Грана кривая

На фиг. 32 изображена кривая зависимости коэффициента теплоотдачи от разности температур между поверхностью конденсации и паром. Пять кривых, вычерченных пунктиром, изображают результаты, полученные измерениями на.пяти отдельных участках поверхности конденсации, следующих сверху друг за другом. Коэффициент а имеет максимальное значение на первом верхнем участке плиты и уменьшается по направлению к нижней грани поверхности конденсации. Помимо кривых, полученных в эксперименте, на фигуре изображены также сплошные кривые, полученные расчетным путем по уравнению Нуссельта. [c.86]

Уровень жидкости называется верхним бьефом, уровень Н2-нижним бьефом. Свободная поверхность жидкости, фильтрующейся через тело плотины, называется депрессионной (пьезометрической) поверхностью (кривая АВС). Свободная поверхность выходит на правую грань всегда выше нижнего бьефа. Величина ВС называется промежутком высачивания. [c.98]

В настоящее время наиболее часто, особенно при титровании разбавленных растворов, применяют метод Грана, основанный на линеаризации ветвей кривой титрования, лежащих по обе стороны от точки эквивалентности. [c.240]

Рис. 5.2. Кривые титрования сильной кислоты (щелочи) в координ тах Грана

Закономерности типичного процесса ЭХП металлов можно проследить на классическом примере полирования меди в фосфорной кислоте. На рис. 12.1. приведена анодная поляризационная кривая, характеризующая этот пример. На участке АБ поляризационной кривой ( активное растворение металла) в результате проявления энергетических неоднородностей различных граней поликристаллического металла происходит травление поверхности анода, поверхность после обработки шероховатая. Прн анодном растворении металлов и сплавов в активном состоянии проявляется неоднородность структуры, фазового состава, различие в скорости растворения компонентов сплава. [c.76]

На рис. 43 показана проекционная диаграмма простейшей четырехкомпонентной системы с одной четверной эвтектикой. На гранях тетраэдра нанесены соответствующие проекционные диаграммы тройных систем, а от пограничных кривых тройных систем внутрь тетраэдра следуют пограничные поверхности четверной системы, отделяющие области кристаллизации различных фаз. При образовании четверных соединений области кристаллизации этих [c.91]

Часть пограничных кривых четверной системы исходит из тройных инвариантных точек на гранях тетраэдров (как показано на рис. 43), а остальные, появляющиеся в более сложных системах, располагаются внутри тетраэдров. В каждой инвариантной точке четверной системы пересекаются четыре пограничные кривые и сосуществуют в равновесии четыре твердые и одна жидкая фазы. Необходимость пространственных изображений создает значительные неудобства при построении и использовании такой диаграммы. [c.91]

Соотношение между р—N и Т—N диаграммами видно из объемной р—Т—М диаграммы (рис. 3.4). Переднее сечение этой диаграммы показано на рис. 3.2, верхнее — на рис. 3.3. Кривая ВВ на правой грани представляет зависимость давления пара от температуры для толуола. Кривая АС на левой грани дает аналогичную зависимость для бензола. [c.117]

I типа. Напомним, что это соответствует неограниченной растворимости в жидком состоянии и полному отсутствию растворимости — в твердом. Температуры плавления чистых компонентов обозначены на ребрах призмы буквами А, В и С (рис. VHI.18). На гранях призмы изображены кривые затвердевания бинарных систем — это кривые Ае В , Се А и Се В. Точки е , и вд — двойные эвтектические точки. Жидкая система, изображаемая точкой ei, может существовать в равновесии с твердыми компонентами А и В. При добавлении к такой системе некоторых количеств компонента С, температура, сосуществования жидкого расплава с компонентами А и В понижается — соответствующая кривая е Е направлена внутрь призмы и ВНИЗ . Иначе говоря, точки на эвтектической кривой е Е выражают состав тройной жидкой смеси, равновесной с компонентами А и В. Аналогичные эвтектические кривые берут начало из точек и е . Таким образом, точка на каждой из эвтектических кривых е Е, е Е и е Е выражает состав и температуру систем, равновесных соответственно с твердыми компонентами АиВ,СиА, СиВ. Здесь система обладает одной условной степенью свободы (давление постоянно). Потеря теплоты ведет к кристаллизации двойной эвтектики, понижению [c.306]

