Дислокации Дырки

Имеются доказательства, что при гетерогенном катализе активными центрами являются места выхода на поверхность дислокаций, на которых локализуются электроны или дырки. Каталитическую активность поэтому можно модифицировать, изменяя плотность активных центров, путем циклического изменения температуры или состава газовой среды или же очищая поверхность от каталитических ядов. [c.51]

Каталитическая активность твердых катализаторов тем выше, чем сильнее реагенты адсорбируются на поверхности, сохраняя при этом подвижность, и чем слабее продукт реакции удерживается поверхностью. Но, как уже говорилось, поверхность неоднородна. Есть доказательства, что активными центрами катализа являются места выхода на поверхность дислокаций, на которых локализуются электроны или дырки. Следовательно, каталити- [c.55]

Рассмотрим более подробно соединение электронов с избыточными ионами серебра. Применяя к этому процессу принцип Франка — Кондона, можно прийти к заключению о том, что вероятность соединения электронов с ионами серебра, адсорбированными на внешней поверхности, мала, так как в этом случае образованию атома серебра в основном состоянии должно предшествовать смещение ядер, вероятность которого близка к нулю. Для иона серебра, продиффундировавшего на границы субструктуры вдоль канала краевой дислокации, это ограничение отпадает. Такой ион находится в гораздо более симметричном поле диэлектрика, и, кроме того, в этом случае имеется пространство для образующегося атома серебра. Таким образом по внутренним границам субструктуры кристалла в непосредственной близости от поверхности образуется некоторое количество атомов серебра, химически эквивалентное количеству брома, выделившегося на поверхности. Когда ионы брома, расположенные на ступеньках вдоль линий дислокаций границ субструктуры, захватывают положительные дырки или, взаимодействуя с экситонами, образуют атомы брома, то возникающий одновременно с этим избыток ионов серебра будет иметь значительно большую вероятность соединения с электронами, чем ионы серебра на свободной поверхности. В этом случае соединение ионов серебра с электронами происходит быстрее, чем их удаление от атомов брома путем диффузии, и имеется большая вероятность для получающихся атомов серебра реагировать с атомами брома, образуя молекулы бромида серебра. [c.426]

Микродефекты разделяют кристалл на блоки, величина которых сравнима с кристаллической ячейкой (10 —10 сг. ), поэтому оптически их обнаружить невозможно. Такие несовершенства придают строению кристаллов мозаичный характер. По форме микродефекты можно разделить на изометричные (дырки, или вакансии, и межузловые атомы в решетке) и линейные (дислокации). [c.18]

Эта модель имеет ряд привлекательных черт. Она позволяет представить твердые тела как регулярные и когерентные системы, жидкости — как нерегулярные, но когерентные, а газы — как нерегулярные и некогерентные системы [33]. Кроме того, модель включает также представления о дырках, дислокациях и кристаллитах и в то же время содержит ряд представлений, характеризующих существо различий между жидкостью и кристаллом (образования, имеющие симметрию пятого порядка, исчезают при кристаллизации). В настоящее время эта модель не имеет количественной трактовки . [c.16]

Выше дано достаточно полное описание зонной энергетической схемы идеального кристалла хлорида калия особенности же кривых, описывающих зависимость Е(к) от к и эффективных масс [4 ] не могут быть перенесены на азиды. Однако на практике электроны и дырки могут захватываться вакантными узлами решетки с образованием F-и F-центров соответственно, а также небольших их агрегатов, поглощающих свет в ближней инфракрасной, видимой и ближней ультрафиолетовой областях [11, 20]. Эти дефекты, в частности -центры и анионные вакансии, могут снижать энергию, требуемую для образования экситона на соседних атомах (а, -полосы) [И, 21]. С топохимической точки зрения более важно, однако, отметить, что локальное снижение энергии, требуемой для образования экситонов, может происходить также на краевых дислокациях [22]. Другим типом дефектов, существование которых имеет громаднейшее значение для реакций термического разложения, являются коллоидные центры. В сущности они представляют собой включения металла, образующиеся обычно в галогенидах щелочных металлов в результате агрегации F-центров [И]. Возникший коллоидный центр можно непосредственно уподоблять дискретным ядрам продукта, на которых в некоторых системах локализуется термическое разложение. Таким образом, создается важное связующее звено между физическими и химическими свойствами этих систем. [c.135]

Ясно, что работа транзистора зависит от продолжительности существования неосновных носителей (дырок в -областях, электронов в р-областях) до их рекомбинации. Именно необходимость продлить срок жизни носителей и привела к прогрессу в технологии очистки германия и кремния и кристаллизации этих материалов без дислокаций. Отметим, что в транзисторе р-п-р наибольшее значение имеют положительные дырки. И, наоборот, в транзисторе п-р-п, работа которого может быть легко выведена из предыдущего, это место займут электроны, подвижности которых выше. [c.49]

Внутреннее скрытое изображение образуется в несенсибилизированных кристаллах, деформированных или обладающих полиэдрической структурой, путем выделения серебра на дислокациях и системах дислокаций. В этих условиях каждый образующийся на поверхности атом серебра служит ловушкой для дырки и поэтому поверхностное скрытое изображение не образуется. [c.15]

Захват электрона ионом серебра приводит к образованию атома серебра и созданию местного отрицательного заряда в виде избыточного аниона на внешней поверхности или избыточного иона галоида, занимающего излом или неровность вдоль линии дислокации. Захват дырки ионом галоида приводит к образованию атома галоида и оставляет местный положительный заряд, обусловленный избыточным щелочным ионом на внешней поверхности, изломе или неровности. Созданные таким путем объемные заряды нейтрализуются подвижными ионами серебра, но до момента нейтрализации эти заряды могут сыграть роль ловушки для электронов или дырок, ранее захваченных другими ловушками, что может привести к рекомбинации. [c.59]

Примеси по границам зерен. Атомы постороннего элемента одинаково-стремятся собраться как у линейной дислокации вдоль плоскостей скольжения, так и в дырках, находящихся по границам зерен или около них маленькие атомы могут поместиться в дырках, заполняя их большие атомы, занимая места вблизи дырок, будут уменьшать искажение структуры и сводить к минимуму энергию де< юрмации. [c.348]

Известно, что при кристаллизации из жидкого состояния кристаллическая решетка металлов не отвечает идеально упорядоченному состоянию (обнаруживается ряд дефектов). Такими являются узлы решетки, не занятые ионами (дырки), искривлеиие плоскостей кристаллической решетки (дислокации) и т. д. Длительное нагревание металла упорядочивает решетку кристаллов [c.107]

Р. часто имеют сложный состав. Так, ионные Р. (Р. солей, галогенидов металлов, щелочей, оксидов, халькогенидов, шлаковые Р.) в разл. соотношениях содержат как простые и комплексные ионы разного знака, так и недиссоциированные и полимерные молекулы, а также своб. объемы (дырки, дислокации). В силикатных (шлаковых) Р. могут одновремеино присутствовать как изолир. кремнекислородные тетраэдры, так и состоящие из них цепи, кольца, сетки и каркасы. В ионных Р. возможны разнообразные хим. р-ции-окислит.-восстановительная, комплексообразование, сольватация и др. [c.177]

Эти соображения позволяют дать новое и более правдоподобное объяснение результатов, полученных Эстерманом, Лейво и Стерном. Эти авторы, облучая КС1 рентгеновскими лучами (стр. 59), обнаружили, что в глубине кристалла быстро появляются анионные вакансии. Действие рентгеновских лучей на кристалл приводит к появлению электронов с большой энергией (и положительных дырок), которые, проходя около внутренних дислокаций, вызывают местное нагревание, достаточное для того, чтобы произошло образование вакансий на уступах Зейтца. Возникшие таким образом анионные вакансии захватывают электроны, образуя /"-центры, в то время как катионные вакансии захватывают положительные дырки, причем получаются так называемые 1/-центры, вызывающие поглощение в ультрафиолетовой области. Применяя этот новый механизм, можно избежать трудностей, которые встречаются при объяснении относительно быстрой миграции вакансий с поверхности (стр. 60) кроме того, он объясняет с более общей точки зрения результаты экспериментов Пржибрама и других, которые отмечали влияние механической и термической обработки кристал- [c.63]

Бромид серебра. Хеджес и Митчелл [31] недавно показали, что при освещении прокаленных кристаллов бромистого серебра осадок серебра образуется в дислокациях внутри кристалла, даже если его нет на поверхности. Ионы брома в рещетке на свету диссоциируют на положительные дырки и электроны, например Вг 4-/ v—>Вг+е, и эти дырки и электроны диффундируют к тем местам, где они улавливаются. Улавливаются они как на поверхности, так и в дислокациях. Электроны улавливаются в дислокациях, но некоторые положительные дырки диффундируют к поверхности, где в результате реакции их с соседними ионами брома получаются молекулы брома. Последние выделяются, и в решетке образуются вакансии. Возникает пространственный заряд, который нейтрализуется при движении вакансий к дислокациям, где образуются зародыши серебра. Этот тип разложения твердого вещества возможен, однако, только в том случае, если вакансии обладают подвижностью, как в случае бромида серебра. Тем не менее он имеет общее значение, так как проливает свет на механизм образования зародышей внутри решетки твердого вещества. [c.313]

С теоретической точки зрения окончательный результат облучения несенсибилизировапных и химически сенсибилизированных кристаллов галогенидов серебра, по-видимому, не зависит от детального механизма первичного фотохимического акта. Если электроны и положительные дырки в кристаллах галогенидов серебра образуются парами, то дырки обладают, вероятно, более коротким временем жизни, чем электроны. Захват положительной дырки, например атомом серебра, находящимся на дислокации или на границах субструктуры, приведет к образованию иона серебра и электрона, движущегося в электростатическом поле иона. Точно такое же состояние может явиться результатом возбуждения атома серебра путем его взаимодействия с экситоном. [c.423]

Не удивительно, что опыты по хемосорбции показывают, что поверхность углерода неоднородна. Помимо того что углерод содержит обычные источники неоднородности (дырки и дислокации в решетке), он является поликристаллическим материалом, а это означает, что его поверхность в большинстве случаев образована различными кристаллографическими плоскостями. Кроме того, размеры кристаллитов в углероде колеблются в широких пределах—10 А в некоторых аморфных материалах до нескольких тысяч ангстрем в природном графите. Степень неоднородности углеродной поверхности будет изменяться в зависимости от процента различных кристаллографических плоскостей, составляющих поверхность, и от их величины. Ниже будет сказаио более подробно о соотношении между неоднородностью поверхности и ее реакциями с газами, но при обсуждении механизма и кинетики реакций надо не забывать об этой неоднородности. [c.18]

Эта модель была разработана Эйрингом, Ри и Хираи [40] на основе квазирешеточных представлений, но содержит элементы кристаллитной модели и модели сжатого газа. Плавление в модели различимых структур представляется как результат образования двух типов дефектов — дырок и дислокаций. При этом дырки возникают также двух типов — Шоттки и Френ,-келя. Две различимые структуры — это, по существу, те же частицы, что и в эйнштейновском кристалле, но с несколько измененными свойствами из-за наличия сил натяжения на границах с дефектами, и газоподобные частицы, присутствующие в полостях, связанных с дислокациями (рис. 9). [c.18]

Образование металлических агрегатов в результате взаимодействия электронов с ионами серебра —основной процесс во всех известных моделях фотолиза. В то же время не совсем понятна роль дырок, возникающих при первичном фотовозбуждении. Ясно, однако, что если эти дырки не будут улавливаться, то они будут препятствовать протеканию стадий, описанных выше. Поэтому было высказано предположение, что эффективность протекания процесса определяется либо удалением возбужденных электронов за счет их захвата, либо необратимым связыванием дырок. Одна из таких возможностей заключается в захвате дырок ионами брома на дислокациях, в результате чего образуется нейтральный атом брома [сравните с (9.25)1. Обычно в галогенид серебра добавляют нримеси сенсибилизаторов считают, что им принадлежит важная роль в улавливании дырок. Например, сенсибилизация под действием соединений серы заключается в улавливании частицами Ag2S дырок, образующихся на поверхности кристаллов. В качестве сенсибилизатора используют также золото, причем АпаЗ приписывают аналогичную роль. Заметим также, что двухвалентные анионы серы увеличивают концентрацию ионов Ag+ в междоузлиях по сравнению с чистым кристаллом по условию электронейтральности. [c.178]

ВЫСОТОЙ в одно межплоскостное расстояние или, возможно, особые точки в сетке, образуемой двумерными дислокациями, существующими на нолукогерентной поверхности. Поверхность раздела у небольших ядер, вероятно, почти полностью когерентна, а потому число таких особых точек на них будет мало. По мере роста ядер ясе большее значение приобретает когезионная энергия металлического продукта, в результате чего в веществе ядер возникают релаксационные процессы, ведущие к образованию ненапряженной структуры. При этом возникают периодически повторяющиеся некогерентные участки. Наличие такого процесса могло бы, конечно, объяснить зависимость а от величины радиуса. Исходя из того будет обоснованным представление о реакционной поверхности раздела как о локализованном монослое активированных состояний с низкой концентрацией последних. При успешном переходе электрона в полосу проводимости небольшого металлического ядра, последнее получит отрицательный заряд, в результате чего величина переходного коэффициента существенно снижается, если только положительная дырка в исходном веществе не будет устранена в результате реакции с ее участием. Так как электростатическая емкость шара пропорциональна радиусу, то этот эффект будет тем больше, чем меньше радиус ядра. Существование такого эффекта может следовательно объяснить медленный рост небольших ядер. [c.28]

Снятие внутренних напряжений, уве- См. личение числа дислокаций, в низ- текст котемпературной области отжига (от < 115 до 125 °С в зависимости от исходной толщины, см. табл. 7.1) параметр о решетки увеличивается без утолщения ламелей при более высоких температурах образуются дырки (рис. 7.13 и 7.14), в многослойных кристаллах наблюдается утолщение и взаимопроникновение ламелей (относительно длин складок см. рис. 7.17) выше температуры плавления исходных ламелей (плавление с нулевым изменением энтропии) возрастает доля рекристаллизационных процессов, приводящих к дальнейшему увеличению длины складки при медленном нагревании граница протекания отжига без полно-г о плавления может быть смещена в область температур выше 135°С, детали см. в разд. 7.1.2 - 7.1.8 и 7.2.1 [c.484]

Не удивительно, что опыты по хемосорбцин обнаружили неоднородность поверхности угля. Помимо того что уголь содержит обычные источники неоднородности (дырки и дислокации в решетке), он является поликристаллическим материалом, т. е. его поверхность в большинстве случаев образована различными кристаллографическими плоскостями. Кроме того, кристаллиты в угле имеют изменяющиеся в широком диапазоне размеры — от 10 А в некоторых аморфных материалах до тысяч ангстрем в природном графите. Степень неоднородности поверхности угля изменяется в зависимости от процентного содержания различных составляющих поверхность кристаллографических плоскостей и их размера. Ниже мы вернемся к вопросу о связи между неоднородностью поверхности угля и его реакциями с газами, однако необходимо все время помнить об этой неоднородности при обсуждении механизма и кинетики процессов. [c.160]

Бартенев с сотрудниками выдвинул гипотезу об уровнях прочности стекла и стеклянных волокон. Согласно этой гипотезе у стеклянных волокон имеется четыре уровня прочности ст , Ст , Tj, oj. Первые три соответствуют волокнам с различными по типу дефектами, а уровень прочности сгз имеют бездефектные волокна. Авторы предлагают различать три типа дефектов 1) точечные-дырки (вакансии), внедрение атомов или молекул примесей в структуру стекла 2) групповые-бивакансии, линейные дефекты (дислокации), фононы и др. 3) субмикроскопические и микроскопические объемные дефекты - микротрещины, включения, микрораэры-вы, резкие нарушения плотности и состава в объемах, значительно больших элементов микронеоднородной структуры. Последняя группа дефектов, точнее их наличие, количество и величина, особенно в поверхностном слое, и определяет прочность стеклянного волокна. На объемную дефектность стекла можно влиять регулированием технологического процесса получения волокон. [c.20]

Величины удельного сопротивления в направлении, перпендикулярном графитовым плоскостям, имеют тот же порядок, что и для полупроводников. Здесь найдены как положительные, так и отрицательные значения температурных коэффициентов [12—14]. Однако полученные в этих работах величины не очень надежны из-за возможных винтовых дислокаций. В более тщательно выполненной работе [17] изучалось соотношение между удельным сопротивлением графита и термоэлектродвижущей силой. Авторы [17] предполагают, что проводимость в направлении, параллельном графитовым плоскостям, обусловлена, в основном, л-электронами, тогда как в перпендикулярном направлении она определяется преимущественно положительными дырками. В л-электронных плоскостных структурах концентрации положительных и отрицательных ионов уравновешиваются, но общее их количество мало по сравнению с концентрацией в металлах. Как было показано на примере хемосорбции кислорода [18], эти факторы обусловливают чрезвычайную чувствительность термо лектродвижущей силы к примесям акцепторного типа. [c.301]

Перенос энергии посредством миграции экситонов может происходить только в изолирующих или полупроводниковых кристаллических телах. К таким телам относятся. молекулярные и ионные кристаллы, керамика, большая часть полимеров, полупроводники и пр. Экситонами называют возбужденные электронные состояния в кристаллах. В принципе экситон представляет собой пару электрон — дырка. Эта связанная пара — электрон в полосе проводимости и дырка в валентной полосе — как одно целое может двигаться через кристалл. Движение экситона через кристалл можпо представить себе как ряд рекомбинаций электронов и дырок с последующим поглощением освобожденной энергии. Возбужденная молекула окружена другими молекулами, которые способны воспринимать и переизлучать энергию возбуждения. Экситон мигрирует сквозь кристалл до тех пор, пока не произойдет взаимодействие с фонопами (рассеяние на фопонах) или атомами примесей, с дислокациями или точечными дефектами, которое приведет к потере энергии возбуждения. После этого экситон может быть локализован и захвачен ловушкой. Энергия экситона растрачивается на флуоресценцию или иногда на химические превращения молекул ловушки. Роль экситонов в процессах, происходящих в неорга- [c.311]

Дислокации по границам зерен. Так как у границы зерна ряды атомов меняют направление, то мы должны ожидать, что здесь существуют дырки, слишком маленькие, чтобы вместить атом (если присутствует только один тип атома). Характер расположения вероятно, получающийся на границах зерен, показан на модели из мыльных пузырей, предложенной Браггом и Найем, где ряды различно ориентированных пузырей представляют разные зерна, а на границах, где они встречаются, неизбежно образуются щели (фиг. 79). Неудивительно, что ди( узия по границам может идти при температурах, которые слишком низки для диффузии, через решетку, образующую тело зерна. Межкристаллитное проникновение кислорода и серы, обсуждавшееся в гл. III, становится понятным. [c.347]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология