Линейные дефекты кристаллической структуры

Линейные дефекты кристаллической структуры [c.322]

Все дефекты кристаллической структуры можно условно разделить на два типа точечные и линейные. [c.110]

Дебая температура 50, 51 Дебая—Шерера метод 46 Дефекты кристаллической структуры линейные 54 [c.187]

Рассмотрим прежде всего результаты структурных исследований морфологических образований, получаемых кристаллизацией из раствора. Обнаруженная в конце 50-х гг. морфологическая тождественность выращенных из разбавленных растворов пластинчатых кристаллов низкомолекулярных нормальных парафинов и линейного полиэтилена дала основание Келлеру (см. [33]) предположить, что последние также могут считаться истинными (молекулярными) монокристаллами с минимальной равновесной концентрацией дефектов. Поскольку очевидными дефектами кристаллической структуры полимерных монокристаллов являются участки перегибов макромолекул в складчатой конформации (петли), это предположение означает, что при переходе на растущую грань кристалла каждая макромолекула должна складываться регулярно , т. е. достраивать кристаллическую решетку при минимальной длине петли, которая определяется размерами элементарной ячейки кристалла (рис. V. 1,6). [c.156]

Линейные дефекты кристаллической решетки — дислокации — благодаря присущей им мозаичной структуре вызывают заметное расширение линий дебаеграмм и поэтому довольно легко могут быть обнаружены рентгеновскими методами [И]. Образование дислокации в кристалле наглядно проявляется в его пластической деформации, которая происходит волнами с нарушением правильности строения решетки в узкой области. Решетка кристалла у центра дислокации сильно искажена механическими напряжениями и атомы смещены с их нормальных положений [14 [c.11]

Рассмотрим, какие искажения вносят тепловые и примесные дефекты в структуру кристаллов, а также влияние подобных искажений на свойства твердых тел. Тепловые дефекты возникают как следствие тепловых колебаний частиц в узлах пространственной решетки кристалла. Обычно тепловые колебания частиц не приводят к нарушениям идеальной структуры кристалла. Исключения возникают, если та или иная частица или группа частиц приобретают повышенный запас кинетической энергии и покидают узлы кристаллической решетки. В зависимости от геометрии возникающих при этом дефектов их можно разделить на три группы точечные, линейные и поверхностные. [c.79]

Влияние линейных и плоских дефектов на свойства твердых тел. Более сложным видом нарушений структуры кристалла являются линейные дефекты или дислокации. Их возникновение обусловлено нарушением местоположения целой группы частиц, размещенных вдоль какой-либо воображаемой линии в кристалле. Возникновение дислокаций требует большой энергии, поэтому их число мало зависит от температуры кристалла и в обычных кристаллических образцах имеет порядок 10 —10 в 1 см . Как правило, дислокации образуются в процессе выращивания кристалла или при его механической и термической обработке. [c.81]

Адсорбция примесей вызывает нарушения в построении кристаллической решетки, которая содержит точечные (вакансии и примеси), линейные (краевые и винтовые дислокации) и плоскостные дефекты. Высокая концентрация вакансий обуславливает резкое повышение скорости диффузионных процессов, количество дефектов в кристаллической решетке увеличивается. Дефекты кристаллической решетки оказывают существенное влияние на физические свойства образующихся осадков. В некоторых случаях на электроде возникает жидкоподобная структура — металлические стекла. Не имея границ зерен, они являются однородными метастабильными системами и часто обладают более высокой коррозионной стойкостью по сравнению с кристаллическими осадками такого же химического состава. [c.267]

Любое искажение или нарушение регулярности в расположении атомов кристалла естественно считать дефектом кристаллической решетки. Наличием дефектов реальный кристалл отличается от идеальной кристаллической решетки, и ряд свойств реального кристалла определяется его дефектной структурой. Характер влияния дефекта на физические свойства кристалла существенно зависит от размерности дефекта. Под размерностью мы понимаем количество измерений, по которым дефект имеет макроскопические размеры. . Точечным (или нульмерным) дефектом называется искажение кристаллической решетки, сконцентрированное в объеме порядка величины атомного объема. Если правильное расположение атомов нарушается лишь в малой окрестности некоторой линии, то соответствующий дефект мы будем называть линейным (или одномерным). Наконец, когда нарушение правильного расположения атомов в решетке сосредоточено вдоль участка некоторой поверхности, захватывая слой толщиной порядка межатомных расстояний, то в кристалле существует поверхностный (или двухмерный) дефект. [c.174]

С тех пор как было установлено существование точечных дефектов в кристаллических веществах, стало известно, что эти дефекты способны взаимодействовать друг с другом. Первоначально внимание исследователей было обращено на наиболее заметные физические. эффекты, связанные с наличием изолированных точечных дефектов, например на особенности спектров и электронных свойств твердых тел, а природа взаимодействий между дефектами не обсуждалась. Однако ясно, что химические свойства кристаллических твердых веществ в значительной мере определяются взаимодействиями дефектов — одинаковых или различных — взаимодействиями, приводящими к образованию комплексов дефектов и далее в результате кооперативного взаимодействия к агрегатам или упорядоченным структурам из дефектов или их комплексов. Данную статью не следует рассматривать как обзор обычного типа, в ней лишь излагается определенная точка зрения по этому вопросу. Мы попытаемся разобрать физические модели и механизмы, на основе которых можно объяснить некоторые химические и физические свойства твердых веществ. Мы не будем рассматривать здесь линейные дефекты или дислокации, которые также могут взаимодействовать с точечными дефектами или между собой и играют важную роль в кинетике химических реакций твердых веществ. [c.371]

Структуру границ зерен можно представить двояким образом. Одним из возможных типов границ являются малоугловые границы, показанные на рис. 2.3. Эти границы состоят из выстроенных в ряд краевых дислокаций и возникают при небольшой разориентировке растущих кристаллических плоскостей. Ширина таких границ приближается к атомным размерам, и они служат границами раздела блоков внутри зерна. Несмотря на то, что блок может и.меть сам по себе точечные и линейные дефекты, он является достаточно совершенным кристаллом и для рентгеновских лучей будет представлять область когерентного рассеяния. [c.40]

Пластическое деформирование кристаллических твердьа тел связано с появлением и передвижением в их объеме особых линейных дефектов структуры, подзываемых дислокациями (см. гл. IV, 4). Дислокация отделяет в плоскости скольжения ту часть кристалла, в которой произошло смешение атомов на одно межатомное расстояние, от той части кристалла, где такого смещения еще ае происходило (рис. Х1-31). Перемещение дислокации через весь кристалл приводит к сдвигу в плоскости скольжения на одно межатомное расстояние. Движение дислокаций может тормозиться различными дефектами кристаллической решет -кн инородными атомами, включениями, другими дислокациями, границами блоков монокристаллов, двойниковыми гр 1вицами, границами зерен в полик- [c.404]

ДЕФЕКТЫ МЕТАЛЛОВ - нарушения регулярной кристаллической структуры металлов. Возникают при изготовлении и эксплуатации металлических изделий. Существенно влияют на свойства металлов. Д. м. классифицируют по морфологическим (наружные, внутренние, в сочленениях), генетическим (механические, термические, диффузионные, коррозионные, адсорбционные, радиационные, эрозионные, кавитационные, сварочные и др.) и структурным (трещины, поры, неметаллические включения, разнозернистость и др.) признакам. Кроме того, есть физ. классификация Д. м. (см. Дефекты в кристаллах), основывающаяся на атомном строении дефектов. В зависимости от размера Д. м. подразделяют на субмикродефекты, микродефекты и макродефекты (табл.). Субмикродефекты — нарушения регулярной кристаллической структуры металлов в атомном масштабе. Различают субмикродефекты точечные, линейные, поверхностные и объемные. Точечные нарушения бесконечно малы в трех измерениях. Возникают при вычитании атомов металла (вакансии и твердые растворы вычитания), внедрении собственных (атомы в междоузлиях) или инородных атомов (твердые растворы внедрения), а также замещении собственных атомов инородными (твердые растворы замещения). Образуют скопления в отдельности или в комбинации. Линейные субмикродефекты малы в двух измерениях и протяженны в третьем. Из них наибольшее значение имеют дислокации, обусловливающие мех. и др. свойства [c.336]

С ростом внешней нагрузки всегда наступает момент, когда закон Гука нарушается. Причиной этого является то, что некоторые межатомные связи разрываются, атомы приобретают новых соседей. Ясно, что, во-первых, этот процесс не может быть линейным, а во-вторых, ему будут способствовать дефекты кристаллической решетки. Действительно, любое искажение регулярности кристаллической структуры (это и называется [c.9]

Интенсивность нолос поглощения при 3718 и 909 см линейно уменьшалась по мере потери воды образцом. Потери воды определяли весовым методом. Однако при полном исчезновении полосы поглощения в образце оставалась некоторая часть гидроксильных групп. Ми.ллер приписал их гидроксильным группам, оставшимся после полного сжатия октаэдрического слоя. Стюбикэн и Рой (1961) независимо друг от друга сообщили о наблюдении слабых полос поглощения гидроксильных групп, на существование которых после дегидроксилирования каолинита при 650° указывали результаты весового анализа. Частично дегидрокси-лировапный каолинит рассматривали как дефектную кристаллическую структуру. Наблюдавшиеся полосы поглощепия приписывались гидроксильным группам, захваченным в местах дефектов решетки. [c.416]

Вскоре после открытия дифракции рентгеновских лучей благодаря количественным измеретшям интенсивностей отраженных лучей стало ясно [6], что структура реальных кристаллов далека от идеальной. Иными словами, идеальные кристаллы, по первоначальному представлению кристаллографов, состоящие из соответствующим образом правильно упакованных элементарных ячеек, редко, если вообще когда-нибудь, существуют в природе. Результаты последних исследований механических свойств [7—И] кристаллов и их роста [И] привели к представлениям о существовании дислокаций (или, как их часто называют, линейных дефектов) двух главных типов, которые характеризуются нарухпеннем идеальной кристаллической решетки. [c.212]

В первом томе этой книги, состоящем из четырех глав, образованные макромолекулами кристаллы охарактеризованы на молекулярном уровне степенью сохранения дальнего порядка в положении атомов и самим положением атомов макромолекулы в кристаллической решетке (разд. 2.4). Показано, что факторами, определяющими образование различных кристаллических структур, являются потенциальные барьеры вращения вокруг ковалентных связей, существование поворотных изомеров и соблюдение принципа плотнейшей упаковки (разд. 2.3). Морфология кристаллов, как было обнаружено, тесно связана с макроконформацией молекул полимеров (разд. 3.2), а ла-мелярная и фибриллярная формы кристаллов являются наиболее общими и наиболее хорошо сформированными габитусами полимерных кристаллов (разд. 3.3 и 3.8). В разд. 4.2 и 4.3 также показано, что детальная характеристика кристаллического состояния линейных макромолекул в большой степени осложняется наличием кристаллических дефектов. [c.15]

Эта глава посвящена отжигу макромолекулярных кристаллов и представляет собой пог1Ытку суммировать результаты процесса, являкнцегося логическим завершением того, что было изложено в серии глав о кристаллах линейных макромолекул. Основой для понимания кристаллов служит описание их структуры, морфологии и дефектов (гл. 2 — 4). Зарождение и рост кристаллов (гл. 5 — 6) — процессы, в результате которых происходит образование исходной кристаллической структуры, Отжиг характеризует возможные изменения в этой исходной кристаллической структуре. [c.443]

В табл. 3 приведены значения межплоскостных расстояний для атактических сополимеров А-16 с ИПА и МА-16 с МАК. Как видно из этих данных, при введении до 50—60 мол. % сомономера сополимеры сохраняют кристаллическую структуру гексагонального типа и величину большого периода, свидетельствующую о сохранении слоевой упаковки макромолекул. Значения температур и теплот плавления для сополимеров уменьшаются с увеличением содержания ИПА. Снижение температуры плавления сополимеров происходит медленнее, чем должно быть по теории Флори, что связано с кристаллизацией сополимеров за счет боковых ответвлений. Теория Флори применима для кристаллизации линейных полимеров и не учитывает особого случая кристаллизации гребнеобразных полимеров за счет упаковки боковых цепей. Таким образом, для сополимеров гребнеобразного строения кристаллизация за счет упаковки боковых цепей осуществляется легко и в широком интервале составов, т. е. введение посторонних звеньев вносит сравнительно небольшой дефект в упаковку гребнеобразных молекул. Наоборот, при введении даже небольших количеств А-16 (4—6 мол. %) в нолинзопронил-акрилат изотактического строения последний становится аморфным, а при увеличении содержания А-16 до 10% сополимер обнаруживает все признаки гексагональной упаковки цепей, что наглядно демонстрирует влияние длинных боковых групп на способность полимеров к кристаллизации и открывает перспективы возможного регулирования этих процессов за счет введения длинноцепных мономеров в линейные полимеры путем сополимеризации. [c.147]

К температурным переходам релаксационного типа в не очень сильно закристаллизованных полимерах обычно относятся как переходы, свойственные полностью аморфным полимерам, так и переходы, обусловленные той или иной кристаллической структурой и связанными с ней дефектами. По терминологии Гоффмана, Вильямса и Пассаглиа у линейных кристаллических полимеров, имеющих складчатые кристаллы, возможно существование нескольких областей релаксации а, р, у. [c.148]