Галлий носитель

Халькогениды [46, 47]. Сульфиды. Сероводород не осаждает галлия из растворов солей, так как сульфид галлия, подобно сульфиду алюминия, тотчас же нацело гидролизуется. Однако в присутствии носителя, например цинка, олова или мышьяка, галлий может быть осажден в виде сульфида за счет комплексообразования. При действии [c.233]

Носители, способствующие механическому выносу паров определяемого вещества или изменению топографии частиц в плазме (соли аммония, оксид галлия). [c.119]

Это позволяет отогнать все или большую часть примесей, которые испаряются легче, чем основа. Этому способствует также введение в пробу носителя. Его температура кипения имеет промежуточное значение между температурой кипения примесей и основы пробы. Температура электродов определяется температурой кипения носителя, что способствует полному испарению примесей и подавляет поступление в разряд основы до тех нор, пока в электроде есть носитель. Например, при анализе урана в виде закиси-окиси СзО добавляют носитель—окись галлия, вес которой составляет 2% от веса пробы. Это повышает интенсивность спектральных линий 33 элементов, присутствующих в виде примесей в уране. Большинство из НИХ ПОЛНОСТЬЮ испаряется вместе с носителем до начала поступления в разряд урана. [c.251]

Разнообразное применение галлий находит в связи со своей легкоплавкостью и малой летучестью. В атомной технике было предложено использовать его в виде сплавов с оловом и цинком в качестве теплоносителя в ядерных реакторах, а также в виде сплава с индием в качестве носителя Y-излучения в радиационных контурах ядерных реакторов. Такой эвтектический сплав (14,2 ат. % индия) благодаря своей низкой температуре плавления (15,8°) и склонности к переохлаждению остается жидким при комнатной температуре [80]. Предложено много других областей применения легкоплавких сплавов галлия для наполнения высокотемпературных термометров (600—1500°), для устройства гидравлических затворов в вакуумных приборах, плавких предохранителей и т. п. [c.245]

Генетический тип Формация Основные носители галлия [c.248]

От анализируемой закиси-окиси урана квартованием отбирают пробу весом 5,5—6 г, которую прокаливают в муфельной печи при 800° в течение 30 мин. От этой пробы отбирают навеску в 5 г, в которую вводят носитель в количестве 150 лг. Носитель представляет собой смесь спектрально чистых окиси галлия и закиси-окиси урана в отношении (I 12) . Смесь тщательно растирают в агатовой ступке в течение 15 мин. От приготовленной смеси пробы с носителем отбирают навеску 250 ме. Применение носителей, по данным авторов [151 ], увеличивает интенсивность линий бора. Условия испарения пробы температура нагревания — 1800°, время установления этой температуры — 20 сек., продолжительность испарения при этой температуре — 20 сек. Наилучшая воспроизводимость анализа имеет место в случае, если электрод-приемник имеет форму, изображенную на рис. 58г. Источник спектра для анализа конденсата — дуга постоянного тока, сила тока — Ю а. Электрод с конденсатом служит анодом. Спектрограф ИСП-22, экспозиция— [c.364]

Процесс каталитического риформинга осуществляют на бифункциональных катализаторах, сочетающих кислотную и гидрирую-щую-дегидрирующую функции. Гомолитические реакции гидрирования и дегидрирования протекают на металлических центрах платины или платины, промотированной добавками рения, иридия, олова, галлия, германия и др., тонко диспергированных на носителе. [c.533]

Определение В, Сг и Sn проводят в присутствии окиси галлия в качестве носителя. [c.189]

Чаще всего для определения кальция в окислах РЗЭ применяется фракционная дистилляция с носителем (окисью галлия [427] или реже — хлоридом натрия [258]). Применение носителя увеличивает чувствительность спектрального определения кальция от [c.127]

Метод с применением испаряющегося носителя (см. стр. 175) также предполагает использование окисленны.х проб и основан на большой летучести окислов некоторых примесей по сравнению с летучестью окиси циркония. В присутствии летучего носителя — окиси галлия — происходит преимущественное испарение этих примесей. Этот метод применяется для определения кадмия и свинца в цирконии, когда нельзя получить твердую пробу, необходимую в других методах анализа. [c.167]

Носитель, спектрально-чистая окись галлия. [c.176]

Концентрирование галлия осаждением с носителями [c.45]

Предложены методы определения цинка, таллия, кадмия, свинца, мышьяка, висмута, галлия, германия, нндия, сурьмы, олова, теллура в различных труднолетучих веществах. Метод имеет большие потенциальные возможности при использовании селективной отгонки, если сначала вводится реакционный газ, а затем газ-носитель. [c.199]

В маркировке полупроводниковых материалов обозначают не только тип легирующей примеси, но и те свойства, которые наиболее важны для практического применения, а иногда и способ получения. Например, марка BKЭФ-10 ,2 характеризует кремний (К), полученный бестигельной зонной плавкой (Б), электронного типа проводимости (Э), легированный фосфором (Ф) с удельным сопротивлением 10 Ом См и временем жизни неосновных носителей 0,2 мкс арсенид галлия АГДЦЗ,5-17 — дырочного типа (Д), легирован цинком (Ц) с концентрацией дырок 3,5-10 . Фосфид галлия, применяемый для фотодиодов, маркируется, например, так ФГЭТК-К/ЗО [Э—электронного типа, ТК — легирован теллуром, кислородом, К — красное свечение р—п-перехода, 30 — яркость свечения, кд/м (нит)1. [c.56]

В другом методе фракционной дистилляции [480а] в качестве носителя используется МаР. Для анализа берут 0,5 мг плутония в виде нитратного раствора, который смешивают с 0,8 мг КаР непосредственно в кратере графитового электрода. После выпаривания досуха производят возбуждение в дуге переменного тока. Вследствие небольшого размера анализируемого образца чувствительность метода невелика по сравнению с методом, использующим окись галлия. К достоинствам его следует отнести простоту подготовки образцов и быстроту анализа. [c.380]

Если вводить в кристаллическую решетку германия (кремния) атом галлия или другого элемента 11IA подгруппы, то у атома замещающей примеси не хватит одного электрона для осуществления четырех нормальных связей с соседними атомами германия. Одна из связей будет незаполненной (одноэлектронной), но атом галлия и смежный с ним атом германия будут электронейтральными. Однако при небольшом возбуждении электрон из какой-либо нормальной соседней связи между атомами германия может перейти в место незаполненной связи. Тогда у атома галлия появится отрицательный заряд, а где-то вблизи возникнет дырка (рис. 74). Таким легированием германия (кремния) элементами IIIA подгруппы можно повышать концентрацию дырок, которые станут основными носителями подвижных зарядов, а электроны — неосновными. Так как энергия возникновения дырки вблизи акцепторной примеси Д а тоже порядка сотых долей электрон-вольта, то появление галлия в решетке германия как примеси замещения, по-видимому, приводит к появлению локального уровня Ец вблизи верхнего края валентной зоны (рис. 74,6). Уже при невысокой температуре электроны из валентной зоны переходят на этот акцепторный уровень оставляя дырку в валентной зоне. Полупроводники с избытком дырок (с акцепторными примесями) называются дырочными или р-типа полупроводниками (от лат. positive — положительный). [c.240]

Важнейшие области применения галлия. Основная область применения галлия — полупроводниковая техника. Галлий образует с элементами группы азота (кроме висмута) соединения типа А" В , которые изоэлектронны полупроводниковым элементам IV группы — германию и кремнию и обладают полупровониковыми свойствами. По сравнению с германием и кремнием соединения А В обладают большей подвижностью носителей тока. Они способны образовывать друг с другом твердые растворы, что позволяет синтезировать из них полупроводниковые материалы со свойствами, меняющимися в широких диапазонах. [c.245]

После отделения осадка проводят вторую карбонизацию с целью получения обогащенного галлием осадка. Чтобы максимально сооса-дить галлий, рекомендуется карбонизировать при пониженной температуре и по возможности быстро. Процесс должен заканчиваться при концентрации гидрокарбоната натрия в растворе 15—20 г/л. Гидроокись галлия и галлокарбонат натрия заметно растворимы в гидрокарбонатных растворах (около 37 мг/л Са Оз при 20°). Однако в присутствии носителя, роль которого играет алюминий, осаждение проходит достаточно полно. Для осаждения галлия на 95—97% необходим не менее чем двадцатикратный избыток А1 [93]. При очень глубокой карбонизации растворов вместе с алюмо (галло)-карбонатом натрия в осадок может выпасть и так называемая трона ЫазН(СОз)2 [c.254]

Германий обладает полупроводниковыми свойствами. Электросопротивление и подвижность носителей тока приведены для чистого мо-нокристаллического германия, обладающего только собственной проводимостью. Кристаллизуется он в кубической решетке типа алмаза. Очень хрупок, при комнатной температуре легко превращается в порошок. Твердость по шкале Мооса 6—6,5. Методом микротвердости было найдено значение 385 кг/мм . Такая высокая твердость в сочетании с хрупкостью делает невозможной механическую обработку германия. С повышением температуры его твердость падает выше 650 чистый германий становится пластичным. При высоком давлении получены еще три модификации германия, отличающиеся большей плотностью и электропроводностью. При плавлении он, подобно галлию и висмуту, уменьшается в объеме (- 5,6%). В парах масс-спектрографически обнаружены, помимо отдельных атомов, агрегаты, содержащие до восьми атомов. [c.155]

ЛИЯ появится отрицательный заряд, а где-то вблизи возникнет дырка (рис. 74). Таким легированием германия (кремния) элементами ША-подгрунны можно повышать концентрацию дырок, которые станут основными носителями подвижных зарядов, а электроны — неосновными. Так как энергия возникновения дырки вблизи акцепторной примеси АЕц тоже порядка сотых долей электрон-вольта, то появление галлия в решетке германия как [c.299]

Алимарин и др. [12] отделяли галлий от алюминия в системе НС1-три-н.бутилс сфат. В качестве носителя в колонках использован фторопласт-4, неподвижным фоном служил трибутилфос-фат, элюентом —0,1 N НС1. [c.191]

Рассмотрим природу р—/г-перехода. При легировании полупроводника донорными и акцепторными примесями образуются области с электронной и дырочной проводимостью. Например, при введении в кристалл фосфида галлия примеси серы, замещающей фосфор, образуются донорные уровни, поско.1)ьку у серы на один валентный электрон больше, чем у фосфора. Когда вводится примесь цинка, замещающего галлий, то образуется акцепторный уровош., так как у цинка на один валентный электрон меньше, чем у галлия. Вносимые этими примесями избыточные электроны или дырки (недостающие электроны) при комнатной температуре являются свободными, т. е. переходят с примесных уровней в зону проводимости (электроны) или валентную зону (дырки). Стремление носителей тока к равномерному распределению по кристаллу приводит к тому, что часть электронов переходит на ближайшие акцепторы это обедняет электронами /г-область и дырками р-область. На границе раздела возникает отрицательный заряд со стороны р-области и положительный — со стороны -области (рис. VI. 15). Эти заряды создают поле, препятствующее дальнейшему движению электронов пз п- в р-область. Собственно р—/г-переход находится в том месте обедненного слоя, где уровень Ферми пересекает середину запрещенной зоны. [c.143]

Принципиальная схема аппаратуры для газофазной эпитаксии за счет реакций химического переноса показана на рис. VI.18. Галлий транспортируется в виде субхлорида, образующегося при пропускании хлористого водорода над расплавом металла. Мышьяк и фосфор — в виде арсина и фосфина. Донорную примесь (селен) вводят в виде селеноводорода. Иногда применяют теллур или кремний в виде теллурорганических соединений и силанов. Акцептор (цинк) поступает обычно за счет диффузии из пара уже после выращивания эпитаксиального слоя. Газом-носителем служит водород, очищенный пропусканием через нагретый палладиевый фильтр. Скорость выращивания достигает 40 мкм/мин. К достоинствам этого метода относится высокая чистота конечного продукта и большая степень его однородности кроме того, этот метод отличается простотой, надежностью, производительностью, и, следовательно, экономичностью. Недостаток метода — низкая степень использования исходных продуктов ( 3%), а также необходимость работы с токсичными веществами (гидриды мышьяка, фосфора, селена и теллура). Схему, показанную на рис. 1.18, обычно используют в лабораторных условиях. Для повышения производительности [c.148]

Теллурид цинка [99]. Для изготовления р— -перехода использовали монокристаллы ZnTe р-типа с избытком теллура, а также легированные Li, s, Р. Концентрация носителей тока в р- ZnTe достигала 3-10 8см . Область с проводимостью -типа создавали путем введения комплексов галлий-кислород неравновесным методом резким охлаждением расплавленного слоя ZnTe с примесью окисных соединений галлия. Для этого на поверхность кристалла р-типа наносили коллоидный слой гидроокиси галлия, а пластину устанавливали на хладопровод и нагревали электронно-плазменным лучом, образованным [c.151]

В 1946 г. Скрибнер и Муллин [888] разработали метод опреде-.тения примесей в уране, основанный на явлении фракционного испарения элементов с носителем в дуге постоянного тока. В качестве носителя авторы рекомендуют окись галлия, вводимую в пробу [c.358]

Среди материалов, обладающих электрическими свойствами, обычно рассматр йвают проводники, полупроводники и диэлектрики. Различия между ними определяются характером химической связи и структурой энергетических зон, возникающих в результате взаимодействия атомов или ионов, составляющих кристаллическую решетку. Энергетическая диаграмма полупроводникового кристалла в отличие от диэлектрика характеризуется более узкой полосой запрещенных энергий. Некоторые важнейшие полупроводниковые материалы для электронной техники уже были рассмотрены (германий, кремний, арсенид галлия). В то же время существует много перспективных соединений типа А В (А —Оа, 1п В -8Ь, Аз, Р) и А В1 (А11-2п, Сс1, Hg В -5, 8е, Те). Первые из них обладают исключительно высокой подвижностью носителей заряда, а вторые позволяют в широком интервале изменять ширину запрещенной зоны. Среди диэлектриков со специальными свойствами в первую очередь следует выделить сегнето- и пьезоэлектрические материалы для квантовой электроники, включая активные среды лазеров и мазеров. Первые из них склонны к поляризации только пол влиянием внешних механических воз- [c.164]

Используемые для промотирования металлы можно разделить на две фуппы. К первой из них принадлежат металлы VIII ряда рений и иридий, известные как катализаторы гидро-дегидрогенизации и гидрогенолиза. К другой группе модификаторов относятся металлы, практически неактивные в реакциях риформинга, такие, как германий, олово и свинец (IV группа), галлий, индий и редкоземельные элементы (III группа) и кадмий (из II группы). К биметаллическим катализаторам относятся платино-рениевые и платино-иридиевые, содержащие 0,3 - 0,4 % масс, платины и примерно столько же Ке и 1г. Рений или иридий образуют с платиной биметаллический сплав, точнее кластер, типа Р1-Ке-Ке-Р1-, который препятствует рекристаллизации - укрупнению кристаллов платины при длительной эксплуатации процесса. Биметаллические кластерные кристаллизаторы (получаемые обычно нанесением металлов, обладающих каталитической активностью, особенно благородных, на носитель с высокоразвитой поверхностью) характеризуются, кроме высокой термостойкости, еще одним важным достоинством - повышенной активностью [c.535]

Р. Р. Галле, В. Н. Парфапотч, ЖПХ, 19, 1107 (1946). Полимеризация иаобутилена действием фосфорной кислоты на носителе. [c.223]

Р. Р. Галле, Б. Н. Парфаноеич, Р. Н. Розенберг, ЖПХ, 19, 1251 (3946). Полимеризация изобутилена действием кислых фосфатов железа на носителе. [c.223]

HJ при помощи диэтилового эфира. При изучении коэффициентов распределения иодида индия и иодида галлия в зависимости от концентрации иодистоводородной кислоты (приготовленной смешиванием иодида калия и серной кислоты), от концентрации иона металла и избытка серной кислоты применяли радиоактивные изотопы и Ga с периодом полураспада, соответственно, 50 суток и 78 часов. 10 мл водного раствора, содерн ащего эквивалентные количества иодида калия и серной кислоты, радиоактивные изотопы индия и галлия и носители, встряхивают 3 мин. с 10 мл свежеперегнанного диэтилового эфира, и после разделения измеряют объем обеих фаз. 4,0 мл той или другой фазы помещают в счетчик с кристаллом NaJ и измеряют активность. Влияние концентрации кислоты изучено со свободным от носителя Оа при концентрации индия около 10 М. [c.78]

Для определения примесей в арсениде галлия наиболее часто испо.т1ьзуются спектральные методы [13, 258, 260]. Для повышения чувствительности определения примеси предварительно концентрируют различными методами, в том числе экстракцией [87, 365], ионным обменом [309, 414], отгонкой элементов основы [292, 402], соосаждением примесей с органическими и неорганическими носителями [350, 351]. [c.194]

Скрибнер и Маллин [477] определяли бе )иллий в уране по методу фракционной дистилляции в присутствии окиси галлия в качестве носителя. Ими использована дуга постоянного тока (10 а) между специально сконструированными электродами. Анод — графитовый стержень диаметром б мм, длиной 15 мм с каналом в верхней части (диаметр 4 мм, глубина 7 мм). Катодом служит графитовый стержень, заточенный на конус. Конструкция анода обеспечивает равномерное нагревание его по всей длине, за исключением торцевой части. [c.99]

При фракционировании примесей смешивают М0О3 с угольным порошком (для карбонизации) и окисью галлия в качестве носителя. Пробу фиксируют на электроде спиртовым раствором бакелита. Анализ проводят в дуге постоянного тока (10 а, 250 в) на ИСП-22 [250]. [c.125]

Этот - етод предназначен для определения 1—5-10" % бора, а также кадмик и свинца, если содержание этих элементов в пробах ниже преде.гйпых, установленных стандартами, и равно соответственно 5-10 и 1.3-10 . Метод предполагает анализ окисленной иробы в электрической дуге с иримекением окиси галлия в качестве носителя. Спектр сравнивают с полученными подобным же образом спектрами окис,леииых образцов известного состава . [c.175]

Способность жидкого галлия и его легкоплавких сплавов хорошо смачивать твердые материалы используется в вакуумной технике — с их помощью создают жидкие затворы в вакуумных аппаратах и диффузионных насосах, а также в специальных электровакуум ных приборах [665]. Галлий и его сплавы с индием и оловом применяют в качестве затворов в газовых системах, например в масс-спектрографах для анализа углеводородов [1181] (здесь галлий заменяет легкокипящую ртуть, благодаря чему эти приборы могут работать при высоких температурах, до 400°С). Эти же сплавы применяют в качестве смазок и прокладок при соединении деталей из кварца, стекла и керамики под давлением, а также для склеивания их [677]. Сплав галлия с индием применяется в качестве покрытий на подшипники [178], а также как у-носитель для радиационных контуров [255]. Жидкий галлий и его сплавы с индием, цинком, оловом и висмутом могут заменять токсичную ртуть в ряде электротехнических и радиотехнических приборов, например в выпрямителях тока. Благодаря высокой температуре кипения и низкой упругости паров галлия и его сплавов такие выпрямители работают со значительно большими нагрузками и производительностью, чем ртутные [178]. Жидкий сплав Оа—А1 применяется в качестве катода в вакуумных лампах. Сплавы Оа— d—5п применяются как присадки к катодам электронных ламп, которые могут работать при сравнительно низких температурах благодаря способности указанных 1-плавов испускать электроны при пониженных температурах. [c.10]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология