Кристаллизация линейный рост

При применении кипящего слоя в качестве тяжелой псевдожидкости для гравитационного обогащения полезных ископаемых высота слоя определяется временем осаждения и всплытия фракций, близких по своему удельному весу к демаркационному уровню разделения. При проведении массовой кристаллизации из растворов в кристаллизаторах со взвешенным слоем (типа Кристалл-Осло) необходимое среднее время пребывания определяется скоростью линейного роста кристаллов и заданным размером кристаллического продукта. Кроме того, более четкая классификация по размерам достигается тем, что мелкие кристаллы выносятся из кристаллизатора циркулирующим потоком жидкости, а оседание и отбор нужных крупных регулируется подбором нужной формы кристаллизатора (см. ниже). Точно так же, при сушке сыпучих материалов (если только процесс не лежит в балансовой области ) среднее время пребывания выбирается из условий отклонения реального сушильного аппарата от схем идеального смешения или вытеснения и заданного теоретически или экспериментально времени сушки зерна [239]. [c.218]

Когда сопротивление подводу кристаллизующегося вещества из раствора к поверхности растущей грани велико, а собственно кристаллизация происходит быстро, то пересыщение раствора у поверхности может быть близким к нулю (ДСа=0) [27]. В этом слу чае движущая разность концентраций диффузионного переноса равна пересыщению основной массы раствора, а скорость линейного роста кристалла сферической формы находится следующим образом [c.175]

Регулятор температуры. Теплоты переходов или разложения нельзя рассчитать, если не соблюдается линейный рост или линейное понижение температуры. Скорость нагревания относится к числу важнейших параметров анализа. При повышении скорости нагрева температура стеклования (Тд) несколько повышается, тогда как температура плавления (Тт) менее чувствительна к изменению скорости нагревания. Значительное влияние скорость нагрева оказывает также на температуру кристаллизации (Тс) и температуру разложения (Та) образца. [c.179]

Взаимодействие полимерных цепей с поверхностью наполнителя, приводящее к уменьшению, их подвижности, должно изменять кинетику кристаллизации в случае кристаллизующихся полимеров. Наполнители могут оказывать влияние также и на процессы заро-дышеобразования при кристаллизации. Эффективность зародышеобразующего действия определяется природой как полимера, так и наполнителя. Исследование влияния малых добавок солей органических кислот, использованных в качестве искусственных заро-дышеобразователей,-на кристаллизацию показало [118—124], что они приводят к изменениям надмолекулярной структуры полимера, так как с изменением концентрации зародышеобразователей изменяются условия кристаллизации и процесс протекает с большей скоростью. Механизм действия добавок заключается в том, что на поверхности твердых частиц зародышеобразователя в результате адсорбции возникают упорядоченные области полимера, играющие роль центров кристаллизации. Такие упорядоченные области сохраняются на поверхности и при температурах, при которых полимер переходит в расплав, когда в его объеме гомогенные центры кристаллизации полностью разрушаются. При достаточно большой концентрации добавок число гетерогенных центров на их поверхности значительно превосходит число гомогенных центров, которые возникают в объеме в ходе кристаллизации. Увеличение числа центров кристаллизации приводит к увеличению общей скорости кристаллизации и уменьшению размера сферолитов (наличие добавки не влияет на скорость линейного роста сферолитов). [c.63]

Рассмотрим процесс возникновения и роста зародышей, которые непрерывно появляются и увеличивают размеры в условиях изменяющейся величины пересыщения раствора. На рис. 3.5 даны изменения пересыщения и размера зародышей, возникших в некоторый момент времени % после начала кристаллизации. За интервал времени х в 1 образуется /[со(х)] х зародышей, которые будут увеличивать размеры согласно уравнению линейного роста [c.142]

Б заключение анализа массовой кристаллизации отметим, что большинство имеющихся решений основано на предположении о полном перемешивании кристаллизующегося объема вещества. Кинетика линейного роста кристаллов и интенсивность образования зародышей минимального размера полагаются известными. Эффекты истирания и дробления кристаллов и их агрегация считаются отсутствующими. [c.157]

Легко показать, что этот механизм не имеет реальной почвы и является результатом поспешности в выводах авторов. Рассмотрим изменение линейных размеров двух неодинаковых кристаллов за один период колебания температуры. При нагревании оба кристалла растворятся на одну и ту же величину А/. Если скорость зарождения центров кристаллизации больше скорости линейного роста кристаллов, то при охлаждении оба кристалла вырастут на какую-то величину А/ < Л/ и в растворе появятся новые кристаллы. Средний размер кристаллов уменьшится. Но если линейная скорость роста кристаллов больше скорости зарождения кристаллов, то при охлаждении оба кристалла вырастут на одну и ту же величину А/ и тем самым возвратятся в исходное положение, не изменив при этом дисперсности. Таким образом, укрупнение частиц дисперсной фазы по указанному выше механизму невозможно. [c.45]

Анализ интегро-дифференциального уравнения (3.8) нестационарного баланса частиц с учетом зависимости для B(v,w) и уравнения (3.2) позволяет сделать следующие качественные выводы. Очень сильная зависимость числа образующихся зародышей от пересыщения раствора приводит к тому, что уже при незначительном отличии величины пересыщения от начальной возникновение новых зародышей по гомогенному механизму фактически прекращается и в дальнейшем общее число зародышей начинает уменьшаться вследствие процесса коагуляции. Средний объем частиц увеличивается за счет коагуляции прямо пропорционально времени, а за счет индивидуального роста кристаллов при лимитирующем диффузионном механизме переноса вещества к поверхности кристаллов — пропорционально времени в степени /2 (см. ниже). Оценка момента времени и соответствующего размера частиц, при котором индивидуальный рост превысит увеличение объема частиц за счет коагуляции, приводит к весьма незначительным величинам. Это дает основание полагать [8], что при периодической кристаллизации из растворов механизм коагуляции зародышей не играет существенной роли и образовавшиеся первичные зародыши начинают практически сразу же увеличиваться в размерах вследствие процесса линейного роста граней кристаллов. [c.155]

Данные табл. 3 показывают, что влияние поверхностного слоя на структурообразование зависит от молекулярного веса полимера и скорость линейного роста сферолитов уменьшается с увеличением молекулярного веса. Значение с для нефракционированного полимера 2 занижено, очевидно, из-за известного [35] влияния примесей, замедляющих кристаллизацию полимеров. [c.205]

Наконец, в случае небольших начальных пересыщений можно получить метастабильную систему, в которой спонтанное образование начальных центров кристаллизации практически отсутствует. Вводя в подобную систему центры кристаллизации извне, т.е. давая ей некоторую затравку можно провести кристаллизацию на этих центрах. При соответствующем числе подобных начальных центров, как правило, можно добиться значений скорости кристаллизации w, лежащих в удобных для измерений пределах. Анализируя получаемые экспериментальные кривые x t), можно при помощи уравнений [68] или [107] определить из опыта явную зависимость скорости линейного роста X от ж и Z. [c.119]

Как было показано в разделе III.2, при кристаллизации линейного полиэтилена из разбавленных растворов образуются пластинчатые ромбовидные кристаллы толщиной порядка 100 А, показанные на рис. III.7. На этом рисунке представлена электронная микрофотография кристалла, высушенного после извлечения из маточного раствора, в то время как в маточном растворе, как показано на рис. III.8, кристаллы имеют вид четырехгранных полых пирамид. Макромолекулы приобретают складчатую конформацию и осаждаются на кромки различных секторов пирамиды, ориентируясь перпендикулярно поверхности грани. Поскольку й-оси элементарных ячеек кристалла ориентируются вдоль длинных, а 6-оси — соответственно вдоль коротких осей ромба, поверхность роста кри- [c.252]

Попытаемся проанализировать механизм роста кристаллов с учетом описанных выше результатов [6]. В проводимых до настоящего времени исследованиях кинетики кристаллизации результаты дилатометрических измерений обычно обсуждались в сочетании с данными по скорости роста сферолитов (или скорости их зарождения), полученными с помощью микроскопа, причем предполагалось, что объемные сферолиты развиваются в результате линейного роста в радиальном направлении кристаллов, образовавшихся из одного [c.258]

Исследование связи вязкости расплавов с процессом кристаллизации (линейная скорость роста кристаллов и т. д.). [c.251]

Образование кристаллов хлората натрия и их рост происходят в классифицирующем конусе кристаллизатора. Конструкция кристаллизатора позволяет регулировать соотношение питающего и циркулирующего раствора, т. е. тепловой баланс процесса и линейную скорость восходящего потока в зоне взвешенного слоя, и таким образом влиять на количество образующихся центров кристаллизации, на рост кристаллов и гранулометрический состав конечного продукта. [c.69]

Для стереорегулярного полиоксипропилена оценить а) температуру максимальной скорости кристаллизации б) скорость линейного роста при этой температуре в) вероятную степень кристалличности. [c.314]

Скорость гомогенного процесса образования зародышей / должна быть весьма сходной со скоростью линейного роста, поскольку оба процесса — это образование центров кристаллизации. Первый осуществляется на трехмерном центре, второй — на двумерном центре-или на кристаллической поверхности. Температурная зависимость I описывается следующим соотношением [15] . [c.315]

Величины а di и di t) определяются из гистограмм и кривой линейного роста, и поэтому выражение (5) дает возможность независимо рассчитывать кинетические кривые роста массы кристаллов цеолитов при изотермической кристаллизации. [c.227]

В этом и последующих разделах обсуждается проблема роста кристаллов, присущая лишь кристаллизации линейных макромолекул. Центральный вопрос, касающийся кристаллизации готовых макромолекул, может быть сформулирован следующим образом как понять и описать складывание цепей, рассмотренное в разд. 3.2.2 [c.194]

А.В. Шубников показал влияние электрического поля на зарождение центров кристаллизации в растворе хлорида аммония. В опытах Ясуичи наблюдалось увеличение зародышей в растворах солей при прохождении через них электромагнитных волн длинами 30-90 см. Таким образом, физические воздействия могут способствовать зарождению новых центров кристаллизации, а некоторые-ускорить и линейный рост. [c.146]

ЭЛЕКТРОКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, переход в-ва из ионизиров. состояния в р-ре или расплаве в кристаллическое в результате электрохим. р-ции. Лежит в основе всех процессов электроосаждения металлов, а также формирования слоев оксидов и труднорастворимых соед. на аиоде (напр., при образовании электролитич. защитно-декоративных покрытий, в произ-ве хпм. источников тока). Отличается от обычной кристаллизации из пара или р-ра тем, что построе-ншо кристаллич. структуры предшествует перенос заряда с электрода на ион или оба этн акта протекают одновременно. Возникновение зародышей новой фазы при Э. требует определ. пересыщения, к-рое определяется перенапряжением на электроде. Чем выше перенапряжение, тем большее число зародышей возникает в единицу времени на данной площади. Зародыши разрастаются в результате послойного роста граней. Процесс может идти с образованием двумерных зародышей илн по закону слоисто-спирального роста на винтовых дислокациях (см. Рост кристаллов). В результате линейного роста кристаллов происходит их слияние с образованием сплошного слоя электролитич. покрытия. [c.698]

Рост кристаллов и гранул происходит путем массообмена с жидкой фазой — раствором (кристаллизация) и агломерации (сростания) уже имеющихся кристаллов и гранул. Общую скорость линейного роста (увеличения линейного размера) кристаллов и г нию [13 [c.332]

Конкретный характер р(г) определяется видом функции Х(г). Если скорость линейного роста не зависит от размера кристалла X ф К(г) (в литературе по кристаллизации такой случай называют законом постоянного приращения Мак-Кейба), соотношение (3.30) существенно упрощается [c.149]

В литературе известен несколько иной способ обработки экспериментальных данных по непрерывному процессу кристаллизации, позволяющий находить одновременно скорость линейного роста частиц и интенсивность образования зародышей [21]. Для этого используется плотность распределения кристаллов по их размерам, отнесенная к единице объема раствора, а не к общему количеству частиц, как это сделано выше. Такое распределение легко получить из дифференциального уравнения (3.31) для простого случая роста кристаллов с постоянной скоростью Я = onst, если интегрировать это уравнение при условии, задаваемом для г = г 0. Физически такое условие соответствует плотности популяции зародышей нулевого размера, возникающих в единице объема пересыщенного раствора (по). Переходя в уравнении (3.31) от плотности распределения р(г) к числу частиц в единице объема п и интегрируя при условии п г=о = По, получаем [c.161]

При изотермической кристаллизации полипропилена, полипро-пиленоксида и полиэтиленсебацината в слоях толщиной 1—70 мкм на подложках, различающихся поверхностной энергией и фазовым состоянием, было найдено, что на ингибирование ро та сферолитов основное влияние оказывает поверхностная энергия [138, 142]. Полимерные подложки не влияют на скорость линейного роста сферолитов, а стекло ингибирует этот процесс. Сплавы металлов в кристаллическом и жидком состоянии замедляют процесс роста в пленках толщиной менее 20 мкм. [c.73]

Введение ряда поверхностно-активных веществ (ПАВ) влияет на число активных центров и процессы зарождения кристаллов. Электроосаждение металлов происходит, как правило, при высоких перенапряжениях. Электроосажденные слои в присутствии ПАВ имеют размер кристаллов на несколько порядков меньше, чем при обычной кристаллизации, т.к. адсорбция примесей тормозит линейный рост кристаллов, а высокое перенапряжение способствует возникновению большого числа кристаллов. В этом случае осадки получаются твердые, малопластичные, а иногда и хрупкие. [c.267]

Изучение в лабораторных условиях закономерностей процесса массовой кристаллизации при периодическом режиме его проведения обладает рядом недостатков. Основной из них состоит в том, что в процессе периодической кристаллизации наблюдается изменение условий роста кристаллов в результате понижения температуры раствора. Это значительно усложняет анализ результатов экспериментальных исследовании. В этой связи процесс непрерывной кристаллизации предпочтительнее. Основные взаимосвязи при непрерывной массовой кристаллизации отражает формальная структурная схема (рис. 2.3). В стационарных условиях в аппарате устанавливается некоторая температура ta, которой соответствует равновесная концентрация по целевому компоненту с. Пересыщение П в кристаллизаторе непрерывного действия, создается за счет подачи исходной смеси. Величина П влияет на скорость роста ц 1) и зародыще-образования /, при этом с увеличением П их значения возрастают. Существует обратная связь, заключающаяся в том, что при образовании кристаллических зародышей и за счет роста кристаллов пересыщение П уменьшается. При установившемся режиме величина П остается постоянной, а / и г)(/), в сочетании с гидродинамической обстановкой в аппарате, формируют численную плотность распределения кристаллов по размерам. При работе кристаллизатора полного перемешивания в установившемся режиме концентрация целевого компонента См в жидкости, покидающей аппарат, равна концентрации в объеме аппарата с, то есть См = с. Скорость линейного роста кристаллов, зависящую от П и /, можно представить уравнением (1.75). Затравочные кристаллы в аппарат не подаются. Численная плотность распределения кристаллов по их размерам /(/) определяется уравнением (1.88). [c.83]

Пример 3.2. В процессе непрерывной изогидрической кристаллизации (Мр = 0) требуется выделить Жкр = 0,1 кг/с кристаллов из Ми = 0,3 кг/с раствора с начальной концентрацией Си = 0,6 кг/кг и температурой f = = 60 °С. Объем суспензпп V = 1 м1 Отношение молекулярных масс растворенного вешества и получаемого кристаллогидрата равно 0,695. Скорость линейного роста кристаллов и интепсизпость образования зародышей зависят от пересыщения раствора А = 1.67-10- м/с и / = 2,94-Ю 1/(м -с). Размер зародышей г = 8-10 м. Коэффициент формы кристаллов Ф = 5. Известна зависимость растворимости от температуры. Плотности начального раствора р = 1,3-10 кг/м и образующегося кристаллогидрата Рир = = 1,7-10 кг/м их теплоемкости с = 2,3 кДж/(кг-К) и Скр = = 1,34 кДж/(кг-К). Теплоемкость конечного раствора определяется по правилу аддитивности Ск = 1,09Ск-Ь 4,19(1—С ). Удельная теплота образования кристаллогидрата = 142 кДж/кг. [c.172]

Известен метод обработки экспериментальных данных по непрерывному процессу кристаллизации, позволяющий определять интенсивность образования зародышей [8, 9, 20] и одно-вре.менно скорость линейного роста частиц, для чего используется плотность распределения кристаллов по их размерам, отнесенная к единице объема раствора. Такое распределение получается из дифференциального уравнения (3.36) для простого случая роста кристаллов с постоянной скоростью X = onst, если проинтегрировать это уравнение в предположении г ж 0. Переходя в уравнении (3.36) от плотности распределения р(г) к числу частиц п в единице объема и интегрируя при условии [c.181]

Такие же опыты по изотермической кристаллизации изотактического полистирола, гуттаперчи и трибензоата целлюлозы в прослойках между двумя стеклянными поверхностями дали результаты, аналогичные предыдущим. На рис. 3, б представлены соответствующие кривые для гуттаперчи. (Образцы гуттаперчи выдерживали при 100° 15 мин., а затем кристаллизовали при 40°.) Сферолиты с максимальным объемом наблюдаются в пленке толщиной 8—9 [х, и при этой же толщине пленки скорость линейного роста сферолитов достигает постоянной величины, а скорость зародышеобразования на единицу объема минимальна. [c.196]

При изучении кристаллизации изотактического полистирола были обнаружены некоторые особенности. При соответствующей термообработке (выдержка расплава 1 час при 270°, кристаллизация при 1,50°) в пленке образуются отлельные сферолиты полностью весь образец не сферолитизуется. Па рис. 4 приведены зависимости диаметра сферолитов, скорости их линейного роста и скорости зародышеобразования от толщины пленки. Известно [8, 9], что у полистирола чрезвычайно замедлены процессы создания в расплаве структур, предшествующих появлению кристаллических образований. Отсутствие зависимости скорости зародышеобразования от толщины пленки говорит о том, что в пленке полистирола зародышеобразование идет на поверхности стекла, а так как стеклянная поверхность — очень слабый зародышеобразователь, то сферолитов образуется мало и образец полностью не кристаллизуется. Скорость линейного роста сферолитов возрастает при увеличении толщины пленки и достигает максимального значения при толщине плепки 8 1, оставаясь постоянной при дальнейшем ее утолщении. Вид кривой зависимости диаметра сферо.питов от толщины плепки такой же. Очевидно, что и в случае полистирола поверхность стекла оказывает влияние на структуру прилегающего к ней слоя полимера и характер кристаллизации в нем. [c.197]

Сделанное ранее предположение о линейности роста заро-дыша новой фазы (ядра кристаллизации) означает, что скорость изменения объема растущего центра пропорциональна площади его поверхности. Таким образом, в этом случае скорость роста контролируется процессом, происходящим на поверхности раздела кристалл — жидкость. Если же, с другой стороны, предположить, что скорость роста новой фазы определяется скоростью диффузии кристаллизующихся звеньев или сегментов к растущей поверхности, то линейный размер зародыша должен увеличиваться пропорционально корню квадратному из времени. В этом случае v t, т) зависит уже от t-xyiK [c.223]

На рис. 76 приведены изотермы кинетики кристаллизации полиэтиленадипината, по данным Такаянаги [8а], с использованием метода двойного логарифмирования. Каждой температуре кристаллизации соответствует своя прямая линия. Наклон лИ ний во всех случаях равен 4. Все это говорит о том, что процесс в данном случае хорошо описывается уравнением (191). БуК вальная интерпретация найденной величины п = 4 означает, согласно табл. 11, что в этой системе происходит с постоянной скоростью спорадическая нуклеация с параллельным трехмерным линейным ростом. [c.231]

При очень интенсивном перемешивании (очень малом А) скорость диффузии может стать столь большой, что обеднения раствора у аоверх-ности кристаллика практически происходить не будет, кристаллизация будет происходить в кинетической области и скорость линейного роста X будет зависеть от пересыщения по значительно более резко выраженному закону [c.98]

С учетом того обстоятельства, что сферолиты не являются полностью кристаллическими образованиями, можно предположить, что такой подход, по крайней мере феноменологически, является оправданным. Однако необходимо заметить, что экспериментальное определение скорости возникновения зародышей сферолитов связано с большими трудностями, к тому же нет полной уверенности в том, соответствуют ли результаты экспериментальных наблюдений истинному механизму зародышеобразования и роста сферолитов. В частности, такой подход предполагает линейный рост кристаллов из одного зародыша, находяш,егося в центре сферолита, по радиусу во всех нанравлениях в пространстве, в результате чего образуется трехмерный сферолит. В то же время, как уже указывалось ранее, сферолиты, по крайней мере в случае полиэтилена, состоят из кристаллических образований игольчатого типа, напоминаюш их монокристаллы, длинные оси которых ориентированы в радиальном направлении [6] (см. рис. 111.84), характер агрегации которых напоминает расположение черепицы на крыше. Единственным следствием этого может быть предположение о том, что зародыши кристаллизации образуются в радиальном направлении сферолитов. Кроме того, следует также принимать во внимание возможное влияние скручивания ламелей на кажущуюся скорость линейного роста сферолитов в радиальном направлении. Таким образом, процесс образова-. ния сферолитов не остается неизменным на всем протяжении кристаллизации [36]. В ходе кристаллизации происходит непрерывное зарождение сферолитов, рост которых, естественно, прекращается после их столкновения друг с другом, тогда как внутри сферолитов продолжается процесс возрастания плотности. [c.267]

Особенности роста кристаллов типа шиш-кебаб при перемешивании растворов и их структура аналогичны описанным выше ([139], см. также разд. 6.2.2). Максимальная температура кристаллизации линейного полиэтилена в ксилольном растворе может быть повышена при перемешивании на 20° С. Основной причиной увеличения скорости зародышеобразования и кристаллизации в этдм случае является существование в растворе вихрей Тейлора и турбулентных потоков. Простой сдвиг, даже значительный по величине, не приводит к образованию зародышей. Очевидно, в растягивающем потоке существуют турбулентные вихри, которые и способствуют зародышеобразованию. Пек-нингс и сотр. [139] предположили, что в этих условиях кластеры молекул наиболее эффективны в образовании зародышей. После зарождения кристалла дальнейший рост его может быть ускорен перемешиванием, как это показано в разд. 6.2.2 (см. также разд. 3.8.2. [c.99]

После окончания первичного и вторичного зародышеобразования молекулярное зародышеобразование происходит каждый раз, как только новая молекула присоединяется к криста1лу. Главным экспериментальным фактом, указывающим на молекулярное зародышеобразование, является отталкивание молекул небольшого молекулярного веса от растущей грани кристалла даже при температурах ниже их температуры плавления. Другие свидетельства молекулярного зародышеобразования вытекают из рассмотрения влияния молекулярной структуры на скорость роста кристаллов ([7] разд. 6.1.5) и детального анализа скорости линейного роста кристаллов и ее зависимости от концентрг ции полимера (разд. 6.1.4.5). Экспериментальные данные о делении полимера на молекулярные фракции при кристаллизации, служащие качественным доказательством молекулярного зародышеобразования, рассмотрены ниже в первую очередь (разд. 5.3.1) затем приведены количественные данные по фракционированию полиэтилена при кристаллизации его из раствора и расплава (разд. 5.3.2 и 5.3.3). После этого изложены основы теории -молекулярного зародышеобразования. [c.122]

Для расчета суммарной скорости кристаллизации, представляющей собой важную стадию в сравнительном анализе экспериментальных результатов на основе различных микроскопических моделей роста кристаллов, достаточно знать линейную скорость роста и скорость образования зародышей. Многие исследования кристаллизации связаны с макроскопическим определением степени кристалличности разд. 4.1) в зависимости от времени. Первая попытка количественного описания макроскопического развития кристалличности ш основе образования зародышей кристаллизапци и линейного роста кристаллов была сделана Колмогоровым [212], Джонсоном и Мелом [185] и Аврами [9-11]. [c.173]

Наиболее важный параметр при кристаллизации из растворов -их концентрация. Изменение температуры растворения при увеличении концентрации будет рассмотрено в гл. 8 т. 3. При одинаковых термодинамических условиях кристаллизация из растворов может начинаться только при более низких температурах, чем кристаллизация из расплавов. Кроме этого, в процессе кристаллизации происходит изменение концентрации раствора и вместе с этим - степени пересыщения. Поскольку пересыщение является движущей силой как молекулярного зародышеобразования, так и линейного роста кристалла (разд. 5.3.4 и 6.1.2), общая скорость кристаллизации должна уменьшаться быстрее, чем это следует из простого уравнения Аврами (33). Такую ситуацию наблюдали при кристаллизации полимеров из концентрированных растворов (см. рис. 6.44, а также рис. 6.66 и 6.67 об аналогичном характере кристаллизации сополимеров). [c.253]

В большинстве работ по кристаллизации полимеров из растворов исследовали полиэтилен. Первые кинетические данные были получены Холландом и Линденмейером [162] при исследовании временной зависимости изменения размеров монокристаллов. Все кристаллы росли на атермических (случайных) зародышах, образовавшихся в начале кристаллизации. Фракцию полиэтилена молекулярного веса 120 000 кристаллизовали из растворов в ксилоле с концентрацией 0,001-0,01 вес. % в температурном интервале 80-92,2°С, в котором можно вырастить монокристаллы (см. рис. 3.99). Скорость роста кристаллов оставалась постоянной вплоть до последних стадий кристаллизации (см. рис. 6.3). Оказалось, что логарифм скорости линейного роста кристаллов линейно зависит от 1/ГДТ (рис. 6.42), как это и должно быть, когда скорость роста кристалла лимитируется скоростью зародышеобразования [см. уравнение (82) в разд. 5.3.4]. [c.255]