих веществ, однако, ве-.ппчина и характер адсорбции кислорода зависят от степени чистоты металла. Куммер [1] наблюдал, что в случае адсорбции кислорода при 100 мм рт. ст. на поликристаллических пленках, восстановленных водородом при 500° С и затем обработанных в вакууме, происходит изменение потенциала поверхности на 200 мв. На грани (100) при 25 ° С наибольшее изменение работы выхода составило 1000 мв при мм рт. ст. на грани (111) при тех же условиях максимальное изменение было равно 800 мв на сублимированных в высоком вакууме пленках введение кислорода до давления 10- мм рт. ст. приводит к понижению работы выхода на 200 мв, тогда как на пленках, сублимированных при 10- мм рт.ст., изменение составляет только 100 мвпря введении кислорода до давления 760 мм рт. ст. [c.75]

Примененная поликристаллическая двуокись титана была рутильной модификацией и получалась сжиганием четыреххлористого титана в кислороде. Адсорбционные свойства двуокиси титана были изучены в нашей лаборатории [3]. Удельная поверхность, измеренная по низкотемпературной адсорбции азота, составляла около 15 м г, т. е. средний размер частиц был равен 10 см. Образец рутила подвергали вакуумной откачке и окислению в интервале температур 300—400°С с целью стабилизации поверхностных свойств и очистки поверхности. Перед измерениями образец откачивали в вакууме 10 торр при 300°С. Поверхность образца можно считать в значительной мере дегидратированной [3]. Измерения работы выхода фи электропроводности а проводились на одном исходном образце. Изменения работы выхода определялись из измерений контактной разности потенциалов (КРП) методом вибрирующего конденсатора с золотым отсчетным электродом, пассивированным в кислороде [4]. Электропроводность изучалась на спрессованных таблетках в схеме переменного тока (1 кгц) при наличии оммичных контактов. [c.150]

В таблице 7 приведены результаты измерений работы выхода постоянной А для чистых металлов. В большинстве. случаев. д йы Значения, относящиеся к поликристаллическим поверхно-I -, етям н полученные после 1930 г. Лишь в отдельных случаях,. ка1 , например, для осмия или тория, из-за отсутствия новых опредвдеяий, приведены более ранние. Кроме того, эти данные отйбс ы к нулевому внешнему полю, а результат определений [c.116]

Отсюда видно, что при одинаковом значении изменение тока,насыщения увеличивается с понижением температуры. Это явление очень хорошо иллюстрируется сравнительными электрон ио-оотическйми снимками с поликристаллических поверхностей чисто-металлических катодов, работающих при высокой температуре, и плёночных катодов, работающих при низкой температуре, как, например, цезий или барий иа никеле или вольфраме. В последнем случае получаются гораздо более контрастные снимки, свидетельствующие о большей разнице в токах эмиссии отдельных граней кристаллов, обладающих различными адсорбционными свойствами, несмотря на одного порядка разницу В работах выхода (сравним, например, фиг. 1 и 2, вкл. II 1ля цезия и бария на никеле, снятые при разных температурах). [c.226]

Причина распространения поверхностной теории — чрезвычайная чувствительность работы выхода к различным факторам, определяющим состояние поверхности твердого тела к ним прежде всего относятся плотность и расположение атомов на гранях кристалла [462, 648, 1060, 1226], а также адсорбция чужеродных атомов [583, 762], главным образом газов [160, 666, 1141, 1316]. Для поликристаллическчх образцов работа выхода завишт от преимущественной ориентации кристаллов на поверхности [502], которая, в свою очередь, определяется способо м обработки и нанесения эмиттера на подложку [1293]у а также природой самой подложки [319, 608, 680]. Наличие полей пятен у поликристаллических образцов приводит к изменению работы выхода с изменением ускоряющего поля [267, 934]. [c.8]

Поликристаллический диск чистотой 99,9%, Эффективная работа выхода при Г= 1300°К = 5-10 эв1град [c.89]

Чистота поликристаллической (выход на поверхность 70% грани 211 ) ленты 99,95%. Э(jJфeктивнaя работа выхода [c.93]

Характерно, что такое же действие на ползучесть монокристаллов свинца— смещение предела текучести и всей реологической кривой (но в обратном направлении — в сторону больших напряжений) вызывают твердые пленки соответствующей толщины на поверхности образцов, например, окиси свинца или поликристаллического цинка. Эти результаты в сопоставлении с известными данными о пластифицировании металлов при адсорбции органических ПАВ поаволяют уточнить наши представления о роли поверхностного потенциального барьера, препятствующего движению дислокаций в приповерхностном слое металла, и о механизме адсорбционного пластифицирования, который состоит в облегчении перемещения дислокационных сегментов в относительно глубоком приповерхностном слое (например до десятков микрон), что обусловливается при понижении свободной поверхностной энергии соответствующим уменьшением работы глементарного акта развития новых мо-нoaтOlJныx ячеек новерхности при ее прочерчивании точками выхода дислокаций. [c.163]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология