Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Эмиссия спонтанная

    Если анализируемой системе сообщать достаточную энергию, то электроны атомов переходят в возбужденное состояние и примерно через 10 с спонтанно возвращаются на нижележащие энергетические орбитали с эмиссией избыточной энергии в виде дискретных и характеристических для каждого вида атомов электромагнитных колебаний в видимой, ультрафиолетовой или рентгеновской областях спектра. При этом спектры носят линейчатый характер. При возбуждении валентных (оптических) электронов свободных атомов излучаемые линии расположены в видимой и ультрафиолетовой областях спектра. При возбуждении электронов внутренних орбиталей атома излучаются кванты с более жесткой энергией (рентгеновское излучение). Линейчатые рентгеновские спектры могут быть получены при облучении анализируемого вещества электронами (рентгеноспектральный метод анализа или более жесткими, чем излучаемые, рентгеновскими квантами (рентгенофлуоресцентный метод анализа). [c.8]


    Таким образом, вероятность перехода здесь постоянна, зависит она только от имеющихся атома или молекулы. Излучение, возникающее при спонтанной эмиссии, изотропно оно равномерно распространяется во всех направлениях. [c.180]

    Однако в противоположность спонтанной эмиссии она вызывается ( индуцируется ) взаимодействием с внешним полем излучения. Вероятность перехода можно оценить уравнением, аналогичным (5.1.9а)  [c.180]

    В случае невырожденных уровней = gn) из уравнения (5.1.11а) следует равенство вероятностей переходов для индуцированной эмиссии и абсорбции. Далее, из уравнения (5.1.116) следует, что с увеличением частоты V возрастает вероятность спонтанной эмиссии. По этой причине при частотах магнитной резонансной спектроскопии (10 —]0 Гц) вероятность самопроизвольных переходов пренебрежимо мала по сравнению с вероятностью переходов в оптической спектроскопии (V > 10 Гц). [c.180]

    Ступенчатая столкновительная релаксация колебательных возбуждений является относительно эффективным процессом, сечения рассеяния для одноквантовой дезактивации лежат в пределах 1—100% от газокинетических сечений для многих тушащих газов. Поэтому резонансная флуоресценция не наблюдается при давлениях, для которых кинетическая частота столкновения существенно превышает скорость спонтанной эмиссии например, для Л 10 с наблюдение резонансного излучения ограничивается давлениями ниже 1 мм рт. ст. (или меньше, если Л<10 с ). Нижние колебательные уровни верхнего электронного состояния заселяются переходами с уровня V, заселяемого поглощением, и при умеренных давлениях, при которых излучательные процессы и процессы тушения за счет колебательной релаксации еще конкурируют, излучение будет происходить со всех колебательных уровней верхнего состояния вплоть до V. Например, спектр флуоресценции МОг при низких давлениях, хотя его отдельные линии и не разрешаются, по мере возрастания давления в системе все более сдвигается в длинноволновую область. [c.93]

    При спонтанном делении наблюдается самопроизвольный развал ядра на осколки (обычно 2) и некоторое количество свободных нейтронов. Кинетическая энергия осколков составляет около 150 Мэв. Процесс деления сопровождается эмиссией нескольких -у-квантов. Усредненное по достаточно большому количеству распадов, число нейтронов, появляющихся в результате деления ядра, называют средним числом нейтронов на акт деления V. [c.930]

    В принципе, такой тип распада уже является свидетельством образования сверхтяжёлого ядра. С экспериментальной точки зрения, это событие значительно отличается от событий других возможных коррелированных распадов. После получения сигнала об имплантации ядра в определённом месте фронтального детектора (стрип и позиция) и измерения его времени пролёта, спустя некоторое время в той же позиции возникнут сигналы от эмиссии а-частиц с амплитудами, соответствующими их энергиям (около 8,5-10 МэВ). Затем будут зарегистрированы сигналы от осколков спонтанного деления с большой амплитудой (суммарная кинетическая энергия [c.52]


Рис. 11.3.1. Цепочки распада, наблюдаемые в реакциях а) Ри + Са б) Ст + Са. Приведены измеренные значения энергий (МэВ), время эмиссии а-частиц (с) и позиционная координата на стрипе для каждой а-частицы. Аналогичные параметры даны для событий спонтанного деления (5Р). В случае регистрации двух осколков спонтанного деления приведена суммарная энергия и (в скобках) энергия Рис. 11.3.1. <a href="/info/1326574">Цепочки распада</a>, наблюдаемые в реакциях а) Ри + Са б) Ст + Са. Приведены <a href="/info/525600">измеренные значения</a> энергий (МэВ), время эмиссии а-частиц (с) и позиционная координата на стрипе для каждой а-частицы. Аналогичные <a href="/info/1389394">параметры даны</a> для событий <a href="/info/2663">спонтанного деления</a> (5Р). В случае регистрации <a href="/info/1696521">двух</a> осколков <a href="/info/2663">спонтанного деления</a> приведена <a href="/info/363325">суммарная энергия</a> и (в скобках) энергия
    Схема (1.3) иллюстрирует, таким образом, явление селективного поглощения света свободными атомами, на использовании которого и основан атомно-абсорбционный анализ. При поглощении фотона свободный атом, как показано на схеме, переходит в возбужденное состояние (фотовозбуждение). Так как возбужденное состояние неустойчиво, атом за короткое время (порядка 10 с) покидает его. Переход в невозбужденное состояние может произойти различными способами при ударе второго рола, за счет спонтанной эмиссии (т. е. самопроизвольного испускания фотона) или же вынужденной эмиссии (т. е. испускания фотона при воздействии света). [c.20]

    Строго говоря, процессом, обратным фотовозбуждению, является вынужденная эмиссия. Этот процесс, однако, практически играет заметную роль только при больших плотностях и энергиях излучения, реализующихся в лазерах и квантовых усилителях. В пламенах и электрических разрядах переход в невозбужденное состояние осуществляется только при ударах второго рода или же за счет спонтанной эмиссии. [c.20]

    Очевидно, что в подобного типа электрических разрядах температура электронов намного выше температуры газа Тт, т.е. здесь имеет место хотя и стационарное, но отнюдь не равновесное состояние заселение верхних уровней происходит за счет ударов первого рода, а переход возбужденных атомов и ионов на нижележащие уровни (девозбуждение) — в основном за счет спонтанной эмиссии. В описанных случаях, конечно, можно говорить лишь о той или иной степени приближения к использованным выше теоретическим моделям. Так, газ в электротермическом атомизаторе настолько близок к состоянию термодинамического равновесия, что имеющимися незначительными отличиями можно для практических целей полностью пренебречь для описания же общих свойств пламен модель термодинамически равновесной плазмы, строго говоря, не годится. В частности, многие пламена интенсивно излучают в инфракрасной области спектра, в то время как энергетические потери на излучение покрываются за счет нагревания газа в ходе реакции горения. Таким образом принцип детального равновесия в пламенах не выполняется даже грубо приближенно. Тем ие менее для описания механизма поглощения и излучения отдельных спектральных линий атомов в пламенах оказывается возможным при определенных условиях воспользоваться законами теплового излучения, в частности, законом Кирхгофа. То же можно сказать о некоторых формах электрических разрядов. В этих случаях отпадает необходимость в оценке эффективных сечений элементарных процессов, так как распределение атомов по возбужденным состояниям оказывается возможным рассчитать более простыми способами. [c.23]

    Переход атома в нижнее возбужденное состояние, сопровождаемый спонтанной эмиссией фотонов, — не единственный процесс, приводящий в конечном итоге к возвращению атома в состояние с наименьшей энергией. Как показал Эйнштейн, наряду с этим должен идти процесс, называемый индуцированным, или вынужденным излучением. Он состоит в том, что под воздействием электромагнитного поля с частотой vik возбужденный до 1-го энергетического состояния атом переходит в более низкое k-e состояние, излучив при этом фотон той же частоты vik (рис. 1.2), В отличие от спонтанного излучения вынужденно  [c.10]

    Уже после первых ЯМР-экспериментов (1948 г.) были сопоставлены величины измеренных на опыте времен релаксации протонов воды и алкана с теоретически рассчитанными в предположении различных возможных механизмов передачи энергии ядерных спинов решетке спонтанной эмиссии, теплового излучения, атомных или молекулярных столкновений, обменных взаимодействий и т. д. Согласие эксперимента с теорией наблюдалось только тогда, когда ъ качестве основного механизма выбиралось диполь-дипольное взаимодействие магнитных моментов ядер с локальными магнитными полями, кото рые создаются магнитными моментами соседних ядер [c.15]

    Отсутствие спонтанной эмиссии нейтронов самарием. [c.204]

    XIX века, а также в теории флуктуаций, которые практически не принимались во внимание равновесной термодинамикой. В истории науки, — говорил И. Пригожин в своей Нобелевской лекции (1977 г.),— второй закон термодинамики сыграл выдающуюся роль, далеко выходящую за рамки явлений, для объяснения сущности которых он был предназначен. Достаточно упомянуть работы Больцмана в области кинетической теории, разработку Планком квантовой теории излучения и Эйнштейном теории спонтанной эмиссии в основе всех этих достижений лежит второй закон термодинамики . [c.435]


    Если напряженность поля достаточно велика, то частицы начнут терять заряд путем спонтанной эмиссии ионов или электронов. Для эмиссии электронов требуется поверхностная напряженность порядка 10 Вт/см, а для ионной эмиссии — примерно в 20 раз выше. Заряд, приобретенный частицей в таких полях, представляет собой абсолютный предельный заряд частицы. [c.82]

    Механизм эмиссии электронов, возбуждаемой деструкцией при измельчении, все еще до конца не изучен. Предполагается, что этот эффект связан с образованием центров окрашивания, а также с забросом электронов на высокие энергетические уровни, с которых они переходят на более стабильные либо спонтанно, либо в результате внешнего возбуждения. Освобождаемая при этом энергия расходуется на излучение. [c.291]

    В предыдущем параграфе мы показали, как кинетические данные и измерения квантовых выходов можно использовать для оценки величины вклада тех или иных фотохимических процессов (4.10) — (4.17). Однако особенность стационарных кинетических расчетов состоит в том, что они определяют выражения лишь для отношения констант скорости например, выражения интенсивностей или квантовых выходов в уравнениях (4.6), (4.9), (4.18) и (4.19) всюду включают отнощения констант скорости к коэффициенту А Эйнщтейна для скорости спонтанной эмиссии. Абсолютные значения констант скорости могут быть часто определены из сравнения кинетических данных, полученных в стационарных условиях, с их значениями, полученными в нестационарных условиях. В рассматриваемом нами случае нестационарные измерения часто состоят в измерении времени жизни флуоресценции (т() и фосфоресценции [c.89]

    Наиболее важной проблемой, с точки зрения аналитического применения метода, является природа процессов релаксации в жидкостях. При рассмотрении возможности передачи энергии путем спонтанной эмиссии, теплового излучения, электрических взаимодействий показано, что найденные экспериментально времена релаксации Т, и Та, например, протонов воды могут быть объяснены лишь при учете магнитных взаимодействий между частицами через локальные магнитные поля. Локальные поля будут флуктуировать, поскольку молекулы в растворах совершают трансляционные, вращательные и колебательные движения. Компонента создаваемого таким образом переменного поля с частотой, равной частоте резонанса, вызывает переходы между энергетическими уровнями изучаемого ядра совершенно так же, как и внешнее радиочастотное поле. Скорость процесса, приводящего к выравниванию энергии в спиновой системе и между спиновой системой и решеткой , будет зависеть от распределения частот и интенсивностей соответствующих молекулярных движений. При эюм следует учитывать следующие виды взаимодействий магнитное диполь-дипольное, переменное электронное экранирование внешнего магнитного поля, эле.ктрпческое квад-рупольное взаимодействие (эффективное для ядер с / > /2), спин-вращательное, спин-спиновое скалярное между ядрами с разными значениями I. [c.739]

    Силикат висмута Bi4Si30i2 привлек внимание как более быстрый сцинтиллятор в сравнении с германатом висмута BI4Ge30i2 [345]. Монокристаллы силиката висмута выращивали по методу Бриджмена. Спектры возбуждения и эмиссии подобны германату висмута. Световой выход составлял 20 % от германата висмута, давая высокий энергетический выход для у-лучей ( s-137) с энергией 662 кэВ. Константы затухания составили 2,4 нс (для 6 % интенсивности), 26 нс (12 %) и 99 нс (82 %). Радиационная стойкость против Со-60 у-лучей на уровне 10—10 рад при эмиссионном пике 480 нм. Спонтанное восстановление эмиссии, как и огггическое тушение, описано авторами [345]. Сделан вывод о возможности использования силиката висмута в качестве сцинтиллятора в экспериментальной физике высоких энергий. [c.297]

    Другие вклады в ширину линии в отсутствие реакции. В жидкостях с высокой вязкостью, например в глицерине (и в твердой фазе), еще один фактор определяет ширину линиг. Если ядра долгое время сохраняют одной то же относительное положение, следует считать, что они находятся в несколько различных полях из-за локальных полей, обусловленных соседними магнитными диполями. Однако в большинстве жидкостей дипольное взаимодействие усредняется до нуля в результате быстрых прыжков молекул и не приводит к значительному уширению линии. Что касается спонтанной эмиссии излучения, то верхний энергетический уровень является чрезвычайно долго живущим и можно пренебречь его вкладом в ширину линии по сравнению с другими факторами. [c.233]

    Собирание электронов анодом должно соответствовать эмиссии электронов из катода, так как ток непрерывно течет во внешней цепи. Однако катод не способен эмитировать электроны спонтанно, поскольку его температура ниже (<1200°) и термоэмиссия ничтожна (для Р1 < 10 а/сж2). Таким образом, единственным способом, каким электрон может реализовать работу выхода из металла, является рекомбинация с положительными ионами на поверхности. В связи с тем что ток, проходящий через ячейку, обусловлен этой вынужденной рекомбина- [c.19]

    Возбуждение и ионизация других атомов широкочастотной подложкой в спектре лазерного излучения и широким спектром усиленной спонтанной эмиссии (ASE) красителей, применяемых в перестраиваемых лазерах. [c.430]

    Излучение электронов (экзоэмпссия по Крамеру) также появляется как результат механической обработки, у многочисленных металлов и неметаллов. При этом во время механического воздействия может происходить спонтанное излучение электронов с высокой энергией (электроны Дерягина—Кротовой с энергиями порядка нескольких кэв). Интенсивность такого излучения, например у щелочных галогенидов, зависит от твердости. Объяснить это можно зарядкой поверхностей разрущения и механизмом холодного излучения. После проведения механического активирования процессы химической адсорбции или химического взаимодействия (процессы окисления) поверхности кристалла с окружающей газовой атмосферой могут привести к эмиссии электронов малых энергий (электроны Крамера с энергиями порядка 1 эв). Измерения контактных потенциалов приводят к заключению, что эмиссия возникает вследствие понижения работы выхода электронов. Работа выхода электронов с нарастанием окисного слоя проходит через минимум, который достигается при моно-атомном покрытии поверхности. [c.442]

    А —абсорбционность i4лi — вероятность перехода для спонтанной эмиссии фотонов путем оптического перехода с верхнего уровня (/г) на нижний уровень (О С —емкость конденсатора С — концентрация элемента (чистого вещества) в пробе [c.4]

    Простой трехуровневый мазер (в твердом состоянии) может быть получен на основе системы, которая обладает тремя неэквидистантными энергетическими уровнями El > Е2> Es. Насыщением перехода 1 3 можно настолько увеличить отношение заселенностей NjN , что будет происходить спонтанная эмиссия энергии. При условии, что X и Y являются средними вероятностями переходов 1 2 и 2 3, рассчитайте значение NJN2 при насыщении. Какие условия необходимы при высоких температурах, чтобы достичь увеличения отношения Ni/Nz" Сравните с результатами, полученными Бломбергеном [см. Bloembergen, Phys. Rev., 104, 324 (1956)]. [c.314]

    Хениг и Тамиди считают очевидным, что экзоэлект-ронная эмиссия может использоваться как мера скорости обычных каталитических реакций [42]. Сато и Сео также наблюдали экзоэмиссию при каталитическом окислении этилена на серебре только в том случае, когда реакция идет в направлении образования оксида этилена. По данным [54] интенсивная спонтанная экзоэмиссия, сопровождающая катализ в температурной области протекания обычных каталитических реакций ( <500°С), происходит в условиях, когда одним из компонентов реакции является вода. [c.269]


Смотреть страницы где упоминается термин Эмиссия спонтанная: [c.180]    [c.180]    [c.142]    [c.7]    [c.594]    [c.604]    [c.638]    [c.664]    [c.184]    [c.97]    [c.42]    [c.115]    [c.267]    [c.84]    [c.27]    [c.180]    [c.180]    [c.34]   
Руководство по аналитической химии (1975) -- [ c.180 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Эмиссия

Эмиссия Эмиссия



© 2024 chem21.info Реклама на сайте