Групповые процессы

Групповой процесс применяют в мелкосерийном и серийном производстве для использования принципов поточного производства, отличающегося более высокими технико-экономическими показателями. [c.25]

Современная технология изготовления деталей на станках строится по принципу обработки отдельных поверхностей заготовки, из которых состоит деталь. Это касается как единичных, так типовых и групповых процессов. Соответственно создавались и развивались станки для обработки одного или нескольких сходных типов поверхностей, что нашло отражение в их названиях фрезерный, сверлильный, токарный, плоско-шлифовальный, круглошлифовальный и т.д [c.205]

Таким образом, модульный технологический процесс объединяет в себе положительные черты единичного, типового и группового технологических процессов. Модульный технологический процесс как единичный учитывает индивидуальные особенности деталей, как типовой — является единым при обработке модуля поверхностей одного наименования у самых разных деталей и как групповой процесс — обеспечивает партию изготовляемых изделий. [c.215]

Механизм (XI. 33) отражает реакции обобщенных углеводородов, содержащих некоторое среднее для групп близких веществ количество углеродных атомов. Это упрощение оправдывается природой основных реакций платформинга, в результате которых получаются продукты с тем же числом углеродных атомов, что и в сырье. Естественно, что скорости индивидуальных реакций будут отличаться от скоростей групповых процессов, которые, строго говоря, не имеют физической трактовки. [c.301]

Локальная пайка. Локальный нагрев при пайке имеет определенное преимущество по сравнению. с общим, так как является щадящим для участков изделия, не подвергающихся пайке. В случае применения элементной базы с планарными ленточными или проволочными выводами, требующими прижима каждого вывода в момент пайки, необходим локальный нагрев паяных швов. Пайка сводится к. повторному расплавлению в присутствии флюса дозы припоя, предварительно нанесенной на вывод и контактную площадку во время лужения. Механическую фиксацию навесных элементов осуществляют приклеиванием тела элемента к подложке с помощью изоляционного клея. Локальность нагрева не исключает возможности проведения группового процесса пайки. [c.44]

В ходе отверждения эпоксидных композиций в изотермиче ских условиях максимум tg 6 дипольно-сегментальных потер смещается в область более высоких температур (или более низ ких частот), т. е. наиболее вероятное время релаксации кинети ческих единиц повышается с ростом густоты пространственно] сетки [90]. При этом значения tgб aк и е снижаются. В то >ю время наиболее вероятное время релаксации единиц, участвую щих в дипольно-групповом процессе, обычно мало зависит о густоты сетки [86, с. 149]. [c.200]

При переходе от наполненных линейных к наполненным трехмерным полимерам картина диэлектрической релаксации принципиально не изменяется. Так, максимум дипольно-группового процесса диэлектрической релаксации в сшитых полиуретанах различной природы при введении в качестве наполнителя аэросила смещается в стороны более низких температур, а высокотемпературный процесс — в сторону более высоких [217]. Однако для ПУ обнаруживается третий переход при температуре, лежащей выше температуры главного перехода линейного полимера. Повышение температуры способствует разрыву части физических связей в сетке, [c.128]

Гидродинамическая аналогия в настоящее время используется для расчета как элементарных актов, так и групповых процессов тепло- и массопередачи. [c.100]

На рис. 9.11 приведена температурная зависимость tgб изотактического (/), синдиотактического (2) и атактического (5) образцов полиметилметакрилата. Из рисунка видно, что температурные зависимости tg б дипольных потерь синдиотактического и атактического полиметилметакрилата в широком интервале температур почти полностью совпадают. Для образцов синдиотактического полимера наблюдается лишь некоторый сдвиг области дипольно-сегментальных потерь в сторону более высоких температур, что свидетельствует о большей затрудненности движения сегментов цепа синдиотактического полимера по сравнению с атактическим и согласуется с повышенным значением 7 с этого полимера. Поэтому можно считать, что времена релаксации дипольно-группового процесса, связанные с подвижностью боковых цепей, практически одинаковы для синдио- и атактического полиметилмет- акрилата. [c.255]

В случае кристаллизующихся полимеров обозначение релаксационных процессов усложняется наличием процессов дипольной поляризации, связанных с появлением упорядоченных образований типа кристаллитов, сферолитов и др. Поэтому будет использована двойная терминология, например, для политрифторхлорэтилена процесс дипольной релаксации, связанный с кристаллической структурой, будет обозначаться как -процесс, дипольно-сегментальный процесс релаксации дипольной поляризации в аморфных областях — как р-процесс, а дипольно-групповой процесс как -процесс. [c.125]

Если время релаксации сегментального движения резко изменяется при изменении густоты сетки, то время релаксации дипольно-группового процесса, по-видимому, мало зависит от густоты сетки. У неполностью отвержденной смолы (40% прореагировавшего отвердителя) частота, при которой tg б дипольно-групповых потерь максимален, такая же, как и у полностью отвержденной смолы [1, с. 251]. [c.149]

Изменения АШ и Тр дипольно-группового процесса при пластификации позволили сделать важный вывод о существенном влиянии межцепного взаимодействия на параметры, характеризующие не [c.162]

Исследование диэлектрических свойств эпоксидных смол на различных стадиях отверждения показало, что с увеличением времени отверждения область максимума tgб дипольно-сегментальных потерь смещается в сторону более высоких температур, а значение tg бмакс уменьшается [84]. В процессе отверждения смолы при постоянной температуре в области проявления дипольно-сегментальной релаксации максимум tg б (или е") смещается в сторону более низких частот, его значение понижается и соответственно уменьшается диэлектрическая проницаемость. Это дает возможность контролировать процесс отверждения по измерениям диэлектрической проницаемости. Если время релаксации сегментального движения резко изменяется при изменении густоты сетки, то время релаксации дипольно-группового процесса, по-видимому, мало зависит от густоты сетки. У неполностью отвержденной смолы (40 % прореагировавшего отвердителя) частота, при которой 1дб дипольно-групповых потерь максимален, такая же, как и у полностью отвержденной смолы. [c.100]

При введении в полимеры полярных пластификаторов появляется дополнительна., область поглощения, отвечающая пластификатору — сольватированному или взаимодействующему с макромолекулами. Особенности диэлектрических потерь, обусловленных "сольватированным пластификатором, определяются химическим строением высокомолекулярного и низкомолекулярного компонентов системы. У композиций с плохо совместимыми компонентами отмечается отсутствие влияния концентрации компонентов на температуру максимума е". Вместе с тем пластификация вызывает уменьшение интенсивности дипольно-группового процесса. [c.49]

Групповые технологические процессы разрабатывают для условий еди1Шчного, мелкосерийного и серийного производства. Групповой процесс представляет собой способ унификации технологии производства, когда для однородных по конструктивно-технологическим признакам изделий устанавливают однотипные высокопроизводительные методы обработки с использованием быстропереналаживаемой технологической оснастки и оборудования. [c.149]

В работе [ 14] отмечено, что в типизации технологических процессов (ранний период унификации технологии) основным признаком классификации бьша конструктивная принадлежность детали. В групповом методе производства (современной фазе унификации технологии) основным признаком классификации (группирования) является применяемое оборудование. При построении групповых процессов рекомендуется объединять детали сначала по деталеоперадаям, а затем по деталепроцессам. [c.191]

Если воспользоваться полулогарифмическими координатами lgT = /(l/7 ), такая зависимость будет линейной при условии <3 а = = onst. (Это условие достаточно точно выполняется для диполь-но-групповых процессов.) Действительно, из (VII. 4) следует [c.240]

Согласно сложившейся номенклатуре обозначений, низкотемпературный процесс носит название диполь но-группового процесса, а высокотемпературный — дипoльнo- eгмeнтaль-н о г о (или р- или а-процессов). [c.240]

Энергия активации дипольно-группового процесса, так же как и его время релаксации, уменьшается с увеличением числа групп СНг в боковом радикале (рис. VII. 7). Это может быть обусловлено как возрастанием числа С—С-связея, так и ослаблением сте-рического препятствия вращению групп СНз. При одинаковом размере боковых заместителей важное значение имеет их полярность. [c.246]

Смещение областей максимумов " по шкале температур при изменении частоты электрического поля описывается зависимостью lg/макс—1/7, где /макс —частота, а Г —температура, при которых фактор диэлектрических потерь максимален. Как видно из рис. 36, а, характер зависимостей lg/макс—1/7 различен для дипольио-сегментальных и дипольно-групповых процессов. У дипольпо-сегментальных процессов зависимости lg/ aк — [c.85]

Исследование частотных зависимостей е" и е для процессов дипольно-сегментальной (а) и дипольно-групповой ( 3) поляризации показало, что изменение в и е" с частотой не может быть описано одним временем релаксации. Экспериментально наблюдаемые зависимости = Ф ( /) значительно шире, чем построенные исходя из одного времени релаксации. Приведенные выше формулы Фуосса — Кирквуда (44) и Коула — Коула (45) для зависимостей в и в" от частоты содержат параметр распределения, характеризующий спектр времен релаксации. Анализ частотных зависимостей, ироведенный по методу Фуосса — Кирквуда, показал, что для дипольно-сегментальных потерь характерны значения параметра распределения = 0,4 Ч-0,8, а для дипольно-групповых потерь Х = 0,2 4-0,4. Это показывает, что у релаксационного процесса, обусловленного сегментальным тепловым двин<епием, спектр времен релаксации уже, чем у более локализованного дипольно-группового процесса. Параметр распределения дипольно-сегментального процесса изменяется лишь вблизи температуры стеклования, а при дальнейшем повышении температуры остается постоянным параметр распределения дипольно-группового процесса растет с повышением температуры, причем особенно интенсивно вблизи Те- [c.87]

Как видно из формул этих веществ, их боковые цепочки различаются способом присоединения эфирного кислорода. Значения tg бмакс дипольно-сегментальных потерь и т для поливинилацетата больше, чем для полиметилакрилата. Характеристики дипольно-групповых процессов для этих полимеров — максимальные значения 1дб и времена релаксации — также существенно различаются. Так, величина бмакс дипольно-групповых потбрь В полиметил-акрилате почти в 7 раз больше, чем в поливинилацетате, хотя максимум располагается на 60 °С ниже. [c.253]

Сетка ПТДИ тормозит движение сегментов ППС диэлектрические пики смещаются к более высоким температурам. Специальным тестом на определение механизма движения линейных "молекул, пронизывающих сетку ПТДИ, является пластификация. Пластифицирующий эффект имеет место при переходах, связанных со стеклованием, т. е. обусловленных подвижностью сегментов цепи. Путем изучения пластифицированных образцов рассматриваемых взаимопроникающих сеток было установлено, что внедренные в сетку ПТДИ макромолекулы полипропиленсульфида реализуют сегментную форму движения, сохраняя и мелкомасштабные, дипольно-групповые процессы, т. е. те же формы движения, что и в среде себе подобных. [c.168]

Анализ частотных зависимостей, проведенный по методу Фуосса— Кирквуда, показал, что для динольно-сегментальных потерь характерны значения параметра распределения К = 0,4 0,8, а для дипольно-групповых потерь Я, = 0,2 0,4. Это показывает, > что у релаксационного процесса, обусловленного сегментальным тепловым движением, спектр времен релаксации уже, чем у более локализованного дипольно-группового процесса. Различна и зависимость параметра распределения от температуры для дипольно-сегменталь-ного и дипольно-группового процессов. [c.132]

Различными авторами предложено несколько объяснений наблюдаемым закономерностям [1, с. 218]. Например, Готлиб увеличение (гац фф)д.г и уменьшение (гац фф)д.с объясняет тем, что скорость перегруппировок сегментов становится больше скорости переориентации диполей при дипольно-групповом процессе. Реддиш объясняет уменьшение (иц фф)д. с при повышении температуры у поливинилхлорида уменьшением размера сегмента, а Вильямс у полиацетальдегида — уменьшением 11эфф из-за изменения конформации цепи. Следует также отметить, что для Некоторых полимеров при измерении е" на частотах 10" —10 Гц обнаружено уменьшение (е —еоо)д. с при понижении температуры вблизи (см., например, кривую 6 на рис. 90).. [c.134]

Из представленных на рис. 94 зависимостей (Вд—еоо) от степени кристалличности для дипольно-сегментального и дипольно-группового процессов полиэтилентерефталата и полиэтиленоксибензоата видно, что (вд—еоо)д. с уменьшается при увеличении степени кристалличности быстрее, чем (во—8оо)д,г- Аналогичные зависимости были получены и для полиэфира оксиуксусной кислоты [1, с. 228]. Из этого следует, во-первых, что дипольно-сегментальная поляризация может не наблюдаться у полимеров со степенью кристалличности более 80% и, во-вторых, что дипольно-групповая поляризация у многих полимеров связана, по-видимому, не только с молекулярным движениём в аморфных областях полимера, но частично и с молекулярным движением в кристаллических областях. Этот вывод подтверждается исследованиями полиэтилена у полиэтилена низкого давления не наблюдается дипольно-сегментальный р-процесс, а у-нро-цесс характерен не только для полиэтилена низкого давления, но и для монокристаллов полиэтилена [1, с. 228]. Подробное исследование дипольно-групповых потерь -процесса) полихлортрифтор-этилена [1, с. 228] также показало, что они связаны как с аморфными, так и с кристаллическими областями, причем для у-процесса, обусловленного кристаллическими областями, время релаксации меньше. [c.138]

Под а-процессом в этих работах понимался дипольно-сегментальный процесс поляризации в полимерах, а под Р-процессом — дипольно-групповой процесс поляризаций, в котором принимают участие малые по сравнению с сегментом участки основной цепи макромолекулы, а также боковые группы полимерной цепи. Соответствующие диэлектрические потери названы дипольно-сегментальныыи и дипольно-групновыми. Теория диэлектрической релаксации в полимерах представлена в работах Готлиба [152—154]. [c.150]

В указанном настотном диапазоне зависимость Ы/щ =Ф(1/Г) для дипольно-сегментального процесса гомологов линейна, как и для дипольно-группового процесса, что указывает на экспоненциальное изменение времен релаксации с температурой. Энергия активации дипольно-группового процесса Н д.г практически не зависит от молекулярной массы ПОЭ и составляет 66-68 кДж/моль, в то время как "кажущаяся энергия активации дипольно-сегментального процесса Н д.с, связанная с подвижностью крупных кинетических единиц, изменяется экстремально, проходя через максимум в той же области молекулярных масс, в которой значения е , гомологов уже слабо зависят от длины цепей. Можно полагать, что понижение К д.с после максимума обусловлено уменьшением молекулярных объемов, в которых протекает данный релаксационный процесс. Это может происходить, когда средняя длина цепи становится больше кинетического сегмента, и начинает проявляться гибкость, вызванная независимым перемещением частей макромолекул. [c.32]

Представляет интерес случай модификации полимеров, называемый антипластифика-цией , когда введение в жесткоцепные полимеры хорошо совместимых пяастификаторов(в том числе жидких) сопровождается не снижением прочности модуля упругости, твердости полимера, как при обычной пластификации, а их значительным увеличением [48]. Авторы указанной работы пластифицировали эпоксидно-аминный полимер сланцевым маслом (сложная смесь ароматических и других циклических соединений) и установили, что с увеличением содержания пластификатора от 5 до 50 масс. ч. величина максимума 6 покрытий в области низкотемпературного релаксационного перехода уменьшается до полного вырождения максих ума. Вероятно, подавление дипольно-группового процесса происходит вследствие повышения межмолекулярного взаимодействия и увеличения плотности молекулярной упаковки. [c.48]