Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Схема в тонком слое

    Выбрасываемые из скруббера газы загрязняют атмосферу аппараты, трубопроводы и территория со временем покрываются тонким слоем углеводородов, выпадающих из охлаждающихся на воздухе газов. Для снижения потерь сырья п уменьшения загрязнения атмосферы на некоторых установках осуществляют промывку газов водой в колонне, расположенной за сырьевым скруббером. В этом случае эмульсию выделяют в отстойнике. Это, однако, усложняет схему и удорожает подготовку сырья. [c.41]


    Частицы кокса-теплоносителя с отложившимся на них тонким слоем образовавшегося в процессе кокса (балансового кокса) опускаются в низ отпарной секции реактора, при этом они продуваются встречным потоком водяного пара. Далее они перемещаются по изогнутому трубопроводу 8 (пневмотранспорт) в коксонагреватель 5. С помощью воздуходувки 1 под распределительную решетку 6 коксонагревателя подается воздух в объеме, необходимом для нагрева циркулирующего кокса до заданной температуры. Кокс нагревается за счет теплоты сгорания части балансового кокса. Продукты сгорания (дымовые газы) проходят двухступенчатые циклоны 4, где от них отделяются мелкие частицы кокса, и поступают в паровой котел-утилизатор (на схеме не показан). [c.31]

Рис. 1У.З. Схема, поясняющая принцип работы прибора для нанесения тонкого слоя сорбента Рис. 1У.З. Схема, поясняющая <a href="/info/17593">принцип работы</a> прибора для <a href="/info/1571232">нанесения тонкого слоя</a> сорбента
Рис. 1У.4. Схема упрощенных приборов для нанесения тонкого слоя Рис. 1У.4. <a href="/info/1472997">Схема упрощенных</a> приборов для <a href="/info/1571231">нанесения тонкого</a> слоя
Рис. IV.10. Схема расположения тонкого слоя на пластинке по способу Маттиаса Рис. IV.10. <a href="/info/337514">Схема расположения</a> <a href="/info/3785">тонкого слоя</a> на пластинке по способу Маттиаса
    Железо покрыто тонким слоем хрома. Какой из металлов будет корродировать в случае нарушения целостности покрытия в среде влажного воздуха Составьте схему соответствующего гальванического элемента. [c.153]

    Можно на полупроводниках по рисунку нанести вакуумным напылением или электролитически, или химическим осаждением проводящие тонкие слои металла (Си, Ag и др.) или, наоборот, стравить по рисунку, например, медь с фольгированного гетинакса, что используется при изготовлении печатных схем. Фотолитографическим методом можно по рисунку удалить слой диэлектрика с полупроводника (например, 5Юо с поверхности кремния), образовать слой диэлектрика на металле или полупроводнике и т. д. Задубленные слои фоторезистов удаляют специально подобранными растворителями. [c.360]


    Процесс осуществляется периодически с остановкой для загрузки и разгрузки аппарата. При вращении иа внутренней стенке аппарата образуется тонкий слой латекса, из которого в токе воздуха, пропускаемого через аппарат, легко испаряется вода. На рис. 4 изображена принципиальная схема аппарата для получения концентрированного латекса способом выпаривания. [c.27]

    Следует отметить, что. переносные приборы, основанные на использовании радиоактивных излучений, практически не могут быть применены в случаях, когда необходимо определить толщину тонкого слоя отложений. Поэтому наряду с разработкой радиометрических методов обнаружения отложений в трубах целесообразна разработка и других методов в зависимости от конкретных заданных условий. Так, например, для обследования чистоты поверхностей и засоренности труб пароперегревателей, выполненных из аустенитных сталей, может быть применен индукционный метод измерений. В связи с этим был разработан прибор, схема которого показана на рис. 21. [c.48]

    Тарельчатые сепараторы типа НСМ и СЦ широко применяются для очистки турбинных и трансформаторных масел и других нефтепродуктов. Они работают по следующей схеме. Загрязненный нефтепродукт подается насосом по трубопроводу через электроподогреватель в верхнюю часть барабана, откуда направляется по центральному каналу в нижнюю его часть. Затем продукт эффективно разделяется на тонкие слои в конусных тарелках. Из-за малой толщины слоев между тарелками загрязнения и вода быстро [c.192]

    Белл [212] приводит некоторые расчетные данные по применяющимся в США диатомитовым фильтрам. Принципиальная схема работы такого фильтра показана на рис. 38. Предварительно на перегородку наносится тонкий слой диатомита, т. е. создается начальный фильтрующий слой, а затем еще некоторое время на фильтр подается шлам. Эта первоначальная добавка к осветляемой воде дополнительного фильтрующего материала способствует образованию пористого осадка. [c.133]

    На фиг. V. 1 показана принципиальная схема пленочного нагревателя. В стальном корпусе 1 укреплен внутренний резервуар 2 параболической формы. Внутри резервуара установлена вращающаяся мешалка 4. Резервуар закрыт съемной крышкой 5. Лопастная мешалка муфтой 6 надета на коническую часть вала 7. В паровую рубашку 3 между наружным корпусом и резервуаром 2 подается пар. Жидкость поступает в полость резервуара через воронку 9. Вал 7 вращается от привода 10. При вращении мешалки жидкость отбрасывается к стенке резервуара и движется по ней тонким слоем Зн-4 мм, а затем выбрасывается в патрубок 8. Рассмотрим необходимую форму внутреннего резервуара, который является поверхностью нагрева. [c.163]

    В настоящей работе для определения гигроскопичности смазок этот прибор несколько изменен. Принципиальная схема предлагаемого прибора показана на рисунке. Исследуемый материал (масло или смазку) тонким слоем наносят на пластинку 7 из стеклоткани или металлической сетки и подвешивают к пружинным микровесам. 3, изготовленным из молибденовой проволоки толщиной 0,01—0,02 мм. В.место пластинки может быть использована чашечка нз алюминиевой фольги. [c.384]

    УЗМе по схеме тонкого слоя представляет собой нанесение покрытия при малом (0,1—0,3 мм) зазоре б между ультразвуковым инструментом и металлизируемой поверхностью (рис. 7.97). Деталь размещают на подогреваемой плите, ультразвуковой инструмент также снабжают нагревателем. В процессе УЗМе поддерживают постоян- [c.686]

    УЗМе по схеме тонкого слоя реализуют на модернизированном универсальном оборудовании или на специальных установках типа УММ-1 и УЗУМ-1 (табл. П. 2 приложения) [37]. В них использованы системы АПЧ и [c.687]

Рис. 7.97. УЗМе по схеме тонкого слоя 1 — УЗГ 2 — ПМС 3 — концентратор 4 — пульт управления 5 — металлизируемая деталь 6 — нагреватели детали и концентратора Рис. 7.97. УЗМе по схеме тонкого слоя 1 — УЗГ 2 — ПМС 3 — концентратор 4 — <a href="/info/712926">пульт управления</a> 5 — металлизируемая деталь 6 — нагреватели детали и концентратора
    Параметры режима УЗМе по схеме тонкого слоя некоторых материалов [c.689]

    При исследовании противоизносных свойств авиационных топлив, необходимо наряду с изучением описанных выше зависимостей изучить механизм взаимодействия топлива с металлами контактируе-мых поверхностей. Многочисленные наблюдения за поверхностями трения, изучение состава продуктов износа, процессов, происходящих в тонких поверхностных слоях металлов, позволяют составить следующую общую схему взаимодействия топлив с металлами в процессе трения. Как только металлический образец погружается в топливо, на его поверхности адсорбируются поверхностно-активные молекулы гетероатомных соединений (кислородных, сернистых, азотистых), а также молекулярный кислород и образуется тонкий граничный слой. Этот слой может воспринимать сравнительно большие, нормальные к поверхностям трения нагрузки и легко деформируется при приложении тангенциальных напряжений. При контактировании двух металлических поверхностей между ними будет находиться граничный слой из адсорбированных молекул. Если контактная нагрузка, скорость относительного перемещения и объемная температура топлива невелики, то тонкая граничная пленка выполняет роль эффективной смазки, а поверхностные слои окислов металла подвергаются в основном упругой деформации, причеМ деформацией охвачены очень тонкие слои окислов. При многократном упругом передеформировании окисных слоев происходит их усталостное разрушение, а на месте разрушенных окислов образуются новые вследствие окисления металла кислородом, всегда присутствующим в топливе или выделяющимся при разложении гетероатомных кислородных соединений. [c.70]


    Эта схема неприемлема для переработки дистиллятов с высокой концентрацией легких фракций. Даже при питании установки тяжелыми дистиллятами будет наблюдаться унос углеводородов мощным потоком газов. Выбрасываемые из скруббера газы загрязняют атмосферу аппараты, трубопроводы и территория со временем покрываются тонким слоем углеводородов, выпадающих из охлаждающихся на воздухе газов. Улучшить условия работы и снизить потери сырья можно путем дополнения сырьевого скруббера водяной промывной колонной и отстойником для выделения эмульсии. Это, однако, усложняет схему и удорожает подготовку еырья. [c.81]

    Особое внимание необходимо обратить на возможность возникновения дополнительного сопротивления на границе между осадком и перегородкой, которое может оказаться значительным. Указанное сопротивление исследовано недостаточно и в общепринятых уравнениях отдельно не учитывается. Предположительно дополнительное сопротивление вызывают аномалии в известных закономерностях в начале фильтрования, когда относительная величина этого сопротивления заметна, так как на перегородке находится осадок небольшой толщины. Очень упрощенной схемой возникновение рассматриваемого сопротивления пояснено на рис. И-12. Как следует из этого рисунка, со1противление тонкого слоя осадка и перегородки характеризуется в отдельности размерами пор рос и Рф.п- При соприкосновении осадка и перегородки поперечные сечения пор могут быть взаимно перекрыты в результате случайного расположения или деформации твердых частиц при этом дополнительное граничное сопротивление будет определяться порами меньшего размера ргр- Общее сопротивление окажется больше, чем сумма сопротивлений осадка и перегородки, рассматриваемых в отдельности. [c.72]

    Рефрактометр типа Аббе отечественной конструкции ИРФ-22 предназначается для непосредственного измерения показателя преломления жидких и твердых тел в интервале 1,3 —1,7 для линий с точностью до 2-10 ) а также для измерения средней дисперсии этих тел с точностью до 1,5-10 " Оптическая схема прибора состоит из визирной и отсчетной систем. Визирная система. Лучи света от зеркала 1 (рис. V. 7) направляются в осветительную призму 2, проходят тонкий слой исследуемой жидкости, измерительную нризму 5, защитное стекло 4, компенсатор 5 и попадают в объектив б далее, преломляясь в призме 7, проходят пластинку 8 с перекрестием и через окуляр 9 попадают в глаз наблюдателя. [c.83]

    Такое положение можно наблюдать и визуально, как сыпучий материал пересыпается на поверхности слоя, открыв люк и осветив внутренность КСП. Идеальная схема движения с пересыпанием на поверхности будет иметь. место при очень плавном вращении без каких-либо толчков. На самом же дел.з бандажи и ролики опор не обсолютно круглые, имеются удары зубчатой передачи и толчки происходят непрерывно и поэтому наблюдается толчкообразный режим. Скатывается по хордальной поверхности не постоянный тонкий слой, а слой меняющийся по толщине. [c.70]

    Следует отметить, что модификация качества поверхности подаюж-ки любым способом сказывается лишь на первоначальном закреплении парафиновых частиц на поверхности, так как после возникновения первого, относительно тонкого, слоя отложений на поверхности дальнейшее их накопление и рост происходят по схеме "парафин-парафин". [c.147]

    В ТСХ применяется ряд приборов и приспособлений для нанесения тонкого слоя сорбента определенной толщины. Наиболее распространен прибор Шталя [20, с. 16], схема которого представлена на рис. У.З. Прибор состоит из шаблона, на который укладываются приготовленные пластинки. По шаблону передвигается корпус прибора с вращающейся цилиндрической гильзой. В гильзу загружают приготовленную массу сорбента. Поворотом рукоятки гильзу устанавливают так, чтобы имеющаяся в ней щель позволяла массе сорбента выдавливаться в отверстие корпуса и поступать на пластинку. Высота отверстия и, следовательно, толщина слоя поступающего сорбента могут регулироваться в пределах от О до 2 мм. При нанесении массы сорбента на пластинки корпус прибора медленно передвигают вдоль шаблона. В приборе Шталя можно использовать пластинки размером 20x20 и 20x5 см. [c.136]

Рис. 77, Схема распрсде-ления смсси веществ иа пластинке с тонким слоем сорбента Рис. 77, Схема распрсде-ления смсси веществ иа пластинке с <a href="/info/3785">тонким слоем</a> сорбента
    Калий, рубидий и в особенности цезий применяют в фотоэлементах. Это приборы, в которых электрический ток возникает за счет энергии света. Если на поверхность металла падает свет, то с нее вылетают электроны при условии, что энергия кванта падающего света равна (или больше) работе выхода электрона. Конечно, работа выхода электрона с поверхности различна для разных металлов, а потому и неодинакова энергия квантов, вызывающих отрыв электрона. Наименьшей работой выхода электрона обладают щелочные металлы, например у цезия она составляет всего лишь 1,18 эв. Принципиальная схема сурьмяно-цезиевого фотоэлемента представлена на рис. 9. Посеребренное дно вакуумного резервуара А) покрыто тонким слоем сплава цезия с сурьмой состава СззЗЬ ( ), соединенным с внешней цепью. Над [c.42]

Рис. 46. Схема разделения смеси веществ на пластинке с тонким слоем сорбен-та-носителя Рис. 46. <a href="/info/68922">Схема разделения</a> <a href="/info/308564">смеси веществ</a> на пластинке с <a href="/info/3785">тонким слоем</a> сорбен-та-носителя
    Схема разделения смеси веществ методом ТСХ приведена на рис. 44. На пластинку с тонким слоем адсорбента (неподвижная фаза) на определенном месте ( стартовая линия ) наносят пробы веществ и их смесей. Затем пластинку ниже стартовой линии погружают в растворитель (подвижная фаза). По мере продвижения растворителя по пластинке проходит многократно повторяющийся процесс адсорбции и десорбции анализируемых веществ, в результате чего происходит их разделение. Отметив границу подъема растворителя ( линия фронта ), пластинку сущат и проводят операции по обнаружению и определению анализируемых веществ. [c.128]

    При гидроабразивном изнащивании разрущение тонких слоев пластичных металлов происходит одновременно по двум схемам постоянного во времени отделения очень малых частиц металла, соизмеримых с глубиной внедрения абразивных частиц и в изнашиваемую поверхность (царапина, передеформирование), и периодического отделения более значительных по толщине микрослоев металла в пределах наиболее наклепанного слоя (малоцикловая усталость) [51], [c.7]

    На рис. 2.6 приведена схема установки для снятия поляризационных кривых г альваностатическим методом ячейка — без разделения катодного и анодного пространства. Для определения характера коррозионного процесса в атмосферных условиях поляризационные кривые снимают в тонких слоях электролитов [3]. [c.32]

    Структура Ж. к. легко изменяется при нагревании, под воздействием мех. напряжений, электрич. и магн. полей и др., что приводит к изменению их оптич., электрич. и других св-в. Т. о., возможны управление этими св-вами с помощью сравнительно слабых внеш. воздействий или регистрация указанных воздействий с помощью Ж. к. Напр., если на первоначально прозрачный однородно ориентированный тонкий слой нематич. жидкокристаллич. в-ва наложить электрич. поле, при определ. напряжении поля происходит переориентация молекул, а при дальнейшем увеличении напряжения начинается турбулентное движение в-ва. В результате образец начинает интенсивно рассеивать свет. Этот эффект динамич. рассеяния света использ. в буквенно-цифровых индикаторах и др. устр-вах отображения информации. Небольшая потребляемая мощность ( 0,1 мВт/см ), низкое напряжение питания (неск. В) и др, особенности этих устройств позволяют сочетать жидкокристаллич. дисплеи с иптегр. схемами, обеспечивая миниатюризацию приборов для записи и хранения информации. [c.203]

    На рис. 135 показана схема простого устройства, предложенного для этой цели 1Иорганом и соавторами. Сорбент с сорбированным на нем веществом они вносили тонким слоем на мембрану из пористого полипропилена, отделяющую его от камеры элюции, которая, в свою очередь, диализной мембраной была отделена от нижнего электродного буфера. Объем камеры элюции можно было регулировать, сближая верхнюю и нижнюю трубки. Верхний электродный буфер, которым уравновешивали и сорбент, выбирали таким образом, чтобы десорбированный белок был должным образом заряжен. Работа этой системы не требует особых пояснений. Главное ее достоинство — малый объем, куда элюируется вещество с колонки. Разумеется, примеси необходимо десорбировать и смыть с колонки до ее установки в камеру элюции. Тем не менее часть задержавшихся на колонке примесных белков может выходить в камеру вместе с очищаемым белком [IVIorgan et al., 1979]. [c.411]

    Аналогичный принции двухступенчатого сжигания твердого топлива применяется и в топочной практике котельных установок [Л. 20], в которой, как правило, редко прибегают к искусственному утолщению слоя. Причиной, по которой переходят на работу со вторичным воздухом, является обычно наблюдающийся на практике химический недожог, особенно чувствующийся при сжигании топлив, богатых летучими. При встречной схеме слоевого сжигания это следует приписать тому, что летучие, уносимые общим газо-воздушным потоком в топочное пространство, вынуждены сгорать в этом потоке уже тогда, когда он лишился значительной части свободного кислорода, гак как даже при тонких слоях в этом случае поступающий под слой воздух встречается в первую очередь с активной зоной коксового горения, где и теряет значительную часть своего кислорода. При схеме поперечного питания причиной недожога может явиться уже указывавшаяся неоднородность газового потока, [c.154]

    Безмешалочные парообразователи пленочного типа изготовляются различных конструкций. На фиг. VHI. 4 показана схема трубчатого парообразователя с опускающейся пленкой. Из распределителя 4 раствор опускается по стенке трубы 3 тонким слоем. Между корпусом 2 и трубой 3 подается греющий пар. Раствор кипит в тонком слое на внутренней поверхности трубы и вместе с образовавшимся вторичным паром опускается вниз к пароотдели-телю /. Кипятильные трубы делаются небольшого сечения, [c.301]

    На фиг. Vni. 10 приведена принципиальная схема выпарной установки с принудительной циркуляцией раствора. Установка имеет выносной трубчатый нагреватель 7, испаритель 2, циркуляционный насос 9, пароструйный компрессор 3, конденсатор 4, вакуум-насосы 5 и б, конденсатоотводчик 1 и приемную ванну 8. Определенная порция раствора, проходя через нагревательные трубы, нагревается до температуры Тп, которая выше температуры насыщения Из трубок перегретый раствор подводится по касательной к корпусу испарителя. Двигаясь по стенкам корпуса испарителя тонким слоем раствор самоиспаряется. Вторичный 306 [c.306]

    Схема электроультрафильтрования приведена на рис. 221. Основной частью прибора является воронка Бюхнера, присоединенная к колбе Бунзена. Фильтровальная пластинка воронки изготовляется из пористой массы, которая сверху покрыта коллодиевой мембраной, а снизу тонким слоем платины, соединенным с анодом. В воронку Бюхнера помещают мешалку и пористый фильтр грушевидной формы. Этот фильтр покрыт снаружи мембраной, а внутри — тонким слоем платины, соединенным с катодом. [c.204]

    Еще одно свойство, которое можно использовать для газовых сенсоров,— это электропроводность. Соответствующие сенсоры состоят из оксидов металлов, таких, как ЗпОг, 2пО, Т102 и РеаОз с проводимостью п-типа. Схема сенсора с тонким слоем бпОз приведена на рис. 7.7-6. Кислород адсорбируется на нагреваемой поверхности этого сенсора и реагирует с определяемыми газами-восстановителями. В результате проводимость устройства изменяется и может быть измерена как неспецифический сигнал. [c.504]

    Процесс изготовления микроаналитических систем базируется на технологиях, использующихся при производстве интегральных схем (чипов). В их основе лежат хорошо изученные и отработанные на практике процессы фотолитографии и травления либо в растворах, либо в газовой фазе (например, реакционное ионное травление). На рис. 15.2-1 представлен типичный процесс изготовления устройства с системой микроканалов. Подложку, обычно из кремния, стекла или кварца (в принципе, возможно использование полимеров), покрьшают пленкой металла (обычно хром или золото с тонким слоем хрома для улучшения адгезии) и слоем фоторезиста. Затем с использованием фотошаблона, на котором нанесен рисунок будущего микроустройства, поверхность подвергают действию УФ-излучения. После соответствующей химической обработки (проявления) пленка фоторезиста удаляется с участков, подвергнутых экспозиции. Пленка металла, не защищенная фоторезистом, удаляется в травильных ваннах. Затем, на второй стадии травления травится и сама подложка (обычно в НГ/НКОз или КОН). В зависимости от выбранного травителя и типа подложки получающиеся микроканалы имеют различный профиль. Стеклянные и другие аморфные подложки обычно изотропны по свойствам и травятся с одинаковыми скоростями в любом выбранном направлении. Протравленные каналы, как правило, имеют скругленные кромки. На монокристаллических кремниевых или кварцевых подложках в присутствии подходя1цих травителей возможно анизотропное травление, приводящее к получению каналов со специфичными профилями, зависящими от расположения кристаллографических плоскостей, подвергнутых травлению. На заключительной стадии процесса по- [c.642]

    На рис. 4 приведена схема установки Милликена для изучения фотоэлектрического эффекта. Металлический литий, натрий и калий помещали на грани зубчатого колеса , которое могло вращаться при помощи электромагнита так, что каждый металл по очереди подводился в требуемое положение. Чтобы сохранить поверхность металла чисто11, применяли нож Р, которым срезали тонкий слой легко окисляющихся металлов. Использованный в опытах цилиндр Фарадея был изготовлен из меди. Для меди предельная длина волны Х(,=2688 А. Для щелочных металлов она значительно больше (для натрия, например, 6800 А). Поэтому иод действием видимого света электроны испускались только щелочными металлами. Если сопоставить эксиеримеитально найденную численную величину тангенса угла наклона прямой (равную е/к) с принятым значением заряда электрона, то можно установить, что к равно 6,589-10 эрг-сек, что согласуется со значениями к, получепными другими методами. Данные для цезия (vo =4,39-Ю ) приведены на рис. 5. [c.101]


Смотреть страницы где упоминается термин Схема в тонком слое: [c.687]    [c.688]    [c.187]    [c.285]    [c.52]    [c.306]    [c.25]    [c.62]    [c.68]   
Основы техники кристаллизации расплавов (1975) -- [ c.253 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

тонкой



© 2024 chem21.info Реклама на сайте