Длины волн и энергии краев поглощения

Таблица 3. ШШ Длины волн и соответствующие им энергии К- и Ь-краев поглощения

В спектрах поглощения рентгеновского излучения наблюдаются скачки, так называемые края полос поглощения, которые и соответствуют длинам волн излучения с энергией, необходимой для того, чтобы выбить электроны (в основном с [c.9]

Длины волн и энергии краев поглощения [c.93]

Для абсорбционного анализа химических волокон на элементы от кремния до висмута и матированных полимеров на титан может быть использовано рентгеновское излучение любой длины волны меньше длины волн /С-краев поглощения элементов от кремния до молибдена и ///-краев элементов от молибдена и далее (/(-край поглощения кремния 0,672 нм, энергия 1,84 кэБ молибдена — 0,062 нм, энергия 20 кэВ /л-край поглощения молибдена 0,490 нм, энергия 2,53 кэВ висмута — 0,0922 нм, энергия 13,43 кэВ). [c.107]

Элемент Энергия края поглощения, кэВ Длина волны края поглощения, А [c.61]

Значения длин волн краев поглощения химических элементов необходимы для определения массовых коэффициентов ослабления рентгеновского излучения. Основная масса данных по длинам волн и энергиям краев поглощения взята из работы [2], недостающие значения длин волн Ь-краев — из работы [3]. [c.93]

Чувствительность фотографических эмульсий к длинам волн, лежащим за длинноволновым краем поглощения кристаллов, обусловлена оптической сенсибилизацией красителями [92, 93]. Спектральная чувствительность эмульсий определяется спектром поглощения адсорбированного красителя, но образование скрытых поверхностного и внутреннего изображений, по-видимому, происходит потому же механизму, как и в несенсибилизированной красителем эмульсии. Обычно считают, что краситель образует с кристаллами галогенида серебра сопряженную систему и что энергия, поглощаемая во всем слое красителя, создает экситоны, которые затем вызывают фотохимические превращения на локализованных участках поверхности кристаллов, где возможны переходы с малым изменением энергии. Этим превращениям могут подвергаться ионы брома, занимающие положения с относительно низким электростатическим потенциалом, а также атомы и молекулы сенсибилизирующих слоев, имеющих малый коэффициент собственного поглощения [32]. [c.439]

Фотоэффект существенно влияет на процессы поглощения. С увеличением длины волны при достижении >-к, когда энергия кванта Е становится равной Е , фотоэффект с К-оболочки прекращается и при этом коэффициент поглощения скачкообразно уменьшается (рис. 14.78).Длину волны называют К-краем поглощения данного элемента. Величину скачка обозначают [c.7]

Характеристические линии мишени иногда мешают возбуждению спектра рентгеновскими лучами. Эти линии полезны, если их длины волн короче (но лишь не на много) длины волны края поглощения, соответствующего возбуждаемой линии. В этом случае характеристические линии мишени очень эффективны, так как в возбуждающем пучке интенсивность их велика и они исключительно сильно поглощаются в образце. Такой благоприятный случай бывает не всегда. Иногда возбуждение линий мишени отнимает от непрерывного спектра энергию, которая могла бы пойти на возбуждение характеристической линии образца. В других случаях линия может накладываться на аналитическую линию образца. Такое наложение, возникающее в результате рассеяния образцом линии мишени, происходит не только при близости длин волн обеих линий, но и в случае, когда отра- [c.116]

Флуоресцентное излучение элементов, энергия квантов которых превосходит энергию возбуждения аналитической линии (1 < Хкд где >-Кд — длина волны края поглощения элемента А), способно дополнительно возбуждать флуоресценцию элемента А. Из схемы (рис. 14.82) видно, что излучение элемента 8, возбужденное в объеме с1У шарового слоя г, г + с1г, распространяясь во всех направлениях, возбуждает излучение атомов А в центре гипотетической сферы О. Общий эффект избирательного возбуждения получим суммированием отдельных вкладов по всему объему образца. Приращение интенсивности, обусловленное эффектом избирательного возбуждения, может достигать в некоторых случаях 30-50 %. [c.9]

Рентгеновские фильтры. Для повышения спектральной избирательности в рентгеноспектральном анализе широко используются селективные фильтры, которые представляют собой тонкие слои из различных химических элементов. Действие их основано на различии в ослаблении излучений с энер-, гией фотонов меньше и больше энергии К- или Ь/л-краев поглощения элемента фильтра (см. рис. 2, 3). Подобрав подходящий материал фильтра и его толщину, можно достаточно полно отделить излучение с длиной волны больше длины волны 9-края поглощения фильтра от излучения с длиной волны меньше длины волны -края поглощения фильтра. Селективные фильтры — важная составная часть бескристальной аппаратуры, повышающая ее разрешающую способность. Примером применения селективных фильтров может служить отделение аналитических линий определяемых элементов от флуоресценции элементов с близкими, но более высокими атомными номерами в бескристальном рентгенофлуоресцентном анализе, когда дискриминационной способности сцинтилляционных или пропорциональных счетчиков в сочетании с дифференциальным амплитудным дискриминатором оказывается недостаточно. [c.45]

Полупроводниковые фильтры. Для оптических свойств полупроводников наиболее типично существование резкого края поглощения Яо. Полупроводник непрозрачен для излучения с длиной волны, меньшей Ац, и прозрачен для более длинноволнового излучения. Положение края поглощения определяется зонной структурой полупроводника и соответствует энергии перехода из валентной зоны в зону проводимости. Естественно, что заполнение уровней валентной зоны определяется температурой, поэтому положение края поглощения также сильно от нее зависит. [c.238]

Собственная проводимость и-типа. Энергия активации в области собственной проводимости составляет 1,2 — —1,3 аб, что отличается от значения, приводимого в работе [14]. Край полосы поглощения находится при длине волны [c.31]

Вайнштейн Э. Е., Кахана М. М., Справочные таблицы по рентгеновской спектроскопии, Москва, 1953. Книга имеет 6 глав. В первой приводятся основы теории строения атома, во второй — некоторые физические и математические постоянные, в третьей — общие сведения по рентгеновской спектроскопии, в четвертой и пятой помещены таблицы для рентгено-химического анализа и длины волн линий испускания и краев поглощения элементов от 3 (Li) до 93 (Np). Наконец, в шестой главе приведены энергии рентгеновских уровней атомов элементов в ридбергах. [c.100]

Изменение цм с длиной волны подчиняется степенному закону, поэтому в логарифмических координатах должна получиться прямая с тангенсом угла наклона, равным показателю степени при Я. На рис. 11-2 приведена зависимость коэффициента поглощения от длины волны для аргона. Наиболее примечательной особенностью этого графика является разрыв зависимости при lgЯ = 2,59 (Я = 387,1 пм), называемый критическим краем поглощения К. Энергия излучения больших длин волн недостаточна для выбивания /С-электронов аргона, поэтому оно поглощается слабее, чем излучение меньших длин волн. Для более тяжелых, чем у аргона, атомов такие разрывы, соответствующие фотоэлектрическому выбиванию Ь- и М-электронов, наблюдаются в более длинноволновой области. [c.224]

Целесообразно построить зависимость хм от отношения ZyЛ для рентгеновских лучей определенной длины волны. На рис. 11-3 показаны значения цм, присущие /Са-линии меди (Си), для различных элементов от натрия до осмия. На графике видны критические края поглощения, поскольку по мере увеличения заряда атомного ядра электроны определенной оболочки все сильнее связываются с ним и наступает момент, когда энергии Ка рентгеновского излучения меди недостаточно для выбивания этих электронов. Постоянная С в уравнении (11-5), в точке разрыва скачком изменяющая свое значение, не является строго постоянной между этими скачками, на что указывает незначительное искривление зависимости между К- и Ьх-краями поглощения. Это искривление можно приписать изменению показателя степени п. Уравнение (11-5) потребует уточнения по мере более глубокого изучения рассматриваемых явлений. Эмпирические данные по поглощению большинства элементов можно найти в литературе [1, 2]. [c.224]

Длины волн, соответствующие скачкам в изменении коэффициента поглощения, называются краями полос поглощения. Края полос поглощения имеют тонкую структуру, которую мы не рассматриваем. Как уже указывалось, поглощение в основном обусловлено выбиванием электронов с внутренних или внешних электронных оболочек атомов. Если энергия излучения больше или [c.11]

При рентгенофлюоресцентном определении хлора для эффективного возбуждения необходимы радиоизотопы с низкоэнергетич-ным рентгеновским или 7-излучепием, длины волн которых немного меньше длин волн, соответствующих краям К-полос поглощения определяемого элемента. Наиболее эффективными для хлора являются возбуждающие изотопы Fe с энергией рентгеновского излучения от 3 до 100 мкюри [63, 279, 513, 639] и Н [279]. Опи- [c.125]

При определенной для каждого элемента длине волны коэффициент но1 лошения резко изменяется. Коэффициент С в уравнении (13) резко изменяет свое значение. Постоянная остается неизменной, либо изменяет свою величину на единицу. Длина волны, характеризующей местоположение скачка поглощения, в пределах абсорбционного края элемента, резко ограниченного со стороны коротких волн, называется границей полосы поглощения. Для каждого элемента край поглощения возникает лишь в том случае, если длина волны падающих рентгеновских лучей меньше длины волны границы полосы поглощения. Это объясняется самим существом процессов, приводящих к появлению абсорбционной полосы. Край поглощения возникает в том случае, если энергия падающих на атом рентгеновских лучей окажется достаточной для перехода его наиболее глубо-колежащих электронов, заполняющих К-, Ь- или М-уровни, на периферийные оптические уровни или совсем за пределы атома. Это как раз и обусловливает существование в крае резкой коротковолновой границы и его большую расплывчатость со стороны длинных волн. В зависимости от того, с какого уровня атома вырываются в процессе поглощения электроны (К, Ь или М), возникают К-, Ь- и М-края поглощения. [c.103]

Измерениями оптического поглощения можно получить весьма полную информацию об электронной структуре тонких полупроводниковых пленок. На рис. 199 приведены результаты измерений Панка и Дэви (1966 г.) на пленках GaAs вблизи края основного поглощения. Избыточное поглощение непосредственно за краем полосы (в сторону более длинных волн, меньших энергий) обусловлено мелкими примесями, а также структурным несовершенством, проявляющимся в виде возмущений зонной структуры, приводящих к появлению хвоста состояний в запрещенной зоне. Дискретные пороги поглощения при энергиях, меньших 8g, обычно непосредственно связываются с дискретными уровнями в запрещенной зоне, обусловленными определенными примесями или несовершенствами. [c.503]

Следует выбрать самые интенсивные пики в коротковолновой области сканирования кристалла LiF и найти их длины волн. Используя полный справочник рентгеновских лучей, например [113], определить возможные элементы, которые могут дадать рассматриваемые пики в излучении Kai, 2 или Lai, 2-В параллель, используя данные о серии линий, полученные при качественном анализе с помош,ью спектрометра с дисперсией пО энергии, если какой-либо элемент уже предварительно связан с пиком Kai,2(n= ), исследователь должен сразу же отыскать сопутствующий им пик И снова отнощение интенсивностей Ка и должно равняться приблизительно 10 1. Однако из-за изменений в эффективности кристалла и детектора ожидаемое отношение может выполняться не всегда. Например, в спектре d (рис. 6.12) эффективность детектора с коротковолновой стороны Л"-края поглощения аргона приблизительно 2 раза выше. Следовательно, пик L i, интенсивность которого должна составлять примерно 60% от интенсивности La, на самом деле больше. Удвоение эффективности до /(-края поглощения аргона обусловлено тем, что в проточном пропорциональном детекторе рентгеновского излучения этого спектрометра используется газ Р-10 (90% Аг—10% метана). При заданных размерах детектора и давлении газа Р-10 некоторая часть рентгеновского излучения с длиной волны, большей, чем длина волны края поглощения, проходит через газ, не взаимодействуя с ним. Для рентгеновского излучения с длинами волн короче длины волны края поглощения большая часть (приблизительно в 2 раза) будет взаимодействовать с газом и, следовательно, будет обнаружена. Следует также отметить, что разрешения кристалл-ди-фракцнонного спектрометра с некоторыми кристаллами, например LiF и кварцем, дое-таточно, чтобы продемонстрировать по крайней мере некоторое разделение пика Ка на Kai и Ка.2 с отношением интенсивностей Ка. Ка2=2 . Если подобно этому рассматривать пик La, то следует искать полную L-серию. Необходимо отметить, что кроме тех L-линий, которые указаны на рис. 6.1 (т. е. Lai, 2, Lfiu L 2, L 3, L u Lyz, Li, Lv), благодаря прекрасному разрешению и отношению пик/фон можно обнаружить их больше. При идентификации серии линий возможна ситуация, когда из-за ограничений использования кристаллов по длине волны может быть обнаружен только главный пик (например, Gex с LiF, а Ge/ g лежит за пределами диапазона кристалла). С учетом этого факта в спектре, полученном с по- [c.294]

Более высокой избирательностью и универсальностью обладают дифференциальные фильтры Росса. Они представляют собой совокупность двух селективных фильтров из элементов с соседними или близкими атомными номерами, а их толщины подобраны так, чтобы пропускание было одинаковым во всем диапазоне длин волн, кроме интервала между краями поглощения фильтров. Это требование легко выполняется, так как скачки поглощения близких по г элементов ма1ю отличаются по величине, и зависимости их коэффициентов поглощения от энергии практически тождественны. [c.19]

Рентгеновский спектр — это распределение интенсивности рентгеновского излучения, испущенного образцом (РЭА, РФА) или прошедшего через образец (РАА), по энергиям (ипи длинам волн). Как правило, рентгеновский спектр содержит небольшое число спекгральных линий (эмиссионный спектр) ипи скачков поглощения (абсорбционный спектр). На рис. 11.29 и 11.30 изображены соответственно рентгенофлуоресцентный спектр металлического сплава и фрагмент рентгеноабсорбционного спектра вблизи края поглощения для произвольного материала. Фоновый сигнал эмиссионного рентгеновского спектра формируют кванты рентгеновского излучения, неупруго рассеянные на электронах атомов твердого тела. Рентгеновская эмиссия возникает при электронных переходах между внутренними (остовными) уровнями атомов. Относительная простота [c.251]

Недавние структурные работы в Клермонте были посвящены исследованию некоторых иодидных комплексов ртути(П) с ионом тропплия. Необходимо было работать с рентгеновской трубкой под напрян<ением, при котором получалось бы жесткое излучение с энергией, недостаточной, чтобы вызвать флуоресценцию атомов иода. Вычислите приближенно край полосы поглощения для иода, а также длину волны /< . Какое напряжение на рентгеновской трубке будет удовлетворять указанным выше условиям (У 30000 В.) [c.50]

После того, как кристаллофосфор запас светосумму, возможно протекание и других процессов. Вероятность рекомбинации электрона из зоны проводимости со свободной дыркой в валентной зоне крайне мала, но не равна нулю. В этом случае наблюдается так называемое краевое излучение, т. е. излучение, частота которого совпадает с краем полосы поглощения. Энергия кванта этого свечения лежит в пределах Вц— /, причем АЕ много меньше разности Ец — /, по вполне понятным причинам. Очевидно, что спектр краевого излучения всегда сдвинут в сторону меньших длин волн, по сравнению с излучением на активаторе. [c.64]

В общем случае разность фаз 8, определяющая величину флюктуации коэффициента поглощения рентгеновских лучей молекулой вблизи основного края поглощения, зависит 1) от междуатомного расстояния в молекуле 2) от изменения фазы (8) при рассеянии волны атомом 5 3) от кинетической энергии электронов или, что то же, от длины соответствующей им волны де-Брогля (X) 4) от угла 0 между осью молекулы и направлением падающей электронной волны. Если рассеянная волна имеет шаровую симметрию и Х<СА то для каждого значения кинетической энергии электрона и любого I можно всегда найти такой угол 0, чтобы разность фаз обеих волн — падающей и рассеянной атомом В — оказалась равной тт. В этом случае тонкая [c.114]

Указанным методом можно всегда с успехом пользоваться, когда Е распоряжении экспериментатора имеются достаточно полные данные по оптическим спектрам элементов. В тех же случаях, когда такие данные отсутствуют, определение величины VQ по методу Парратта невозможно. Остается только приближенно оценивать ее значение. Это можно сделать путем соноставления энергии, необходимой для переброса К-элект-рона на первый незанятый оптический уровень атома, п энергии К-уровпя. Первая величина получается непосредственно из эксперимента, путем вычисления энергии по известным значениям длины волны, соответствующей максимуму первой селективной линии поглощения на длинноволновой стороне края. Вторая величина с точностью до 1—2 еУ может быть вычислена по приближенно формуле, предложенной Дзи-Минг-Ху [82]. Зная величины этих двух энергий (или соответствующих им частот), можно оценить разницу в энергии электрона на рассматриваемом оптическом уровне в атоме по сравнению со свободным состоянием (К р), по простому соотношению [c.137]

Изменение местоположения границы края ноглощеиия элемента в различных химических соединениях указынает на связь между соответствующей ей величиной длины волны и характером химической связи поглощающих атомов в соединениях. Это объясняется тем, что длина волны основного К-края поглощения элемента в соединении характеризует энергию, которую необходимо затратить для перевода электрона с К-уровня атома на наипизший свободный уровень на его нериферии. Указанная энергия растет с атомным номером элемента, а для данного вещества должна зависеть от степени ионизации атома в нем. Аналогичным образом она должна быть чувствительна к изменению характера связи атомов в соединении к переходу от ионной к ковалентной связи. [c.143]

Применен,не абсорбциометрии с полихроматическими пучками в работах по программе атомной энергии описано Вартлетом [101, 102] и дополнено Ламбертом [103—106]. Последний применил этот метод к водным растворам 35 соединений и ионов 25 элементов, распределенных по всей таблице периодической системы. Для элементов с атомными номерами от 42 до 65 Ламберт обнаружил отклонения от линейности [107]. Такие отклонения можно ожидать, когда один из краев поглощения оказывается в пределах области длин волн полихроматического пучка. Обширные и точные данные Ламберта по анализу методом поглощения значительно облегчили применение рентгеновской абсорбциометрии с полихроматическими пучками. [c.110]

В монографии [20] отмечено, что флуоресценция 12 исчезает око.-ло 499 нм, где начинается континуум, и поглощение квантов с длиной волны короче указанной приводит к реакции 12 + ( Л- < < 499 нм) — I ( Р 12)+ I ( Рз/г) В чистом СРд коротковолновой край свечения находится именно у 500 нм. Добавление водорода, как отмечалось выше, может давать дополнительную энергию (за счет химической реакции) либо для возбуждения высоколежа-щих состояний 12 например, либо вызывая свечение углеводорода (для смеси с на окнах кюветы наблюдается слабый налет сажи после опыта). Это может приводить к появлению коротковолнового свечения. [c.108]

Небольшой объем книги не позволил включить в нее хотя и общеизвестный, но часто необходимый для практической работы справочный материал. Полные справочные данные, включая таблицы длин волн и энергий аналитических линий и краев поглощения, выхода флуоресценции К- и -уровней, массовых коэффициентов поглощения, когерентного и некогерент-ного рассеяния рентгеновского излучения и некоторые другие, читатель может найти в работах [8, 10, 13, 14, 16, 17]. [c.6]

Заметим, что длины воли края полосы поглощения всегда немного короче длины волны коротковолновой линии соответствующей серии. Так, д.лина волны самой короткой линии /i-серии (а имеппо /i a), обусловлеипой переходом электрона с периферии на A -оболочку, несколько больше длины волны края соответствующей полосы поглощения. Для объяснения этого необходимо иметь в виду, что край полосы поглощения соответствует энергии, необходимой для полного отделения электрона от атома, тогда как переходы, соответствующие спектральным линиям, происходят между существующими оболочками внутри атома. [c.207]

Пффекты поглощения энергии в уровнях МОС, которые могут проявляться в разных диапазонах электромагнитных волн (от ультрафиолетового — край устойчивости МОС, — до сантиметрового диапазона длин волн) аналогичны сопротивлению электрическому току проводников и резисторов. [c.75]

Существуют также более поздние обзоры [21, 99, 103] по спектральной чувствительности фототоков во многих углеводородах. Авторы обзоров снова отмечают сходство спектров поглощения и фоточувствительности. Коммандер, Коринек и Шнайдер [87] очень подробно изучили этот вопрос. Они нашли, что на графике зависимости фототока от длины волны при постоянной поглощаемой энергии (а ие при постоянной энергии падающего излучения, как это обычно практикуется) почти все углеводороды имеют пик чувствительности как раз на краю области поглощения. На рис. 18 представлены результаты для пирена, который дает наиболее заметный эффект. Для возникновения носителей зарядов оказывается вполне достаточно световой энергии, которая чуть меньше энергии первого возбужденного состояния. [c.43]