Ионное осаждение

В сплавах цветных металлов часто содержатся кремний, фосфор и мышьяк, которые могут быть определены после растворения сплава в концентрированной азотной кислоте в полученном растворе определяют фосфат-ион осаждением молибдатом аммония. Кремний в виде кремневой кислоты остается в нерастворимом остатке вместе с метаоловянной кислотой, которую отделяют растворением в концентрированной соляной кислоте, как описано выше кремневую кислоту обнаруживают по 44. Мышьяк определяют обычным путем (см. 17). Если в сплаве присутствовал фосфор, то при систематическом ходе анализа он должен быть удален, как это описано в 18. [c.131]

Эффективную противокоррозионную защиту оборудование обеспечивают покрытия, для получения которых могут быть использованы основные методы нанесения покрытий в вакууме катодное распыление, термическое напыление и ионное осаждение. Из них наиболее перспективным вследствие высокой эффективности защитного действия является метод ионного осаждения в вакууме. [c.125]

Исследования показали, что для получения коррозионностойких покрытий перспективен вакуумный метод ионного осаждения, при котором получают покрытия высокого качества малопористые (пористость в 2—3 раза меньше, чем у покрытий, полученных методом [c.140]

В присутствии иодид-ионов осаждение сульфидов мышьяка из раствора арсенатов происходит достаточно полно и быстро при кислотности (0,3 н. НС1), принятой при осаждении сульфидов остальных катионов IV и V аналитических групп. [c.317]

Предварительные испытания. Испытания проводят с отдельными пробами исследуемого раствора, в которых обнаруживают Fe -и Fe -ионы. Это необходимо, так как фосфаты железа (II), в отличие от фосфатов железа (111), растворимы в уксусной кислоте, что приводит к частичной потере Fe -иоиов. В предварительных пробах также необходимо открывать Сг "-ионы, осаждение которых в виде фосфатов требует обязательного присутствия Fe -ионов. Fe -ионы открывают действием Кз(Ре(СМ)в1 (см. II) Fe -ионы открывают действием K4[Fe( N)el (см. 12) r -ионы открывают в виде хромата (см. 13). [c.57]

Недостатком метода ионного осаждения для нанесения покрытия является сложность аппаратурного оформления, но очевидны преимущества этого метода перед другими, например гальваническим осаждением отсутствие мокрых стадий при нанесении покрытий, отсутствие водородной хрупкости обработанного металла, возможность нанесения любых металлических покрытий на любые материалы, высокая адгезия и хорошие защитные свойства покрытий, отсутствие загрязнений в среде, которой обрабатывается поверхность. [c.126]

Изотерма ионного осаждения имеет вид гиперболы (рис. 45). Она относится к виду выпуклых изотерм. Отсюда следует, что плотность осадка равномерна по высоте зоны и зоны имеют четкие нижние границы. [c.240]

Косвенные методы, основанные на разрушении окрашенных соединений, применяют в основном для определения галогенид- и сульфат-ионов и некоторых других анионов. Каталитические реакции используют в кинетических методах анализа в сочетании с фотометрическими для определения как катионов, так и анионов. Основными затруднениями при косвенных определениях являются ограниченная селективность и различные побочные процессы. Косвенные методы трудоемки, и, как правило, менее точны. Однако в ряде случаев, особенно когда необходимо отделение определяемого иона осаждением, использование косвенных определений вполне оправдывается. Кроме того, при таких косвенных определениях может быть достигнута более высокая чувствительность. [c.228]

Такие методы применяются и в тех случаях, если посторонние ионы имеют собственную окраску (собственное поглощение). Если мешающее влияние посторонних ионов нельзя устранить химическими и физическими методами, то отделяют определяемый ион осаждением, ионным обменом, экстракцией или отгонкой. [c.98]

В связи с этим, очистка щавелевой и лимонной кислот от сульфат-иона (осаждением хлоридом бария) должна сочетаться с методом ионного обмена. При этом удаляется избыток осадителя. [c.94]

МЕТОД ИОННОГО ОСАЖДЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ [c.125]

Метод ионного осаждения покрытий в вакууме основан на термическом напылении защитного металлического покрытия на защищаемую деталь в газовом разряде [70]. При этом обрабатываемая металлическая деталь (подложка) является катодом, испаритель — анодом тлеющего разряда. Металл, используемый в качестве покрытия (подложка), напревают любым методом электрическим, электронно-лучевым и др. Пары [c.125]

Ионная очистка поверхности проводится в тех же установках и при тех же условиях, что и нанесение покрытия. К обрабатываемой детали подводится отрицательный потенциал порядка нескольких киловольт. По окончании ионной очистки подложки ток разряда уменьшается до некоторого постоянного значения. Процесс ионного осаждения можно проводить после стабилизации тока разряда. [c.126]

Очистку и ионное осаждение обычно проводят в среде сильно разреженного инертного газа, обычно аргона. Гелий требует более высокого давления для поддержания разряда и дает более низкое качество очистки подложки. Криптон, более тяжелый газ, обеспечивает хорошую очистку поверхности и при более низких давлениях, но его применение ограничено высокой стоимостью. [c.126]

Почти при всех методах нанесения покрытий (за исключением ионного осаждения) значительный разрыв во времени между окончанием стадии очистки и началом процесса осаждения покрытия приводит к повторному загрязнению и окислению. защищаемой поверхности. Особенность процесса ионного напыления заключается в том, что покрытие наносится в условиях непрекращающейся ионной бомбардировки, поверхность остается очищенной и активированной до осаждения первых слоев покрытия, кроме того, происходит частичное распыление уже осажденного покрытия, что способствует модифицированию и [c.126]

Высокая адгезия покрытий из Си, Ад, Аи, N1 и Сг к деталям из различных материалов (Ре, Мо, 51 и др.) была достигнута при напряжении 3—5 кВ, давлении аргона 2,7—6,7 Па и плотности тока 0,3—0,8 мА/см . Детали не подвергались никакой предварительной подготовке, за счет ионной бомбардировки в процессе ионного осаждения их поверхность нагревалась до 200—400 °С. Сравнение с другими методами нанесения покрытий показало, что если покрытие и основа не образуют твердых растворов, то адгезия ионных покрытий гораздо лучше, чем обычных покрытий. [c.127]

Ионным осаждением можно получать покрытия с хорошей адгезией на обеих сторонах неподвижной детали, в то время как большинство других методов нанесения покрытий дают одностороннее покрытие. Часто это свойство метода ионного осаждения называют высокой рассеивающей способностью . [c.127]

На рис. 6.9 представлена зависимость адгезии (в условных единицах, соответствующих 10-балльной шкале) покрытий из нержавеющей стали на титане от мощности разряда [71]. Покрытие, полученное при мощности порядка 7 кВт, не удается отделить от детали никакими механическими воздействиями. Высокая адгезия ионных покрытий объясняется ионизацией молекул в парах металла с последующим осаждением быстрых ионов. В процессе ионного осаждения при ионной бомбардировке происходит преимущественное распыление покрытия, образовавшегося при осаждении нейтральных частиц, в то время [c.127]

Так как в процессе ионного осаждения сама обрабатываемая деталь служит катодом для создания тлеющего разряда, юна значительно разогревается за счет выделения тепла при торможении ионов на поверхности. В зависимости от теплопроводности защищаемый материал в объеме может сохранить сравнительно низкую температуру, в то время как поверхность может сильно разогреваться. Если деталь чувствительна к перегреванию (например, изготовлена из легкоплавкого материала), то необходимо ее охлаждать в процессе ионного осаждения. [c.128]

Форма детали существенно влияет на эффективность метода ионной бомбардировки и на скорость конденсации (образования покрытия). Углы и острия, например, являются областями сильного электрического поля, в которых ионная бомбардировка очень интенсивная, и может происходить распыление материала детали и — частично — нанесенного покрытия. В отличие от других методов нанесения покрытий на раях и углах. деталей при ионном осаждении не образуется наростов. [c.128]

I Для определения свинца в руде взята иавеска руды 5,0000 г. После растворения ее в кислоте РЬ -ион осажден в виде РЬСгО,, осадок отфильтрован, промыт и растворен в смеси НС и KI (уравнение реакций ). Выделенный при этой реакции иод оттитровал 0,5000 н, раствором NajSjOa и его израсходовано [c.419]

Из кислых растворов возможно даже выделение цинка (f = = —0,76 в) вследствие высокого перенапряжения на нем водорода (—0,75 в). Однако при значительной концентрации Н --ионов осаждение цинка не будет полным. Осаждение становится более полным при уменьшении концентрации кислоты илн, еще лучше, при замене сильной кислоты слабой. Например, хорошие результаты получают при определении цинка в присутствии ацетатной буферной смеси СН3СООН-f Ha OONa, создающей в растворе pH л 6, т. е. концентрацию Н+-ионов порядка 10 г-ион/л. В этих условиях окислительно-восстановительный потенциал пары 2Н Нг понижается до величины [c.435]

Кроме маскирования, разумеется, применяют обычные способы отделения мешающих ионов осаждением или экстракцией, а после разделения определяют отдельные компоненты титрованием ЭДТА. [c.433]

При определении сульфат-ионов осаждением раствора хлорида бария получен осадок, содержащий окклюдированные примеси Маг504 и ЫаН804. Будет ли результат правильным, завышенным или заниженным [c.196]

Отделение Сг04 -и о н о в. Подкислите часть раствора 6 разбавленной уксусной кислотой и прибавьте к нему раствор ВаС12. Выпадает желтый осадок (осадок 7) ВаСг04. Осадок 7 отцентрифугируйте, а в растворе 8 проверьте наличие 7п -ионов осаждением 2п5 сероводородом из уксуснокислой среды или при помощи одной из характерных реакций на ионы цинка (см. 27, стр. 258). [c.276]

Ионное осаждение в вакууме отличается от предыдущего метода тем, что пары осаждаемого металла или сплава ионизируются в плазме тлеющего разряда, в котором катодом слум<ит испаряемый материал, а анодом — подложка. Нагрев производят различными методами. Пары металла попадают в плазму при сравнительно высоком давлении (0,1—1,0 Па) инертного газа (Не, Аг, Кг). При этом происходит ионизация паров, ионы ускоряются электрическим полем, поток ионов осаждается на подложке. Этот метод — разновидность плазменного напыления. [c.140]

Допустимой потерей от растворимости будет значение, лежащее за пределами точности взвешивания, т. е. 0,0002 г. Найденное значение приближенно в 22 раза превышает допустимую ошибку (0,0045/0,0002 22). Отсюда видно, что при ПР = 2,2-10 и равенстве концентраций ионов осаждение будет далеко не полным. Но уравнение ПР дает возможность предвидеть достижение полноты осаждения ионов РЬ . Для этого необходимо увеличить концентрацию SO4 -ионов, что сразу уменьшит концентрацию ионов РЬ . Увеличим концентрацию H2SO4 до [c.221]

Взвешенные частички большинства коллоидов несут электрический заряд между частичками и жидкостью существует разность потенциалов. Иногда частички заряжены положительно, как это бывает с коллоидными растворами гидроокиси железа, а1люмшия и хрома, иногда — отрицательно, как это бывает с коллоидными растворами кремневой и оловянной кислот, сульфидами мышьяка и кадмия, иодидом и хлоридом серебра, золотом, платиной и серебром. Вещества, в коллоидном состоянии несущие электрический заряд, осаждаются электролитами. Отрицательно за,ряженные коллоиды осаждаются под действием положительных ионов и, наоборот, положительно заряженные коллоиды осаждаются отрицательными ионами. Осажденное вещество захватывает с собой осаждающие ионы, образуя с ними адсорбционное соединение. Осаждающая способность электролитов увеличивается с увеличением валентности осаждающего иона. [c.79]

Вариант комплексонометрического определения кальция и магния в кислотных природных водах основан на удалении ме-шаюш их ионов осаждением диэтилдитиокарбамипатом натрия или экстракцией диэтилдитиокарбаминатов l [514, 515]. [c.190]

Al41, Fe 4, щелочноземельные металлы и магний. Мешающее влияние Со +, Си +, Ni + может быть устранено введением в раствор цианид-ионов Мп +, АИч, Fe + — введением в раствор триэтаноламина. Свинец может быть отделен от сопутствующих ионов осаждением в виде PbS04. [c.379]

Ссгласно взглядам Ададурова, каталитические процессы, происходящие на катализаторах, отложенных на носителях, в основном соответствуют состоянию электрического поля катализатора и состоянию электрического поля реагирующих на катализаторе молекул. Если указанные выше законы, определяющие способность к деформации или поляризации, применять к отдельным носителям, то влияние носителя будет возрастать при увеличении радиуса и уменьшении заряда иона осажденного катализатора, в то время как у отдельных катализаторов влияние носителя тем сильнее, чем меньше ион носителя и чем больше его заряд. [c.448]

Путем раздельного измерения активностей плюмбата и плюмбита можно установить, в виде какого соединения находится радиоактивный изотоп свинца. Для этого плюмбат-ион отделяют от плюмбит-иона осаждением 0,2 н. Ва(ОН)а в виде ВаРЬОз при этом РЬОг остается в растворе. Осадок отфильтровывают и промывают несколько раз 0,5 н. КОН, а фильтрат помещают в кювету, где измеряют его активность. После этого осадок ВаРЬОз растворяют при нагревании в 0,2 н. Naa Os и снова измеряют активность раствора. Отсутствие активности в растворе плюмбата свидетельствует о неравноценности атомов свинца в РЬгОз и дает основание представить его формулу в виде РЬ(РЬОз). [c.163]

При ионном осаждении прочность сцепления покрытия с основой очень высока (более 35 кгс/мм ). Хорошей адгези способствует высокая энергия ионов металла, бомбардирующих поверхность металла. Между покрытием и поверхностью образуется переходная область переменного состава не в результате обычной диффузии, а вследствие проникновения в глубь металла ионов с высокой кинетической энергией. Средняя глубина проникновения ионов для большинства кристаллов составляет 1—15 нм/кэВ. [c.127]