Разложение облучением электронами

Реакция разложения СОг характеризуется очень малыми выходами СО на поглощенную энергию излучения. Так, Буссе и Даниельс [53] установили, что выход продуктов реакции разложения СОг при облучении электронами с энергией 200 кэв составляет всего лишь около 10 молекулы на пару ионов. [c.171]

Так как разложением бензола можно пренебречь по сравне-яию с разложением других углеводородо в, то выход водорода в смесях этих веществ с бензолом в первом приближении (если учитывать только первичные процессы) должен быть пропорционален их электронной доле в смеси компонентов. Однако результаты облучения электронами с энергией 1,5 Мэв таких смесей показывают, что выход Нг, СН4 и других продуктов радиолиза зависит от состава смеси не в соответствии с электронной долей каждого из компонентов. [c.225]

Радиационное окисление [5.5, 5.20]. Метод основан на воздействии ионизирующего излучения (V и р-лучи, ускоренные электроны, ускоренные ионы, нейтроны и др.) на обезвреживаемое соединение с получением ионов и возбужденных молекул, которые затем участвуют в реакциях. При действии излучений высоких энергий на разбавленные водные растворы органических соединений возникает большое число окислительных частиц, обусловливающих радикальное окисление. Полнота разложения соединений зависит от вида соединения, его начальной концентрации, продолжительности облучения и температуры стоков. Так, при очистке сточных вод от фенола с начальной концентрацией 100,0 мг/л разложение на 100% происходит через 1,5 ч, а при концентрации 10 мг/л — за 0,33 ч. [c.497]

Химическое разложение веществ под действием ядерных излучений называется радиолизом. Облучение воды и водных растворов у-лучами или потоком электронов большой энергии, а отчасти и а-частицами производит действие, подобное по характеру действию рентгеновских лучей. В соответствии с тем, что энергия этих лучей или частиц больше энергии рентгеновских лучей, при действии их на чистую воду стационарная концентрация водорода и перекиси водорода выше, чем при действии рентгеновских лучей это приводит в соответствующих случаях к выделению водорода и кислорода. Под действием у-излучения °Со и вызываемого им радиолиза воды индуцируется обмен атомами водорода между водой и растворенным в ней тяжелым водородом, причем характер процесса зависит от pH среды. [c.553]

В процессе облучения объекта электронами может происходить взаимодействие части падающих электронов с электронами в материале, что вызывает ионизацию вещества, следствием которой может быть разложение некоторого количества малоустойчивых веществ (Ь1Р и т. п.), возникновение новых точечных дефектов на дислокациях или передвижка старых дефектов. [c.144]

Радиолизом называют химические превращения под действием радиоактивных излучений. Ионы, возбужденные молекулы и электроны, образующиеся при поглощении излучения, успевают претерпеть целую вереницу превращений, которые приводят к тому, что в облученном веществе появляются совершенно новые частицы— продукты радиолиза. Начальные значения радиационной энергии значительно превосходят энергию связи валентных электронов. Поэтому поглощение этой энергии происходит не только в области частот, отвечающих полосам поглощения вещества, но и за пределами этих полос, т. е. имеет неизбирательный характер. Конкретный механизм радиационно-химического процесса не зависит от вида излучения и с количественной стороны характеризуется величиной поглощенной энергии. Для оценки эффективности действия излучения вводят количественную характеристику — так называемый радиационный выход g). Радиационный выход — выход числа молекул, атомов, ионов и других продуктов реакции на ]00 эВ поглощенной энергии. Для большей части веществ радиационный выход составляет 4—10 частиц. Однако для ряда реакций разложения =0,1, а для развивающихся по цепному механизму может достигать 10 -=-10 . [c.408]

Ядерные излучения используют для получения новых веществ, для улучшения свойств полимеров и т. д. Большой интерес представляет изменение свойств различных материалов под влиянием этих облучений. Например, оказалось, что из предварительно облученного угля легче извлекается частый его спутник германий каучуки вулканизуются без добавок серы полиэтилен становится более устойчивым к нагреванию и органического стекла (см. гл. ХП1) нагреванием и облучением можно получить пенопласт и т. д. Ядерные излучения возбуждают множество цепных реакций. В полупроводниковых кристаллах они увеличивают число различных дефектов, что резко изменяет их свойства, особенно электрофизические. В связи с этим упомянем о чувствительности к излучениям, радиодеталей, применяемых в управляющих и регистрирующих приборах атомных реакторов. Радиолампы меняют параметры незначительно. Полупроводниковые приборы теряют свои свойства уже при малой дозе облучения. Масляные конденсаторы вспучиваются при облучении вследствие разложения масла. Керамические и слюдяные конденсаторы меняют свойства только после длительного облучения. У металлических сопротивлений электрические свойства практически не меняются, а у угольных сопротивление уменьшается. Магнитные свойства силиконового железа, пермаллоя (см. гл. ХИ, 7) и др. ухудшаются. Как видно, электронные приборы можно использовать в полях излучений (в частности и космических) при условии не слишком больших доз облучения и очень осмотрительно. [c.47]

В лабораториях фирмы Эссо хорошие результаты как в жидкой, так я паровой фазе получаются при помощи двух очень удобных и универсальных. дозиметров, которые могут использоваться при облучении гамма-лучами, в ядерных реакторах или электронами. В одном из этих дозиметров в качестве эталона используется инициируемое излучением разложение метана измеряют количество водорода, образующегося в результате облучения. Водород получается в виде весьма разбавленного газа (менее 0,1%) поэтому Точность метода зависит от точности определения низких концентраций водорода. Этот дозиметр применяют следующим образом. [c.123]

На линейном ускорителе электронов 7-активационным методом без разложения образца проведено определение азота, кислорода и углерода в металлическом марганце [531]. Облучали образец весом от 200 до 500 мг. -Активность облученного марганца измеряли на 7-спектрометре с кристаллом NaJ(Tl) раз.меро.м 80 X 80 мм с 512-канальным анализатором. [c.164]

Известный интерес представляет фотохимический способ получения водорода, основанный на процессах фотолиза воды, т, е. разложение ее светом. Представим себе, что в воду погружено два электрода, один из которых является полупроводником, а второй— металлом. Если полупроводник подвергать солнечному облучению, то кванты света генерируют в нем свободные электроны. Последние, покидая привычные места, оставляют дырки, т, е. частицы с положительным зарядом. Далее дырки мигрируют к границе электрода с раствором и, встречаясь там с гидроксид-нонами, образуют кислород. Что касается электронов, то они по внешней цепи переходят к металлическому электроду, на поверхности которого восстанавливается водород. Эти процессы можно выразить следующим образом. [c.84]

Пиролиз проводят различными способами прокаливают пробу в тигле или небольшой лодочке в печи наносят образец на металлическую проволоку или спираль и нагревают их до нужной температуры помещают вещество в вакуумированную или заполненную инертным газом стеклянную или кварцевую трубку и также нагревают ее до необходимой температуры. Помимо указанных (часто используемых) способов применяют термическое разложение при облучении лазером, потоком электронов высокой энергии, нагревание смеси пробы с ферромагнитным материалом (например, с порошком железа) в высокочастотном электрическом поле и т. д. [c.50]

Сравнение элементарных процессов (2) и (3) показывает, что последний является более эндотермичным. Действительно, при разложении N20 с образованием N0 и азота разрывается связь N = N, что требует 85 ккал/моль (3,6 эв на 1 молекулу), тогда как для разложения N20 на N2 и О разрыв связи N0 требует 38 ккал/моль (1,6 эе на 1 молекулу). Этим объясняется, что под действием тепла в отсутствие радиации для реакции (2) создаются более благоприятные условия, чем для реакции (3). При облучении возникает большое число избыточных свободных носителей тока в валентной зоне и в зоне проводимости эти носители имеют тенденцию к рекомбинации. Адсорбированная молекула КЬО может вести себя здесь как центр рекомбинации. Это можно объяснить, предположив, что адсорбированная молекула N20 представляет собой акцепторный уровень. Согласно данной гипотезе, хемосорбция НгО является следствием отрыва слабо адсорбированной молекулой электрона из зоны проводимости. В момент рекомбинации с дыркой из валентной зоны может регенерироваться различное количество энергии в зависимости от положения уровня, образованного адсорбированной молекулой N20. Для силикагеля и окиси алюминия, которые применялись в наших опытах, ширина запрещенной зоны составляет около 10 эв-, тогда становится возможным процесс (3), который требует лишь 3,6 эв. [c.241]

Линдом найдено, что при проведении реакций окисления, разложения, гидрирования, полимеризации и ряда других минимальное значение величины M/N почти всегда равняется но меньшей мере 2 часто M/N значительно превышает эту величину. При M/N = 2 разумно предположить, что как отрицательный, так и положительный ион участвуют в реакции. Когда величина М/М превышает 2, предполагается, что реагирующие молекулы образуют сольватную оболочку вокруг положительного иона в результате действия поляризационных сил. Затем положительный ион нейтрализуется электроном (илй отрицательным ионом), что приводит к выделению энергии в количестве, отвечающем по меньшей мере потенциалу ионизации образующейся нейтральной молекулы, т. е. 9—15 эв. Этого большого количества энергии обычно достаточно для разрыва связи во всех 5—10 молекулах, образующих оболочку. При помощи теории сольватных оболочек объяснены многие экспериментальные данные, но широкие исследования последних 20 лет показали, что возможны и в некоторых случаях необходимы другие гипотезы. Эйринг с сотрудниками [2] показали, что образование шести водородных атомов на пару ионов при облучении водорода а-частицами обусловлено следующими реакциями, в которых два атома водорода образуются при ионизации, два — при разложении молекулы водорода, возбужденной непосредственно а-частицей, и еще два — при разложении молекулы, возбужден- [c.52]

Первые опыты по дегидрированию пленок проводили в самом электронном микроскопе облучения в течение 1—2 минут было достаточно для разложения полимеров. Затем было выяснено, что облучение удобнее проводить под колоколом в той же установке, где были получены пленки, нри помощи электронного пучка напряжением 15 кв. После облучения и обуглероживания пленки растворяют объект и отделяют реплику. [c.103]

В литературе имеется значительный материал по электронно-микроскопическим наблюдениям за разрушением кристаллов различных веществ в результате как нагревания препаратов вне микроскопа, так и действия электронного пучка в приборе. Разрушение кристаллов в результате электронного облучения отмечалось в ряде работ, и сам по себе этот факт обычно является тривиальным. Впрочем, иногда только электронно-микроскопические наблюдения за характером разрушения кристаЛ лов могут представлять известный интерес. В качестве примера укажем на отличия в разрушении кристаллов хлористого калия и сернокислого бария, происходящие в приборе в результате интенсивного электронного облучения [46]. В первом случае (фото 39) наблюдалась обычная картина — испарение вещества в направлении от периферии к центру. Очертания первоначальных кристаллов можно было установить в процессе разложения по контурным следам, которые, вероятно, представляли собой остатки образовавшегося вначале загрязняющего углеродного слоя. В случае же сернокислого бария кристаллы, не изменяя существенно своих внешних очертаний, становились дырявыми (фото 40). Причина, по которой разрушающее действие электронного пучка локализуется в каких-то центрах внутри кристалла, остается неясной. Возможно, эти центры представляют собой области структурных несовершенств в кристалле. Во всяком случае, заслуживает упоминания тот факт, что электронное облучение может приводить к развитию внутренней пористости в некоторых телах. [c.181]

Облучение растворов рентгеновскими лучами или и-частица-ми также вызывает многие химические реакции Было показано, что в большинстве случаев последние обусловлены первичным разложением растворителя и могут быть объяснены, если принять, что радиация вызывает отрыв отдельных электронов от молекул растворителя [c.19]

Заметное влияние типа излучений на выход разложения воды по энергии, вероятно, зависит от степени разделения возникших Н- и ОН-радикалов, образовавшихся в треке ионизирующего луча, или от аномального распределения Н- и ОН-радикалов [86, 94]. Например, предполагается, что положительные ионы, возникшие по каждому следу а-частицы, протона или дейтона, быстро диссоциируют на Н" и радикал ОН, тогда как электрон, появившийся от первичного процесса, захватывается только на некотором расстоянии от этого пути. Вследствие этого создается избыток ОН-радикалов вдоль центра пути и избыток Н-радикалов в зоне, окружающей этот центр. Это увеличивает вероятность рекомбинации двух гидроксильных радикалов с образованием перекиси водорода и двух Н-атомов в молекулу водорода. При облучении рентгеновскими, у- или -лучами логично предполагать, что ОН- и Н-радикалы образуются в значительно меньшей концентрации и распределены более равномерно, что увеличивает вероятность их рекомбинации с образованием исходной воды. Аллен [96] показал, что потеря энергии быстрыми электронами, проходящими через воду, происходит внезапными толчками, что приводит к образованию скоплений пар ионов вдоль пути этих электронов, что также должно влиять на распределение ОН- и Н-радикалов. У нас очень мало сведений об относительных выходах по энергии в водяном паре по сравнению с выходами в жидкой воде. Однако близость между молекулами воды и наличие водородных связей в жидком состоянии, как можно предполагать, обусловливают значительные различия в механизмах реакций в обеих фазах. [c.62]

Такой механизм несомненно возможен, но он нам не представляется необходимым. Тот вывод, что должно происходить непрерывное накопление продуктов разложения воды в результате действия медленных электронов, кажется неизбежным, и при настоящем состоянии экспериментальных данных нет необходимости вводить новые гипотезы для объяснения действия бромистого калия. Гипотеза о горячих точках позволяет предсказать, что образование водорода и перекиси водорода должно протекать с одной и той же скоростью во всех растворах активных окислителей и восстановителей, после того как будет достигнуто постоянное отношение концентраций окисленной и восстановленной формы. Экспериментальные данные по этому вопросу отсутствуют, и было бы весьма желательно провести исследования по длительному облучению различных растворов. В случае растворов бромистых солей оба предложенных механизма приводят к различным предсказаниям относительно зависимости кинетики реакции от вида излучения, от концентрации бромидов и т. п., и, следовательно, расширенное кинетическое исследование этой реакции представляло бы интерес. [c.90]

Кажущееся отсутствие чувствительности чистой воды к облучению рентгеновскими лучами следует, повидимому, приписать установлению настолько низкой стационарной концентрации продуктов разложения, что они не могут быть обнаружены применявшимися аналитическими методами. Это предположение было проверено в некоторых опытах, поставленных Гормлеем и автором настоящей статьи [1]. Нам удалось показать, что при облучении электронами в [c.81]

Некоторые соли, которые способны взрываться, детонируют под облучением азид бария взрывается при облучении электронами или рентгеновским излучением, азид натрия — только при облучении электронами, а азид свинца детонирует под воздействием осколков деления или а-частиц полония [10, стр. 383]. Бовдер и Сингх [12], исследуя взрывное разложение некоторых азидов в пучке электронов, пришли к выводу, что детонация вызывается горячими участками (точками), образующимися при облучении размер таких горячих участков равен около 10- см в диаметре. [c.359]

Большинство работ было выполнено с этиленом, который был первым веществом этого класса, подвергавшимся воздействию излучения [М94]. Значительно раньше этилен был изучен в электрическом разряде [G19]. В период 1950—1956 гг. возник заметный интерес к радиолизу этилена в связи с возможностью использования этой реакции для получения полиэтилена в промышленном масштабе [Н44, L29] (см. также стр. 312). При 25° и приблизительно при атмосферном давлении продукт облучения а-частицами является бесцветной жидкостью с эмпирической формулой (СНь7)г, [L42]. Общий выход разложения составляет 18,1 и в начале облучения выход водорода и метана соответствует приблизительно 16% общего выхода. При О и 31° выходы разложения составляют 18,5 и 30,9 соответственно [М91]. Облучение электронами дает аналогичные результаты образующийся [c.102]

Реакция разложения Og характеризуется очень малыми выходами на поглощенную энергию излучения. Так, выход продуктов реакции разложен1 я Oj при облучении электронами с энергией 200 кэв составляет всего около 10" молекз лы на пару ионов [59]. [c.143]

Интересно использование ионообменных реакций в фоточувствительных смолах. Вообще говоря, воздействие света вызывает в веществе целый комплекс разнородных по физической природе явлений, но мы здесь отметим лишь один класс фоточувствительных смол фоторезисты со сшитой нерастворимой структурой. Примером может служить коричный эфир и азиды поливинилового спирта. Особо важным представляется эффект деструкции сшитой полимерной структуры под действием света и связанное с этим соответствующее изменение растворимости. В последние годы была разработана технология точной печати на контактных полимерных пленках с использованием высокоэнергетических источников излучения (рентгеновских лучей и электронных пучков). Фото деструкция обычно связана с наличием кетонных структур в основной или боковых цепях полимера. Под действием потока электронов легко разрушаются полимеры с винилиденовыми структурами. При облучении электронами соединений типа 107 происходит разложение с вьщелением в качестве продуктов фрагментов, [c.55]

Изучено влияние облучения электронами на скорость роста пленок карбида молибдена при таких температурах подложки, когда возможна термическая диссоциация гексакарбопила молибдена. На рис. 7-15 можно видеть, что только при температуре подложки 250 С наблюдается термическое разложение Мо(СО)в, в то время как при облучении подложки (нлот- [c.269]

Установлено, что в зависимости от условий осаждения состав получаемой пленки может меняться от чистого молибдена до карбидов молибдена различной модификации. На основании электронографического анализа установлено [4Г)5], что при облучении электронами подложки с температурой от нуля до 300° С в присутствии ларов гексакарбопила молибдена образуются пленки карбида молибдена кубической структуры. Отмечается, что при нагревании в вакууме 2-К)"6 мм рт. ст. до температуры 650J С и выше из пленок МоС кубической структуры образуются пленки МоаС гексагональной структуры. Авторы считают, что пленки карбида молибдена кубической структуры па подложках с температурой пи/ко 400° С в настоящее время могут быть получены только методом непосредственного разложения электронным лучом. [c.270]

Описано [238, 470] разложение карбонила вольфрама под воздействием электронного луча. Проводящие пленки получены па стеклянных подложках, имевших предварительно нанесенные (с интервалом 8 мм) электроды в виде алюминиевых и золотых полосок. Во время осаждения пленок давление паров карбонила поддерживалось в пределах (4—6)-10 4 мм рт. ст. Плотность тока электронного луча изменялась в пределах от 0,04доО,Злт/сл2, а энергия электронов — от 1000 до 2000 эв. Температура подложки во время облучения электронами повышалась всего па несколько градусов. В табл. 7-25 приведены средние результаты по десяти экспериментам. [c.278]

Экспериментальное осуществление-ФЭ- и РЭ-спектроскопии довольно несложно. На рис. 86 показана схема установки для РЭ-сиектроскоиии (РЭ-сиектрометр). Рентгеновские кванты Нл- из анода рентгеновской трубки 1 попадают на исследуемый образец 2, выбивая электроны от атомов, входящих в состав образца. Разложение электронов в спектр и фокусировка их по энергиям кин производится с помощью магнитного или электростатического поля сферического конденсатора 3. При некоторой напряженности поля электроны, имеющие определенную кинетическую энергию, отклоняются по дуге и попадают в счетчик. Последний сортирует испускаемые веществом электроны по их кинетическим энергиям Енин- Таким образом, зная энергию источника облучения (монохроматическое рентгеновское излучение с энергией Ьу) и экспериментально определяя кин, легко найти Есв по (VI. 13). В ФЭ-спектрометре вместо источника рентгеновских квантов (рентгеновская трубка) применяется источник монохроматического ультрафиолетового излучения. [c.184]

При воздействии на в-во очень мощного лазерного излучения могут происходить процессы с одновременным поглощением двух фотонов (см Многофотониые процессы) Особенно большой интерес представляет двухфотонное разложение жидкой воды при действии пикосекундного импульса облучения с длиной волны 266-316 нм мощностью порядка 10 Вт/м При одновременном поглощении двух фотонов возникают высоковозбужденные состояния молекулы воды, что приводит к ее ионизации с образованием гидратиров электрона, а также к образованию радикалов Н и ОН При воздействии импульсами меньшей мощности вода практически не поглощает свет в указанной области спектра. [c.7]

Для окисления этилена можно использовать губчатое сереб-рд1зз-1з4 которое образуется при нагревании органических солей серебра до температуры на 50—200 °С выше температуры их разложения, а такл<е сплав меди и серебра. Кроме того, в качестве катализатора окисления этилена предлагается использовать серебряную сетку, покрытую платиной и облученную в течение 20 мин пучком электронов в 30 мэв, испускаемых линейным уско-рителем ". [c.210]

Каталитическая активность в отношении некоторых реакций явно не связана с наличием правильно образованных граней кристалла. Тэйлор первым указал на возможность действия как каталитически активных центров тех мест решетки (вершин, ребер, нарушений порядка), которые являются координационно ненасыщенными и обладают повышенной энергией. Увеличение дефектности решетки металлического никеля механической активацией или нейтронным облучением действительно повышает каталитическую активность в отношении таких реакций, как гидрирование этилена или разложение муравьиной кислоты. Хэдвалл показал, что активность оксидных катализаторов особенно велика в области фазовых превращений, когда достигаются наибольшая концентрация дефектов решетки и повышенное содержание энергии в твердом теле (эффект Хэдвалла). Наряду с изменением общей поверхности генерация дефектов решетки может привести к изменениям электронных свойств и повышению общей энергии твердого тела. Поэтому опытным путем трудно установить, какой из этих факторов обусловил изменение каталитической активности. [c.121]

С целью выяснения механизма первичных стадий топохими-ческих реакций Рогинский и сотрудники провели микроскопическое, электронно-микроскопическое и рентгенографи еское исследования изменений, наблюдаемых при обезвоживании некоторых кристаллогидратов [47] и при пиролитическом разложении марганцевокислого бария [48]. Обезвоженные откачкой в вакууме кристаллы, например сернокислого магния, сохраняют в электронном микроскопе свой первоначальный вид, но, согласно рентгеновским данным, представляют- собой аморфные или скрытокристаллические образования. Лишь после нагревания до 100—200° в кристаллах наблюдается образование полостей и на рентгенограммах появляются линии, соответствующие кристаллической решетке обезвоженных солей. Под действием электронного облучения кристалл в конце концов превращается в топкую сетку твердого материала, окружающего возникшие пустоты, т. е. появляются характерные скелетные структуры. При нагревании кристаллов марганцевокислого бария на их поверхности появляются отдельные разрастающиеся зоны реакции, приводящие к образованию пленки, которая в виде чехла обволакивает весь кристалл. В результате дальнейшего нагревания кристаллы марганцевокислого бария превращаются в непрочные агрегаты высокодисперсных аморфных частиц. Авторы приходят к заключению, что продвижение реакции разложения в глубь кристалла происходит путем размножения мелких аморфных частиц новой фазы на поверхности раздела, а не за счет роста этих частиц. [c.182]

Глемзер и Бутенут [56] провели сравнительное изучение изменений, которые претерпевают кристаллы перманганата калия под влиянием электронного облучения и термического разложения. Тонкие кристаллы КМПО4 облучались в электронном микроскопе при малой плотности тока — порядка 0,5 — 1,0 ка1 см , так что термический эффект электронного пучка здесь с уверенностью можно было считать исключенным, и изменение препарата следует приписать ионизирующему действию электронов. Уже через 10 мин. после начала облучения в препарате, извлеченном из микроскопа, наблюдались изменения кристаллы приобрели зеленую окраску. При химическом идентифицировании продуктов были найдены Мп , Mu и двуокись марганца. Реакцию можно представить следующими уравнениями [c.183]

Применение радиации в катализе открывает новые пути как дая изменения активности катализаторов,так и дта изучения мех.анизгла реакции. Как известно, в работах по радиавдошому катализу/1 / используется либо предварительное облучение катализаторов, либо внешнее облучение катализатора и реагентов в процессе реакции. В данной работе изучали разложение алифатичес1сих спиртов на радиоактивных катализаторах. Радиоактивный изотоп,излучающий -частицы, является источником непрерывного излучения,которое, как и при внешнем облучении,создает структурные нарушения,возбуждает неравновесные электроны и дырки одновременно в образце накапливаются продукты ядерных превращений. [c.275]

Важная отличительная черта длительного фотолиза этих солей (т. е. эффекта получения изображения) состоит в том, что здесь, так же как и в случае бромида серебра, равномерное освещение поверхности вызывает образование отдельных металлических зародышей. Если не учитывать возможных аномальных скоростей в начале облучения, то скорость фотолиза люжно считать постоянной и не зависящей ни от перерывов облучения в вакууме, ни от непрерывного выделения металлического продукта. Прежде всего нужно выяснить, каким путем однородное освещение вызывает рост зародышей. Первая попытка объяснения этого явления была сделана Моттом [61], который предположил, что процесс разложения включает перенос как ионов, так и свободных электронов. Облучение ВаЫ,. светом с "к = 2Ъ >7к, соответствующим длинноволновой части полосы поглощения решетки, вероятно, приводит к появлению свободных электронов, так же как и в AgBr. Эти подвижные электроны движутся по кристаллу, пока они не захватываются некоторыми неизвестными чувствительными центрами , возможно, анионными вакансиями. Предположим, что ловушка захватывает два электрона и таким образом заряжается отрицательно после этого она притягивает ион Ва , находящийся в междуузлии, который диффундирует по направлению к ней и получает два электрона таким образом, ловушка восстанавливается и процесс может начаться вновь. В результате повторного захвата двух электронов и одного Ва к зародышу добавляется еще один атом бария. [c.115]

Прежде чем продолжать обсуждение явлений, сопутствующих облучению растворов, следует остановиться более подробно на различиях между действием различных видов излучения на чистую воду. Быстрые электроны возбуждают или ионизируют не более 1% молекул, через которые они проходят, и поэтому распределение радикалов, образующихся первоначально в воде под действием такого излучения, почти однородно. Излучения, связанные с большей плотностью ионизации, как, например, медленные электроны и а-частицы или другие тяжелые частицы, имеют значительно больше шансов вызвать ионизацию при прохождении через молекулу в случае действия таких излучений радикалы образуются поэтому первоначально в большой концентрации в узкой зоне, расположенной вдоль следа частицы. Многие из этих радикалов рекомбинируют друг с другом, прежде чем им удается выйти в основной объем жидкости и реагировать с растворенными веществами. Только та доля радикалов, которая выходит в раствор, может быть использована для зарождения цепей обратной реакции. Те радикалы, которые не выходят в раствор, обусловливают образование некоторого количества водорода и перекиси водорода. Доля выходящих радикалов не может достигнуть единицы даже в случае облучения быстрыми электронами потому, что быстрые электроны с течением времени могут замедлиться, а в качестве медленных электронов они будут вызывать в конце своей траектории ионизацию большой плотности, аналогичную ионизации, вызванной а-частицами. Эти малые участки плотной ионизации ( горячие точки ) обеспечивают постоянный источник водорода и перекиси водорода при облучении раствора жесткими рентгеновскими лучами или быстрыми электронами независимо от того, что происходит с большей частью свободных радикалов, доступных для реакции с растворенньши веществами. Стационарные уровни разложения, очевидно, непосредственно связаны с количеством свободных радикалов, соединяющихся в горячих точках. Чем больше доля радикалов, которым не удается выйти из горячих точек, тем выше должна быть концентрация продуктов [c.87]