Влияние температуры на растворимость показано на пространственной политермической диаграмме, изображенной на рис. 138. Этот случай отвечает положительным значениям дифференциальной теплоты растворения, т. е. росту растворимости с увеличением температуры. Поэтому кривая аК Ь, лежащая на передней грани призмы, совпадает с кривой, изображенной на рис. 117 (с. 310). В основании призмы лежит изотерма растворимости аКЪ, приведенная на рис. 136 и 137 (па рис, 138 показан также процесс, рас- [c.342]

НИИ верхней критической температуры растворения исчезает. Критический состав системы при этом также меняется, причем критические точки для разных температур образуют критическую кривую (1к, заканчивающуюся в верхней критической точке к. Верхняя критическая точка растворения может быть как двойной, лежащей на грани призмы и отвечающей двойной смеси, так и тройной, т. е. лежащей внутри призмы и отвечающей некоторой определенной тройной смеси. Тройная верхняя критическая точка наблюдается, например, в системе вода — фенол — ацетон. Если рассечь пространственную диаграмму рядом горизонтальных плоскостей — изотерм и спроектировать полученные для каждой изотермы би-нодальные кривые на основание призмы, то получится плоская треугольная диаграмма (рис. 94, б), на которой роль горизонталей играют изотермические бинодальные кривые. [c.212]

Располагая такой треугольник на горизонтальной плоскости и принимая его за основу, восстановим перпендикулярно плоскости его вертикальную ось. Так можно получить пространственную фигуру для выражения зависимости того или другого свойства от состава. Откладывая по вертикальной оси температуры начала кристаллизации, получают трехгранную призму, каждая из граней которой представляет собой диаграмму состояния соответствующей двойной системы, а верхняя поверхность выражает зависимость температур кристаллизации от состава для тройной системы. В то время как в диаграмме двойной системы зависимость температур кристаллизации данного вещества от состава расплава выражается участком какой-то линии (кривой кристаллизации), здесь она будет выражаться участком соответствующей кривой поверхности, называемым полем кристаллизации. [c.115]

Работа 2. Расчет точки эквивалентности кривой кислотно-основного титрования методом Грана и выбор [c.415]

На рис. 63 и 64 приведены результаты исследования микроэлектрохимической гетерогенности шлифа из отожженного армко-железа электроннолучевого переплава. При измерениях микроэлектрод последовательно перемещали по прямой линии с шагом 0,05 мм. Сплошные кривые на обоих рисунках характеризуют распределение потенциалов, полученных усреднением в пределах зерен, границы и потемнение которых обозначены на оси абсцисс. Максимальная величина Аф достигает 25 мВ и примерно в два раза превышает значение Дф, измеренное на образцах обычной выплавки (рис. 65). Следовательно, кристаллографическая ориентация граней зерен проявляется в микроэлектрохимической гетерогенности сильнее в случае более чистых материалов. [c.175]

Для построения пространств, изобарной или изотермич. Д.с. по координатной оси, перпендикулярной композиц. треугольнику, откладывают соотв. Т или р. При этом фигуративные точки системы в целом и ее трехкомпонентных фаз оказываются расположенными внутри трехгранной призмы, грани к-рой изображают двойные системы, ребра-однокомпонентные системы. На рис. 9, а изображена простейшая диаграмма плавкости тройной системы, компоненты к-рой А, В и С не образуют друг с другом твердых р-ров и (или) хим. соед. и не расслаиваются в жидком состоянии (неограниченно взаимно растворимы). Пов<ть т-р начала кристаллизации тройных расплавов (пов-сть ликвидуса) состоят из трех полей Тд 1 з, ТвЕ,ЕЕ2 и Т Е ЕЕ. , отвечающих кристаллизации А, В и С соотв. и разделенных тремя пограничными кривыми , , Е 2Е и , Ортогональные проекции пограничных линий на композиц. треугольник образуют г наз. плоскую диаграмму плавкости тройной системы (рис. 9, б) с тремя полями кристаллизации компонентов А , з, В [ 2, С з з Более полную информацию о системе дает плоская диаграмма с нанесенными на ней изотермами проекциями кривых пересечения пов-сти ликвидуса равноотстоящими плоскостями (рис. 9, в). [c.35]

Сульфат калия Кг804. Ромбический. Богатство гранных форм. Вместо некоторых граней — кривые поверхности. Обычно наблюдается двойникование. Морфология двойников очень разнообразна. Зависимость двойникования от условий не изучена. [c.189]

Рис. 19. Распределение ионов неодима в гранных (кривые 1 для (100) и 3 для (111)) и негранной (кривая 2) формах роста иттрий-алюминиевого граната. У — характеристическое рентгеновское излучение ионов неодима

Рис. 40. Структуры диаграмм процессов в системе с химическим взаимодействием компонентов, а-Развёртка граней концентрационного тетраэдра с траекториями процесса открытого испарения б — концентрационный тетраэдр АВС с поверхностью химического равновесия, разделяющей плоскостью областей ректификации ВМО и плоскостью химического взаимодействия АВд чистых исходных реагентов А и В в-плоскость химического взаимодействия АВд чистых исходных реагентов А и В кривая АНВ —линия химического равновесия В,Ч — разделяющая линия областей ректификации пунктирные линии — траектории химической реакции (траектории изменения составов псевдоисходных смесей) г - качественные траектории открытого испарения п различных областях ректификации четырехкомпонентной системы.

Если при постоянном давлении вдоль ребер призмы отложить температуру, то поведение двухфазных тройных систем будет характеризоваться двумя поверхностями DKEOFMD и DLEP-FND (фиг. 46). Соста-. вы любых двух сосуществующих фаз можно было бы указать прямыми модами, соединяющими эти две поверхности, но это чрезвычайно усложнило бы график. Линии пересечения этих двух поверхностей с тремя плоскостями, образующими грани призмы, дают известные изобарные кривые равновесия у , соответствующей бинарной системы. Отрезки wF, uD и ЬЕ пропорциональны температурам кипения чистых компонентов w, а и Ь соответственно. Линия DNF, являющаяся пересечением поверхности жидкой фазы с передней вертикальной гранью призмы, представляет кривую температур начала кипения различных бинарных систем компонентов w и а. Линия DMF, являющаяся пересечением поверхности паровой фазы с той же гранью призмы, представляет кривую температур росы или начала конденсации для различных систем, составленных из тех же компонентов да и а. Аналогично, линии DLE и DKE являются кривыми точек кипения и конденсации бинарных систем компонентов а я Ь, й линии EPF и EOF для бинарных систем компонентов w и Ь. [c.143]

Если повернуть все три грани призмы на 90° вокруг нижнего основания так.чтобы они расположились в одной плоскости с базисным треугольником (фиг. 47), то оказывается возможным показать одновременно равновесные соотношения как в возможных трех бинарных системах, так и в тройной системе на одном плоскостном графике. Треугольная диаграмма в этом случае представляет горизонтальное сечение через призму и поэтому характеризует системы, находящиеся при постоянной температуре и давлении. В рассматриваемом случае выбранная температура выше температур кипения компонентов w и а, но ниже точки кипения компонента Ь. Поэтому изотерма = onst пересекает равновесные изобарные кривые кипения и конденсации бинарных систем компонентов w Ь и а—Ь, но не пересекает равновесных линий бинарной системы компонентов w—a. [c.144]

Рис. XVIII, 2. Потенциальные кривые для адсорбции атома аргона на базисной грани графита

Эта теория й качественных Ёывбдах До аточно хорошо подтверждается экспериментальными данными [46]. Она аглядно объясняет стремление кристаллов покрываться плоскими, а не кривыми поверхностями. Кроме того, задолго до этой теории опытным путем было обнаружено [47, 48], что кристалл в пересыщенном растворе растет не плавно, а скачками, т. е. после некоторой (иногда продолжительной) остановки аблюдается быстрое отложение вещества на грани в виде прирастающего слоя со строго параллельным расположением частиц, который сразу покрывает всю грань или большую часть ее. Некоторые исследователи [49, 50] смогли наблюдать слоистый рост кристаллов, причем для гетеро-полярных веществ зарождение каждого слоя начиналось из углов грани. [c.266]

Укажем кратко на различия между современными нредста-влепиями и представлениями, существовавшими в период 1934— 1937 г. В противоположность прежним взглядам мы считаем, что поверхность вольфрама обладает некоторой степенью неоднородности. Форму кривой 2 на рис. 33 нельзя объяснить, если не допустить присутствия участков, где адсорбированные ионы связаны с поверхностью прочнее, чем на остальной части поверхностн. Несомненно, что эта неоднородность обусловлена не примесями или посторонними атомами. Она может быть вызвана наличием различг[ых кристаллографических граней. Во-вторых, мы более не придерживаемся точки зрения, что при более высоких заполнениях атомы адсорбированы рядом с ионами. При низких значениях О весь адсорбированный металл находится на поверхности в виде ионов. При увеличении степени заполнения тип связи изменяется и с некоторого определенного значения О весь металл оказьшается адсорбированным в виде атомов. Под влиянием поля металла происходит поляризация этих атомов. С увеличением заполнения диполь-иые моменты адсорбированных атомов уменьшаются вследствие взаимной поляризации и наблюдается минимум работы выхода, когда приходящееся на один атом уменьшение дипольного момента уже больше не компенсируется увеличением числа диполей на единицу поверхности. [c.139]

Расчетный графический метод Грана (второй метод Грана, 1952 г.) основан на линеаризации кривых титрования. Кривая трасформиру-ется в две линейные ветви, точка пересечения которых в идеальном случае совпадает с т.э. Р ас-смотрим использование метода на примере осадительного титрования без учета влияния ионной силы [c.157]

В отличие от указанных методов, метод Грана, основанный на линеаризации участков кривой титрования, лежаш,их либо до, либо после точки эквивалентности, позволяет выбрать для определения эквивалентного объема титранта (Уэкв) участок кривой титрования в кислой области (при pH < 4,3), где диссоциация угольной кислоты практически подавлена. Для этого при определении малых концентраций как оснований, так и сильных кислот в качестве титранта применяют раствор сильной кислоты (НС1). В первом случае U5KB находят по участку кривой титрования, лежащему за точкой эквивалентности, во-втором — точку эквивалентности вообще не проходят, т. е. титруют методом добавок. [c.249]

Положение переходной области на оси потенциалов зависит от многих факторов и, в частности, от ориентации кристаллических граней на поверхности электрода. Поэтому при заданном потенциале могут достигаться условия пассивации одних граней, тогда как другие продолжают активно растворяться. Это играет важную роль в истолковании природы некоторых видов коррозии. Аналогично этому каждая структурная составляющая сплава также характеризуется своей парциальной потенциостатической кривой. На рис. 195 представлены парциальные потенциостатические кривые компонентов нержавеющей стали, содержащей 18% хрома, 8% никеля и не большую примесь углерода. При застывании этой стали по границам зерен выпадают карбиды хрома СгазСя и Сг,Сз, далее следует узкая зона обедненного углеродом раствора и, наконец, среднюю часть зерна образует твердый раствор, в котором содержание компонентов отвечает среднему составу сплава. Если потенциал электрода поддерживается в переходной области, то, как видно из рис. 195, наиболее быстрому растворению подвергается зона обедненного углеродом металла. При потенциалах в области перепассивации происходит более интенсивное растворение карбидов хрома. При этом сталь подвергается межкристаллитной коррозии. [c.366]

Если аттракционное взаимодействие между адсорбированными частицами достаточно велико (удобной в этом отношении является совместная адсорбция катионов тетрабутиламмония и анионов йода), а поверхность твердого электрода является кристаллографически неоднородной (на поверхность выходят кристаллиты с различными индексами граней), то на С, -кривых можно наблюдать характерное расщепление пиков адсорбции — десорбции, как это показано на рис. 1.12, в. Явление это объясняется тем, что потенциалы адсорбционных пиков на монокристаллических электродах из одного и того же металла, но и с различными кристаллографическими индексами не совпадают друг с другом (при Сорг= = onst) из-за соответствующего различия в потенциалах нулевого заряда. [c.26]

Лишь в последние несколько лет были выполнены достаточно корректные измерения на отдельных гранях монокристаллов платины в растворах таких органических веществ, как СН3ОН и НСООН. Установлено, что потенциодинамические кривые, снятые на гранях Pt (111), (ПО) и (100), в интервале Ег 0,1- 0,8В существенно отличаются по форме, потенциалам пиков и по величинам плотности токов (более чем на один порядок). Эти результаты косвенно свидетельствуют в пользу различия в адсорбции изученных органических веществ на разных гранях. Однако непосредственные измерения величин адсорбции, кинетики адсорбции и десорбции не были. проведены, и в первую очередь это связано с методическими трудностями, обусловленными нарушением монокристалличности поверхности при достижении потен- [c.106]

Диаграмма плавкости политерма растворимости) изображается в виде прямой трехгранной призмы, основанием которой служит треугольник состава, а по высоте отложена температура (рис. 124). Точки а, Ь ц с представляют температуры плавления чистых веществ — соответственно А, В и С . На боковых гранях призмы нанесены кривые аЕф, сЕаЬ и сЕ ,а кристаллизации двойных систем. Так как прибавление третьего компонента понижает температуру плавлення смеси двух других, то, например, введение в эвтектическую смесь А + В (точка Е ) вещества С вызовет понижение температуры кристаллизации — получится идущая книзу и внутрь призмы кривая Е Е равновесия тройной раствор — твердые А + В . Аналогично образуются кривые Е2Е и Е Е (их иначе называют пограничными). Все они сходятся в точке Е (тройная эвтектика), в которой раствор насыщен всеми компонентами это — наиболее легкоплавкая смесь. [c.318]

В простейшем случае жидкость является идеальным раствором, а паровая фаза — смесью идеальных газов. Изотермическая диаграмма равновесия жидкость — газ имеет вид, изображенный на рис. 140, где линии Аа, ВЬ и Сс представляют давления паров чистых компонентов. На гранях призмы построены кривые равновесия жидкость — пар соответствующих бинарных систем. Плоскость кипящей жидкости асОЬЕ выражает зависимость давления пара от состава раствора, поверхность пара а1сОЬН характеризует состав сухого насыщенного пара. Проведя изобарное сечение ОСЬ НЕ, получим соединительные линии 0С (1ц) и ЕН ек) для соответствующих двойных систем. На плоскости ООНЕ между прямыми 0Е <1е) и 0Н(д11) находятся фигуративные точки, характеризующие при данных Р и Т равновесие жидкость — пар в тройных системах. [c.343]

На каждой грани тетраэдра строится диаграмма, подобная изображенной на рис. 126А. Если прибавить к эвтоническому раствору Еу солей В и С соль О, то совместная растворимость В и С в воде уменьшится и ее изменение изобразится кривой Е Е. В четверной эвтонической точке Е раствор будет насыщен всеми солями. Аналогичные кривые Е Е и Е Е характеризуют растворимость соответствующих пар солей в присутствии третьей соли. Следовательно, поверхности ЬЕ ЕЕи ЕгйЕ Е и Е2ЕЕ1С являются полями кристаллизации В, О и С. [c.349]

Вторая важнейшая особенность кристаллических образований состоит в их способности самоограняться. Например, при медленном выпаривании водного раствора хлористого натрия это вещество выделяется в виде кристалликов с ясно выраженными плоскими гранями. Такое же явление наблюдается при выделении из растворов или расплавов и других кристаллизующихся веществ. В то же время как осторожно и постепенно мы ни выпаривали бы раствор, например столярного клея, это вещество будет получено либо в виде листочка, либо в виде бесформенных комочков, ограниченных случайными кривыми поверхностями. Ни листочек, ни комочки на изломе не обнаружат кристаллического строения. Способность самоограняться ярко проявляется при образовании снежинок зимой (из парообразной воды), причем их форма отличается поразительным разнообразием среди множества снежинок очень трудно найти одинако- [c.112]

Составы трехкомпонентной системы, состоящей из воды А и двух солей Б и С с одинаковым ионом, можно изобразить точками в треугольнике АВС. Так>1м образом, будут зафиксированы два из четырех независимых параметров — концентрации двух солей. Третий параметр — температуру — можно откладывать по оси, перпендикулярной к плоскости треугольника. Восстановим из каждой точки треугольника перпендикулярные отрезки, длины которых соответствуют температурам насыщения растворов, имеющих составы, изображаемые точками оснований перпендикуляров. Кривые поверхности насыщения (рис. 5.18), являющиеся множеством верхних концов перпендикулярных отрезков, образуют пространственную фигуру внутри треугольной призмы. Такая пространственная диаграмма, дающая зависимость состояния системы и состава насыщенных растворов от температуры, называется полшпермой. В этой диаграмме давления пара не отображены. На рис. 5.19, а показана та же политерма и ее ортогональная проекция на основание призмы (в перспективе), а на рис. 5.19, б — ортогональная проекция политермы на основание и центральная проекция на одну из граней призмы (СС В В). На эту грань точка плавления льда 7 и все другие точки, лежащие на ребре АА не проектируются. [c.148]

Постановка задачи. Рассчитать точку эквивалентностк кривой титрования слабой кислоты сильным основанием (или слабого основания сильной кислотой) методом Грана. Найти пp дeлы скачка титрования и выбрать подходящий индикатор для установления конца титрования. [c.415]

Благодаря созданию новых реологических приборов И. Г. Гран-ковскому удалось получить полную кривую кинетики структурообразования цементных дисперсий и установить четыре качественно отличающиеся стадии в этом процессе (рис. 21). При рассмотрении наиболее характерной ки/гетики структурообразования тампонаж-ной цементной дисперсии в аспекте деформационных процессов отмечено, что кривые в координатах е = / (т), полученные при постоянном напряжении сдвига, в первой и второй стадиях характеризуются развитием высокоэластических деформаций с большим периодом ретардации (до 10—15 мин). Модули быстрой эластической деформации в этих стадиях имеют порядок 10 —10 дин см , что характерно для коагуляционных структур. К концу второй стадии начинают преобладать кристаллизационные процессы, которые наиболее интенсивно развиваются в третьей стадии, что отражается на кривой увеличением модуля упругости, достигающего к концу третьей стадии 10 дин1см . [c.105]

ПОТЕНЦИАЛ НУЛЕВОГО ЗАРЯДА, значение электродного потенциала металла, при к-ром на пов сти металла отсутствуют своб. электрич. заряды. Для жидкого идеально поляризуемого электрода П. н. з. определяется положением максимума на кривой зависимости поверхностного натяжения 7 от потенциала Е электрода (см. Электрокапил-лярные явления). В случае твердых неполяризуемых электродов вместо V использ. обратимую работу образования пов ети раздела при этом П. н. з. различен для разных кристаллографич. граней металла. П. н. з. зависит от состава ) ра и при отсутствии в р-ре ПАВ является характеристикой системы металл — растворитель. П. н. з. разграничивает области потенциалов, соответствующие положит, и отрицат. зарядам электрода, а следовательно, и преимуществ. адсорбции анионов и катионов. Незаряж. частицы, напр, молекулы орг. в-в, адсорбируются при потенциалах, близких к П. н. 3. Значение П. н. з. положено в основу при-ведешюй шкалы потенциалов, к-рую используют при подборе онтим. условий электросинтеза, выборе ингибиторов коррозии и т. д. [c.475]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология