Фотопластинки резка

Между тем на фотопластинку резко отображена плоскость щели, а плоскость ослабителя с последней не совпадает. Это ведет к тому, что, благодаря значительной светосиле спектрографа, края марок несколько расфокусированы, и почернение каждой ступеньки но высоте становится очень неоднородным. [c.158]

Спектропроектор ПС-18 предназначен для изучения спектрограмм и их расшифровки. На экране спектропроектора получают резкое изображение снятых на фотопластинке спектров. Затем находят планшет атласа спектральных линий, соответствующий нужной области спектра, и совмещают спектры железа на изображении фотопластинки и на планшете. При этом фотопластинку помещают, на предметный столик, а планшет ла экран спектропроектора. На планшете длинными штрихами указаны положения спектральных линий элементов относительно спектра л елеза и их длины волн. При совмещении спектров железа в атласе и на пластинке искомая спектральная линия в спектре пробы должна находиться точно под штрихом на планшете. Аналогично идентифицируют еще 2—3 наиболее чувствительные линии элемента и только после этого делают вывод о его присутствии в пробе. [c.28]

Фотопластинку кладут на предметный столик 2 эмульсией книзу. Включают осветитель 1 и, вращая маховичок 6, добиваются резкого изображения спектральных линий на белом экране 8. Вращая ручки управления 5, перемещают пластинку в двух взаимно перпендикулярных направлениях для получения на экране нужного участка спектрограмм. [c.91]

Свет от осветительной лампочки 1 (она также обозначена на рис. 117) направляется на конденсор 24. Нить лампы проектируется с помощью конденсора и зеркала 25 на диафрагму 26. Эта диафрагма, представляющая узкую щель, системой зеркал 28, 18 (зеркало гальванометра), 80, 31, объективами 27, 29 и цилиндрической линзой 32 (рис. 117), расположенной над зеркалом 31, проектируется в виде резкой светящейся точки на фотоэмульсию пластинки 33, на которой производится запись. Зеркало 34 дает возможность наблюдать глазом светящийся зайчик, если вместо фотопластинки 33 поместить матовое стекло. [c.193]

При установке фотопластинки на столик микрофотометра изображение спектра должно быть резко сфокусировано на экране для всего измеряемого участка. Спектральные линии должны быть установлены параллельно щели прибора, а перемещение пластинки должно происходить строго вдоль дисперсии прибора. Для контроля за этим при фотографировании спектра целесообразно натянуть поперек щели спектрографа нить. Опа дает разрыв спектра, тянущийся вдоль дисперсии. Он хорошо служит для контроля за правильностью перемещения столика. Все необходимые установки осуществляются соответствующими регулировочными винтами прибора, и обычно достаточен только визуальный контроль правильности установок. [c.310]

Первоочередной интерес представляет обычно определение вредных примесей свинца, олова, висмута, сурьмы, кадмия и фосфора. Их можно определять, начиная с содержаний Ю —10 %, Используется метод фракционной дистилляции из канала угольного электрода — анода при токе 8 а. Улучшение фракционной дистилляции достигается добавлением к окисному образцу смеси серы и углекислого натрия (1 5). В кратер анода диаметром 4 лл и глубиной 10 мм вводят 60 мг подготовленной смеси. Катод — угольный стержень. Межэлектродный промежуток 1,5—2 мм, спектральный прибор — кварцевый спектрограф средней дисперсии. Применяется однолинзовый конденсор, на щель проектируется резкое изображение источника, увеличенное в четыре раза. Рекомендуется учет фона, в связи с чем необходимо строить характеристические кривые фотопластинок. [c.154]

Определение длин волн неизвестных линий производится следующим образом на предметный столик кладут спектрограмму (фотопластинку) эмульсией кверху так, чтобы увеличение длин волн спектральных линий соответствовало возрастанию числа делений на миллиметровой шкале микроскопа. Зеркалом 6 регулируют равномерность освещения соответствующего участка спектрограммы, окуляр устанавливают на резкость изображения крестообразно расположенных нитей вращением оправы 13 глазной линзы и производят фокусировку микроскопа вращением объектива до получения резкого изображения линий. [c.43]

Все эти линии легко распознать, рассматривая спектр алюминия на фотопластинке, так как они резко выделяются среди других. Пометив со стороны стекла эти линии номерами 1, 2, 3 и т. д., записывают [c.167]

Для выбора рабочего тока строили зависимости Д5=/(г) (рис. 7). При получении этих кривых использовался один и тот же образец одновременно со ступенчатым увеличением тока перемещалась кассета и спектр снимался на новое место фотопластинки. Поэтому на ходе кривых отражаются процессы выгорания примесей, чем и объясняется появление достаточно резких максимумов. [c.196]

При использовании в качестве аналитических линий многозарядных ионов необходимо учитывать зарядовое распределение, а в случае основы и примеси, резко отличающихся по массе,— неодинаковую чувствительность фотопластинки к ионам различной массы (рис. 2). [c.168]

А линии резкие, фотографируют ряд спектров при разных углах поворота кассетной части. Из них выбирают самый резкий и выставляют соответствующее ему положение кассетной части прибора. На рис. 38 пояснен процесс этого поворота фотопластинка АА поворотом вокруг своей оси совмещается с фокальной плоскостью ВВ. [c.91]

Чувствительность фотопластинок различна для разных длин волн. У обычных пластинок (рис. 49) она максимальна для участка спектра вблизи линии, характеризуемой длиной волны 400 нм, постепенно спадает для более коротковолновых излучений и резко — в области спектра 500 нм. Пластинки типа I дают мелкозернистое изображение и отличаются высокой разрешающей способностью. Их чувствительность к длине волны 255 нм оценивается в 3—7 единиц по ГОСТу. Пластинки типа И1, кроме собственной чувствительности для участка 225—495 нм, обладают еще и добавочной чувствительностью к более коротковолновым лучам. [c.118]

Фотопластинку устанавливают на подвижном предметном столике, эмульсионным слоем вверх и фокусируют так, чтобы при перемещениях столика изображение спектра на экране оставалось для всех точек пластинки резким. [c.128]

Явление дифракции электронов заключается в следующем. Тонкий пучок электронов, ускоренных электрическим полем, направляется в высоком вакууме на пленку исследуемого вещества, толщина которой менее 0,1 микрона, или через тонкую струю газа. После прохождения через пленку жидкости или слой газа пучок рассеивается конусом, образуя в некоторых строго определенных направлениях пучки различной интенсивности. Действие электронов на фотопластинку дает электронограмму, на которой наблюдаются почернения в виде более или менее резких колец, дуг или пятен, примерно так же, как на рентгенограмме. [c.341]

Число интерференционных полос обычно составляет около семи. В действительности их гораздо больше (фиг. 13), однако при правильно выбранной экспозиции на фотопластинке слабые побочные полосы не видны и наблюдается только центральная группа полос. В этой группе только одна полоса (средняя) занимает положение, не зависящее от длины волны. Ее называют нулевой, или белой, полосой. Применение монохроматического света позволяет сделать резкими и другие полосы. Различные пути увеличения числа интенсивных интерференционных полос обсуждаются Свенссоном [14]. Один из таких путей — использование светящейся растровой щели вместо обычной. Так, в ультрацентрифуге MSE число полос на седиментационной диаграмме больше обычного, что при измерениях дает некоторое преимущество. [c.54]

Фотографирование микроструктуры препаратов ведут с помощью съемных микрофотонасадок с применением в качестве фотоматериала и пластинки, и пленки. Фотонасадка крепится при помощи специального хомута на окулярной трубе микроскопа, она имеет специальное диоптрийное устройство, позволяющее пoлyчatь на фотопластинке (пленке) столь же резкое изображение, как и при визуальном наблюдении. Экспозиция при фотографировании подбирается опытным путем в зависимости от чувствительности фотопластинки, освещенности препарата, вида светофильтра и т. п. [c.116]

Однако при решении этой задачи в рамках рентгеноструктурного анализа возникают дополнительные трудности, обусловленные, с одной стороны, увеличением длительности экспозиции, так как величина амплитуды рассеяния для рентгеновских лучей значительно меньше, чем для электронов. Если в электронографии время фиксирования дифракционной картины на фотопластинку длится от нескольких секунд до двух-трех минут, то в рентгенографии экспозиция исчисляется часами, а в нейтронографии иногда и несколькими десятками часов. С другой стороны, более сильная зависимость амплитуды рассеяния рентгеновских лучей от порядкового номера атомов (по сравнению с электронами) не позволяет надежно исследовать строение молекул с резким различием в величинах зарядов атомных ядер. Поскольку рассеяние рентгеновских лучей происходит на электронных оболочках атомов, основной вклад в интенсивность рассеяния этого вида излучения вносится атомами с большим зарядом ядра. Рассеяние же на легких атомах будет незначительно, и поэтому отвечающие им межъядер-ные расстояния находят с невысокой точностью. [c.128]

Дифракционная картина, получаемая при рассеянии электронов на струе пара исследуемого вещества, регистрируется чаще всего на фотопластинку. Для этого электронограф снабжен фотокамерой, которая состоит из фотомагазина, экспонометра и механизма перемещения фотопластинок. Одна из особенностей электронографического эксперимента — резкое уменьшение интенсивности рассеяния электронов с увеличением угла рассеяния, отчего область изменения интенсивности рассеяния до- [c.139]

Для монодисперсного полимера граница раздела выражена достаточно резко, так как все мс/ пек лы оседают с одинаковой скоростью. Поэтому на фотопластинке получаются четко различимые полосы разной степени почернения. В полимолекулярной системе каждая фракция оседает со своей собственной скоростью, поэтому граница раздела очепь размыта и определение постоянной седиме1Етации затруднено. Размывание границы при седиментации само по себе очень важное явление, так как позволяет оценить распределение полимера по молекулярным весам. Метод ультрацентрифуги с успехом применяется дпя определения молекулярных весов и полимолекулярпости полимеров и является единственным методом, позволяющим пепосредствеино получить кривые распределения по молекулярным весам (стр. 478). [c.472]

Измерения можно облегчить при помощи эквиденситометриче-ских процессов. Они соответствуют дифференцированию распределения плотности почернения иа фотопластинке, благодаря чему фиксируется определенная плотность почернения по обе стороны от максимумов (фиг. 71 и 80). В этом случае интерференционной полосе соответствует пара тонких линий, и точка, расположенная посередине между ними, т. е. положение максимума почернения, определяется значительно легче. Эта пара линий соответствует определенной плотности почернения по обе стороны от максимума распределения плотности. Их образование можно пояснить следующим образом. Негатив интерферограммы накладывается на прозрачный позитив и точно совмещается с ним. Если степени почернения негатива и позитива одинаковы, то сложенные вместе они дают равномерный серый цвет. Однако степень почернения репродукции можно изменять, используя контрастные илн мягкие прозрачные отпечатки. Если негатив и соответствующий позитив с более резкими изменениями плотности печернеиия сложить и точно совместить, то будут наблюдаться довольно отчетливые минимумы, соответствующие определенной плотиости почернения. Их можно сфотографировать. [c.161]

Для изучения характера распределения промотора в катализаторе в ряде случаев может быть использован метод абсорбционной газовой радиографии [320]. Изучение радиограмм, полученных экспонированием фотопластинок на поверхности катализатора, содержащей радиоактивный изотоп, дало возможность обнаружить наличие пор и зон с резко различными абсорбционными свойствами, многофазность поверхности и т. д. [c.173]

При достаточно совершенной кристаллической структуре объекта на электронограмме будут присутствовать не только точки (результат упругого рассеяния и дифракции электронов от точечного источника), но и дополнительная сложная картина светлых и темных поле (результат дифракции электронов пучка, претерпевших неупругое рассеяние в объеме объекта при малых потерях энергии. Интенсивность рассеяния электронов максимальна в направлении падающего пучка и с увеличением угла рассеяния а резко уменьшается. Пусть где-то внутри кристалла находится источник диффузно рассеянных электронов. В направлении ti и 2 рассеянные электроны встречают плоскости HKL кристалла, от которых отражаются в соответствии с законом Вульфа— Брегга. В связи с тем, что интенсивность диффузно рассеянных электронов, в направлении ai меньше, чем в направлении 2 (поскольку а <Са2), интенсивность отраженных лучей А/г>A/i. Следовательно, добавление к интенсивности фона [-fA/2 в направлении ai больше, чем убыль интенсивности —А/ь и, наоборот, убыль интенсивности —Д/2 в направлении 2 больше, чем добавление +A/i- В итоге в определенных направлениях должна возникать избыточная интенсивность фона, а в других недостаток интенсивности (рис. 20.31). Эти направления соответствуют образующим конусов, осью которых является нормаль к отражающим плоскостям HKL и HKL, и угол при вершине равен (180°—2 ). Геометрия дифракции электронов, источник которых располагается внутри самого кристалла, та же, что и геометрия псевдо-Косселя для дифракции рентгеновских лучей (см. гл. 9). В связи с малостью углов О пересечения конусов с плоскостью экрана или фотопластинки в случае дифракции быстрых электронов картина имеет вид прямых линий (вместо гипербол при рентгеновской дифракции). Картины линий Кикучи очень чувствительны к изменению ориентировки кристалла. Как видно на рис. 20.31,6, след отражающей плоскости точно проектируется посередине расстояния между соответствующими темной и светлой линиями Кикучи и представляет собой гномоническую [c.474]

Каждый экспериментатор знает, что даже одна грубая ошибка может сильно исказить результаты небольшого ряда измерений. Поэтому в аналитической работе, как и во всяком измерительном процессе, надо иметь критерии для оценки резко выделяюп1 ихся определений. Единственным вполне надежным методом выявления грубых ошибок является детальный анализ условий эксперимента, позво-ляюпщй исключить те наблюдения, при которых были нарушены стандартные условия измерения. В этом случае сомнительные измерения отбрасываются независимо от их величины например, если при фотометрировании линий на фотопластинке оказывается, что эмульсия в окрестности данной линии повреждена, то результаты измерений надо отбросить, даже если они ве отличаются существенно от всего ряда измерений. Практически, однако, не всегда удается провести такой анализ условий измерений, и поэтому для оценки грубых ошибок приходится обращаться к статистическим критериям, которые оказываются также очень полезными при решении таких сложных аналитических задач, как изучение межлабораторных ошибок воспроизводимости, исследование неоднородности материала, оценка методических ошибок при д[алом числе стандартных образцов и эталонов и т. д. [c.168]

Иодиды в технике используются для получения чистых металлов— титана, гафния, циркония и др.— иодидным способом испарение иодидов и их разложение на нагретой вольфрамовой проволоке. В фотопромышленности соединения иода используются для создания специальных фотоэм льсий и фотопластинок. Всего 0,6% иода, добавленного к углеводородным маслам, резко снижает трение в подшипниках. Одно из последних применений иода — в хемо-тронных приборах, действие которых основано на окислительно-вос-становительных реакциях иода. [c.363]

Действительно, Кэдинг показал, что хорошо образованные кристаллы не пере-кристаллизовываются в своем насыщенном растворе даже в течение значительного отрезка времени. Убедительные данные были получены радиографическим методом они показали, что радий находится преимущественно в центральных слоях кристалла. В проводившихся опытах шлиф кристалла накладывался на фотопластинку образующийся при этом радиографический отпечаток обнаруживал резкое потемнение в центральной части ([ ], стр. 88). [c.307]

В проводипшихоя опытах шлиф кристалла накладывался на фотопластинку образующийся нри этом радиографический отпечаток обнаружива.п резкое потемнение в центральной части ([ ], стр. 88). [c.225]

Если количество элемента больше или меньше указанного в табл. 2, то почернение его аналитической линии не укладывается в области пропорциональных почернений фотопластинки, вследствие чего резко возрастает погрешпость определепия. [c.69]

На рис. 1 приведены кривые зависимости разности почернения линии некоторых элементов в окиси алюминия от силы разрядного тока, полученные при съемке на движущуюся фотопластинку при ступенчатом увеличении силы тока, при введении некоторых реагентов. Видно, что кривые испытывают существенную деформацию. Наряду с изменением тока начала испарения происходит также изменение характера выгорания, индивидуальное для каждого элемента и применяемого реагента. Наилучшие результаты показывает применение хлорирующих реагентов. Добавка хлорирующих реагентов (в особенности Ag l) приводит к резкому усилению линий Fe, N,u, Со Сг, Са и Mg. В то же время хлорирующие реагенты не оказали заметного влияния на Si, на который эффективно воздействовал сульфирующий реагент ( dS). [c.144]

Основное требование, предъявляемое к камерному объективу, — это получение плоского спектра, ибо только в этом случае можно получить резкое изображение линий на фотопластинке, одновременно по всему спектру. Для стеклянных объективов для видимой области спектра соответствующий расчёт и изготовление объективов не представляет особых трудностей. С кварцевыми и кварцево-флуоритовыми объективами плоский спектр получить не удаётся отступления при этом тем заметнее, чем больше фокусная длина объектива. Поэтому в спектрографах большой дисперсии обычно прибегают к выгибу пластинок с помощью специальных конструкций кассеты. Эти спектрографы требуют гонких, хорошо гнущихся пластинок. В некоторых моделях приборов приходится довольствоваться съёмкой спектра последовательными участками. Если наклон кассеты подобран правильно (примерно по касательной к фо-й —-I ( калькой поверхности в точке пересечения [c.101]

Последующее совершенствование экспериментальной техники и развитие теории как прямой, так и обратной задачи метода газовой электронографии существенно повысило точность определения геометрических параметров молекул и расширило возможности метода при исследовании относительно сложных молекул. Принципиальным изменением в газовой электронографии был переход в 50-х годах на сектор-микрофотометрическую методику. Использование вращающегося перед фотопластинкой сектора уменьшило резкое затухание полной интенсивности рассеяния, что позволило микрофотометрировать электронограммьг. Без использования сектора происходит столь резкое затухание интенсивности рассеяния (на несколько порядков от центра рассеяния до периферии фотопластинки), что невозможно правильно оценить интенсивность, измеряя плотность почернения электронограмм микрофотометрированием. [c.122]

Столик, на который кладут фотопластинку, можно передвигать в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Кроме того, в двух углах у столика есть два винта, позволяюш,их слегка приподнимать или опускать фотопластинку. Поставив под объектив правый дальний угол фотопластинки, фокусируют его изображение до резкого передвижением объектива 6. После чего, передвигая пластинку, добиваются резкого изображения и в других углах фотопластинки. На этот раз фокусируют изображение пластинки как перемещением объектива, так и винтами, поднимающими и опускающими углы пластинки. Эти операции повторяют до тех пор, пока резкое изображение фотопластинки не будет сохраняться при всех ее перемещениях. После этого проверяют положение бесконечности на отсчетном индексе рабочей шкалы при закрытом фотоэлементе. Если да не совпадает с индексом, то восстанавливают ее положение специальным корректирующим винтом, немного перемещающим шкалу. Открывают фотоэлемент и передвигают спектрограмму так, чтобы объектив был наведен на незасвеченнуючасть пластинки. Добиваются, чтобы индекс при этом совпадал с пулевым делением. Для этого надо изменить количество света, падающее на фотоэлемент, что достигается изменением Б небольших пределах накала лампы реостатом. Кроме того, в приборе есть фотометрический круговой клин, позволяющий гасить пучок света, падающий на фотоэлемент. [c.222]

Хотя слабые боковые полосы и можно наблюдать визуально, на фотопластинке при правильном выборе экспозиции, обеспечивающей хорошее изображение самых интенсивных полос, боковые полосы не видны. Если свет не моыохроматич-ный, то резко изображается только нулевая полоса. [c.52]

Прямой опыт для ответа на этот вопрос заключался в наблюдении клеток с проникшей в них радиоактивной (по фосфору) ДНК методом трэковой авторадиографии (метод толстослойных фотопластинок). Эксперимент (Бреслер, Мосевицкий, Тимков-ский) дал ясный ответ. Популяция бактерий оказалась весьма неоднородной. Всего несколько процентов клеток Вас. subtilis впускали в себя извне полимерную ДНК, причем в каждую подобную подготовленную клетку входило большое количество ДНК, приближающееся при достаточно высокой концентрации к полному набору ДНК одной клеточной хромосомы. Подобная резкая неоднородность популяции бактерий по отношению к трансформа- [c.346]

В случае трехмерной решетки диффракция определяется расстояниями между рассеивающими центрами в пространстве по трем координатным осям соответственно этому получаются три уравнения ди ффракции с разными постоянными решетки, и различными порядками интерференций. Диффрагированнь.е лучи в случае трехмерной решетки представляют собой узкие пучки, оставляющие на фотопластинке следы в виде точек или небольших, сравнительно резко очерченных пятен, расположенных симметрично вокруг центрального пятна. Вид такой рентгенограммы неподвижного монокристалла показан на рис. 49. Расположение интерференционных пятен дает возможность рассчитать периоды, через которые повторяются идентичные элементы структуры. [c.153]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология