Зародышей образование Захват

Нет принципиальных отличий и в механизме роста кристаллов из газовой фазы и, например, из раствора. Атомы, достраивающие кристалл, адсорбируются на его поверхности и быстро диффундируют по поверхности кристалла на большие расстояния до того, как они вновь испарятся или будут захвачены ступенями роста в том месте, где они образуют наибольшее число связей с кристаллом. Многократное повторение таких захватов адсорбированных атомов ступенями роста приводит к тому, что ступень роста за счет этого достраивания движется по поверхности кристалла до тех пор, пока она не достигнет грани кристалла. Когда это произойдет, ступень роста как таковая исчезает и, чтобы рост кристалла продолжался, необходимо образование новой ступени. Ее образование начинается с адсорбции или хемосорбции одиночного атома на поверхности и развивается присоединением к нему соседних атомов. Средний радиус зародыша г, с достижением которого такой островок начинает разрастаться, можно найти из условия, что вероятность присоединения атома равна вероятности его отрыва [c.375]

Стабилизатор участвует в образовании частиц-зародышей и понижает межфазное натяжение (снижает энергию активации и значение пороговой молекулярной массы снижает вероятность захвата увеличивает число частиц-зародышей). [c.169]

Диффузионный захват с агрегативным зародышеобразованием. Образование зародышей частиц в органической среде может происходить за счет агрегации олигомеров, а не вследствие самозарождения (см. стр. 162). В этом случае по-прежнему можно ввести в рассмотрение пороговую молекулярную массу олигомера, необходимую для зародышеобразования, и соответствующее значение Ь, хотя они уже больше не будут независимыми от концентрации олигомеров и в лучшем случае будут идеализацией статистического распределения молекулярных масс олигомеров, осаждающихся при зародышеобразовании. Если среднее число образующих зародыш олигомеров равно Q, то фундаментальное уравнение (IV.42) преобразуется к виду [c.182]

Образование объемных и плоских зародышей требует затраты энергии. Поэтому скорость образования новой фазы, дисперсность, совершенство решетки и другие параметры, в том числе захват примесей, зависят от избыточной энергии реакции приготовления. Это один из частных выводов теории приготовления катализаторов, предложенной нами 14 лет назад и названной позже теорией пересыщения [c.43]

ИЗ дибензила, остаются вблизи друг друга и могут рекомбинировать. Поскольку при термическом разложении органических соединений происходит обычно гомолитическое расщепление, то этот эффект захвата повышает термическую стабильность органических соединений в твердом состоянии. Было найдено, например, что перекись лара-хлорбензоила в бензольном растворе заметно разлагается при 70°, но в кристаллическом состоянии никакого разложения при этой температуре не наблюдалось в течение долгого времени. Небольшое разложение кристаллов было обнаружено при 80° при этом скорость процесса указывала на механизм образования зародышей, типичный для реакций в твердом состоянии [17]. Весьма тонкое исследование влияния вязкости системы на величину эффекта захвата проведено на примере термического разложения несимметричных ди азосоединений [35] по схеме [c.246]

Значительное переохлаждение приводит к образованию большого числа зародышей. Между этими одновременно растущими центрами кристаллизации появляется конкуренция при захвате атомов из жидкости, что препятствует образованию крупных кристаллов и поэтому вблизи стенок изложницы образуется зона мелких равноосных кристаллов. Эти кристаллы также составляют и наиболее чистую часть слитка, так как первыми из замерзающего раствора выделяется твердый растворитель, т. е. железо, а остающаяся жидкая сталь обогащается примесями. Быстрая кристаллизация стали вблизи стенок изложницы сопровождается освобождением значительного количества тепла, что уменьшает переохлаждение, а также скорость зарождения центров кристаллизации. Вследствие этого происходит постепенный рост кристаллов на стенках изложницы ( корочки ) и образуются удлиненные столбчатые кристаллы. Они направлены перпендикулярно к стенкам изложницы. [c.217]

На рис. 5.11, а показано расположение атомов на идеальной поверхности (100). Внешний слой атомов образован либо атомами А, либо атомами В. Каждый атом А (или В) внешнего слоя связан с двумя атомами В (А) нижнего слоя двумя связями. Таким образом, каждый атом внешнего слоя располагает двумя свободными связями, которые могут быть использованы для установления связи с новым атомом этот последний после закрепления в решетке представляет опять две свободные связи для захвата нового атома. Поэтому атомы могут присоединяться к поверхности в индивидуальном порядке, т. е. без образования двумерных зародышей. Однако каждый новый слой должен состоять только из атомов одного сорта, т. е. кристалл должен в каждый момент времени селективно отбирать из смеси атомов во внешней фазе то атомы А, то атомы В. Поскольку такая селекция маловероятна, послойного роста-быть не должно, и присоединение атомов А и В происходит одновременно с нарушением гладкости поверхности, т. е. рост осуществляется распространением слоев разной высоты и по своей природе беспорядочен, а поэтому сопровождается возникновением дефектов. [c.263]

Скорость образования частиц сажи определяется процессом взаимодействия радикалов-зародышей с исходными молекулами углеводоро да и процессом их захвата частицами сажи, который тормозит образование новых частиц. Поэтому брутто-скорость образования частиц сажи можно выразить в виде [c.23]

Согласно теории Шмидта, образование спутников планет происходило в едином процессе с образованием самих планет. Мы уже говорили, что частицы первоначального облака собирались вместе, образуя сгущение различных размеров. Поэтому возле зародыша будущей планеты возникало множество сгущений, которые вращались вокруг него по эллиптическим орбитам. Многие из них сталкивались друг с другом и падали на планеты. Однако некоторые из них сохранялись, они присоединили к себе окружающие частицы пыли и более ме.пкие сгущения и в конце концов превратились в спутники планет. Некоторые ученые процесс образования спутников представляют себе несколько иначе. Известно, что под влиянием силы притяжения планет, особенно с большой массой, орбиты движения астероидов могут изменяться. При известньгх условиях может даже произойти захват астероида большой планетой, и тогда он превращается в ее спутника. Таким путем, однако, нельзя объяснить образование очень больших спутников, таких, как Луна. Образование же спутников малых размеров из астероидов, вообще говоря, вполне вероятно. [c.150]

Подавление возникновения зародышей захват олигомеров. Если конкурирующие процессы отсутствуют, то образование зародышей может продолжаться в течение процесса полимеризации до тех пор пока имеется свободный мономер. В агрегационной модели образование олигомеров в случае повышения порога пересыщения приводит вначале к бурному зарождению частиц, за которым следует спад из-за уменьшения пересыщенности последнее обусловлено осаждением частиц. Затем наступает стационарное состояние, когда скорость инициирования олигомеров уравновешивается скоростью их расходования на образование зародышей. Напротив, согласно модели самозарождения, скорость процесса все время пропорциональна скорости инициирования, постепенно уменьшаясь по мере расходования мономера. [c.166]

Следовательно, соотношение количеств олигомерных молекул, подвергающихся захвату или участвующих в образовании зародышей, определяется их равновесным распределением непосредственно перед процессом необратимого удаления, а не за счет диффузии. Этот подход по сущест1ву аналогичен исследованию скоростей химических реакций в теории переходных процессов [78]. [c.167]

Теория диффузионного захвата Фитча и Тзаи. В предложенной Фитчем и Тзаи модели образования частиц предполагается, что каждая инициируемая в разбавителе олигомерная молекула образует новый зародыш частицы, если только она достигнет пороговой степени полимеризации Р до того, как будет захвачена уже существующей частицей (рис. IV.И). Время, необходимое для того, чтобы дорасти до такого размера, дается соотношением [c.179]

Соосаждение на стадии образования зародышей новой фазы в большинстве случаев не имеет серьезного практического значения, так как размер зародышей весьма мал (—10 см) [4] и захват ими примеси не будет заметным при малом их числе N. При большом же числе N система окажется неустойчивой из-за быстрого оствальдова созревания и картина распределения при образовании центров будет мгновенно затушевана вторичными процессами. Соосаждение при укреплении и растворении частиц осадка весьма распространено. Пути раздельного изучения этих двух видов соосаждения можно выявить при помощи уравнения [c.246]

Важная отличительная черта длительного фотолиза этих солей (т. е. эффекта получения изображения) состоит в том, что здесь, так же как и в случае бромида серебра, равномерное освещение поверхности вызывает образование отдельных металлических зародышей. Если не учитывать возможных аномальных скоростей в начале облучения, то скорость фотолиза люжно считать постоянной и не зависящей ни от перерывов облучения в вакууме, ни от непрерывного выделения металлического продукта. Прежде всего нужно выяснить, каким путем однородное освещение вызывает рост зародышей. Первая попытка объяснения этого явления была сделана Моттом [61], который предположил, что процесс разложения включает перенос как ионов, так и свободных электронов. Облучение ВаЫ,. светом с "к = 2Ъ >7к, соответствующим длинноволновой части полосы поглощения решетки, вероятно, приводит к появлению свободных электронов, так же как и в AgBr. Эти подвижные электроны движутся по кристаллу, пока они не захватываются некоторыми неизвестными чувствительными центрами , возможно, анионными вакансиями. Предположим, что ловушка захватывает два электрона и таким образом заряжается отрицательно после этого она притягивает ион Ва , находящийся в междуузлии, который диффундирует по направлению к ней и получает два электрона таким образом, ловушка восстанавливается и процесс может начаться вновь. В результате повторного захвата двух электронов и одного Ва к зародышу добавляется еще один атом бария. [c.115]

В реальных кристаллах, содержащих около 10 дислокаций в единице объема, течение начинается, когда микронапряжения достигают величины, соответствующей энергии деформации 10 кал-см , между тем как идеальный кристалл может выдержать деформацию, соответствующую энергии порядка 100 кал-см . Если даже не считать, что кристаллы близки к идеальным, то вполне вероятно, что зародыш ядра объемом 10 см не только не содержит дислокаций, но что он также окружен веществом, которое в пределах поля деформационных сил вокруг зародыша является по существу идеальным. В таком случае вещество, подвергающееся разложению, может выдерживать напряжения, возникающие в результате упругих деформаций вблизи зародышей, соответствующие энергии до 100 кал-см . Это означает, что энергетически более благоприятные условия для образования зародышей ядер наблюдаются на дислокациях и на поверхности, хотя это не единственная причина гетерогенного и поверхностного характера образования зародышей. Как будет видно далее, основными факторами, определяющими место образования зародышей, является вероятность захвата и возможность выделения газообразных продуктов. Из рассмотренного в настоящем параграфе следует, что при разложении типичного твердого вещества междуповерхност-ная энергия деформации может достигать до 1 ккал молъ . Этого достаточно, чтобы объяснить медленный рост небольших ядер. [c.18]

Оригинальный метод возможного обоснования экспоненциального закона был предложен Хиллом [64]. Исходя из результатов исследования реакций перманганата калия и металлов Хилл пришел к выводу, что впереди продвигаюш,ейся поверхности раздела ядра существуют зародыши ядер, для активации которых необходимо лишь, чтобы они могли захватывать ионы продукта реакции, диффундирующие вдоль подходящих для их движения путей впереди фронта реакции. Он предполагает, что если ядро образуется в узле сетки дислокаций, то ионы продукта могут диффундировать вдоль дислокаций в соседние узлы, где они и образуют новые активно растущие ядра. Он разработал математическую форму этой модели и показал, что при известных условиях эта модель приводит к экспоненциальному закону. В возможности существования механизма Хилла не приходится сомневаться однако следует указать, что он объясняет только более высокую скорость образования ядер по соседству с растущими ядрами. Другая возможность такого рода инфекции, которая может иметь место даже в отсутствие электронной и ионной подвижности, рассмотрена в предыдущем параграфе. Это автокаталитическая активация преимущественно вдоль линейных дислокаций, вызванная просто более низкой энергией активации но пути дислокаций. Следует также учитывать 1) сдвиги по границам зерен впереди продвигающейся границы раздела, вызывающие образование трещин, на которых ядра могут возникать в результате трибохимических процессов 2) захват на изломах дислокаций электронов, отдаваемых ядрами металла в результате термического возбуждения и главным образом 3) образование в результате объемных деформаций спиральных и призматических дислокаций, как описывают этот процесс Митчелл и соавторы [65]. [c.61]

Центральными теоретическими проблемами являются выяснение пути, по которому при поглощении как минимум 4 квантов света в кристаллах галогенида серебра образуются зародыши скрытого изображения установление химической реакции захвата, по которой гибнут фотоэлектроны и фотодырки, образованные в первичной реакции фотолиза и, наконец, выявление концентрационного механизма коагуляции фотолитически образованных атомов серебра в проявляемые зародыши. В настоящее время в литературе сложились две теории, которые базируются на следующих основных положениях [c.58]

Характер кривых /(зфф=ф(. 4), имеющих для всех исследуемых нами материалов явно выраженный оптимум, определяется тем, что повышение эффективности очистки идет до определенной, оптимальной для данной скорости кристаллизации амплитуды ультразвуковых колебаний. В этом случае возрастает интенсивность перемешивания расплава и уменьшается величина пограничного слоя. Появление кавитационных полостей способствует выравниванию фронта кристаллизации. При этих условиях эффективный коэффициент распределения примеси стремится к равновесному Ко- С другой стороны, при интенсивности ультразвука 0ольше оптимальной происходит разрущение фронта кристаллизации, уменьшается критический радиус зародышей, возрастает число центров кристаллизации. Это приводит к измельчению кристаллических зерен и образованию мелкозернистой структуры материала. Увеличение числа межзеренных границ способствует захвату примеси растущими кристаллами и, следовательно, приводит к ухудшению кристаллизационной очистки. Учитывая этот эффект, можно объяснить стремление /Сэфф к 1 при больших интенсивностях ультразвука. [c.429]

Уменьшение величины ср. по мере увеличения числа оборотов мешалки позволяет предполагать, что при этом скорость образования зародышей несколько обгоняет скорость роста кристаллов. Последнее объясняется структурой турбулентного движения, которая по мере возрастания степени турбулентности становится все более измельченной в отношении отдельных вихрей и участков пульсирующих скоростей [39, 40]. При интенсивном турбулентном движении становится возможным захват и выброс в соседние участки среды все более мелких кристаллических образований — дозародышей . Следовательно, становится все более эффективным ускоряющее действие размешивания на образование зародышей. В то же время влияние все более интенсивного перемешивания на скорость роста кристаллов постепенно уменьшается [8, 41]. [c.113]

Во многих теориях образования скрытого изображения предполагалось, что с момента образования частицы серебра, способнай захватывать электроны, происходит увеличение квантового выхода. Экспериментальное исследование Хеджеса и Митчелла показало, что частицы серебра не захватывают электронов, даже если они достаточно велики, чтобы служить центрами проявления. Такой результат является неожиданным. Действительно, если бы даже изолированные атомы серебра и пары атомов серебра не могли захватывать электроны, то более крупные частицы должны соединяться с ионами серебра и приобретать положительный заряд. Можно было ожидать, что положительно заряженная частица будет служить устойчивой ловушкой электрона, однако экспериментальные данные не подтвердили этого предположения. Отсюда следует, что частицы серебра не играют основной роли в захвате электронов при освещении. Эту роль выполняют центры светочувствительности, с которыми частицы серебра могут быть связаны, но сами эти частицы служат просто зародышами для конденсации атомов серебра, образовавшихся путем захвата электронов ионами серебра на соседних поверхностях. Повышение [c.64]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология