Гельмгольца Гуи теория двойного электрического слоя

Современная теория двойного электрического слоя использует теорию Гуи — Чепмена для описания диффузий части этого слоя. В первоначальном виде теория Гуи — Чепмена ие учитывала наличия слоя Гельмгольца и поэтому ее допущения не позволяли правильно описать электрические явления, на которые существенное влияние оказывает плотная, непосредственно прилегающая к межфазной поверхности часть слоя. Пренебрежение размерами иоиов приводит к тому, что не учитывается минимальная толщина слоя, и это в свою очередь вызывает большие ошибки при расчете параметров двойного электрического слоя. Теория Гуи — Чепмена, учитывая только концентрацию и заряд нонов электролитов, не объясняет различного действия ионов разной природы, связанного со специфической адсорбцией их на межфазной поверхности. [c.60]

Рассмотрим кратко существующие теории двойного электрического слоя (ДЭС). Согласно простейшей и исторически первой теории строения ДЭС, предложенной Гельмгольцем, указанный слой состоит из двух плоских слоев зарядов, расположенных на молекулярном расстоянии один от другого и взаимодействующих между собой только за счет электростатических сил (аналогично взаимодействию в плоском конденсаторе). Падение потенциала между слоями происходит линейно (рис. 6.2, а). [c.139]

Многие коллоидно-химические процессы, протекающие на границе раздела фаз, обусловлены наличием двойного электрического слоя (рис. 38). Современная теории двойного электрического слоя, объединяющая ранее предложенные схемы Гельмгольца — Перрена и Гуи — Чепмена, предусматривает, что ионы имеют вполне определенные размеры, в силу чего центры ионов не могут находиться на поверхности твердой фазы ближе, чем на расстоянии ионного радиуса. Наряду с этим теория учитывает неэлектрическое взаимодействие ионов с поверхностью твердой фазы, связанное с наличием на некотором малом расстоянии от поверхности поля молекулярных (адсорбционных) сил. [c.148]

Поскольку жидкость в первоначальном состоянии была электрически совершенно нейтральной, в ней должны присутствовать два типа ионов, несущих заряды с противоположными знаками. Эти ионы обладают неодинаковым сродством к стенкам трубы или к другому материалу, находящемуся в контакте с углеводородной жидкостью. В связи с этим можно предполагать, что избыток ионов с одним знаком образует слой, покрывающий поверхность раздела, в то время как ионы противоположной полярности образуют второй подвижный слой в жидкости, в непосредственной близости к первому слою. Такая концепция образования двух слоев ионов с противоположными знаками у поверхности раздела жидкостей известна под названием теории двойного электрического слоя , выдвинутой Гельмгольцем в 1879 г. [c.277]

Первую количественную теорию строения двойного электрического слоя на границе металл — раствор связывают обычно с именем Гельмгольца. По Гельмгольцу (1879), двойной электрический слой можно уподобить плоскому конденсатору, одна из обкладок которого совпадает с плоскостью, проходящей через поверхностные заряды в металле, другая — с плоскостью, соединяющей центры [c.267]

Дальнейшие наиболее крупные этапы развития электрохимии следующие. В 1833—1834 гг. Фарадей открыл законы электролиза. В 1879 г. Гельмгольц создал первую теорию двойного электрического слоя на границе металл — электролит. В 1889 г. Нернст предложил теорию возникновения напряжения в электрохимических системах, позволившую получить количественные выражения для [c.11]

Теория Гуи оправдывается лучше всего там, где теория Гельмгольца оказывается неприложимой, и наоборот, последняя дает лучшую сходимость с опытом в тех случаях, когда первая дает неверные результаты. Отсюда вытекает, что строение двойного электрического слоя должно представлять собой некоторое сочетание моделей, предложенных Гельмгольцем и Гуи. Такое предположение было сделано Штерном (1924) в его адсорбционной теории двойного электрического слоя. Штерн полагал, что определенная часть ионов удерживается вблизи поверхности раздела металл — электролит, образуя гельмгольцевскую обкладку двойного слоя с толщиной, отвечающей среднему радиусу ионов электролита . Остальные ионы, входящие в состав двойного слоя, распределяются диффузно с постепенно убывающей плотностью заряда. Для диффузной части двойного слоя Штерн, так же как и Гуи, пренебрег [c.272]

Теория Гельмгольца о двойном электрическом слое на Ю верх-ности частицы находится в тесной связи с адсорбционными явлениями, однако в настоящее время структура двойного слоя рассматривается совершенно иначе. [c.206]

Существенным недостатком изложенной теории двойного электрического слоя, предложенной Гельмгольцем, является то, что эта теория не проводит различия в распределении зарядов во внутренней и внешней обкладках двойного слоя, тогда как [c.125]

Существенным недостатком изложенной теории двойного электрического слоя, предложенной Гельмгольцем, является то, что эта теория не проводит различия в распределении зарядов во внутренней и внешней обкладках двойного слоя, тогда как в действительности такое различие имеется. Заряды внутренней обкладки прочно зафиксированы на поверхности ядра частицы [c.150]

Теория двойного электрического слоя начала развиваться значительно раньше современного направления электрохимической кинетики и к моменту возникновения последнего достигла уже известного совершенства благодаря работам Г. Гельмгольца, Ж- Гун, Д. Чапмена и О. Штерна. А. Н. Фрумкин развил термодинамическую теорию [c.12]

Первоначальная теория двойного электрического слоя принадлежит Гельмгольцу, который представлял двойной электрический слой в виде конденсатора, одна из обкладок которого образована зарядами, расположенными непосредственно на поверхности жидкого металла, а другая состоит из ионов, заряды которых имеют знак, противоположный знаку заряда поверхности жидкого металла. Эти ионы, подошедшие из глубины электролита, располагаются вплотную к поверхности металла, и при условии, что заряд иона сосредоточен в его центре, расстояние между двумя обкладками конденсатора составит величину, равную радиусу иона. Чем выше температура, тем более плотным становится диффузионный слой и тем больше его толщина. [c.236]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология