Большой проектор

Широко распространенный проектор типа БП (большой проектор) предназначен для контроля плоских и объемных деталей, главным образом сложной конфигурации, таких. как шаблоны, кулачки, [c.222]

Для контроля точных и мелких деталей сложной конфигурации, изготовляемых точной штамповкой или методом обработки по копирам, на некоторых передовых заводах оптико-механической промышленности разработан и внедрен в производство метод контроля деталей на теневых проекторах типов БП (большой проектор) и ЧП (часовой проектор). [c.273]

Общеизвестно большое значение эмиссионного спектрального анализа, особенно для определения малых количеств загрязнений и добавок в сплавах, примесей в минералах. От высокой температуры искры или электрической дуги возбуждается спектр испускания металлов — эмиссионный спектр. Излучение разлагается специальными приборами — спектрографами и фотографируется. Для наблюдения спектров в увеличенном виде применяют спектро-проекторы (рис. 1). [c.19]

Для предупреждения утомления при демонстрации кинофильмов, диафильмов, диапозитивов, просмотре учебных телевизионных передач большое значение имеют условия просмотра. Демонстрация диафильма или просмотр телепередач, так же как и любая зрительная работа, особенно в неблагоприятных условиях, может вызвать значительное напряжение зрения. Следует учитывать, что продолжительность зрительной работы (чтение учебников, книг, просмотр телепередачи, кино, диафильмов) у школьников в течение недели достаточно велика. Наибольшую по времени зрительную нагрузку создает просмотр телепередач и кинофильмов, что может быть одним из факторов развития или прогрессирования расстройств зрения. Одна из основных величин, которая определяет зрительное восприятие,— яркость изображения, что зависит главным образом от параметров проектора, характеристики экрана и объекта проекций. [c.79]

Толщинометрия и контроль внутреннего строения малогабаритных изделий может успешно производиться в проекционном режиме работы или с помощью проекторов [1, 2], имеющих мощный осветитель и предназначенных для контроля с выносом увеличенного изображения на матовый экран (обычно затененный) большого размера. Их применение дает наибольший эффект при массовом контроле однотипной продукции (штамповка, плоские детали и т. п.), повышает производительность контроля, а также его достоверность за счет устранения грубых ошибок и улучшений условий труда оператора. В этом случае на выходной экран проектора наносят шаблон или линии, показывающие допустимые отклонения формы или размеров. С помощью микроскопа осуществляют трехмерные измерения геометрических размеров. Размеры объекта в направлении, перпендикулярном линии визирования, определяют с помощью отсчетного устройства путем смещения предметного столика с расположенным на нем контролируемым объектом до совпадения соответствующих точек объекта с центром поля зрения микроскопа и считывания в эти моменты расстояния. Помимо этого, измерение этих размеров может осуществляться в плоскости изображений по измерительной сетке, отградуированной по эталонам с учетом увеличения микроскопа. Геометрические размеры в направлении линии визирования измеряются с помощью механизма точной фокусировки, которая должна производиться до макси- [c.244]

Возможности эмиссионной микроскопии полностью раскрываются только при измерении поверхностной диффузии. Однако при осуществлении затенения эмиттера газом возникает целый ряд проблем, связанных с изучением миграции постоянных газов. Необходимо иметь в системе направленный источник газа, а также обеспечить удаление избыточного газа, который не осел на источнике высоковольтной эмиссии. Гомер [44г] нашел весьма остроумное решение, погрузив свой прибор целиком в жидкий гелий. Холодные стенки прибора захватывают любые соударяющиеся с ними молекулы газов, за исключением гелия и водорода. После этого осаждение газа на эмиттере можно осуществить путем активации соответствующего источника (как это обсуждается в разделе IV, Е, 1), вмонтированного в колбу электронного проектора. Но эта методика требует больших количеств жидкого гелия, а наблюдение поверхностных явлений производится через охлаждающую жидкость и поэтому довольно затруднительно. [c.182]

Следовательно, такое ускорение десорбции полем следует приписать бомбардировке адсорбированного водорода электронами ( 10 электронов на каждый поверхностный атом в минуту), туннелирующими из газа, образующего изображение. В настоящее время это представляет собой одно из важнейших ограничений в использовании ионного проектора для адсорбционных исследований и вновь указывает на необходимость большой осторожности как при получении, так и при интерпретации изображения, возникающего в ионном проекторе. Однако влияние этой бомбардировки не так заметно в случае газов, отличных от водорода. [c.241]

Хотя адсорбция и подвергается сильному воздействию при возникновении ионного изображения и опыты следует проводить и интерпретировать с большой осторожностью, все же иоиный проектор позволяет получить важную информацию о разнообразных адсорбированных веществах. Кроме того, предварительные данные, полученные в лаборатории автора, показывают, что, уменьшая требуемый для получения изображения ток в 10 раз, можно подавить побочные реакции, встречающиеся даже в случае водорода. Поэтому более четкие ионные изображения должны в ближайшем будущем привести к расширению использования этого проектора. [c.244]

Данный метод получения чистых поверхностей весьма специализирован, но несмотря на это имеет чрезвычайно большое значение. Он с успехом используется для очистки положительного электрода — острия в электронном проекторе, для очистки кремния, германия [102], вольфрама [103], с его помощью выяснены основные особенности процесса хемосорбции на чистых металлах и т.д. Тем не менее метод имеет свои недостатки и ограничения. Во-первых, для защиты исчезающе малой поверхности нити, очищенной от загрязнений, в свободном состоянии требуется высокая вакуумная техника. Во-вторых, метод, вероятно, применим только к металлам, точки плавления которых лежат не ниже 2500 °С. В противном случае все примеси, температура плавления которых выше указанной, вследствие распыления самого металла будут не уменьшаться иа [c.161]

В последнее время электронный проектор привлек к себе большое внимание из-за открытой возможности наблюдения в нем за отдельными молекулами адсорбированных веществ [1]. Эти опыты проводились пока только с крупными органическими молекулами, которые мало пригодны для изучения элементарных стадий адсорбции и катализа. Поэтому в данной работе, проводившейся под руководством С. 3. Рогинского, была сделана попытка наблюдения за адсорбцией на поверхности вольфрамового монокристалла отдельных молекул простых газов и простых органических веществ. [c.164]

Измерение половины угла профиля на микроскопе обеспечивает несколько большую точность, чем на проекторе. Чтобы избежать погрешностей измерения, вызываемых погрешностями базирования, следует измерять профиль по двум сторонам с двух сторон резьбы результат измерения определяют как среднее арифметическое всех четырех измеренных величин (рис. 96, б) [c.202]

Несмотря на широкое применение и бесспорную ценность, этот метод имеет значительные недостатки [347]. Прежде всего измерения поверхностных потенциалов этим методом фактически ограничиваются областью давлений ниже 10 мм рт. ст. Во-вторых, при использовании некоторых адсорбатов, в частности кислорода, имеется вероятность химического воздействия на горячую нить катода, который почти всегда делается из вольфрама. Такое воздействие приводит к искажению результатов. И, наконец, некоторые из изучаемых реакций на поверхности (скажем, нри исследовании адсорбции смешанных адсорбатов) неопределенным образом зависят от концентрации неизбежно присутствующих электронов. Все эти затруднения полностью отпадают нри использовании методов измерения работы выхода, основанных на принципе конденсатора, и устраняются в большей или меньшей степени при использовании методов электронных проекторов. [c.127]

Итак, если каталитическую реакцию разбить на пять общих стадий 1) диффузия реагентов к поверхности, 2) хемосорбция одного или большего числа реагирующих веществ, 3) реакция адсорбированных частиц или взаимодействие мен<ду адсорбированными и газообразными частицами, 4) десорбция продуктов и 5) диффузия продуктов от поверхности катализатора,— методы электронного и ионного проекторов могут дать информацию о стадиях 2— 4. Для стадии 2 можно определить скорости хемосорбции и относительные коэффициенты прилипания. В стадии 3 можно непосредственно наблюдать поверхностную подвижность адсорбированных веществ и зависимость энергетических характеристик диффузии от кристаллографического направления и, кроме того, определить [c.214]

Результатом дальнейщего развития автоэлектронной микроскопии является создание ионного проектора (Мюллер, 1951 г.), который воспроизводит объекты с помощью ионных потоков и обладает большей разрешающей способностью. Монокристаллическое острие нити служит в этом случае анодом. В ионном микроскопе адсорбированные на анодном острие атомы ионизируются н попадают благодаря электрическому полю на люминесцирующий экран, дающий изображение. Наполнение надлежащим газом, например гелием (гелиевый ионный проектор), обеспечивает достаточную ионизацию на металлическом острие. Ионизация происходит на рас- [c.366]

При применении спектроскопического метода измельченную аналитическую пробу исследуемого вещества вводят в пламя дугового или искрового разряда при помощи специальных приспособлений. Под влиянием высокой температуры вещество руды испаряется. При этом раскаленные пары начинают испускать лучи, длины волн которых зависят от природы излучающего вещества. Свет от пламени дуги или искры разлагается при помощи призм, образуя линейчатый спектр, в котором каждая линия характерна для определенных атомов. Спектр изучают визуально или фотографируют. Визуальное наблюдение требует большого практического навыка и довольно утомительно, поэтому более надежно при анализах вести фотографирование. После фотообработки пластинку со снятым спектром рассматривают на специальном приборе — спектро-проекторе. С его помощью можно сравнивать отдельные участки спектра со специальными планшетами, на которых приведен спектр железа. Линии этого спектра [c.61]

Повышение увеличения проектора ведет к ухудшению качества изображения, что заставляет применять в проекторах сложные многолинзовые оптические системы с большими расстояниями между [c.218]

Большие потери света в проекторах заставляют применять мощные источники света. Тепло, излучаемое этими источниками, попадая на измеряемый объект и нагревая его, может изменять размеры последнего. Во избежание температурных погрешностей источник света располагают на достаточно большом расстоянии от измеряемого объекта. Иногда между источником света и оптической системой помещается жидкостный или стеклянный теплофильтр. [c.219]

Обычно измерительный проектор дает на экране контуры всего изделия или одной части его. При выборе увеличения, при котором производится работа на проекторе, следует иметь в виду, что контрольный чертеж может быть выполнен с точностью порядка 0,2— 0,3 мм, поэтому выбирается наименьшее увеличение, при котором такая точность контрольного чертежа будет удовлетворять требуемой точности. Большего увеличения следует также избегать, поскольку с повышением увеличения, как известно, уменьшается поле зрения и ухудшается качество изображения. [c.220]

Увеличение оптической системы проектора должно быть таким, чтобы поле допуска на экране было в несколько раз больше толщины штрихов на экране. [c.222]

Оптический принцип построения проектора заключается в следующем (фиг. 92, а). Объектив 1 проектирует изображение объекта 2 через два зеркала 3 на экран 4. Зеркала регулируются в зависимости от величины объекта таким образом, чтобы изображения границ /С, и /Сг контуров объекта сошлись на какой-то линии К экрана. Тогда одна часть экрана будет освещена одним зеркалом, а вторая — другим. Весь экран будет освещен равномерно полутенью. Если вместо данного объекта поместить другой, большего размера, то на экране появится полностью затемненный участок, величина / которого будет равна [c.230]

При увеличении 50 погрешность контроля на проекторе не превышает 0,01 мм. Применение такого проектора целесообразно только для контроля больших партий деталей, так как настройка проектора довольно трудоемка. Трудоемкость настройки несколько снижается при применении сменных рам с предварительно настроенными на определенные параметры зеркалами [c.232]

На фиг. 93, б показан проектор с большим экраном (диаметр 320 мм). Увеличения прибора (10, 20 и 50 ) сменяются при помощи револьверных оправ для объективов и конденсоров. [c.233]

Опыты с электронным проектором показали, что на плоскостях [ПО] вольфрама при 300° К азот не адсорбируется, хотя другие грани при контакте с газообразным азотом целиком заселены атомами азота. Чтобы конденсация шла на плоскости [ПО], необходимо снизить температуру до 190° К. На других плоскостях адсорбция строго экзотер-мична (АЯ = —3,7 эв) и практически необратима. Эрлих, которому мы обязаны большей частью сведений по этому вопросу, рассчитал, что при 300° К и заполнении поверхности, равном 7-10 2 атомов на 1 см , равновесное давление должно составлять 10 мм рт. ст. или меньше, если энергия связи —N превышает АН =5,3 эв. При 145°К такого заполнения удавалось достигнуть при АН = 5,1 эв. Это значение гораздо ниже величин А Я, получаемых для других плоскостей, для которых А Я =6,7 эв. [c.163]

Для создания больших полярископов применяются поляризационные фильтры диаметром 300—500 мм из органического стекла, в которое заливается поляризационная пленка на основе поливинилового спирта. В оптике органическое стекло используется в ограниченных масштабах, прежде всего вследствие низкого сопротивления царапанию, что сокращает срок службы наружных линз. Однако малая плотность и простая технология производства делают его пригодным Для изготовления крупных линз и призм, так как при этом снижается общий вес оптического прибора, или недорогих оптических устройств, выпускаемых в больших количествах, например детских фотоаппаратов и проекторов. Технически наиболее ценным свойством органического стекла является высокая прозрачность для ультрафиолетовой [c.235]

Телевизионные проекторы широко применяются в дефектоскопии и обладают следующими преимуществами возможностью усиления яркости, конфаста изображения, сравнительно малыми световыми нафузками на объект, равномерным распределением яркости экранов ЭЛТ, высоким качеством изображения (в том числе цветного), возможностью его размножения на нескольких телевизионных приемниках и наблюдения на большом удалении от объекта, ш1фоким спекфальным диапазоном преобразования светового сигнала, который можно наблюдать в невидимых лучах, благодаря этому резко снижается утомляемость операторов, увеличивается производительность фуда. [c.503]

В практике публичных выступлений для демонстрации иллюстративного материала все шире используются различные кодоскопы и проекторы. Для пользования последними необходимо представлять слайды (диапозитивы). Компактность и удобство хранения — большое преимущество слайдов. Перед выступением слайды нужно расположить в требуемом порядке и наклеить на них номера, а возможно и надписи. Имеются определенные соображения о том, как лучше с точки зрения психологии восприятия размещать материал на поле слайда. Вероятно, эти же соображения полезны и при пользовании плакатами. Как и в случае плаката, надо заранее проверить, насколько хорошо воспринимается проекция слайда с большого расстояния. Опыт показывает, что на поле слайда размеры букв и цифр не должны быть существенно меньше 0,75—1,0 мм. Поскольку слайд изготовляется [c.217]

Бреннан, Грехэм и Хейес [124] на основании исчерпывающего сравнения точек В и значений объемов монослоя по БЭТ, полученных при адсорбции криптона и ксенона на большом числе поверхностей напыленных металлов, пришли к выводу, что эффективные площади этих двух молекул по крайней мере на металлических поверхностях имеют по существу одинаковую величину. (Согласно данным более ранних исследований [121, 131], отношение 2хе /2 Кг близко к 1,3.) Исходя из ранее сделанных предположений [120], согласно которым упаковка молекул адсорбата в монослое зависит от расположения адсорбционных центров на новерхности, Бреннен и др. [124] напоминают, что исследования с помощью электронного проектора (см. разд. 3.3.5.1) достаточно ясно показали, какое большое влияние оказывает координационное число адсорбционного центра на адсорбцию инертных газов [132, 133]. Относительно высокое значение энергии активации для поверхностной диффузии, наблюдаемое для криптона и ксенона на вольфраме [134], служит дальнейшим подтверждением этой точки зрения. Значения [124] энергии межатомных взаимодействий (энергии адсорбции, см. разд. 2.2.1), вычисленные нри условии, что эти инертные молекулы находятся на поверхности металла, также подтверждают приведенные выше результаты. Таким образом, можно заключить, что оценка величины поверхности из измерений емкости монослоя окажется ошибочной, если не принимается во внимание зависимость площади поперечного сечения молекулы адсорбата от координации молекулы на поверхности твердого тела. [c.82]

Электронный проектор должен удовлетворять двум требованиям. Во-первых, это должен быть прибор, позволяющий работать в ультравысоком вакууме при давлениях не больше 2-10 им рт. ст., чтобы обеспечить чистоту поверхности в течение всего опыта. Кроме того, он долн ен быть обеспечен таким устройством для введения газа, чтобы не адсорбирующиеся на острие молекулы немедленно откачивались. Это особенно важно при иссле-дован1П 1 поверхпостной Д11ффузии, когда острие сначала подте-пяется с помощью направленного источника газа. [c.184]

Трубка с непрерывной откачкой позволяет исследовать одновременно на острие два (и больше) неконденсирующихся газа. Помимо этого, упрощается и процесс фотосъемки. На рис. 10 показаны проектор, пригодньп для каталитических исследований, и ультравакуумная система. Источник газа представляет собой трубку небо.чьшого диаметра, связанную с трубкой элек- [c.186]

Трубка микроскопа и конструкция устройства, несущего острие, почти такие же, как и в установке, применяемой при исследовании поверхности методом электронной эмиссионной микроскопии, различие лишь в том, что для ионного микроскопа требуется менее плотный экран (1—2 мг/см , а не 4—5 мг/см ) и большая тщательность при приготовлении острия. Для метода ионной эмиссии требуются поля 4,5 В/А, а не 0,3 В/А, как в методе электронной эмиссии, и это означает, что острие электронного проектора при работе в режиме ионного проектора должно эмит-тировать ниже 2000 В, чтобы оставаться в пределах мощности источника (обычно 30 ООО В). [c.208]

В электронной эмиссионной микроскопии очистка эмиттеров и их формирование производятся путем термической обработки. Этот метод, однако, неприменим при подготовке эмиттеров для ионного проектора, поскольку он дает притупленное острие, что недопустимо, так как для получения достаточных ионизирующих нолей требуются очень высокие напряжения. Получить эмиттеры для ионного проектора можно с помощью другого метода — метода десорбции в поле, когда на эмиттер де11ствуют положительным полем большой напряженности, которое сдирает с поверхностп металла адсорбат. При приложении более сильных полей можпо удалять с острия и образующий его метал.т, т. е. осуществить испарение в поле [36]. [c.208]

Имеются различные способы получения более яркого изображения. Это, во-первых, воздействие внутри проектора путем экранирования острия от поля небольшой катушкой [43] (которая может потенциально явиться источником загрязнений в каталитических исследованиях) и, во-вторых, внешнее воздействие путем фотоэлектронной интенсификации изображения [31]. Катушка применяется для ослабления поля вблизи острия и обеспечения более высоких разностей потенциалов между острием и экраном для получения необходимых полей на острие. В результате более высокого напряжения ионы приобретают большие кинетические энергии перед их соударением с экраном. Следовательно, более яркие изображения получают с соответствующим уменьшением времени экспозиции (до стократного). Наиболее успешная внешняя фотоэлектронная интенсификация изображения осуществлена Мюллером и др. [31] они смогли получить мельчайшие разреши-Д1ые детали изображения при усилении около 10 . Ири таком усилении применение ионной микроскопии в катализе представляется весьма перспективным. [c.211]

Ряс. 20. Изображение в поннол проекторе этилена на вольфраме. а —чистая поверхность вольфрама б — адсорбция нескольких молекул этилена в — адсорбция больших количеств этилена. [c.212]

Большие успехи в изучении X. достигнуты в последнее время благодаря применению новейших физико-химич. методов исследования. Напр., изучение X. на металлич пленках (N1, Р1), полученных в ультравакууме (10 —10 мм), показало, что такие пленки обладают большой ненасыщенностью. Молекулы На, Оа II других газов хемосорбируются на них без энергии активации. Малые значения динольного момента этпх хемосорбированных слоев, обнаруживаемые измерениями работы выхода электронов, указывают на образование ковалентной связи. Вероятно, в ней участвуют -электроны металлов. В присутствии загрязнений может наблюдаться энергия активации за счет хпмич. реакции адсорбата (На, Оа) с этими загрязнениями. Энергия активации при X. на металлах может указывать также на растворение газа в поверхностном слое. Изучение хемосорбированных слоев на металлах методами дифракции медленных электронов эмиссионного электронного и ионного проекторов показало в ряде случаев кристаллохимич. соответствие структуры хемосорбированного слоя и объема металла и резкую зависимость структуры хемосорбированного слоя и величины X. от кристаллографич. индекса грани. Напротив, при адсорбции Оа и J. на Ое-было обнаружено отличие структуры хемосорбированного слоя от объема адсорбента. [c.313]

Исследование методом электронного проектора отложений Аи и Си на вольфраме показало, что они образуют эпи-тактические слои. При адсорбции золота завершение образования первого монослоя сопровождается увеличением работы выхода электрона ф от 4,52 эв до 5,12 эв, из чего следует, что диполь имеет строение Аи й + Он может растекаться с энергией активации, равной 0,70 эв, и >. = 4,06 эв. На этом монослое может образоваться второй с одновременным уменьшением ср до 4,92 эв. Большее количество золота, по меньшей мере 20 слоев, может отлагаться в эпитак-тической форме. Такие препараты характеризуются величинами ф и X, свойственными золоту. Как было найдено, кристаллиты золота метастабильны по сравнению с эпи-тактической формой. Интересно отметить, что отношение ЕИ. приближенно равно 0,25 для многих таких процессов поверхностной диффузии. [c.82]

Характеристика прибора Б П. Теневой проектор БП отечественного производства, изображенный на фиг. 10. 1, представляет собой разновидность измерительного микроскопа, у которого теневое изображение детали проектируется не на сетку, яаходящуются в окуляре, а ia экран с большим увели-ieниeм. [c.273]

Измерение (контроль) деталей точных размеров и сложной кон фигурации на проекторе в отличие от измерения на других измери тельных приборах является простым и наглядным. Большие мае штабы увеличения и удобство работы на горизонтально расположен ном столе-экране позволяют быстро производить операции измере ния и контроля даже работникам невысокой квалификации, а нали чие измерительного стола с отсчетными механизмами гарантируе-высокую точность измерительных работ. [c.276]

Точность измерения размеров на проекторе по чертежам-шабло нам во многом зависит от качества самих шаблонов. Шаблоны дол жны быть устойчивыми во времени, т. е. сохранять форму и размерь в течение длительного времени при хранении и при эксплуатации — не деформироваться, не терять четкость и точность. Этим требовани ям не отвечают шаблоны, изготовляемые из плотной чертежной бу маги или на витринном стекле. Бумажный шаблон после использо вания его в течение 4—6 месяцев деформируется и теряет требуемую точность. Восстановление линий и размеров такого шаблона повторным вычерчиванием ведет к безусловному ухудшению его качества, так как нанесение линий на бывшей в употреблении бумаге повторно не дает четкости и точности линии, а нередко порождает и большие ошибки. Шаблоны, изготовляемые на витринном стекле толщиною 8- -10 мм, хотя и обладают высокими качествами — не подвержены влиянию атмосферы, не деформируются и сохраняют точные размеры, но дороги и часто бьются при неосторожном обращении или хранении. Поэтому один из оптико-механических заводов в настоящее время изготовляет чертежи-шаблоны для измерения (контроля) на теневом проекторе из дуралюмина толщиной 3—4 мм или фанеры толщиной 8— 10 мм. [c.278]

Новые сведения относительно механизма реакции обмена между Нг и Ог дают результаты недавнего исследования поверхностных потенциалов, которое выявило присутствие на поверхности вольфрама адсорбированного водорода в атомарном и молекулярном состояниях [124]. Прекращение подачи Нг к вольфраму при —190° С вызывало положительный сдвиг потенциала, характерный для адсорбции молекулярного Нг. Адсорбция была активированной и конкурирующей атомы Н замещались молекулами Н2 еще до полного покрытия поверхности атомами Н возрастание давления благоприятствовало адсорбции молекулярного Нг. Аналогичные результаты были получены Уортме-ном и сотрудниками [63], отметившими в электронном проекторе зависящее от напряженности поля превращение в адсорбированной пленке при температурах 2—4° К, которое происходит в процессе низкотемпературного растекания больших порций Нг на поверхности никеля. Его объясняли смещением равновесия между адсорбированными молекулами Нг и последней долей адсорбированных атомов Н. Из приведенных экспериментальных данных можно сделать два существенных вывода. Прежде всего наличие устойчивого адсорбированного слоя молекулярного водорода на поверхности вольфрама при [c.137]

Если желательно иметь большую поверхность данной грани, то можно вырезать плоские поверхности, параллельные данной грани ниже описаны методы, позволяющие производить измерения на одной плоскости монокристалла, при которых влияние ребер и других граней можно исключить. Наиболее удобной формой образца является сферический кристалл со срезанными на нем плоскостями, параллельйыми граням, подлежащим исследованию. Измерения при этом проводятся на гладких гранях, а в качестве чувствительного метода обнаружения примесей и для контроля правильности выбора условий эксперимента можно использовать фигуры, полученные на сферической поверхности. Поверхностную структуру различных граней следует изучать при помощи как оптического, так и электронного микроскопов, причем интересно отметить, что изменения структур, которые наблюдали на большом монокристалле, подтвердились недавними исследованиями с тонкими металлическими остриями, проведенными при помощи электронного и ионного проекторов. Метод использования больших монокристаллов имеет то бесспорное преимущество, что он позволяет измерять скорости реакции при одновременном наблюдении изменений структуры поверхности. Эти кристаллы могут быть использованы не только для изучения окисления, но и для исследования боль- [c.83]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология