Фильтры полупроводниковые

Были внесены изменения в оптическую и электронные схемы прибора, и таким образом обеспечена его более высокая чувствительность, а также упрощена оптическая система за счет использования полупроводниковой оптической пары в ИК-диапазоне с интерференционным фильтром, изготовленным на основе современных отечественных технологий. Благодаря высокой чувствительности удалось значительно уменьшить объем кюветы ( 1 мл), что позволило улучшить метрологические характеристики прибора, уменьшить расход реагентов и упростить процесс подготовки пробы к измерению. Повышение чувствительности потребовало принятия мер к снижению помех как электрических, так и тепло- [c.139]

В инфракрасных Г. используют также неселективные приемники излучения-болометры, термобатареи, полупроводниковые элементы. Тогда в случае источников с широким спектром излучения избирательность определения обеспечивают применением интерференционных и газовых фильтров. Для повышения точности и стабильности измерения часть потока излучения обычно пропускают через сравнит, кювету, заполненную газом, не поглощающим регистрируемое излучение, и измеряют разность или отношение сигналов, полученных в результате прохождения излучения через рабочую и сравнит, кюветы. [c.457]

Г. а.-один из осн. полупроводниковых материалов для интегральных микросхем, фотоприемников, СВЧ- и фотодиодов, транзисторов, инжекционных лазеров, оптич. фильтров и модуляторов лазерного излучения, солнечных батарей и др. [c.481]

Химическое Т. применяют в технологии монокристаллов, стекол и поликристаллов (металлов, сплавов, полупроводников и др. неорг. материалов) для очистки от окалины и др. поверхностных загрязнений, выявления дефектов структуры и двойников, определения кристаллографич. ориентации, удаления нарушенных слоев, придания пов-сти определенных св-в (полировка, шлифовка, загрубление, изменение к.-л. характеристик), для повышения мех. прочности изделий, для изготовления рельефа или деталей определенной формы, в частности в планарной технологии полупроводниковых приборов, при изготовлении резонаторов, частотных фильтров, хям. сенсоров и т. п. [c.616]

Сенсоры данного типа применяются при детектировании СО, СН4, НгЗ, N0 в автомобильных выхлопах, для контроля утечки коксового и природного газов, паров органических соединений, для мониторинга содержания СО. Пределы обнаружения перечисленных веществ часто оказываются ниже 0,1 млн". На основе таких сенсоров разработаны противопожарные системы. Основным недостатком полупроводниковых оксидных сенсоров является нестабильность во времени, что требует их периодической поверки или замены. Кроме того, они недостаточно селективны, так как любой способный быть донором электронов газ может вызвать их отклик. Этот недостаток устраняют, изменяя рабочую температуру сенсора или применяя газовые фильтры, предохраняющие поверхность полупроводника от воздействия посторонних газов. [c.560]

Разработана методика определения микроколичеств хрома флуоресцентным рентгенорадиометрическим методом в образцах снега Антарктиды [276]. Анализ проводили на установке ОИЯИ [427], включающей в качестве источника возбуждения 10 мкКи полупроводниковый 81(Ь1)-детектор толщиной 3 мм, площадью 100 мм и 4000-канальный анализатор Тп(1ас. Для достижения максимальной чувствительности определения измерение образцов и эталонов проводят в тонких слоях (0,3 мг-см ) на мембранных фильтрах. Рентгеновские спектры образца и фильтра приведены на рис. 16 они показывают возможность одновременного определения Аг, Са, Т1, Сг, Ре, Си, 2п, РЬ, Вг, Зг, 7г. Предел обнаружения хрома 7-10 3. [c.116]

Для выпрямления напряжения применяют различные схемы, часто для увеличения напряжения Иц. на трубке используют схемы с удвоением напряжения (рис. 7.8). В качестве вентилей Д1 и Да используют вакуумные диоды (кенотроны) или полупроводниковые диоды. В связи с жесткими требованиями к конденсаторам (небольшие габариты при необходимой емкости и большом рабочем напряжении) фильтры выполняются простейшими — емкостными С1 и Сз. За счет этого постоянное напряжение близко к максимальному значению вторичного переменного напряжения, что позволяет получить излучение стабильной интенсивности и энергетического спектра. Изменение анодного напряжения производится на низкой стороне с помощью автотрансформатора АТ, подключенного к питающей сети. [c.291]

