Медь влияние монокристаллов

Рис. 13.22. Влияние взаимодействий J и эффектов нулевого поля на спектр ЭПР монокристалла одной ориентации и энергетические уровни молекулы, содержащей два ( -пона меди.

Было замечено, что на ранней стадии злектроосаждения меди, когда на грани (100) медного монокристалла развивается слоистость, увеличение плотности тока осаждения при прочих равных условиях приводит к возрастанию разделения ступеней. Большие расстояния между ступенями в случае осадков, полученных при более высоких плотностях тока, могут быть хотя бы частично отнесены к влиянию адсорбции примесей из раствора. Если скорость осаждения велика, то промежуток времени, разделяющий периоды образования двух последующих слоев, будет недостаточен для заметной адсорбции примесей на свежеобразованной поверхности в этом случае вновь образующиеся слои будут встречать на своем пути меньше препятствий, вследствие чего группирование идеально моноатомных ступеней в пачки на ранней стадии осаждения должно быть затруднено даже в том случае, когда произошло первое группирование одноатомных ступеней, такое скопление может довольно легко исчезнуть. По этой причине первые видимые скопления характеризуются меньшей плотностью, или, другими словами, большим разделением, чем последующие. Для ранней стадии осаждения, когда происходит первое концентрирование, или группирование, одноатомных ступеней, повышение чистоты раствора сопровождается уменьшением плотности расположения групп. В результате макроступени, образующиеся в конце концов из этих групп, будут расположены на больших расстояниях одна от другой. В свою очередь на осадках, полученных из растворов, содержащих определенное количество специально введенных поверхностноактивных веществ, плотность ступеней при прочих равных условиях увеличивается с возрастанием концентрации примесей [99]. [c.347]

Содержатся работы по изучению механических и технологических свойств цветных металлов и сплавов, металловедению, рентгенографии, спектральному анализу, нагреву и обработке давлением, а также по исследованию систем автоматического регулирования толщины проката и др Приводятся работы по диаграммам состояния систем на основе меди и никеля, металловедению монокристаллов интерметаллических соединений и исследования по реакционной диффузии, включая про цессы окисления и коррозии, ло влиянию малых добавок на физические, химические и технологические свойства сплавов. [c.344]

Измерения скоростей реакций были проведены на плоской грани монокристалла меди в присутствии указанных выше веществ при 350° и смеси газа, состоящей из 95% водорода и 5% кислорода [28] при этом как структура поверхности, так и каталитическая активность различных граней изменялись под влиянием данных веществ. На рис. И представлены микрофотографии таких поверхностей после проведения на них реакции в течение 20 час. Даны изображения каждой грани без добавки, со [c.103]

Зависимость теплоты адсорбции от степени покрытия поверхности. Если максимумы кривых теплота адсорбции — степень заполнения (см. рис. 31) обусловлены в значительной степени сильным взаимодействием в слое между адсорбированными частицами, то тогда становится понятным отсутствие максимумов, наблюдаемое как в случае восстановленных, так и окисленных поликристаллических поверхностей меди. Эта гипотеза позволяет также приближенно, в общих чертах, объяснить отсутствие отчетливых максимумов на кривых теплота адсорбции — степень покрытия для окисленных монокристаллических поверхностей меди (см. рис. 32). Для этого нужно лишь предположить, что при Образовании кристаллов окисла создается достаточная неоднородность поверхности, которая маскирует взаимное влияние адсорбированных частиц. Однако маловероятно, чтобы на основании указанной гипотезы удалось объяснить различия в эффекте взаимодействия, наблюдаемом на трех главных гранях монокристалла, изученных в этом исследовании. Несмотря на то, что коэффициенты шероховатости для изученных шести образцов монокристаллов изменялись от 1,2 до 1,4, не имелось строгого соответствия между наблюдаемыми максимумами и коэффициентами шероховатости. Во-вторых, воспроизводимость зависимости между теплотой адсорбции и степенью покрытия для каждой грани кристалла указывает, что при применявшихся препаративных методах более однородная поверхность получается всегда из [c.119]

На рис. 3 (а и б) для образцов обеих серий показаны зависимость tg б и скорости каталитической реакции V от температуры прокаливания. Как видно, у образцов обеих серий в пределах точности эксперимента совпадает температурный ход б и резко противоположен ход скорости реакции. Для образцов серии I наблюдается антибатная связь tg б и 7, в то время как для образцов серии II — симбатная, которая качественно объясняется с точки зрения электронной теории Волькенштейна с ростом температуры обжига увеличивается воздействие кислорода на окись цинка, что приводит к снижению концентрации электронов. Это, в свою очередь, вызывает снижение tg б и уменьшение каталитической активности. Для объяснения результатов но образцам серии I нужно сказать, что окись меди является собственным полупроводником (т. е. имеющим и электроны, и дырки), а температура перелома (около 200° С) приблизительно соответствует температуре антиферромагнитного превращения окиси меди (для монокристаллов 180° С). Если учесть, что антиферромаг-нитное превращение сопровождается резким изменением ряда физических свойств кристаллов, в том числе и коэффициента расширения, то естественно предположить, что при температурах обжига, больших 200° С, в момент антиферромагнитного превращения (т. е. в момент дельта-образных изменений коэффициента расширения) происходит выброс микроскопических частичек окиси меди в окружающее пространство. Эти частички, оседая на поверхности в данном случав окиси цинка, мигрируют по ней и закрепляются на активных центрах. Именно этот процесс, по-видимому, и приводит к увеличению каталитической активности образцов серии I, йе оказывая, однако, влияния на tgб в пределах точности опытов. [c.240]

Целый ряд исследований, посвяпхенных изучению каталитической активности сферических монокристаллов меди [230], указывает иа то, что ориентация кристаллов действительно приводит к различиям в скоростях каталитических реакций. Реакция водорода с кислородом протекает с на-ибольшей скоростью на участках поверхпости медного шарика, параллельньгх кристаллографическим ПЛОСКОС1ЯМ с индексами 111 . Те части сферической поверхности, которые параллельны плоскостям 100 , сильно разрыхляются под влиянием реакции, хотя скорость реакции на них меньше, чем на частях, параллельных плоскостям 111 , которые при этом остаются гладкими [231]. Создается впечатление, что в тех частях поверхности шарика, которые параллельны плоскостям 100 , атомы как водорода, так и кислорода проникают внутрь -металла на некоторую глубину и реагируют там между собой (см. разделы VII, 6 и 7), в то время как в частях, параллельных плоскостям 111 (т. е. граням 111], которые в действительности отсутствуют), быстрее протекающая реакция препятствует проникновению атомов реагирующих веществ внутрь металла. Между теплотами адсорбции и катал-итической активностью не наблюдается прямого параллелизма. [c.128]

В работе А. И. Левина и В. М. Рудого влияние кристаллографической неоднородности рассмотрено на примере реакции электрохимического выделения водорода. Для определения константы скорости электрохимической реакции использовали метод фарадеевского импеданса. Для измерения импеданса электрода применяли мост переменного тока. Испытываемыми электродами служили монокристаллы меди с кристаллографическими гранями (100) и (111), электроосажденная медь и электрод из меди, оплавленной в атмосфере водорода. [c.524]

В работах Ю. М. Полукарова с сотр. [82] установлено, что увеличение перенапряжения катода при электроосаждении меди вызывает переход от слоисто-спирального роста осадка к образованию и росту двумерных зародышей с появлением дефектов упаковки двойникового типа добавки к электролиту меднения поверхностно активных веществ резко повышают вероятность образования дефектов упаковки, увеличивают искажения кристаллической решетки и плотность дислокаций. Заряд двойного электрического слоя ускоряет процессы возврата в тонких осадках меди (эффект Ребиндера), приводящие к появлению внутренних напряжений растяжения. Влияние электрохимических условий осаждения на состояние кристаллической решетки осадков становится определяющим при достаточно большой толщине осажденного слоя на пластически деформированной монокристал-лической подложке дефектность слоев осадка постепенно уменьшалась при утолщении слоя, а при росте осадка на подложке из граней совершенного монокристалла, наоборот, увеличивалась до значений, соответствующих условиям электролиза. [c.93]

Наряду с широко известными уникальными абразивными характеристиками, алмаз обладает и замечательной теплопроводностью, причем не столько по абсолютной величине, сколько по ее температурной зависимости. Достаточно сказать, что теплопроводность монокристалла алм аза при комнатной температуре в пять раз выше, чем у меди. Это позволяет рассматривать алмаз как наиболее перспективный материал для изготовления тепло-отводящих элементов малогабаритных полупроводниковых приборов. Поэтому были проведены исследования по влиянию температуры на теплопроводность монокристаллов алмаза. Для измерения отбирались кристаллы кубооктаэдрической формы с размером ребра кубических граней около 0,4-10 м, практически не содержащие макровключений метялла-рястворителя (образцы 7, 8 в табл. 34), а также удлиненные кристаллы кубического габитуса с размерами смежных ребер около (0,4 и 0,8) 10 м, содержащие отдельные металлические вклю еяня пластинчатой формы (образцы 5 и 6 см, табл. 34). Интервал измерения температуры составлял от 290 до 630 К. т. е. включал в себя реальный диапазон рабочих температур полупроводниковых приборов. Погрешность измерения теплопроводности 12—15%- [c.449]

Спектры люминесценции допированного BI4Ge30i2 изучены в [340]. Показано, что ионы редкоземельных элементов действуют как доминирующие центры рекомбинации и определяют спектр эмиссии. Это объясняют прямым переносом заряда от внутренних дефектных ловушек к редкоземельным центрам рекомбинации. Влияние добавок ионов меди и иттербия на сцинтилляционные свойства ортогерманата висмута показано в [341]. Область гомогенного и гетерогенного захвата примесей, точечных и линейных дефектов, связанных с люминесценцией чистых монокристаллов Bi4Ge30i2, а также допированных ванадием, иттербием, хромом и железом, изучены в [342]. Исследован спектральный состав быстрой катодолюминесценции. Обнаружены изменения интенсивности и длины волны катодолюминесценции в зависимости от типа примесей и конфигурации дислокаций. [c.297]

Данные, приведенные в табл. 49, относятся к обычным условиям электролиза, когда металл выделяется на поликристаллической основе и дает отложения, также имеющие поликристаллическую структуру. Поверхность таких осадков образована гранями с различными кристаллографическими индексами. В зависимости от режима электроосаждения на поверхности осадка могут преобладать те или иные грани. Поэтому важно выяснить, зависит ли металлическое перенапряжение от того, на какой грани выделяется металл. Опыты с монокристаллами ряда металлов, ориентированными по отношению к раствору различными гранями, подтвердили существование подобной зависимости. Так, например, из табл. 50 (по Пионтелли) следует, что у металлов с низким перенапряжением переход от одной грани к другой вызывает значительное относительное изменение его величины. Так, переход от грани (П1) к грани (110) при выделении свинца уменьшает перенапряжение на нем с 4,4 до 3,0 мв, т. е. почти в полтора раза. Такое же изменение наблюдается и для олова, если сравнивать перенапряжение на гранях с индексами (001) и (100). В случае, меди относительное влияние природы грани проявляется слабее, и максимальная разница в величине перенапряжения не превышает 40%, хотя абсолютное изменение перенапряжения при переходе от одной грани к другой здесь значительно больше, чем в предыдущем случае. При выделении никеля максимальная разность в перенапряжении была отмечена для граней (111) и (100), где она достигает 80 мв. Природа грани здесь не играет такой существенной роли, поскольку относительное изменение перенапряжения составляет всего лишь 3—4%. Из табл. 50 следует также, что величина металлического [c.421]

Когда нленка одного кристаллического вещества наносится на грань монокристалла другого кристаллического вещества, важно рассчитать параметры, определяющие рост пленки на начальной стадии при заполнениях меньше монослоя. Можно получить информацию об образовании островков, межнлоскостных расстояниях и ориентации пленки относительно решетки носителя и о влиянии на эти характеристики примесей, температуры и скорости роста пленки. Известно, что при энергии электронов до 200 эВ в образовании дифракционной картины участвуют два или три монослоя. Если нри значительно большей средней толщине пленки можно наблюдать дифракционную картину подложки, то это служит доказательством неравномерности роста пленки. Нанример, при медленном отложении серебра путем испарения в вакууме на грани (100) кристалла золота при комнатной температуре ориентированная пленка растет равномерно без образования островков [4]. Постоянные решеток в этом случае различаются между собой только на 0,4%. Однако при отложении меди на поверхности грани (0001) титана она образует дискретные ориентированные кристаллиты с нормальной решеткой меди [14]. С увеличением толщины слоя параметр кристаллической решетки не изменяется. Параметр решетки меди приблизительно па 13% дгеньше, чем титана. При нанесении никеля на грань (111) меди ориентированная нленка никеля наблюдается только при температуре поверхности выше комнатной [10]. Параметр решетки никеля приблизительно на 3% меньше, чем меди. Эти результаты показывают, что равномерность роста пленки зависит от соотношения параметров решеток. [c.277]

Дальнейшие исследования твердости были проведены на таллии, свинце, цинке, теллуре, графите [251] и на РЬОг [252]. Стай-сополус [253] использовал вращающийся электрод для измерения грения между медью, нержавеющей сталью и амальгамирован-шми медными электродами и стеклом и смолами. Пфютценрейтер 1 Мазинг [254] изучали зависимость течения металла от поляриза-щи и для золота нашли минимум скорости течения (при постоян-1ой нагрузке), который они идентифицировали как п. и. з. Венстрем I Ребиндер [255] измерили деформацию монокристаллов олова и винца и приняли, что минимум деформации приходится на п. н. з. 5ти результаты авторы объясняли влиянием пограничного натяже-шя в микротрещинах, подобно тому как это было сделано в их заботах по измерению твердости. [c.223]

Ожидалось, что на отдельных монокристаллах влияние эпитаксии и топотаксии будет сказываться лишь на росте очень тонких пленок окисла. Однако Бенар и Тальбо [90] обнаружили влияние кристаллографической ориентации поверхности на скорость роста весьма толстых слоев окисла при окислении различных граней монокристалла меди (рис. 39). [c.116]

По данным Ластмана н Мела [251] для меди, а также Мела и Мак Кзпдлссса [335] дли железа, злнт сплгость скорости окн"-ления монокристаллов от ориентации носит сложный характер. При оценке степени влияния ориентации на скорость окисления необходимо проводить четкое разграничение между тонкими пленками и толстой окалиной. [c.94]

Влияние поверхностных цесовершенств на механизм образования зародышей при окислении монокристаллов меди изучал Юнг [28], поставивший задачу выяснить, существует ли связь между дислокациями, оканчивающимися на поверхности, и местами образования зародышей окислов. Для этого приготовлялись монокристаллы чистой меди (99,999%) и меди с примесями Те, 5п и 51. В последнем случае образовывались регулярные сетки дислокаций, выявленные травлением. Затем образцы 172 [c.172]

Необходимо подчеркнуть, что явление псевдоморфизма нельзя смещивать с изменением параметров решетки осадка вследствие образования промежуточного слоя твердых растворов переменного состава или вследствие изменения решетки под влиянием некоторых примесей. Подобные примеры получены недавно Кор итке [74] при конденсации железа и никеля на монокристалле меди. В первом случае при температуре конденсации 400° С образовалась -у-фаза железа, параметр решетки ко- [c.229]

Изменение теплот адсорбции на различных главных кристаллических гранях меди. Вопрос о влиянии структуры кристаллической грани адсорбента на процесс физической адсорбции был теоретически рассмотрен Баррером [153] для ковалентных поверхностей и Орром [151] и Ленелем [154] для поверхностей диэлек- триков. Взаимодействие между неполярной молекулой и поликристаллической поверхностью металла было исследовано независимо Леннард-Джонсом [155], Бардином [156] и Маргенау и Поллардом [157]. Если учесть приближенный характер теории, применявшейся в последнем случае, то наблюдаемое согласие между теоретически рассчитанными и экспериментальными значениями является приемлемым. В настоящее время не имеется подробно разработанной теории процесса физической адсорбции неполярных молекул газа на поверхности монокристалла металла, которая описывала бы этот процесс исходя из известных данных относительно параметров и геометрии кристалла. [c.121]

Если мысленно выделить область кристаллической решетки, являющуюся центром катализа, то она может оказаться довольно обширной и охватить большое число атомов как непосредственно связанных с функциональной группой центра, так и более или менее удаленных от нее. О, величине зоны трансмолекулярного влияния можно судить, например, по данным Гуотми и Каннингема [3], которые показали, что при разложении СО на монокристаллах никеля уголь отлагается на грани 111 кубического никеля и не отлагается на грани 0001 гексагонального никеля, хотя эти грани не отличаются друг от друга расположением атомов, образующих ловерхность, а разнятся только расположением атомов в третьем слое. Те же авторы отмечают, что перестройка граней моно-криста лла меди в реакции окисления водорода кислородом охватывает слой металла толщиной в несколько тысяч ангстрем. О сильном влиянии на каталитические свойства функциЬнальной группы центра катализа со стороны атомов збны трансмолекулярного влияния можно судить и по многим другим фактам влияния носителей на каталитическую активность нанесенных и адсорбционных катализаторов. [c.31]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология