Маскирование комплексообразованием

Самый важный и наиболее распространенный вид маскирования — комплексообразование, когда МР селективно образует с мешающим катионом комплекс, более прочный, чем комплексонат определяемого элемента. [c.665]

Если значения Ец2 отличаются очень мало, то волны практически сливаются. Существует ряд приемов, позволяющих определить вещества с близкими значениями 1/2. Наиболее часто для увеличения разности значений ,/2 используют комплексообразование и электрохимическое маскирование (применение ПАВ). [c.170]

В случае реакций комплексообразования степень маскирования можно характеризовать снижением условной константы равновесия. Так, предложено считать, что мешающий компонент полностью замаскирован, если 1д/С 2. С другой стороны, количественное протекание реакции можно ожидать, если g/ 7. В случае конкурирующих реакций комплексообразования степень протекания реакций маскирования можно оценить коэффициентами избирательности (КИ) и маскирования (КМ) [c.121]

Наиболее часто для маскирования используют реакции комплексообразования. Например, ионы серебра можно маскировать по отношению к хлорнд-ионам с помощью аммиака. Если j + = 0,l моль/л и =0,1 моль/л, их произведение [c.237]

Приведенные примеры служат только иллюстрациями использования реакций комплексообразования для маскирования ионоз. Более подробные сведения по этому вопросу следует искать в специальной литературе. [c.239]

Наиболее часто для маскирования используют реакции комплексообразования. Например, ионы серебра мон<-но маскировать по отношению к хлорид-ионам с помощью аммиака. Если Сд = 0,1 моль/л, их произведение Сд + = 0,01. Согласно (17.12) для маскирования ионов серебра необходимо создать условия, при которых реальная константа растворимости хлорида серебра больше 0,01 или < 2. Из рис. 25 видно, что это возможно [c.244]

Маскирование, основанное на реакциях комплексообразования, — наиболее распространенный и универсальный прием. Маскирующий агент М — это лиганд, способный образовывать устойчивое комплексное соединение с V. [c.530]

Второй способ устранения нежелательного влияния катиона металла заключается в его маскировании и широко применяется в аналитической химии для определения одних катионов на фоне других, в текстильной и бумажной промышленности для отбеливания тканей и бумаги [связывание ионов железа(П1)], в пиш евой промышленности при очистке продуктов от катионов, катализирующих процессы окисления и прогоркания жиров, в химической промышленности. При этом маскируемый катион остается в рабочем растворе, но благодаря связыванию его в высокоустойчивый комплексонат не может вступать в характерные для него реакции и другие взаимодействия. В качестве маскирующих реагентов используются либо полидентатные комплексоны универсального действия для связывания большой группы катионов, либо высокоселективные хеланты для избирательного воздействия на определенный катион, не затрагивающего ионы других металлов. При выборе хеланта для конкретных условий учитываются относительная устойчивость образуемых им комплексонатов рассматриваемой группы катионов, их растворимость, кинетика окислительно-восстановительных реакций, кинетика комплексообразования, каталитические свойства. [c.440]

Реагенты, с помощью которых удается устранить действие элементов, мешающих определению искомого компонента, причем без их отделения, называются маскирующими. Наиболее распространенным видом маскирования является комплексообразование. Мешающий элемент образует с маскирующим реагентом комплекс более прочный, чем с основным реагентом, применяемым для определения содержания искомого элемента. Определяемый же элемент не должен давать с маскирующим веществом комплекс, более прочный, чем с реагентом, которым он определяется. [c.48]

Гравиметрические методы анализа менее избирательны, чем другие методы анализа. Избирательность, как было отмечено выше, может быть повышена при использовании органических аналитических реагентов-осадителей, реакций внешнесферного комплексообразования, приемов маскирования, регулирования pH среды и др. [c.162]

Согласно Шварценбаху [69], под термином маскирование можно понимать все химические процессы (кислотно-основные реакции, процессы комплексообразования, осаждения и окисления-восстановления), которые предотвращают дальнейшие превращения маскируемого вещества. Рингбом [70] определяет маскирование как процесс, приводящий к такому изменению условной константы равновесия некоторой реакции, при котором эта реакция идет лишь в незначительной степени или с практически не измеримым выходом. [c.176]

Будем считать, что реакция комплексообразования М-ЬУ М является практически маскированной , если 99,9% металла М остается не связанным в комплекс с реагентом , так что [МУ] см=1 10 =а. Тогда преобразование уравнения (3.30) для случая см см и Су су ([М ] столь мала в сравнении с см и Си что ею можно пренебречь) дает [c.177]

Коэффициенты активности в уравнении (25-5), а следовательно, коэффициенты селективности и коэффициенты разделения зависят от концентрации электролита в растворе и на смоле. Доля свободных ионов металла ав зависит от таких факторов, как гидролиз, комплексообразование и маскирование (см. разд. 23-5). [c.537]

Процессы комплексообразования широко используются для маскирования ионов. Это основано на общих уравнениях [c.171]

Комплексообразование широко используется в полярографии для разделения элементов, имеющих близкие потенциалы, и для маскирования мешающих элементов. По сдвигу потенциала полуволны при комплексообразовании и по зависимости потенциала от концентрации комплекса можно сделать вывод о строении комплекса и о его прочности. [c.82]

Решение. Полное маскирование ионов серебра можно считать достигнутым, если [Ag+]= [ дg]aдg+ МО-8 моль/л или 1/ +> 1-Ю [Сд ] При [ дg] = О, моль/л l/aдg+> 1-10 . Следовательно, если при избирательном комплексообразовании Ag(I) Ь aдg+ превысит 1-10 , то маскирование Ag (I) можно считать достигнутым. Мольная доля гидроксокомплексов Ag (1), 3 [c.345]

Маскирование путем комплексообразования. Подавляющее большинство методов маскирования основано на образовании растворимых устойчивых комплексов. Маскирующее вещество при этом должно быть избирательным комплексообразующим веществом, так чтобы определяемый металл М как можно более слабо, а ме- [c.136]

В табл. 10 приведены важнейшие способы комплексообразования (маскирования) элементов. Для отдельных элементов указаны наиболее типичные или наиболее прочные комплексы. В таблице указаны также цианидные и аммиачные, а также цитратные и тартратные комплексы ряда металлов (тартратные комплексы, как правило, более прочны в щелочных средах, в то время как цитратные в кислых). Приведены также кислородные (Д 0 , ВеО ) и гидроксильные (например, [А1(0Н)4] ) комплексы. [c.67]

СТИ К изменению какого-либо аналитического свойства в системе (изменение окраски, появление осадка и т. д.), причем по возможности для одного катиона. Вспомогательные реагенты используют для предотвращения образования труднорастворимых соединений, для маскирования и т. д. Для маскирования обычно применяют групповые монодентатные неорганические комплексообразующие реагенты, такие, как р-,, СЫ- В принципе можно оценить степень разделения сравнением констант устойчивости всех комплексов, которые могут быть образованы в данной системе всеми присутствующими катионами со всеми добавленными хелатообразующими реагентами. Однако это не только утомительное и довольно смелое предприятие , но часто практически нереальное из-за отсутствия всех необходимых данных. Поэтому целесообразно сразу же указать на возможность качественной оценки относительной устойчивости различных комплексов в зависимости от природы катиона. Катионы металлов по их способности к комплексообразованию можно разбить на определенные группы [1895, 1918, 1919], для разделения и маскирования которых можно использовать групповые, или общие, реагенты. [c.59]

Зная константы равновесия комплексообразования, теперь можно во многих случаях предсказать при помощи простого расчета, какой ион металла или какой лиганд будут мешать проведению данной реакции комплексообразования 378, 453], какой лиганд окажется удобным для маскирования данного иона металла при данной реакции и каким образом позже можно освободиться от маскировки [115, 379]. [c.9]

Для того чтобы определить, до какой степени протекли реакции маскирования и реакции комплексообразования, проводимые с целью анализа в присутствии маскирующего комплексообразователя, Ченг [115] предложил ввести коэффициенты избирательности и маскирования [c.39]

Если кроме ионов металла и лиганда, необходимого для реакции комплексообразования, в растворе находится также и маскирующий агент, протекание главной реакции тем благоприятнее, чем больше коэффициент избирательности, а эффект маскирующего реагента выражен тем сильнее, чем меньше значение коэффициента избирательности. Для наглядности Ченг [115] приводит значения коэффициентов избирательности и маскирования для ряда реакций комплексообразования (табл. 11 и 12). Значения этих коэффициентов, очевидно, зависят от концентраций реагентов и их соотношений, так как в принципе [c.39]

Рассматриваются основные вопросы аналитической химии — протолитические и редоксиравновесия, равновесия комплексообразования, равновесия между твердой и жидкой фазами. Излагаются основы химической термодинамики и кинетики. Разбираются химические, электрохимические и фотометрические методы определения веществ, точность определений в количественном анализе, маскирование и методы разделения Во 2-е издание (1-е— 1980 г.) включены электродные равновесия и процессы и фотометрия. [c.2]

Знание констант устойчивости комплексов позволяет рассчитать концентрации комплекса и образующих его частиц. Константы устойчивости изменяются в очень широких пределах от нуля (отсутствие комплексообразования) до Различие в устойчивости комплексов используют в любых методах, но прежде всего на этом основаны реакции маскирования и комплексоиометрический метод. Реакции маскирования ( внутреннего отделения ) применяют, когда надо устранить мешающее влияние того или иного иона, чаще металла. В этом случае к раствору прибавляют специальный реагент, образующий с мешающим определению металлом комплекс более устойчивый по сравнению с комплексом определяемого металла с аналитическим реагентом. Такой прием называют маскированием, а соответствующий реагент — маскирующим. Реакции маскирования очень часто используют как в качественном, так и в количественном анализе. [c.44]

Распространенным приемом повышения селективности комплексонометрического титрования является маскирование, которое позволяет устранить действие мешающих нонов без их отделения. Применяют приемы маскирования, основанные на реакциях комплексообразования, осаждения, окнсле- [c.362]

Следовательно, в этих условиях ионы цинка реакцию давать будут, а ионы меди нет. Таким образом,. маскирование при помощи комплексообразующего реагента связано с тем, что добавляемый комплексующий реагецт связывает мещающий ион в соединение более прочное, чем соединение с применяемым реагентом, в то время как определяемый ион с этим реагентом не взаимодействует. Однако чаще всего в реакцию вступает как маскируемый ион, так и определяемый. В этом случае необходимо следить, чтобы связывание определяемого иона не приводило к понижению его концентрации ниже предела обнаружения. Как видно из приведенного выше примера, иногда можно теоретически рассчитать процесс маскирования комплексообразующими реагентами. Для таких расчетов очень важны значения констант устойчивости комплексов и приведенные в разд. 1.7 ряды комплексообразования. [c.265]

Общая минимальная концентрация NHg в растворе, необходимая для маскирования 0,1 моль/л Ag (I), составит [С н,] 2 дg = 1,2 + + 2 0,1 = 1,4 моль/л. Следовательно, при концентрации NH3 не менее чем 1,4 моль/л ионы Ag (I) можно замаскировать и аммиаком. Но эффективность маскирования аммиаком меньше, чем сульфит-ионами, так как для достижения практически одинакового результата равновесная концентрация аммиака должна быть в 10 раз больше, чем концентрация сульфит-ионов. Тем не менее добавление NH3 к ионам S0 " следует признать целесообразным, поскольку NH3 создает необходимую для pH = 9,5 щелочную среду, и кроме того, при концентрации [ Mjj ] 1 10 /(7,1-10 ) =0,12 моль/л эффективность маскирования сульфит-ионами будет повышаться за счет дополнительного комплексообразования Ag (I) аммиаком. [c.346]

Найдено, что для обработки полученных данных при экстракции в отсутствие маскирующего комплексообразования можно использовать уравнение (2) или (5). Для обработки данных, полученных при экстракции с маскированием, было использовано уравнение, которое представляет собой модификацию уравнений, выведенных Рюдбергом [12], Вэгдженером и Стугтоном [13]. [c.143]

Реакции комплексообразования в химическом анализе используют для количественного определения ионов методом комплекси-метрического титрования, а такл<е для маскирования ионов, для предотвращения осаждения гидроксидов в процессе титрования, для изменения кислотно-основных и окислительно-восстановительных свойств системы. Для этих целей пригодны различные реакции комплексообразования, в том числе и протекающие ступенчато. Реакция ступенчатого комплексообразования для комплек-симетрического титрования может быть применена лишь в том случае, когда один из комплексных ионов, образующихся на какой-либо стадии, резко отличается по устойчивости от другого комплексного иона, который образуется на предыдущей или последующей стадиях комплексообразования. Ступенчатые константы устойчивости при этом должны различаться не менее чем в 10 раз (Д lg/(/ 1 4). Применение реакций ступенчатого комплексообразования для титриметрического определения ионов ограничено небольшим числом практических примеров [27, 53, 66] и поэтому здесь не рассматривается. [c.100]

Светопоглощающие соединения, применяемые в фотометрическом анализе, в большинстве случаев являются комплексными или хелатными (внутрикомплекс-ными) соединениями. Поэтому возможности фотометрических методов и полу чаемые результаты во многом зависят от условий проведения анализа, и в первую очередь от состояния основного и конкурирующих равнввесий реакций комплексообразования и протонизации [84]. Для количественной оценки относительной устойчивости светопоглощающих соединений в реальных условиях, степени их образования и маскирования применяют условные константы устойчивости [22, 28, 29], которые при заданных условиях могут быть рассчитаны теоретически или определены экспериментально [28]. [c.140]

Комплексообразование как способ понижения концентрации свободных ионов металла в растворе находит в аналитической химии широкое применение, особенно при осуществлении реакций маскирования и демаскирования , при осаждении гидроокисей металлов, сульфидов и металлорганических комплексов, а также в количественных экстракционных методах. Свойства комплексов важны также для ионного обмена и хроматографии. Комплексные соединения используют и при окончательном определении элементов при помощи таких физических методов, как спектрофотометрия, потенциометрия, полярография, хронопотен-циометрия или кондуктометрия. Электроосаждение как метод отделения или выделения различных элементов тоже связано с использованием процесса комплексообразования последний может обеспечить присутствие ионов металлов в достаточно низких концентрациях (это необходимо для получения ровных и плотно прилегающих осадков), а также позволяет создать условия, гарантирующие выделение из растворов лишь определенных металлов. На рис. 1 показано влияние концентрации лиганда на относительный состав обычной смеси, которая может быть подвергнута электролизу. В последнее время комплексометрическое титрование, особенно с применением этилендиаминтетрауксусной кислоты (EDTA) и ее производных, позволило проводить прямое объемное определение ионов металлов в растворе. [c.107]

Естественно, маскирование часто может быть нежелательным, например, когда присутствие щавелевой кислоты ухудшает осаждение сульфида молибдена или образование фосфоромолибдата. При выполнении капельных проб иногда наблюдаются неожиданные реакции маскирования — ионы металлов, в том числе меди и золота, сильно сорбируются целлюлозой бумаги и обработка соответствующим реагентом не приводит к ожидаемому эффекту. С другой стороны, в присутствии винной кислоты как маскирующего агента и при тщательном контроле pH из раствора, содержащего вольфрам, можно выделить МоОз или M0S3 (W находится в подгруппе периодической таблицы ниже Мо, поэтому образует с тартратами более устойчивые комплексы и, следовательно, труднее осаждается). Учитывая природу иона металла, характер атомов лигандов, с которыми он предпочтительно участвует в комплексообразовании, и число связей металл—лиганд, которые может образовать данный ион, часто можно предсказать, насколько вероятны такого рода помехи. Так, маскирование реакции роданида с Ре(П1)-ионами фторидом, фосфатом, [c.145]

Нижеописанный метод осно1ван на реакции комплексообразования между кобальтом и а-нитрозо-(3-нафтолом и способностью полученного комплекса экстрагироваться в условиях маскирования хрома аммиаком [1]. [c.105]

Кинетическое маскирование. Существуют ионы металлов, образующие устойчивые комплексонаты, присутствие которых тем не менее не мешает титрованию других металлов, потому что эти ионы очень медленно реагируют с комплексообразующим веществом. Такие ионы Рейли метко назвал кинетически замаскированными . Хорошим примером является хром (III), в присутствии которого без помех можно титровать другие металлы, хотя константа устойчивости rY равна приблизительно Смесь хрома (III) и ЭДТА оставляют на продолжительное время, для того чтобы произошло заметное комплексообразование. Это явление наряду с другими используют для разделения смеси железа, хрома и алюминия [57 (29)]. [c.140]

Данных о прочности комплексных соединений ионов-ката-лизаторов с теми или иными лигандами недостаточно для оценки маскирующего действия комплексообразователей, необходимы также сведения о каталитической активности образующихся комплексов. Для маскирования мешающих ионов представляют интерес лишь каталитически неактивные комплексы этих ионов. Поэтому ценность констант райновесия реакций комплексообразования, полученных кинетическим методом, несомненна. [c.151]

Недавно было предложено использовать для субстехиометрического выделения соосаждение в сочетании с реакциями комплексообразования, окисления и восстановления [188]. Этот вариант основан на различной способности ионов соосаждаться с каким-либо осадком, в зависимости от формы нахождения того или иного иона в растворе. Определяемый ион переводится частично субстехиометрическим количеством реагента в другое валентное состояние или в комплексный ион (например, с помощью комплексона и его производных). Было показано, например, что в присутствии субстехиометрических количеств ЭДТА ионы Fe +, ТР" , Со и Мн соосаждаются на Ti(0H)4, в то время как ионы MeY — не соосаж-даются. В последнее время принцип субстехиометрии стали применять и для маскирования мешающих определению элементов [189, 190]. Для этого добавляют маскирующий реагент в количестве меньшем, чем это требуется по стехиометрии, но достаточном, чтобы снизить отношение мешающего элемента к определяемому до допустимого предела. [c.120]

Особенное значение это имеет в процессах комплексообразования, маскирования, реакций окисления — восстановления, кислотногосновного взаимодействия и т. п., в которых диаметрально противоположные реакции взаимно обусловлены, неразрывно связаны между собой и не могут рассматриваться изолированно друг от друга. [c.28]

Ири отделении примесей от макрокомионентов пробы важную роль играет комплексообразование (маскирование) правильно выбранный маскирующий реагент связывает основу пробы и не мешает количественному выделению микрокомпонентов с носителем. [c.66]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология