Поле критическое

Все сверхпроводники делятся на сверхпроводники I и И рода. Основное различие между ними состоит в их поведении в магнитном поле. Сверхпроводящее состояние сверхпроводников I рода разрушается практически сразу же ио достижении магнитным полем критического значения. К сверхпроводникам I рода относятся все чистые сверхпроводящие вещества, за исключением ЫЬ. [c.222]

Одновременно уменьшается средний радиус струи R под действием тянущей силы или ускорения в гравитационном поле. Критическая длина жидкой нити (х ) определяется равенством величин б (л ) и R(x ). [c.243]

В теории самосогласованного поля критические индексы находятся явным образом <х = О, р = 1/2, = 1, б == 3, [c.61]

В отсутствие внешнего магнитного поля он ведет себя просто как два параллельно соединенных джозефсоновских контакта ), так что вольт-амперная характеристика имеет вид (1.5), но с удвоенным критическим током (/кр =2/ кр). Наложение магнитного поля приводит к тому, что в кольце сквида наводится экранирующий ток, который на одном контакте складывается с внешним током /, а на другом — вычитается из него (рис. 3). В результате, как следует из анализа с использованием уравнений Джозефсона (1.1) и (1.2), эффективный критический ток сквида как целого оказывается периодически зависящим от внешнего магнитного поля. Критический ток максимален, когда кольцо сквида пронизывается магнитным потоком с целым числом квантов потока т.е. круговой ток в нем равен нулю, а минимален Лер при полуцелом числе квантов потока. Глубина модуляции магнитным полем растет с уменьшением величины i pLo (JLo - индуктивность кольца сквида), достигая половины Лер при [c.15]

Переход Фредерикса. Характер влияния внешнего поля на нематик зависит от ряда параметров. Например, знака диэлектрической анизотропии Ае, деформационных модулей упругости нематика (нематик, как говорилось выше, подобно кристаллу и в отличие от жидкости обладает отличными от нуля деформационными модулями упругости), характера сцепления молекул нематика с поверхностями ячейки, геометрии опыта. Замечательным свойством переориентации структуры нематика под действием внешнего поля является пороговый (по полю) характер изменения структуры в поле, перпендикулярном поверхностям ячейки при планарной исходной ориентации нематика. Это означает, что в полях меньше критического изменения структуры нематика не происходит. И только по достижении критической величины поля структура нематика начинает претерпевать изменения. Сам же характер изменения таков, что непосредственно выше критического поля Ес эти изменения малы, однако быстро нарастают по мере превышения полем критического значения. [c.44]

Одним из примеров образования двойного электрического слоя является электризация жидкостей и сыпучих материалов при их транспортировании по трубопроводам. Накопление электрических зарядов и увеличение разности потенциалов происходит до тех пор, пока напряженность поля не достигнет критической величины. Тогда происходит пробой воздуха. Критическая напряженность поля, при которой наступает пробой, составляет примерно 30 кВ/см. Под воздействием разрядов статического электричества может загореться любая горючая смесь, образующаяся в производственных процессах. [c.339]

Как было показано Б. В. Дерягиным и А. С. Ахматовым, под действием силового поля металла в тонких граничных слоях жидкость (смазка) приобретает свойства, существенно отличные от свойств жидкости в объеме. Существует критическая толщина граничной пленки (Лк), меньше которой прекращается скольжение между молекулярными рядами смазки. При этом слои с толщиной ниже критической способны выдерживать [c.239]

Обобщая полученные результаты и опираясь на многочисленные расчеты, следует сказать, что, заменяя в некоторой области диаграммы реальный газ идеальным, у которого / у < I, мы получаем значения КПД, удовлетворяющие нас по точности совпадения с действительными значениями. То обстоятельство, что при йу < 1 в процессе сжатия i) o < ( ,, а в процессе расширения 1]пол > 4s. > огя в реальном рабочем веществе все будет наоборот, может быть препятствием к применению метода условных температур только при ky <<С 1. Однако, как показывает опыт, даже для такого вещества как R12, обладающего высокой сжимаемостью, средние значения показателя изоэнтропы ky, определенные по формулам (3.47) и (3.48) для конечных интервалов давлений, становятся меньше единицы только в области, близкой к критической точке, и отличаются от нее не более чем на 2—4 %. При таких близких к единице значениях ky изоэнтропный и политропный КПД практически совпадают независимо от того, будет k , больше единицы или меньше ее. [c.123]

По данным работы [655], диэлектрическая изотерма сорбции воды на торфе также является ломаной линией. На основе калориметрических сорбционных опытов было высказано предположение, что первым двум участкам изотермы отвечает различная энергия связи молекул с центрами сорбции, а третьему, с наибольшей производной е7 а, — образование в процессе сорбции водородных связей между сорбированными молекулами. Существенно, что при критической величине сорбции ао обнаруживается резкое увеличение коэффициента диэлектрических потерь е", обусловленное, по-видимому, значительным возрастанием электропроводности материала вследствие образования цепочек из сорбированных молекул и функциональных групп сорбента — карбоксильных (СООН), гидроксильных (ОН) и других полярных групп. При этом предполагалась возможность эстафетного механизма переноса протона вдоль цепочек, что обусловливает значительное возрастание е и е". Наличие протонной проводимости и протонной поляризации позволяет объяснить не только большие величины с1г /<1а, но и частотную зависимость критической гидратации Со, обнаруженную для ряда сорбентов [646, 648]. Здесь необходимо отметить, что при измерении диэлектрических характеристик применяются слабые электрические поля, которые не могут повлиять на про- [c.245]

Критическая напряженность поля по формуле (3.27) [c.76]

Величины ей и ац табулированы для многих газов [2] или могут быть вычислены методом подобия по известным значениям критических параметров Рс,- и и фактору ацентричности силового поля молекулы сог [c.74]

Можно, используя метод термодинамического подобия (уравнение 3.14), найти корреляцию диффузионного фактора разделения с критическими параметрами и фактором ацентричности силового поля молеку газа [c.80]

Таким образом, анализ неустойчивости трещины в хрупком теле на основе силового и энергетического критерия дает один и тот же результат, поскольку величина у считается постоянной материала при заданных условиях (среда, температура и др.). Приближенно у = 0,01 Его (го - межатомное расстояние). Из уравнения Гриффитса следует, что д/2Еу = а- [п1. Выражение <тл/тг называют коэффициентом интенсивности напряжений (КИН) и обозначают для трещины отрыва через Кь Условие неустойчивости представляется в виде К( = К с, (или Кс), где Кс и К1с - критический КИН при плоском напряженном состоянии и плоской деформации соответственно. Критерий Кс (Кк) впервые предложен Ирвиным. Достоинством этого подхода является то, что величина К1 определяет поле напряжений и деформаций в области верщины трещины и поддается расчетному определению. Например, нормальное напряжение Оу, действующее в направлении действия силы, выражается через К1 по [c.121]

Если при испытаниях моделей контактное упрочнение реализуется полностью, то можно говорить о вязком разрушении. В некоторых случаях, из-за контактного разупрочнения металла, вязкое разрушение возможно и при Р<Ркр. В этом случае поле линий скольжения изменяется таким образом, что предельная нагрузка будет меньшей, чем Ркр. Не исключена возможность разрушения мягкой прослойки в результате потери устойчивости пластических деформаций. С использованием критерия Ткр производят оценку предельного состояния моделей с вырезами (или трещинами) из пластических, но деформационно слабо упрочняющихся материалов [1]. В модели с односторонним вырезом (плоская деформация) поле линий скольжения состоит из двух наклонных под углом 45° к оси образца плоскостей, исходящих из кончика надреза. Равенство работ на приращение скольжения по указанным плоскостям и от внешней нагрузки дает следующие значения критических напряжений [c.130]

Основным параметром трещиностойкости является коэффициент интенсивности напряжений Кс - количественная характеристика поля напряжений на стадии возникновения разрушения вблизи вершины трещины. Критическое значение коэффициента интенсивности напряжений - Ki - это предельное значение Кс при наибольшем стеснении пластической деформации, т. е. в условиях плоской деформации, соответствующих разрушению отрывом, т. е. хрупкому. [c.238]

Критическая напряженность поля кр определяется по уравнению [c.24]

В точках, где доли отгона соответствуют выявленным спектральными методами критическим состояниям, мы планируем произвести кратковременные воздействия УЗ-, электрическим и электромагнитным полями на карбонизуемую систему. Для этого снизу установки проделано отверстие для волново- [c.28]

Разряд статического электричества возникает тогда, когда напряженность электростатического поля над поверхностью диэлектрика или проводника, обусловленная накоплением на них зарядов, достигает критической (пробивной) величины. Для воздуха пробивное напряжение составляет примерно 30 кВ/см. [c.170]

Согласно расчетам [42], критическая напряженность внешнего электрического поля, при которой капелька разрывается, равно [c.49]

Из формулы (27) следует, что критическая напряженность поля повышается с увеличением межфазного поверхностного натяжения и уменьшением радиуса капельки. Это понятно, чем больше силы поверхностного натяжения и чем меньше размер капельки, тем она устойчивее и тем большая требуется напряженность поля для ее разрушения. [c.49]

Пленки с цилиндрическими доменами. Если к монокристалли-ческой бездефектной магнитной пленке с осью легкого намагничивания, направленной перпендикулярно к плоскости пленки, приложить вдоль этой оси небольшое магнитное поле, то размеры доменов с намагниченностью, совпадающей с направлением магнитного поля, будут увеличиваться за счет уменьшения размеров доменов с противоположной намагниченностью (см. гл. VI). По достижении приложенным полем критической величины домены, имеющие форму островков , превращаются в устойчивые цилиндрические магнитные домены в виде пузырьков [14]. [c.506]

Ламинарный режим при движении потока в прямой, гладкой и круглой трубе при острых краях входного сечения наблюдается при значениях Ре < 2300 (рис. 3.5). Неустойчивый ламинарный режим движения может существовать и при значениям Ре, превышающих Ре,ф, причем даже небольшие возмущения или начальная турбулентность во входящем потоке вызывают переход к турбулентному режим (рис. 3.6). Например, в случае движения в трубах проводящих жидкостей при наложении поперечного магнитного поля критическое значение критерия Рейнольдса может сущес1венно превышать 2300. Развитый турбулентный режим наступает при значениях Ре > 10 . Критическое значение критерия Рейнольдса характерно для каждой группы процессов. Если для движения в прямых круглых трубах Ре р = 2320, то для движения в змеевиках Ре, р = / йЮ), как показано на рис. 3.7. Следует отметить, что, например, для процесса осаждения Рбкр = = 0,2, для перемешивания Ре,ф = рпс1и 1 = = 50 и т. п. [c.58]

Дебай с сотрудниками [603—605] рассмотрел также влияние на явление критической опалесценции электрического поля. Показано, что линейная зависимость диэлектрической постоянной от состава смеси искривляется при наложении поля. Критическая температура Тк при этом понижается (л 0,015°). Результаты эксперимента с системой 2,2,4-триметилпентан — нитробензол хорошо согласуются с теоретическим расчетом. Далее было показано [605], что, изучая критическую опалес- [c.288]

При е < О последовательное применение рекуррентного соотношения (38.29) приводит к тому, что в неподвижной точке и = 0. Таким образом, при размерности пространства d > 4 + т/2 неподвижная точка является гауссовой, и критическое поведение системы будет классическим, т.е. совпадать с предсказаниями теории феднего поля. Критическая размерность пространства для системы в точке Лифшипд оказывается 4 + + т/2 вместо 4 в обычной ситуации. При d, меньшем критического значения, е> О, и неподвижная точка уравнений (38.28) и (38.29) может быть выделена в первом порядке по параметру е, который будем полагать малым. [c.239]

Образование МДС особенно активно происходит при критических изотермах 40,33,27,4,0,4, -6, -10, -16, -20, -34, -40° С, соответствующих (иногда с небольшим превышением, обусловленным изменением фазовой прочности кристалла в атмосферном электрическом поле) критическим точкам фазовых переходов аллотропных форм льда (40,33,27° С - лед VI-лед VII, 4° С - лед VII-лед VIII, 0,16° С - У-жидк.-У1 -6,-10° С -IV-V -16° С -Ш-жидк.-У -20° С - III-IV -34° С - I-II-III -40° С - IV-V) [17]. [c.390]

Для химической формы движения, т. е. для химического процесса, характерно изменение числа и расположения атомов в молекуле реагирующих веществ. Среди многих физических форм движения (электромагнитное поле, движение и превращения элементарных частиц, физика атомных ядер и др.) особенно тесную связь с химическими процессами имеет внутримолекулярная форма движения (колебания в молекуле, ее электронное возбуждение и ионизация). Простейший химический процесс—элементарный акт термической диссоциации молекулы имеет место при нарастании интенсивности (амплитуды и энергии) колебаний в молекуле, особенно колебаний ядер вдоль валентной связи между нимн. Достижение известно критической величины энергии колебаний по направлению определенной связи в молекуле приводит к разрыву этой связи и диссоциации молекулы на две части. [c.17]

В отличие от поверхности жидкостей, не все точки поверхносте й вердых тел равноценны в отношении их адсорбционной способ-ости. При малых концентрациях газов адсорбция происходит мо-омолекулярно по наиболее активным участкам адсорбента — его активным центрам , представляющим собой отдельные атомы или руины атомов поверхности, силовое поле которых наименее на-ыщено. При адсорбции газов, находящихся при температурах (инее их критической температуры, мономолекулярная адсорбция увеличением давления может переходить в полнмолекулярную. [c.323]

Mashelkar R. А., Brit. hem. Eng., 15, 1297 (1970). Барботажные колонны (критический обзор литературы по гидродинамике, тепло- и массообмену в полых, насадочных п секционированных барботажных колоннах со сплошным слоем жидкости). [c.285]

Из (7.25) с учетом всех членов разложения согласно табл. 7.5 следует, что при 2<2,48 уравнение (7.26) имеет только одно решение 5 = 0. При большей плотности числа частиц в системе появляются дополнительные решения 5т и —Зт, причем они соответствуют минимуму свободной энергии (7.25). Фазовый переход при плотности sL = 2,48 — переход второго рода, поэтому полученное в рамках самосогласованного поля решение может оказаться некорректным. Отметим, что pa мaтpивae faя модель близка к модели проницаемых сфер, рассматриваемой в [352] с целью изучения критических явлений. [c.130]

В системе сорбент — сорбированная вода реактивное поле по мере увлажнения сорбента растет, что обусловливает увеличение дипольного момента комплекса даже в том случае, когда дополнительно сорбированные молекулы непосредственно не взаимодействуют с комплексом. При этом изменение е может происходить не только за счет роста е , но и за счет увеличения бос. В наибольшей мере это должно проявиться тогда, когда приращения Дея и Деоо в результате увлажнения материала отличаются незначительно. В этом случае увеличение е системы обусловлено протонной поляризацией в большей степени, чем ориентационной. Можно предположить, что при включении слабого электрического поля при измерении диэлектрических характеристик системы сорбент — сорбат происходит ориентация диполей, которая способствует переносу протона вдоль Н-связи. Последнее вызывает переход КВС из молекулярной в ионную форму. Вероятность такого перехода в системе сорбент — сорбат зависит от диэлектрической проницаемости среды, окружающей КВС она резко увеличивается при определенной для данной системы критической величине йо- [c.247]

Фенол — типичный полярный растворитель со средней раство-ряюш,ей способностью и средней избирательностью. Под влиянием силового поля молекул фенола в раствор переходят смолистые вещества, полициклические углеводороды, органические соединения серы. С увеличением кратности отношения растворителя к сырью и с повышением температуры растворяющая способность фенола повышается. При температуре, близкой к критической температуре растворения, в экстрактный раствор начинают переходить желательные ароматические углеводороды с длинными алкильными цепями и нафтеновые углеводороды. [c.245]

При растекании потока перед решеткой линии тока искривляются. Если в качестне распределительного устройства взята плоская (тонкостенная) решетка, у которой в отличие, например, от трубчатой решетки проходные отверстия не имеют направляюш,их стенок (поверхностей), то возникаюш,ее поперечное (радиальное) направление линий тока, т. е. скос потока, неизбежно сохранится и после протекания жидкости через отверстия. Это вызовет дальнейшее растекание, т. е. расширение струйки 1 и падение ее скорости за счет сужения струйки 2 и повышения ее скорости. Чем больше коэффициент сопротивления решетки, тем резче искривление линий тока при растекании жидкости по ее фронту, а следовательно, за решеткой значительнее расширение сечения и соответственно уменьшение скорости струйки 1 за счет струйки 2. Вследствие этого после определенного (критического или оптимального) значения коэффициента сопротивления Сопт плоской решетки, при котором поток за ней полностью-выравнивается, т. е. скорости в обеих струйках становятся одинаковыми, дальнейшее увеличение приводит к тому, что за решеткой скорость струйки 2 возрастает даже по сравнению со скоростью струйки /, возникает новая деформация поля скоростей в виде обращенной илн перевернутой неравномерности (рис. 3.3). [c.80]

Дополнительные замечания и расчетные формулы. Согласно формуле (4.28) неравномерность потока уменьшается с ростом коэффициента сопротивления тонкостенной решетки до Ср = Скр = опт = 2. При Ср = 2 величина К = Адагг/Ажо = О, т. е. неравномерность исчезает. С дальнейшим увеличением Ср неравномерность возникает опять и возрастает, но имеет обратный знак, так что создается перевернутое поле скоростей. При критическом значении коэффициента сопротивления, т. е. ири Ср = 2, когда за решеткой достигается Ашгг = О- на решетке поток остается неравномерным, и согласно выражению (4.18) отклонение от средней скорости Ашр = 0,5Ашог- [c.98]

Помимо прямоугольных находят применение круглые (цилиндрические) волноводы. Как и в прямоугольных волноводах, в волноводах круглого сечения могут распространяться Е- и Я-волны различных типов, для обозначения которых также пользуются двумя индексами (т, п). Первый индекс т характеризует число периодов изменения напряженности поля по угловой координате, а второй п - по радиусу. При т = О поле является осесимметричным, например о1 и Основным типом вошы в круглом волноводе является волна Яц. Следует заметить, что структура поля волн одинаковых индексов в прямоугольных и круглых волноводах существенно различна. Критические длины волн в круглых волноводах зависят от типа волны и диаметра П волновода [c.88]

Вне этой зоны в начальный момент закоксовывания трубы были относительно свободными от кокса. Так как в закоксован-ных участках труб ухудшается теплообмен, то температурное поле изменяется и закоксаванность увеличивается по длине змеевика. Давление возрастает до предельно допустимого, после чего установку останавливают и проводят чистку труб печи. Следовательно, особенно важно не допустить начала отложения кокса. Подавать пар можно в несколько точек возможной критической зоны (2—3). Количество турбулизатора должно быть не меньше 1% при коксовании прямогонного сырья и 3% при коксовании крекинг-остатка (желательно 5—10%). [c.99]

Далее мы фиксируем эффект от наложения полей в критических точках на характеристики получаемого продукта. Для пеков - это температура размягчения Тр, и фракционный состав - аь й , р, у-фракции, для коксов - выход летучих, содержание серы, пикнометрическая плотность. Необходимо также провести серию контрольных экспериментов и осуществить наложение внрпщ тх воздействий в интервалах между критическими точками. Предполагается, что в этом случае эффект наложения полей должен быть минимальным. [c.29]