Полупроводниковые фильтры. Для оптических свойств полупроводников наиболее типично существование резкого края поглощения Яо. Полупроводник непрозрачен для излучения с длиной волны, меньшей Ац, и прозрачен для более длинноволнового излучения. Положение края поглощения определяется зонной структурой полупроводника и соответствует энергии перехода из валентной зоны в зону проводимости. Естественно, что заполнение уровней валентной зоны определяется температурой, поэтому положение края поглощения также сильно от нее зависит. [c.238]

Уменьшить фон можно, применяя р-фильтр в сочетании с дискриминацией импульсов по амплитуде (дифрактометр с пропорциональным, сцинтилляционным или полупроводниковым детектором). Однако наиболее радикальное снижение уровня фона на рентгенограммах и дифрактограммах достигается при монохроматизации излучения отражением от кристалла. [c.287]

Это один из наиболее распространенных элементов электросхем. Например, с помощью резисторов создаются необходимые режимы работы различных электровакуумных приборов в виде делителей напряжения для питания сеточных цепей радиоламп, в качестве анодных нагрузок и автоматического смещения, ограничителей тока газоразрядных приборов. Аналогичные функции выполняют резисторы в схемах с использованием полупроводниковых приборов. Резисторы также используются в виде шунтов и добавочных сопротивлений для расширения пределов измерения электроизмерительных приборов, служат составными элементами различных фильтров, применяются для регулирования тока и напряжения (реостат, потенциометр, делитель напряжения). Необходимое сопротивление резистора определяется в зависимости от его конкретного назначения в той или иной схеме и в подавляющем большинстве практических применений не выходит за пределы — 6 [c.6]

В зависимости от толщины металлич. или полупроводникового слоя, нанесенного на стеклянную пластину, С. м. может задерживать 10—90% падающего на него видимого света. Кроме того, нек-рые металлы могут задерживать видимый свет определенной длины волны напр, золото является фильтром для желтого света. Металлизированные С. м. могут служить защитными экранами от различных видов излучений, напр, радиоволн, УФ-света и инфракрасного излучения. Поверхность С. м. с нанесенным на нее полупроводниковым слоем не отражает видимый свет и не образует световых [c.244]

Полупроводниковые системы управления в настоящее время позволяют регулировать в необходимых пределах ток и напряжение на выходе выпрямительных агрегатов и стабилизировать эти параметры на заданном уровне с высокой точностью (до долей процента). Однако применяемым в настоящее время системам управления присущи два основных недостатка трудность получения высокой надежности и низкое быстродействие. Первый недостаток объясняется наличием в контуре регулирования элементов, работающих в непрерывном режиме (схемы сравнения, усилители сигналов рассогласования и др.). По сравнению с импульсными устройствами они имеют более напряженный тепловой режим. В этих схемах трудно осуществить резервирование. Второй недостаток связан с инерционностью регуляторов. Для управления генераторами импульсов, а также для нормальной работы схем сравнения требуется хорошее сглаживание управляющих сигналов (применение сглаживающих фильтров , что и определяет указанную инерционность регуляторов. Для повышения быстродействия регуляторов перспективным направлением является применение импульсных фильтров и создание полностью дискретных (цифровых) систем управления. [c.164]

Для длинноволновых пропускающих фильтров очень хорошими материалами являются германий и кремний (см. рис. 4.8, 4.9). Можно также использовать пленочные поглощающие фильтры, которые изготовляют нанесением пленок различных металлических или полупроводниковых материалов путем испарения в вакууме на поверхность стекла или пластинок из материалов, прозрачных в инфракрасной области спектра. [c.160]

Разработай и испыт ан на стенде совместно с фильтр-прессом бесконтактный автомат на полупроводниковых приборах. [c.47]

Рис. 11.8. С.хемы полупроводникового сглаживающего фильтра

Полупроводниковые фильтры, имея небольшие габариты, обладают хорошими фильтрующими свойствами. Особенно большой эффект они дают в выпрямителях, рассчитанных на работу при больших токах. Применение в таких выпрямителях других фильтров малоэффективно. [c.57]

Среди большого количества новых, материалов особое место занимает группа халькогенидных стекол. Для них характерно сочетание полупроводниковых свойств со свойствами, присущими стеклообразному состоянию. Халькогенидные стекла можно получить на основе разнообразных сочетаний элементов I—VII групп с VI группой периодической системы. В связи с большим разнообразием состава механические, термические, электрические и оптические свойства халькогенидных стекол могут меняться в весьма широком интервале, что удобно для технических целей, так как позволяет выбрать материалы с нужным комплексом свойств. Благодаря интересным полупроводниковым свойствам халькогенидные стекла нашли применение в радиоэлектронике. Прозрачность в инфракрасной области спектра позволяет применять халькогенидные стекла в качестве фильтров для инфракрасной оптики. [c.234]

Германий нашел широкое применение в полупроводниковой электронике. На основе германия изготовляются диоды, транзисторы, датчики, фотосопротивления, оптические фильтры, счетчики а-частиц, мощные выпрямители и многие другие приборы. [c.75]

Печатная и писчая Б. воспринимают печатную краску, чернила, тушь, карандаш обладают достаточной прочностью и долговечностью (последнее требование не относится к газетной Б.). Упаковочные виды Б. характеризуются хорошими физ.-мех. св-вами высокой динамич. прочностью (мешочная Б.), жесткостью (гофрированный картон) и т. д. Фильтры из Б., имеющей заданную капиллярнопористую структуру и высокую жесткость, применяют для очистки газов и жидкостей, напр, масел и топлива в двигателях внутр. сгорания. Санитарно-гигиенич. Б. (туалетная, гигиенич. пакеты, пеленки, бумажные полотенца, белье одноразового пользования) имеют высокую впитывающую способность при достаточной мех. прочности и влагопроч-ности. Б., применяемая как носитель информации в электронно-вычислительной технике, отличается высокой мех. прочностью (перфолента), плоскостностью (перфокарта), стабильностью размеров. Б., используемая в кач-ве регистрирующей в системах вывода и размножения информации, имеет функциональные покрытия (свето- и термочувствительная, полупроводниковая Б. и др.). Б. со спец. липкими покрытиями употребляется для механизации упаковки и этикетирования, с аитиадгезионными покрытиями-для упаковки липких материалов. [c.323]

Ц. о. встречается в природе в ввде минерала цинкита. Получают Ц. о. обжигом цинкового концентрата, послед, продувкой его воздухом при 1200 С и улавливанием пылевидного Ц. о. в спец. фильтрах, а также сжиганием Zn на воздухе или прокаливанием щдроксвда, нитрата или оксалата 2п. Д. о.- белый пигмент для красок (цинковые белила), активатор вулканизации и наполнитель в резиновой пром-сти, компонент косметич. препаратов - кремов, П) цры, лек. ср-в, мазей, паст, присыпок при кожных заболеваниях, зубных цементов, катализатор синтеза метанола, полупроводниковый материал, компонент люминофоров. [c.380]

Приборы РФСЭД имеют намного более простое механическое устройство, чем приборы РФСВД. В то же время высокая геометрическая эффективность полупроводникового детектора позволяет значительно большее разнообразие при возбуждении. Основная система включает рентгеновскую трубку низкой мощности и 81(Ь1)-детектор, оба расположенные под углом 45° к пробе. Чтобы изменить спектр трубки для оптимального возбуждения диапазона элементов, используют набор фильтров для первичного пучка. Для ограничения возбуждающего и флуоресцентного пучков в области образца применяют коллиматоры. Чтобы улучшить определение элементов с низким атомным номером 2, всю систему заполняют гелием или вакуумируют. [c.80]

Комплект первичных измерительных преобразователей КП (блок датчиков детекторов) выполняется обычно в виде матрицы преобразователей измерительного каналг до 2000 и т.) и опорного канала (от 1 до 4 шт.). Комплект преобразователей КП также снабжен коллиматором и фильтром ФП, что формирует пучок излучения отдельных преобразователей и существенно снижает влияние рассеянного излучения. Наиболее существенными требованиями, предъявляемыми к комплекту преобразователен, являются хорошая идентичность преобразователей и высокие метрологические характеристики (стабильный темновой ток, постоянная чувствительность, линейность характеристики, большой динамический диапазон и др.) при высоком быстродействии. По существу комплект преобразователей создает сканирование контролируемого объекта по второй координате путем опроса отдельных преобразователей. В качестве преобразователей в томографах используют сцинтиллирующий кристалл вместе с фотоэлектронным умножителем, полупроводниковым фотоэлементом или ионизационную камеру. [c.332]

Стеклянные фильтры типа ЖС, ОС, КС также обязаны своими свойствами присутствию мельчайших полупроводниковых кристалликов Сс18—С(18е. Положение края полосы поглощения этих стекол определяется относительным содержанием серы и селена в смешанных кристаллах. [c.238]

Разработке методов у-спектрометрического анализа облученных образцов полупроводникового кремния и некоторых его соединений было посвящено большое число работ [367—374]. Моррисон и Косгроув [367] облучали образцы поликристаллического кремния (0,05—1 г) вместе с соответствующими стандартами 3 суток в потоке 3 10 нейтрон (см сек). После облучения образец подвергали поверхностному выщелачиванию раствором КОН + + 30%-ная Н2О2. Затем образец переносили на алюминиевую мишень. Для поглощения р—-излучения 51 - использовали фильтр толщиной 0,738 г см . Метод позволял определять примеси 2п, Аз, Ре, К, Ма, Та. Осложнений, возникающих из-за тормозного излучения, отмечено не было, так как образцы облучали в реакторе с относительно невысоким потоком нейтронов, а активность измеряли через 266 [c.266]

По методике [41] для исключения влияния адсорбции матрицы анализируемые образцы растворяют в смазочном масле. Предлагается [40] использование энергодисперсного фильтра - монохроматора из пирографита для повьппения -чувствительности анализа. Монохроматор уменьшает загрузку полупроводникового детектора, улучшает форму спектров. Авторы работы [44] предлагают рабочую методику определения содеркания ванадия в нефтях с коррекцией эффекта матрицы по пику некогерентно рассеянного излучения хромового или вольфрамового анодов рентгеновских трубок. Исследования проводили на рентгенофлуоресцентном спектрометре У1 А-30. Требуемые объемы исходных навесок составляли 10-15 мл, время анализа одной пробы не превьпиало 3 мин, поэтому можно говорить о применимости метода в качестве экспресс-анализа. [c.11]

Устойчивость растворов существенно возрастает при более тщательной их подготовке, т. е. скорость зарождения центров кристаллизации меньше в растворах, профильтрованных через фильтр малой пористости (стеклофильтр № 4). Как видно яз рис. 47, скорость зародышеобразования в растворах также уменьшается при использовании брлёе чистых реактивов. Устойчивость растворов иодата лития возрастает с понижением кислотного раствора, однако при этом наблюдается образование нестабильной тетрагональной фазы. Повышение кислотности способствует кристаллизации о -фазы, но устойчивость пересыщенных растворов понизкается (см, рис. 47, 49). Поэтому кристаллы гексагональной модификации иодата лития желательно выращивать при минимальной кислотности раствора (pH 2,5), когда уже не образуется кристаллов р-фазы [247 ]. Оценка устойчивости переохлажденных расплавов и растворов имеет практическое значение также при разработке режимов выращивания пленок и слоев полупроводниковых и пьезоэлектрических веществ методом жидкостной эпитаксии [253, 254]. [c.117]

Конструктивно прибор вьшолнен в виде переносного устройства, питаемого от встроенной батареи аккумуляторов, и состоит из металлического корпуса, камеры с сенсором метана, микрокомпрессора, измерительной платы, зонда-трубки с фильтром. В качестве чувствительного элемента концентрации метана применен полупроводниковый датчик на основе оксида олова(1У). Технические характеристики представлены в табл. 9.30. [c.754]

Подобное старение марганца в растворе наблюдалось также при изучении его адсорбции на полупроводниковом кремнии С другой стороны, это явление не было обнаружено при изучении адсорбции Мп на бумаге (рис. 60). Объяснить последний факт трудно, так как еще недостаточно определенно решен вопрос о механизме адсорбции Мп па бумаге при pH выше 9. Бенеш и Зингер, которые исследовали задерживание Мп бумажными фильтрами, пришли к заключению, что в области pH 3—9 марганец адсорбируется на бумаге путем ионного обмена на карбок- [c.162]

Питание избирательного усилителя 7 и опорного генератора 5 -осуществляется от полупроводникового блока питания 8, который работает от источника питания 9, состоящего из трех батарей типа 11,5 ПМЦГ-У-1,3. Усилитель макровольтметра ИКС нмеет фильтры, обеспечивающие высокую помехозащищенность шзмерительного тракта, что особенно важно при работе в районах с высоким уровнем промышленных помех. [c.62]

В ближайшее время завод должен разработать электроннопневматический автомат на базе пневматического программатора и комплектующих бесконтактных элементов полупроводниковое бесконтактное устройство контроля длительности технологических операций рабочий пррект автоматизации фильтровальных установок для жиров и лаков по типу импортных фильтров Фунда . Кроме того, следует применить более совершенную запорную арматуру. [c.47]

Хорошей эффективностью обладают сглаживаюш,ие фильтры на основе полупроводниковых триодов Принципиальная схема такого фильтра приведена па рис. II.8, а. Он практически является стабилизатором напряжения с запоминающей емкостью (см. следующий раздел). Величина сопротивления может быть определена по формуле [c.57]

В связи со слабостью источников, как уже указывалось, возникает проблема фильтрации полезного излучения. Используются четыре основных типа фильтров поглощающие (кристаллический кварц, кристаллы галогенидов щелочных металлов, пластинки из некоторых полупроводниковых материалов, например Ge, InAs, InSb и т. д.), отражающие (ионные кристаллы-фильтры остаточных лучей, решетки-эшелетты), рассеивающие (металлические сетки, алюминиевые пластинки с шероховатой поверхностью и др.), интерференционные (плоскопараллельные слои из прозрачных материалов с разными показателями преломления). [c.268]

Техническая реализация такого фильтра требует использования СЛИИ1К0М больших емкостей и индуктивностей, что вызывает значительные неудобства. Применение для этой цели АВМ дает возможность легко моделировать на операционных блоках машины уравнение, связывающее величины и и Ui, т. е, уравнение рассматриваемого фильтра. На рис. 84 представлены результаты испытаний электронной модели фильтра, которые проводились с помощью АВМ. Как видно из рисунка, при частоте колебаний выше 2 Гц отношение амплитуд i/i/i/ на выходе фильтра мало отличается от единицы. После вычитания постоянной составляющей из первоначального сигнала (7i 0, Для измерения средних отклонений от нуля необходимо разделить и отдельно просуммировать положительные и отрицательные значения отклонений от нуля, а затем сложить их абсолютные значения. Для этого пульсирующее выходное напряжение Ui(t) подается одновременно на два параллельных полупроводниковых диода, включенных в противоположных направлениях. Один диод пропускает лишь положительные отклонения ( (/) >0, а второй — отрицательные 7г(/)<0. После каждого диода стоит интегрирующий блок, который включается на определенный промежуток времени Г). На рис. 85 показан вид зависимостей Ui t) (а), Ui+ t) (б) и (в), поступающих в эти интегрирующие блоки. При правильной работе установки значения обоих интегралов, измеряемые в конце интегрирования по показаниям вольтметра, должны быть равны по абсолютной величине [c.162]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология