Сульфид и теллурид кадмия

Измерения проводимости чистых соединений А В показывают, что окислы, сульфиды и селениды цинка, кадмия и ртути, при любых условиях изготовления обладают только электронной электропроводностью. Среди теллуридов теллурид цинка всегда обладает дырочной электропроводностью, а теллуриды кадмия и ртути могут быть получены как п-, так и р-типа, в зависимости от условий изготовления. [c.479]

XVI.9. СУЛЬФИД И ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ [c.476]

Для соединений А В характерна преимущественная проводимость только одного типа. Исключением является теллурид кадмия, который получен с высокой проводимостью как п-, так и р-типа. Теллурид цинка можно получить с большой проводимостью р-типа и с незначительной проводимостью п-типа [17], а остальные халькогениды цинка и кадмия могут быть получены с высокой проводимостью /г-типа и незначительной проводимостью р-типа. И только при легировании в термодинамически неравновесных условиях удалось недавно получить теллурид цинка [18, 19] и сульфид кадмия [20] с высокой проводимостью. [c.36]

Почти все халькогениды представляют собой полупроводниковые соединения с проводимостью электронного типа. Для теллурида цинка характерна проводимость дырочного типа, а для теллурида кадмия — как электронная, так и дырочная. В условиях синтеза люминофоров сульфид и селенид цинка имеют очень высокое удельное электросопротивление (Ю Ом см). Лишь при специальных условиях легирования, обеспечивающих внедрение избыточного цинка, удается получить сульфид и селенид цинка с низким удельным электросопротивлением (10 2—10 Ом см). Концентрация носителей тока при этом зависит как от содержания донорных примесей, так и от давления пара цинка. [c.31]

Как следует из рис. 11.1, при 1000° давление пара сульфида цинка ничтожно, тогда как у теллурида кадмия — -10000 Па (нескольких десятков мм рт. ст.). Фазовые диаграммы бинарных систем халькоген — металл изучены недостаточно наиболее подробные данные имеются лишь для теллуридов кадмия [12] и цинка [13]. Для остальных халькогенидов (кроме сульфида цинка) получены кривые ликвидус [14, гл. 2]. Все халькогениды заметно растворяются в исходных компонентах. Так, растворимость селенида цинка в цинке достигает 0,1% при 1000° и —1,0% в расплаве селена [15]. [c.33]

Основными материалами для изготовления детекторов (табл. 6.2.8) являются германий и кремний. ППД на основе теллурида кадмия, сульфида кадмия и иодида ртути считаются перспективными для регистрации у-излучения в изотопных приборах технологического контроля [12]. [c.85]

Среди сравнительно новых объектов исследования электрохимии полупроводников можно назвать бинарные полупроводниковые материалы двуокись титана 477, 78], танталат калия [791, селенид и теллурид кадмия [80], окись никеля [81, 82]. Параллельно продолжалось дальнейшее исследование окиси цинка [83—86], сульфида кадмия [87, 88], арсенида и фосфида галлия [89, 90]. [c.19]

Из-за высоких температур плавления при получении халькогенидов цинка и кадмия для полупроводниковой техники не пользуются методами зонной перекристаллизации или вытягивания монокристаллов из расплава. Исключение представляет теллурид кадмия, для которого разработан способ зонной перекристаллизации с вариацией давления пара летучей компоненты, позволяющей получить как электронные, так и дырочные образцы вещества [252, 254]. Более обычным методом является получение монокристаллов из газовой фазы [255]. В особенности интересны варианты этого метода, разработанные для сульфида цинка [256] и сульфида кадмия [257, 258]. [c.116]

Этот процесс, однако, можно в значительной степени подавить подбором окислительно-восстановительной системы с соответствующими свойствами. Лучшие в этом отношении следующие системы 5 /5Г, 8е /5е2 и Те /ТеГ. Для изготовления п-полупроводниковых электродов используют сульфиды, селениды и теллуриды кадмия, а также ОаАз, 1пР и ОаР. Эффективность преобразования световой энергии составляет от 1—2% в системе п-С(15 + до 9—10% в системе [c.167]

Окислы, сульфиды цинка и кадмия удается легировать донорными примесями, несмотря на заметную компенсацию (особенно сильную в случае сульфида цинка), но практически невозможно получить проводимость р-типа (акцепторы полностью компенсированы). Теллурид цинка невозможно легировать донорами в равновесных условиях (компенсация полная). Теллурид кадмия получен как П-, так и р-типа при легировании примесями, но концентрация носителей мала (не больше 10 сл " для дырок) из-за сильной компенсации как доноров, так и акцепторов. [c.39]

Смирнова Р. И., Пронь Г. Ф., О химизме взаимодействия сульфидов цинка, кадмия и ртути с теллуристым ангидридом с целью синтеза теллуридов этих металлов, Отч. № 59-64, с. 21—44, библ. 7 назв. [c.142]

Спектры внутреннег о отражения наблюдают, когда исследуемый образец находится в контакте с призмой из оптически менее плотного материала излучение проходит сначала через призму и ее границу с образцом под углом, превышающим критический (т.е. угол падения, при к-ром преломление света в образец прекращается), а затем проникает в образец (на глубину до 1 -2 мкм), где теряет часть своей энергии и отражается. Таким образом получаются спектры нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО). В качестве материала призм используют прозрачные в разл. областях спектра материалы в частности, кварц, оксиды цинка и магния, сапфир, кремний, фторид кальция, сульфид мышьяка, германий, GejjSejoASij, селениды мышьяка и цинка, хлориды натрия, калия и серебра, бромиды калия и серебра, теллурид кадмия, алмаз. [c.395]

Из соединений наиболее применимы сульфиды 2п8 (пигмент белого цвета, люминофор, люминесцирующее вещество и экран лазерных линз), Сд8 (пигмент желтого цвета, фоторезистор и люминофор), Н 8 (пигмент красного цвета). Оксид цинка, селениды и теллуриды кадмия и ртути являются полупроводниковыми материалами. [c.381]

Так как парциальные давления компонентов изменяются непрерывно при переходе от одного чистого компонента к другому, то Рд-Г- или Рв-Т-проекции однозначно характеризуют все поле устойчивости данной фазы без какого-либо перекрывания, которое наблюдается на Р-Т-проекции. На рис. П.7 показано такое поле для сульфида свинца [17]. Аналогичная диаграмма используется и для теллурида кадмия [15]. [c.76]

Поскольку исследования проводились при одной температуре, полученные данные позволяют лишь оценить термодинамические параметры (изменения энтальпии и энтропии). Поэтому сначала рассмотрим результаты более поздней и более полной работы, выполненной на теллуриде кадмия [15], а к сульфиду кадмия вернемся в конце этого раздела (разд. XVI.9.2). [c.476]

Сульфид и теллурид кадмия [c.477]

Обе величины оценены весьма неточно , но они настолько малы, что почти равны Ей а вероятно, даже меньше 1. Таким образом, если для теллурида кадмия К > К (что приводит к наличию узкой центральной области, описываемой равенством п = р), то вполне возможно, что для сульфида цинка [c.493]

В литературе есть сведения о получении красных кадмиевых пигментов с заменой селена на более дешевый теллур [3, 4]. Тел-лурид кадмия, как и селенид, кристаллизуется в кубической (а = 6,47 А) и гексагональной системах (а = 4,57 А, с = 7,47 А) [2, 5], однако, по некоторым данным, dTe имеет низкий предел растворимости в dS (до 20%) в связи со значительно большим размером радиуса Те [6]. Красные пиг.менты на основе сульфид-теллурида кадмия близки по цвету и свойствам к красным кадмиевым пигментам на основе сульфид-селенида кадмия. Однако практического применения эти пигменты пока не нашли. [c.322]

Кадмий входит в состав некоторых сплавов, в частности подшипниковых. Небольшая добавка С(5 к меди сильно увеличивает ее прочность, а электропроводность при этом изменяется мало. Кадмиевые покрытия металлов применяют для защиты от коррозии. Сульфид Сё5 и селенид Сс15е (ярко-красный) — пигменты в лаках и красках. Кроме того, эти соединения и теллурид кадмия используют в полупроводниковых приборах. [c.599]

VIA группы периодической системы сера, селен, теллур, полоний — объединяются п(д общим названием халькогены, В двойных соединениях с металлическими элементами они проявляют степень окисления —2. Название соединений металлов с халькогенами—халько-гениды (сульфиды, селениды, тел1уриды, полониды) селенид цинка ZnSe, или селенистый цинк теллурид кадмия dTe, или теллуристый i адмий. Наибольшее распространение имеют нормальные халькогениды, в которых атомы металла непосредственно соединены лишь с атомами халькогена. [c.8]

Электрические и оптические свойства теллурида кадмия показывают, что химическая связь в нем в отличие от сульфидов d и Zn близка к ковалентной. Это подтверждается большой подвижностью электронов и температурной зависимостью изменения подвижности, которая пропорциональна Кроме того, в dTe практически совпадают термическая и оптическая ширина запрещенной зоны. Для веществ с большой долей ионной связи указанные величины сильно различаются. Наконец, в теллуриде наблюдается хорошее совпадение между низкочастотной диэлектрической постоянной (статическая диэлектрическая проницаемость) и оптической диэлектрической проницаемостью. Эти величины при 290°К и длине волны 0,903 мк соответственно равны 11,8 и 12,0. [c.181]

Температура фазового перехода определена только для сульфида цинка (1020°), причем кинетика перехода сильно зависит от наличия в кристаллах примеси (например, меди) или от газовой среды, в которой происходит кристаллизация. Отметим, что хотя для всех соединений, кроме теллурида кадмия, найдены обе кристаллические модификации, в обычных условиях синтеза люминофоров сульфид кадмия имеет только вюрцитную модификацию, а селенид цинка — только сфалеритную. Примесь сульфида кадмия способствует образованию гексагональной структуры твердых растворов ZnS— dS даже при низ-itnx температурах, а примесь селенида цинка — образованию кубической структуры. Селенид кадмия при температуре выше 700° имеет гексагональную структуру. Сульфиды щелочноземельных металлов кристаллизуются в кубической гранецентрированной структуре типа Na l. [c.31]

Сульфиды я селениды, а также селениды и теллуриды образуют между собой непрерывные ряды твердых растворов (рис. П.З). Это позволяет получить материалы с разнообразными свойствами. Ограниченная растворимость наблюдается в системах сульфиды — теллуриды цинка и кадмия. В сульфиде цинка растворяется не больше 8—10% ZnTe, а в сульфиде кадмия — до 3,5% dTe. [c.35]

Алюминий, галлий п индий диффундируют медленно. При 1050 коэффициент диффузии алюминия в селениде цинка составляет 1,6-10-9 см /с, а индия в теллуриде кадмия при 1000° — 1,8-10" см /с. Галогены диффундируют медленно. При 1000° коэффициент диффузии пода в сульфиде кадмия составляет 10 см с. Диффузия марганца и других переходных элементов также является медленной. [c.36]

Соли кадмия также широко применяют в медицине, в стеклоделии, в фотографии, в производстве люминофоров и силиконовых каучуков, в качестве катализаторов в органическом синтезе, а также красок различных цветов (от цвета слоновой кости до малинового). Антимониды, арсениды, селениды, сульфиды и теллуриды кадмия (для синтеза используют 99,99999%-ный d) обладают полупроводниковыми свойствами и применяются в фотоэлектрических и электронно-оптических приборах, — в качестве материала для фототранзисторов и фотоэлементов [456, стр. 76]. [c.13]

В качестве материала полупроводниковой пленки чаще всего используются поликристаллические пленки сульфида и селенида кадмия, применяются также поликристаллические пленки окиси цинка, антимонида индия, теллурида кадмия, окиси олова, окиси индия, сульфида свинца и теллура. В последнее время появились сообщения о создании триодов подобного типа на монокристаллических пленках кремния, выращенных на кристаллографической плоскости сапфира или на подложках из окиси алюминия, покрытых составом окислов. [c.70]

При разработке методик особое внимание уделяли доказательству правильности выбранного способа эталонирования (введение добавок в виде окислов определяемых элементов). Там, где возможно, для проверки использовали примеси в виде соответствующих соединений (например, при анализе сульфидов цинка, кадмия, сурьмы, мышьяка — это сульфиды соответствующих примесей, при анализе теллуридов — теллу-ридыит. д.). [c.23]

Структура тонких слоев теллурида кадмия описана в работах [229, 249]. Среди соединений ртути только сульфид имеет две модификации а-модификацию с особой структурой и р-мо-дификацию (метациннабарит) со структурой цинковой обманки. Селенид и теллурид известны только в структуре цинковой обманки. Микроспайность халькогенидов цинка, кадмия и ртути изучалась в работе [50], где на основании результатов исследования делаются выводы о величине слагаемой ионной связи в указанных соединениях, в общем превышающей эту слагаемую в соединениях типа А В . [c.115]

Полупроводниками называют кристаллические вещества, электропроводность которых характеризуется следующими особенностями 1) при повышении температуры проводимость их возрастает 2) для каждого полупроводника существует некоторый высший предел температуры, ниже которого величина его проводимости зависит от присутствия в нем примесей и различного рода нарушений периодичности его решетки. Полупроводниками являются некоторые элементы и многочисленные соединения. Наиболее изученные и распространенные материалы среди получивших промышленное применение — германий и кремний. Весьма перспективными для производства новых видов приборов являются арсепиды галлия и индия, фосфиды галлия и индия, сульфиды, селениды и теллуриды кадмия и некоторые другие. Известно несколько сотен полупроводников. [c.7]

Зонную плавку используют для удаления атомов примесей из кристаллов простых веществ (германий, кремний, теллур, металлы), а также соединений при условии, что они плавятся без разложения (например, антимонид сурьмы, хлористый натрий [13], тройные соединения [14]). Если соединения разлагаются с выделением летучего компонента, то их все же можно подвергать зонной плавке, если предотвратить разложение, поддерживая во всей системе соответствующее давление пара данного компонента. Для этого слиток помещают в запаянную кварцевую трубку [15]. Соединение начинает диссоциировать, но образующийся при этом пар препятствует дальнейшему течению процесса. Совершенно очевидно, что температура всей трубки должна быть достаточно высоко й, чтобы не происходило конденсации летучего компонента, т. е. выше те мпературы, при которой чистый компонент имеет давление пара, равное тому, которое поддерживается в системе. Указанный метод используется для проведения кристаллизации арсенида галлия, фосфида индия [15], хлористого и бромистого серебра [16]. В более сложной установке используется двухтемпературная печь при этом давление пара летучего компонента регулируется путел нагревания в одном из концов трубки некоторого количества этого компонента до температуры, соответствующей заданному давлению пара (рис. 1.8) [17]. Необходимо принять специальные меры, чтобы поддерживаемая температура чистого компонента была самой низкой температурой системы. Такую методику применяли, например, при кристаллизации сульфида свинца, теллурида кадмия, арсенида галлия [17]. Наконец, для поддер- [c.18]

Теми же методами пользуются и для приготовления кристаллов нестехиометрических соединений. Например, галогениды щелочных металлов со сверх-стехиометрическим избытком металла готовят нагреванием кристаллов в парах металла [971, а с избытком галогена — в парах гелогена [881. Отжигом кристаллов в парах компонентов регулируют стехиометрический состав сульфида кадмия [89], теллурида кадмия [90], сульфида свинца [91]. Теллурид олова с определенным отклонением от стехиометрического состава получают нагреванием кристаллов вместе с порошком требуемого состава [91а]. Другие примеры приводятся в работе [92] и в табл. XIV.1. Методы регулирования состава пара и возникающие при этом осложнения рассмотрены в разделе П.4.5. [c.28]

Наблюдаемые значения /С для собственного атомного разупорядочения представлены в табл. ХП1.3 и изменяются в пределах от 8-10 (дефекты по Шоттки в бромистом серебре AgBr) до 1,7(дефекты по Френкелю в теллуриде кадмия dTe). Если их отнести полностью к изменению колебательных частот, то это означало бы уменьшение частот в галогенидах щелочных металлов V /V = 0,76 для хлористого натрия 0,34 для фтористого лития [39] и увеличение частот в сульфиде свинца v7v == 1,4 [43]. Такая простая интерпретация может не подтвердиться, поскольку существенную роль играет и температурная зависимость Я или G. [c.321]

Интересно сравнить энергию образования вакансии с теплотой испарения одиночных атомов, а также отношение между ними для соединений и простых веществ (табл. ХП1.5). Отношение, меньшее единицы, указывает на перестройку кристалла вблизи вакансии (разд. Х.1). Для германия и теллура оно близко к 0,5. Для графита приводятся следующие данные Яу = 7,7 эв, Я сп == 7,4 эв и их отношение приблизительно равно 1 (Рейзор [60]) Яу - 3 — 4 эв и отношение Яу/Яисп 0.5 (Бейкер и Келли [61]). Для сульфида свинца и теллурида кадмия отношение составляет 0,5—0,6, что близко к значениям для германия и теллура. Для бромистого и иодистого калия оно практически совпадает с единицей, а для окиси бария, бромистого серебра и окиси алюминия имеет про.межуточные значения. По-видимому, перестройка кристалла более важна для ковалентных, чем для чисто ионных кристаллов. Причина, вероятно, заключается в том, что электроны разрушенных связей в ковалентных кристаллах способны образовать новые связи с соответствующим выигрышем энергии. Такой возможности вовсе не существует в ионных кристаллах или образующиеся связи (молекулы — ионы) значительно слабее. [c.332]

Состояния, подобные описанным выше, возникают при разупорядочении по Френкелю или антиструктурном разупорядочении. В первом случае междоузельные атомы А1 заменяют вакансии Ув, в последнем — Ав становится на место Ув и Вд на место Уд. Поведение системы, соответствующее рис. ХП1.8, а, типично для электронных полупроводников, например сульфида свинца и теллурида кадмия. С другой стороны, рис. ХП1.8, в характерен для ионных проводников, таких, как галогениды щелочных металлов. На рис. ХП1.8, б показано состояние в веществе со смешанной проводимостью, в котором по крайней мере при высоких температурах (область П) в процессе проводимости участвуют как электроны, так и ионы . [c.344]

Как указано в предыдущем разделе, можно ожидать, что поведение сульфида цинка во многих отношениях будет сходно с поведением теллурида кадмия. В случае dTe правильность модели подтверждалась в основном измерениями электрических свойств. Однако в случае сульфида цинка благодаря большей величине запрещенной зоны и более глубоким энергетическим уровням для экспериментальной проверки теоретической модели необходимо исследование главным образом оптических свойств поглощения, флуоресценции, фотопроводимости. Зависимость оптических и электрических свойств от условий приготовления действительно показывает, что в поведении ZnS и dTe имеется некоторая аналогия. [c.490]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология