Кристалл ограничения

По степени распространенности среди твердых тел основным является кристаллическое состояние, характеризующееся строго определенной ориентацией частиц друг относительно друга. Это определяет и внешнюю форму вещества в виде кристалла. В идеальных случаях кристалл ограничен плоскими гранями, сходящимися в точечных вершинах и прямолинейных ребрах. Одиночные кристаллы (монокристаллы) иногда встречаются в природе в большом количестве их получают искусственно. Однако чаще всего кристаллические тела представляют собой поликристаллические образования — сростки большого [c.132]

Дендритный рост. При высоких значениях пересыщения, когда рост кристаллов ограничен диффузией, превалирует дендритный тип роста. Он заключается в образовании неправильных или ветвистых агрегатов, напоминающих снежинки. В случае ионных осадков происходит диффузия сольватированных ионов к поверх-ностл растущего кристалла, осаждение этих ионов и высвобождение молекул растворителя с последующей диффузией растворителя в сторону от поверхности растущего кристалла. На ребрах, а особенно — Б вершинах, блокирующее влияние высвобожденного растворителя не так велико, поэтому в таких точках создаются наиболее благоприятные условия роста. Этот процесс назван механизмом затора в движении [47]. Важный аспект дендритного роста состоит в том, что образующиеся при этом кристаллы легко дробятся [48], и в результате возникает так называемое вторичное образование центров кристаллизации. Таким образом число частиц, образующихся при осаждении, может значительно превышать число центров кристаллизации, даже в отсутствие гомогенной кристаллизации. При искусственном стимулировании выпадения метеорологических осадков каждый центр кристаллизации, образованный йодидом серебра, может привести к возникновению тысяч капель дождя за счет дробления дендритных кристаллов льда. Нильсен [15] показал, что получение более мелких частиц при перемешивании в период роста кристаллов, по-видимому, опять-таки связано с дроблением дендритных кристаллов на ранних стадиях осаждения. Ультразвуковая вибрация при осаждении тоже приводит к уменьшению размера частиц. Уолтон [49] считает, что фрагментация дендритных кристаллов может иногда быть альтернативной формой начала гомогенного образования центров кристаллизации. [c.170]

Аморфное состояние вещества. Среди твердых тел встречаются такие, Б изломе которых нельзя обнаружить никаких признаков кристаллов. Напрнмер, если расколоть кусок обыкновенного стекла, то излом его окажется гладким и, в отличие ог изломов кристаллов, ограничен не плоскими, а овальными поверхностями. Подобная же картина наблюдается при раскалывании кусков смолы, клея н некоторых других веществ. Такое состояние вещества называют аморфным. [c.163]

Уровни Тамма (1932 г.). Предположим, что простой кубический кристалл ограничен поверхностями (001) при /3 = О и g = и не ограничен по остальным двум направлениям. Век- [c.448]

Призматические кристаллы, ограниченные ромбоэдрами, триго-нальные пирамиды, зернистые агрегаты [c.154]

Таким образом, в случае кристалла, ограниченного в основном неактивными плоскостями, следует ожидать очень малой скорости испарения или, согласно ранее принятой терминологии, низких значений коэффициентов испарения от 10 до 10 . Эти соображения применимы также к процессу конденсации. Преобладающее число падающих атомов встречают на гранях кристалла места с незначительными энергиями связи (8о — е д) и при не слишком низких температурах, пробыв иа них короткое время, должны возвратиться обратно в газовое пространство, т. е., соответственно старой терминологии, должны отразиться. [c.55]

Макромолекула с заданной конформацией может строить кристалл ограниченным числом способов. Минимизируя потенциальную энергию по всем параметрам решетки, мы получим наиболее выгодную упаковку в данной пространственной группе. Проводя такие расчеты для ряда возможных про- [c.76]

Лимонно-желтые кристаллы, ограниченные срезанными кос плоскостями. Растворимость 55 вес.% при 25° С. [c.217]

Кинетика и физико-химические процессы, идущие при фотографическом проявлении, исследовались очень интенсивно [64, 65]. Мы рассмотрим здесь в общих чертах только механизм химического проявления, основываясь на данных, полученных при восстановлении больших монокристаллов хлорида и бромида серебра [27]. При восстановлении больших кристаллов галогенидов серебра проявителями, не содержащими растворителей галогенидов серебра и соединений серы, галогенид серебра вокруг центров проявления превращается в компактные кристаллические массы серебра, занимающие впадины на поверхности кристалла, ограниченные плоскостями 111) (рис. 11). Эти впадины получаются в результате перехода в раствор ионов галоида. В присутствии химических веществ, которые могут растворять галогенид серебра, например [c.440]

Существует несколько других методов выращивания кристаллов из растворов, однако применение их для выращивания органических кристаллов ограниченно. Одним из них является электроосаждение, которое пригодно только для соединений, подвергающихся ионизации в растворе. Главное применение этого метода состоит в получении монокристаллических слоев, обычно металлических, на различных материалах, играющих роль электродов. [c.216]

Р и с. 16. Проекции структуры нафталина. Каждая точка представляет собой конец цепи периодических связей. На каждой проекции кристалл ограничен плоскими гранями, а параллельные им слои указаны пунктирными линиями. Изображены следую-[щие проекции а — по [010], б — по [001], в — по [ПО], г — по [112]. [c.346]

Картина, изображенная на рис. 14, показывает, что в принципе не существует барьера для продолжения складывания молекул вдоль границ доменов, поэтому кристаллы могут расти очень просто, путем повторяющейся конденсации молекул с образованием монослоев, которые спирально развиваются по периферии кристаллов. Это, конечно, идеальный случай, и легко видеть, что даже у кристаллов, ограниченных гранями (ПО), молекулы могут в какой-то степени складываться также в плоскостях (100). Действительно, нет оснований считать, что молекулы не могут складываться в данном индивидуальном кристалле самыми разными способами. Поэтому такой кристалл должен иметь субструктуру доменов складывания, а границы доменов должны быть уже, чем у больших доменов, которые были отождествлены выше с секторами, образуемыми в идеальном случае, представленном на рис. 14. Так как в кристалле данной внешней формы возможны многие способы складывания молекул, то, по-видимому, складывание на молекулярном уровне является беспорядочным, и можно предполагать, что неупорядоченность будет возрастать при более высоких скоростях роста. Однако обнаружить на электронном микроскопе границы доменов складывания не легко, если только они не вырисовываются под влиянием неупорядоченности. Различные способы складывания почти не будут влиять на характер дифракционной картины, потому что последняя зависит в основном от порядка расположения молекул в объеме кристаллов. [c.438]

Если исходный кристалл ограничен только линиями (01), а отношение скоростей таково, что удовлетворяет условию (1,29), то в процессе роста возникнут линии (11). Если же < У"2/2, то из исходного кристалла, ограниченного линиями (01), возникнет кристалл формы, определяемой линиями (11). Из рис. 1,13 видно, что та граница, которая в процессе роста медленнее перемещается в нормальном направлении, будет вытеснять границу, перемещающуюся быстрее. [c.40]

Механизм роста кристаллов. Кристаллы, ограниченные совершенными молекулярно-гладкими гранями, растут по следующему механизму. [c.68]

Кристаллы, ограниченные гранями с выходами винтовых дислокаций, с дефектами в виде посторонних включений или скоплений точечных дефектов, нарастают без спонтанного образования двумерных зародышей. При этом около дефектов образуются постоянно действующие источники монослоев. Слои разрастаются тангенциально, аналогично тому, как разрастаются двумерные зародыши, [c.68]

Таким образом, электрохимический потенциал электронов для кристалла, ограниченного полностью эквивалентными плоскостями, в [c.149]

Выберем три ортогональные оси х, у, г, которые фиксированы в кристалле. Ограничения в выборе осей нет мы просто определим систему осей, которую легко идентифицировать по внешнему виду кристалла. Обычно следует выбирать одну или несколько кристаллографических осей. Затем кристалл устанавливают вертикально по одной из осей, например по оси х, и враш,ают либо его вокруг этой оси, либо магнит вокруг кристалла. Таким способом получают различные расстояния между линиями дублета в зависимости от угла 6 между осью г и внешним полем Я, вращая магнитное поле в плоскости уг. Другие аналогичные измерения проводятся при выборе осей у п г перпендикулярно направлению поля. [c.139]

При взаимной растворимости твердых кристаллов, ограниченной некоторыми пределами, получаются кривые типа рис. 37, где линии аа и ЬЬ определяют границу взаимной растворимости в твердой фазе. Такие диаграммы можно себе представить, как комбинацию типов рис. 30 и рис. 34. [c.302]

Две Eg-моды, активные в спектре КР, включают смещение атомов в плоскости, в которой находятся атомы углерода. Две другие Eg-моды включают движение атомов в соседних слоях, смещающихся либо в фазе, либо в противофазе. Разность частот этих мод должна быть невелика. Действительно, экспериментально наблюдалась [34] одна интенсивная линия при 1575 см , обусловленная, вероятно, двумя этими модами. Более слабая линия при 1355 СМ приписана моде Aig, которая активна в спектре КР для кристаллов ограниченного размера. [c.449]

Как уже отмечалось, выше рассматривалось отражение по Брэггу от кристалла, ограниченного либо лишь входной гранью (бесконечно толстый кристалл), либо двумя параллельными гранями (тонкая плоскопараллельная пластинка). Существенным исходным условием вышеизложенного анализа было приближение падающей плоской волны с шириной фронта, превышающей толщину пластинки. Напомним, что теория отражения по Лауэ, изложенная в гл. 2, 3 и 4, также относится к плоскопараллельному или клиновидному кристаллу с той или иной толщиной. [c.193]

Рост кристаллов облегчается присутствием свободных мест (дырок) на ступенях, возникающих на поверхностях с низким индексом. Когда такие ступени и центры являются результатом винтовой дислокации, то они будут все время повторяться. Напротив, ступени будут временными на поверхностях с высоким индексом раздробленных кристаллов, так как процесс осаждения и сглаживающий рост оставляют только поверхности с низким индексом. В случае совершенного кристалла, ограниченного совершенными поверхностями с низким индексом, рост может происходить только на ступенях, образованных при помощи зародыша поверхности Фоль-мера 2, и каждая новая плоскость решетки потребует по крайней мере появления одного поверхностного зародыша. Пересыщение, необходимое для образования поверхностных зародышей, часто (в сравнительной шкале времени) больше, чем нужно для отложения соли на ступеньках. Обычно эта раз-, ница максимальна при кристаллизации из пара, меньше — из раствора, и минимальна — из расплава. Таким образом, при благоприятных условиях образование зародыша Фольмера может быть более важным, чем рост с винтовыми дислокациями, например, при кристаллизации из расплава в условиях высокого переохлаждения. [c.82]

Следует отметить, что в реальных условиях, особенно при быстром охлаждении, образуются, по-видимому, мелкие кристаллы, ограниченные размерами пор адсорбента. Однако такая система термодинамически менее устойчива, и при длительном выдерживании в изотермических условиях она должна перейти в более стабильную с достаточно крупными кристаллами. [c.209]

Игольчатые кристаллы, ограниченно растворимые в воде до 65,3° при более высоких температурах смешивается с водой в любых соотношениях. Хорошо растворим в большинстве органических растворителей [c.65]

Наиболее сильное взаимодействие между частицами проявляется в кристаллическом состоянии вещества. Сила этого взаимодействия такова, что частицы образуют определенную пространственную структуру —/срисгалл, в котором они закономерно расположены на фиксированном расстоянии друг от друга. Кристалл ограничен плоскими гранями, которые пересекаются по прямым линиям — ребрам. Углы между гранями обусловлены внутренним строением кристалла и зависят от типа химической связи между частицами, от ее энергии, углов и числа связей между частицами. Существование кристаллов является следствием исключительно высокого порядка в расположении частиц, составляющих кристалл. [c.158]

К трехмерным дефектам относятся прежде всего области кристалла, ограниченные рассмотренными выше двумерными дефектами, — двойниковые прослойки, включения других политипных или полиморфных модификаций, макроблоки. Важным типом трехмерных дефектов являются включения раствора, рассматриваемые в 1.6. Сюда же относятся включения посторонних твердых фаз. Твердые включения подразделяются на протогенетические — захваченные кристаллом при росте, сингенетические — возникшие и разраставшиеся одновременно с кристаллом, и- эпигенетические — возникшие при преобразовании готового кристалла. [c.12]

К. Садрон получил мезоморфный (жидкокристаллический) гель путем растворения дифильного блок-сополимера полистирола и полиоксиэтилена в селективных растворителях. При этом блоки полиоксиэтилена как бы выпадают из раствора на себя , образуя слои гибкоцепных пластинчатых кристаллов, напоминающие жидкие, а полистирольные участки дают аморфную прослойку (см. рис. 65). Если в качестве растворителя использовать стирол, а затем проводить полимеризацию в мягких условиях, можно фиксировать жидкокристаллическое состояние (это очень существенно, так как интервал работы жидких кристаллов ограничен температурной областью их существования) и получить полимерные системы с необычными оптическими, электрическими и механическими свойствами Аналогичные системы, вероятно, удастся при- [c.449]

В общем такая картина образования ковалентной связи с металлами, а также ионов на окислах обнаружена для многих газов. Она усложняется присутствием загрязнений на реальных поверхностях, например невосстановленных окислов на металлах, а также наличием дефектов на поверхностях кристаллов, ограниченных размером кристаллитов и наличием граней, мест сращивания и уступов и возможностью образования многократных связей хемосорбируе-мыми молекулами или атомами с несколькими атомами поверхности. Поверхности активных катализаторов далеко не просты поэтому оказалось крайне затруднительным проверять на них теории хемосорбции. Один из весьма успешных путей обхода этих трудностей — приготовление поверхностей металлов, освобожденных от загрязнений и, кроме того, очень однородных. Фундаментальные исследования хемосорбции были проведены именно на таких поверхностях. Некоторые из этих исследований описаны в следующем разделе, за которым следует рассмотрение хемосорбции на окислах. Изложению теоретического обосьювания изотерм, описывающих хемосорбцию, предпослан краткий обзор важнейших экспериментальных работ по теплотам адсорбции. [c.181]

В конечном счете, как показано на рис. 16, нафталин имеет четыре ЦПС, а именно (010), (001), (ПО) и (112). Эти вдпи определяют (ять простых форм с плоскими гранями 100 , 001 , 201 , ПО и 111 . На рис. 16 видны концы цепей, изображенные точками. Кристалл ограничен плоскими гранями, и на каждой проекции пунктирными линиями указаны слои, параллельные плоским граням, причем все они содержат только одинаковые цепи. [c.344]

В качестве простейшей модели ограниченного кристалла рассмотрим плоскопараллельную пластину, т.е. кристалл, ограниченный двумя параллельными свободными плоскостями. Будем считать двойник в пластине плоским, образованным набором винтовых дислокаций, перпендикулярным поверхности и выходящим на нее одним из концов (рис. 3.19). Такой двойник должен уравновешиваться поверхностной силой, направленной параллельно линии каждой дислокации и не меняющейся вдоль нее (в теории упругости соответствующее деформированное состояние называется антиплоской деформацией). Выбор системы координат указан на рис. 3.19. Задача о равновесии такого двойника полностью решена в работе [177], причем в изотропном приближении получен явный вид трансцендентного уравнения, определяющего длину двойника. Ограничиваясь случаем изотропной среды, приведем полученное в [177] уравнение равновесия, опре- [c.79]

Суммируя сказанное о положении у полукристалла, мы можем определить его более четко. Это положение атома (изображенного, например, в виде кубика) в трехгранном угле, образованном массивным кристаллом, ограниченным плоскостью определенного индекса, недостроенной плоскостью и прилегающей к ней недостроенной цепочкой атомов. Два таких блока, сложенных вместе, полностью замыкают рас-сматривдемый атом внутри объема кристалла. Присоединение следующего атома в положение у полукристалла не увеличивает поверхности кристалла, что видно на рис. 1,8, [c.31]

Рассмотрение условий образования равновесной формы кристалла, ограниченного стабильными плоскостями, как будто не имеет значения для вопросов коррозии. На практике мы имеем дело обычно не с монокристаллами, а с поликристаллическими объектами значительного размера. Атомы, расположенные на поверхности кристаллитов, покидают ее не вследствие испарения в газовую фазу, а под действием агрессивной среды — окислителя. Но и в этом случае в раствор будут уходить быстрее атомы, менее прочно связанные с поверхностью. Поэтому изменение рельефа поверхности под влиянием среды качественно должно совпадать с изменением его при испарении, хотя здесь возможно и некоторое различие в деталях и скоростях процесса удаления атомов. Следовательно, если протекает коррозия, то со временем должно установиться такое стационарное состояние, при котором огранка кристаллитов, выходящих на поверхность, характеризуется минимальным числом атомов, менее прочно связанных с поверхностью. Последняя должна приобрести рельеф, близкий к равновесному или, во всяком случае, удовлетворяющий ряду требований, сходных с требованиями равновесия. Поэтому. рассмотрение метода Косселя — Странского — Каишева может найти применение при интерпретации различных случаев коррозии. [c.35]

Возникновение кристаллов является результатом двух элементарных процессов, независящих от того, происходит ли кристаллизация из газообразной, жидкой или твердой фазы 1) возникновения способного к росту зародыша субмикро-скопического размера 2) дальнейшего роста и превращения этого зародыша в макроскопический кристалл, ограниченный поверхностями, характерными для соответствующего кристалла и условий роста. [c.283]

Этими плоскостями, является равновесной. Чем выше поверхностная энергия, тем меньше площадь грани. Грани с наиболее высокими поверхностными энергиями не развиваются. В таком случае они уже не пересекают остальные rpatni многогранника, — значит эти грани термодинамически неустойчивы. Поэтому, если многогранный кристалл может расти дальше, то кристаллизация происходит в первую очередь на неустойчивых гранях, в то время, как наслоение на стабильных гранях кристалла отстает. Вследствие этого исчезают неустойчивые грани, а стабильные увеличиваются в размерах. В конечной стадии роста кристалл ограничен гранями с наименьшей скоростью роста (рис. 13.15). Формулировку Вульфа можно записать поэтому следующим образом [c.320]

ТОЛУИЛОВЫЕ КИСЛОТЫ (метилбензойные кислоты) СН СбН4СООН, мол. в. 136, 14 — известно три изомера — о-, м- и п- Т. к. Все Т. к. — бесцветные кристаллы ограниченно растворимы в воде, хорошо — в спирте, эфире, хлороформе. [c.105]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология