Уширение линии штарковское

Наблюдалось также резонансное рассеяние при поглощении света возбужденными атомами гелия, находящимися на метастабильных уровнях. Перестраиваемый лазер позволил проводить измерения на ряде линий, причем по штарковскому уширению линии 4471 А (4 Д — 2р Р), полуширина которой (исправленная на доплеровское уширение) составляла 0,04 А, была определена электронная концентрация сж" [15.20]. [c.382]

Давление в поглощающей ячейке при анализе составляло около одной пли нескольких десятых миллиметра ртутного столба. При малых концентрациях давление в ячейке влияет па интенсивность линий, определяя тем самым чувствительность анализа. Однако чрезмерное увеличение давления приводит к сильному уширению линий, и, кроме того, напряжение штарковской модуляции может привести к пробою ячейки. [c.103]

По Штарковскому уширению линии На По Штарковскому уширению линии Аг1 4300 А По абсолютной интенсивности группы линий Аг1 4045— 4300 А [c.236]

Естественно, что, чем больше интенсивность крыла, накладывающегося на слабую линию, тем меньше точность измерения этой линии. Так как уширение линий водорода в высокочастотном разряде, служащем для возбуждения спектра, в основном штарковское, то для уменьшения переложения контуров выгодно снизить давление в разрядной трубке до такой величины, когда уменьшение интенсивности свечения разряда не вызывает еще значительных затруднений анализа. Однако одновременно с уменьшением давления увеличивается разделение изотопов в капиллярах. Степень разделения определяется свойствами установки и не может быть достаточно просто рассчитана. Штарковское уширение линий также не поддается простому расчету, так как зависит от трудноизмеримых характеристик разряда. Поэтому при анализе малых [c.267]

Поступательная температура частиц плазмы может быть измерена путем определения допплеровской полуширины спектральных линий, излучаемых атомами и молекулами системы. Однако основой этого метода является предположение о максвелловском распределении излучающих частиц по скоростям (см. стр. 399). Проверку этого предположения практически невозможно выполнить. При давлениях 1 атм и выше это предположение, по-видимому, вполне реально, но в этих условиях допплеровское уширение линий, как правило, существенно меньше ударного или штарковского. При пониженном давлении можно ожидать отклонений функции распределения скоростей излучающих частиц от максвелловской. Но, вероятно, они не должны быть значительными вследствие того, что для поступательных степеней свободы максвелловское распределение устанавливается очень быстро [3] (после одного-двух соударений). [c.406]

Параметры штарковского уширения в спектрах гелия известны с погрешностью 10-20 %, в атомном и ионном спектрах аргона — примерно с той же погрешностью, что и вероятностей перехода. В случае спектров Fe(I) и Fe(II) соответствующие данные получены лишь для очень небольшого числа спектральных линий. [c.356]

Формулы (3.48) и (3.48а) можно использовать при расчете отношений спектральных показателей поглощения в крыльях спектральных линий, испытывающих штарковское уширение. Нанример, для фиксированных значений АХ [c.45]

Соотношения тина (3.49) могут использоваться для проверки в каждом конкретном случае предполон<ения о том, что показатели поглощения в крыльях спектральных линий определяются штарковским уширением. [c.45]

Выше (см. формулу (38.44)) уже было показано, что уширение электронами весьма суш,ественно сказывается на крыле линии. Электроны оказывают заметное влияние и на центральную часть контура линии. Особенно велико это влияние для линий, имеющих несмещенную штарковскую компоненту. В качестве примера на рис. 55 ) приводятся контуры линии вычисленные с учетом [c.533]

Влияние электронов на штарковское уширение обсуждалось также для линии а-сери.и Лаймана [13], где оно оказалось малым. [c.45]

Значение штарковского уширения (см. разд. 3.6), соответствующее равновесно ионизации, было рассмотрено в работе [1]. Однако эти авторы нашли, что коэффициент [1 — ехр (— РщХ)] очень мал для волновых чисел, смещенных от центра линии на расстояние, большее [c.388]

Таким образом, первая задача, которая возникает при рассмотрении уширения ионами, состоит в нахождении статистического распределения интенсивности с учетом одновременного воздействия на атом большого числа ионов. Если условия применимости статистической теории выполняются, то каждая из штарковских компонент линии уширяется независимо от всех остальных. [c.501]

Минимальное значение N для каждой линии выбирается таким образом, чтобы штарковское уширение значительно превышало допплеровское. [c.518]

Поскольку матрица диагональна по Ж, уширение каждой из штарковских компонент линии можно рассматривать независимо друг от друга так, как если бы вырождение по М отсутствовало. В частности, можно использовать формулы (37.47) ). [c.540]

Оптические методы диагностики плазмы. По полосам спектра излучения плазмы можно идентифицировать различные компоненты плазмы [25]. При низких давлениях уширение спектральных линий обусловлено тепловым движением излучающей частицы (доплеров-ское уширение) и статистическими флуктуациями электрического поля (штарковское уширение), вызываемыми флуктуациями концентрации электронов вблизи излучающей частицы. По величине допплеровского уширения (в случае легких атомов) можно определять температуру излучающей частицы величина штарковского уширения зависит в основном от концентрации электронов и лишь в небольшой степени от электронной температуры. При высоких давлениях наличие уширения, обусловленного воздействием на излучающую частицу со стороны соседних атомов газа, делает подобные измерения невозможными. [c.99]

Штарковское и зеемановское уширения. Если излучающий атом находится в электрическом или магнитном поле, то его энергетические уровни расщепляются на ряд подуровней. Получающееся вследствие этого расщепление и смещение спектральных линий определяется значением электрического (эффект Штарка) или магнитного (эффект Зеемана) поля, а также электронной конфигурацией излучающего атома (исходного и конечного состояний). [c.26]

В этом случае обычно известны расстояния между максимумами переложенных контуров, а также иногда форма контура и соотношение ширин отдельных компонентов. Например, если имеет место только доплеровское уширение, то ширины линий, принадлежащих отде.льным изотопам, будут относиться, как корни из их атомных весов. Если уширение штарковское, то для одних и тех же линий разных изотопов оно одинаково. Для тяжелых изотопов ширины контуров практически тоже одинаковы. Такого рода сведения обычно достаточны для однозначного разложения. В тех случаях, когда это возможно, поступают следующим [c.132]

При снижении электронной концентрации допплеровское уширение становится сравнимым со штарковским. Это наиболее характерно для высоких давлений, легких элементов и линий, возникающих при переходах с низко расположенных уровней. На рис. 1 для некоторых частных случаев показаны области, в которых преобладают различные виды уширения. [c.174]

Следует подчеркнуть, что, измеряя в эксперименте полуширину 8Х допплеровского контура линии, мы тем самым находим температуру газа. Применение этого метода при высоких давлениях (Р 1 атм) затруднительно вследствие того, что ширина спектральных линий в этих условиях определяется в основном штарковским и. ударным уширениями. Однако иногда удается найти линии (например, в спектрах редких земель и переходных элементов), ширина которых определяется лишь эффектом Допплера [51]. [c.400]

Для измерения концентраций заряженных частиц в неравновесной низкотемпературной плазме используются зоны Ленгмюра [53, 114, 220, 225, 226], СВЧ-зондирование плазмы [53, 212, 213, 233], спектроскопические методы штарковского уширения спектральных линий и абсолютной интенсивности тормозного и рекомбинационного электронного континуума [52—55]. Они перекрывают практически весь необходимый диапазон концентраций электронов, т. е. Ne 10 см — спектроскопические методы, ТУе >> 10 —Ю см — зондовые Ые > 10 — метод СВЧ-резо-натора, Не >> 10 см — метод отсечки СВЧ-волпы либо метод отражения. [c.50]

Погрешность этого метода относительно невысока при и9пользовании спектральных линий, излучаемых легкими атомами при высоких температурах. Следует также учитывать влияние других возможных механизмов уширения линий — штарковского, резонансного и др. [79, 81]. [c.28]

В этом разделе Неннер дает очень сжатое изложение теории штарковского уширения линий водорода микрополями в том виде, в каком она существовала до 1957 г. В нослодпих работах Колба, Грина и Шена она получила дальнейшее развитие (см. предисловие на стр. 6).— Прим. ред. [c.42]

Последовательная теория уширения линий водородного спектра электронами должна учитывать два момента неадиабатичность возмущ.ения и неприменимость бинарного приближения к возмущению, пропорциональному / . Поскольку в данном случае расщепление уровней симметрично (линейный штарк-эффект), результаты очень сильно зависят от того, насколько корректно учитывается неадиабатичность возмущения. Это видно из следующего рассуждения. Если вести все рассмотрение в системе координат с осью г, направленной на возмущающий электрон, и пренебречь переходами между различными штарковскими подуровнями (это приближение мы будем называть адиабатическим приближением во вращающейся системе координат), то форма линии будет определяться наложением штарковских компонент, уширенных в соответствии с формулами (36.34), (36.35). Для плазмы существуют два характерных линейных размера, которые в принципе могли бы войти в качестве параметра обрезания [c.508]

Штарка. Фактическое расщепление может быть недостаточным для прямого наблюдения, но общий эффект симметричного уширения по порядку величины сравним с допплеровским или ударным уширением. Штарковское расщепление возникает такн е под влиянием межатомного поля атомов или молекул, обладаюищх квадрупольным моментом, и в некотором смысле явление уширения спектров испускания и поглощения при столкновениях может быть классифицировано как явление Штарка второго порядка . Для большинства систем в газовой фазе, поглощение которых обусловлено атомами, эффектом Штарка можно пренебречь. Он важен, однако, для уширения линии источников света, таких, как дуга, искра и разряды при высоких температурах. [c.51]

Излучательная способность гелиевой плазмы нри более высоких температурах [(25- 75)-10 ° К] и плотностях 10 -10 г см рассчитана Нелсоном и Гулардом [469] (в той же работе рассмотрена также плазма На и смесь Hj—Не). Учтены 34 перехода Hel и 13 переходов Hell. Приняты во внимание допплеровское и штарковское уширения линий. При повышении плотности растет относительный вклад континуума как вследствие реабсорбции линий, так и в результате снижения потенциала ионизации и слияния верхних уровней. Фактор Гаунта для НеИ, а также коэффициент непрерывного поглощения для Hel взяты из работы [415]. [c.189]

Более низкие значения А, полученные Герике [182 ] и Рихтером [186], объясняются, согласно Гриму и Попено и Шумейкеру, неправильным выбором значения А для ионной линии Аг II 4348 А, которая служила для определения температуры плазмы. Более поздние измерения, основанные на определении штарковского уширения линий Аг1, дали для АгП 4348 А значение более высокое. Умножая значения А, найденные Герике, на поправочный множитель 1,4, получаем величины, близкие данным [180]. [c.190]

Наряду с температурой важным параметром плазменных источников является концентрация электронов Пс. Наиболее достоверные результаты по определению Пе были получены путем измерения штарковского уширения спектральных линий, которое, во-обн1е говоря, не зависит от предположений о существовании локального термодинамического равновесия в плазме. При мощности генератора 1 —1,5 кВт и частоте 27 МГц на высоте 10— 20 мм над индукционной катушкой были получены значения п,. порядка 10 5 см" . [c.71]

Атомные спектральные линии, измеренные специальным спектральным прибором с высокой дисперсией, обычно шире предсказываемых квантовой механикой. Это уширение возникает в силу ряда причин, наиболее существенными из которых являются допплеровское и штарковское уширения. Допплеровское уширение возникает в связи с тем, что наблюдаемые атомы находятся в постоянном движении. Те атомы, которые движутся к точке наблюдения, испускают излучение более высокой частоты, чем те, которые удаляются. Значительн ое число атомов, испускающих излучение, движется беспорядочно и в результате создает более широкий профиль спектральной линии, имеющий форму кривой Гаусса. Уширение Штарка связано с взаимодействием излучающих атомов с электрическим полем. Электрическое поле вызывает расщепление энергетических уровней каждого атома. Неоднородное поле пламе- [c.717]

Наблюдаемое вследствие эффекта Штарка в межмолекулярном поле источника уширение зависит от типа уровня. Высокие уровни, как правило, уширяются больше низко расположенных. Величина уширения растет с ростом давления газа и концентрации заряженных частиц. Если давление газа, в источнике порядка атмосферного, то основной вклад в ширину линий дает обычно штарковское уширение. При этом ширина линий в зависимости от их сериальной принадлежности, давления газа и концентрации электронов составляет от десятых долей до нескольких ангстрем. При давлениях в источнике более 10 атм или концентрации заряженных частиц более 10 см штарковская ширина иногда равна десяткам и даже сотням ангстрем. [c.262]

Большая экспериментальная работа проведена и по изучению формы, ширины и сдвига спектральных линий с квадратичным эффектом Штарка [11—14]. Мазинг установила невозможность сох ласовать экспериментальные данные по сдвигу и полуширине линий с квадратичным эффектом Штарка с теорией Линдхольма [3]. Эти результаты побудили Вайнштейна и Собельмана [14] построить нестационарную теорию штарковского уширения спектральных линий в плазме, которая гораздо лучше соответствовала экспериментам. [c.7]

В последней (неопубликованной) работе Грима, Баранжера, Колба и Оертела расчеты штарковского уширения нейтральных линий гелия с квадратичным штарк-эффектом доведены до конца. Они позволяют измерять концентрации заряженных частиц по линиям гелия с такой же степенью точности, как и но линиям водорода. [c.7]

Можно указать и другие причины, вызывающие уширение спектральных линий, как, например, штарковское и зееманов-ское расщепление термов, диффузию излучения и т. д. Строго говоря, каждая линия уширена за счет всей совокупности этих эффектов. Однако во многих случаях можно выделить одну, главную, причину уширения. Так, например, во многих источниках, работающих при низком давлении, контур линии с достаточной точностью можно считать чисто допплеровским. [c.197]

Наиболее удобно использовать для анализа линии бальмеровской серии. Обычно применяются нары Н — и Нр— 1)р. Преимущество первой — в несколько большем изотопическом сдвиге, большей интенсивности и несколько меньпгем штарковском уширении. Зато в области линий Нр и Вр значительно выше чувствительность болыиинства приемников. При фотографической регистрации ча1це пользуются первой парой, при фотоэлектрической — второхь Выбор той или иной из них определяется также применяемым спектральным прибором. В призменных спектрографах дисперсия в красной области обычно недостаточна н голубая часть спектра, где лежат линии Нр— Вр, значительно удобнее. Для дифракционных приборов выгоднее линии Н - В , дальше отстоящие друг от друга но спектру. При правильном проведении анализа его результаты естественно не должны зависеть от выбранной пары линий. [c.265]

В плотной плазме профили линий определяются главным образом взаимодействием излучателей с окружающими частицами. Этот тип уширения, который обычно называют уширением под действием давления, можно подразделить на резонансное, вандерваальсово и штарковское. Первое обусловлено взаимодействием излучателей с атомами того же сорта, второе — с атомами другого сорта и последнее — взаимодействием с заряжен-ныдш частицами. При концентрациях ионов и электронов, превышающих 1%, преобладают дальнодействующие кулоновские силы и мы имеем дело только со штарковским уширением. [c.173]

Из-за наложения близко располон<енных компонентов тонкой структуры, каждый из которых подвержен штарковскому уширению, водородные линии имеют сложные профили. Теория уширения, основы которой заложили Лоренц [97] и Хольцмарк [98], была в последнее время усовершенствована в работах многих авторов (см., например, [99, 100, 481]). [c.183]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология