Кристаллиты зависимость от температуры

Температура начала кристаллизации — максимальная температура, при которой в топливе невооруженным глазом обнаруживаются кристаллы. Эта температура характеризует в основном температуру фильтрования. Температура кристал -лизации зависит от углеводородного состава топлив и, в первую очередь, от их температуры плавления. С увеличением молекулярной массы температура плавления повышается. Однако температура плавления при одной и той же молекулярной массе в зависимости от строения углеводорода колеблется в очень широких пределах. Углеводороды с разветвленным строением имеют, как правило, более низкую температуру начала кристаллизации. Наиболее высокой температурой начала кристаллизации отличаются парафиновые углеводороды, затем ароматические и нафтеновые. [c.31]

Толщина незамерзающих прослоек к зависит от температуры, внешнего давления р и расклинивающего давления П. В работах [32, 318] определен качественный ход изотермы к(р), исходя из зависимости температуры фазового равновесия от давления на закрытую грань кристалла [319], и ход изотермы /г(П)—на основе теории поверхностных сил [42]. Равновесная толщина незамерзающей прослойки определяется точкой пересечения изотерм Н(р — ро) и /г(П), когда (р — ро) = = П. При каждой заданной температуре Т = Т и давлении ро устанавливается единственно возможная толщина равновесной прослойки и отвечающее ей значение гидростатического давления р = 11 + ро. При невыполнении одного из этих условий равновесное состояние нарушается и ледяная пластина будет либо расти, либо таять. [c.107]

Левая кривая рис. 116 показывает равновесие между кристал> лами компонента А и растворами различного состава. Она выражает зависимость температуры начала кристаллизации компонента А от его концентрации в растворе (и вместе с тем—зависимость растворимости компонента -А в этих растворах от температуры). Правая кривая подобным же образом характеризует равновесие между растворами различного состава и чистыми кристаллами компонента В. Эвтектическая точка соответствует равновесию [c.339]

Уравнения (105.11) и (105.12) выражают зависимость давления насыщенного пара вещества, равновесного с жидкостью, от температуры. Для равновесия кристаллы пар зависимость давления насыщенного пара вещества, равновесного с кристаллами, от температуры выражается аналогичным уравнением [c.328]

Б. Диаграммы плавкости двухкомпонентных систем. Для изучения равновесия кристаллы — жидкость широко применяются диаграммы плавкости, выражающие зависимость температур плавления [c.403]

Линия а а 2 соответствует двухфазному равновесию между жидкостью и кристаллами. Ее называют кривой плавления, так как она изображает зависимость температуры плавления от внешнего давления. На рис. 42 ход кривой а а соответствует росту температуры плавления с повышением давления. Экспериментально кривую а а ч можно проследить до очень высоких давлений, однако критическая точка при этом не обнаруживается. Отдельно остановимся на другом возможном ходе кривой а а ч. Реально возможен случай, когда повышение давления приводит к понижению температуры плавления, что имеет место, если процесс плавления сопровождается уменьшением объема. До последнего времени во многих учебниках и монографиях этот случай рассматривается как исключительный, характерный только для воды и висмута. Между тем большое число полупроводников (германий, кремний, соединения A gB , А В и многие другие) кристаллизуются подобно воде и висмуту с расширением. [c.266]

Нижняя кривая—линия солидуса — выражает зависимость температуры конца кристалли- [c.89]

Равновесие между жидкой и газовой фазами вещества математически описывается уравнением зависимости давления насыщенного пара над жидкостью от температуры, а графически изображается кривой давления насыщенного пара над жидкостью (рис. 1.3, а, кривая ж=г ). Равновесие между кристаллом и паром описывается уравнением зависимости давления насыщенного пара над кристаллом от температуры и изображается кривой давления пара над кристаллом (кривая к = г ). Равновесие между жидкостью и кристаллом выражается зависимостью между температурой плавления вещества и давлением и изображается так называемой кривой плавкости (кри-иая к = ж ). [c.21]

В кристаллических веществах кинетическая энергия поступательного и вращательного движения частиц пренебрежимо мала в отличие от энергии этих видов движения в жидком и тем более газовом состояниях. В кристаллической решетке частицы могут совершать лишь колебательное движение около средних (равновесных) положений. Поэтому большая часть подводимой к кристаллу теплоты при его нагревании расходуется на усиление колебательных движений частиц. Это приводит к иной, чем у газов, зависимости теплоемкости кристаллов от температуры. [c.167]

Каждая из кривых кристаллизации выражает связь между температурой и концентрацией раствора, равновесного с кристаллами данного вида. Каждую из этих двух переменных принимать в качестве независимой, зависит только от постановки вопроса. Каждая такая кривая может быть использована и для выражения зависимости температуры кристаллизации от концентрации раствора и, наоборот, для выражения зависимости концентрации раствора, равновесного с данными кристаллами, от температуры. В последнем случае эти кривые могут рассматриваться как кривые растворимости. Правая кривая рис. 21 выражает растворимость нитрата калия при разных температурах, а левая — растворимость льда в растворах нитрата калия. [c.30]

Зависимость теплоемкости кристаллов от температуры в данное время дается на основе квантовой теории. Еслн классической теорией теплоемкости для газов принимается, что вся теплота, идущая на нагревание, расходуется главным образом на увеличение энергии поступательного движения и вращения молекул, то у твердых тел она идет полностью (или почти полностью) на увеличение колебательной энергии составных частей кристаллической решетки око- [c.63]

Таким образом, теория Эйнштейна объяснила зависимость теплоемкости кристалла от температуры и обращение ее в ноль при 7 ->-0. Количественное согласие теории с опытными данными оказывается в общем удовлетворительным. Однако вблизи абсолютного нуля теоретическая экспоненциальная зависимость Су(Т) отличается от экспериментальной степенной, даваемой формулой (IV. 69). Значения теплоемкости, определенные по формулам Эйнштейна, табулированы. [c.186]

Гидрокарбонат натрия представляет собой кристаллический порошок белого цвета с кристаллами от 0,05 до 0,2 мм. Скорость растворения в воде возрастает с повышением температуры и уменьшением величины кристаллов. Зависимость растворимости гидрокарбоната натрия от температуры показана на рис. 48. [c.100]

Равновесные концентрации дефектов по Френкелю или Шоттки (возможно также наличие в кристалле дефектов обоих типов) определяются величинами свободных энергий образования дефектов. Получим соответствуюш,ие зависимости в предположении, что дефекты можно считать невзаимодействующими. Поскольку в системе действуют медленно убывающие с расстоянием кулоновские силы, данное предположение допустимо лишь при очень малой равновесной концентрации дефектов (строго говоря, при с- -0). И все же для реальных ионных кристаллов при температурах заметно ниже температур плавления приближение дает удовлетворительные результаты. [c.335]

Рассматриваемая упрощенная модель не учитывает зависимости объема кристалла от температуры. В действительности такая зависимость имеется она также является непрерывной. [c.353]

Геометрическое место точек появления новых фаз (или исчезновения существующих) представляет собой некоторые линии. Кривые зависимости температуры плавления (температуры кристаллизации) от состава называются кривыми ликвидуса. На рис. 56 кривая МЕ соответствует температуре кристаллизации кристаллов А из расплава, а кривая NE — кристаллизации кристаллов В из расплава. Область, находящаяся выше этих линий, соответствует расплаву. Точки внутри треугольников PME и RNE описывают гетерогенные системы, состоящие из расплава и кристаллов А или из расплава и кристаллов В. Прямые,, соединяющие точки, характеризующие составы фаз (например, Ьт, 6 /п ), называются нодами. [c.125]

Член АТ в (XI. 28) очень мал и, по-видимому, вызван примесями, вакансиями и дислокациями, т. е. нарушениями идеальной упорядоченной структуры кристалла. Зависимость дебаевской температуры 0д от молярного объема V как для гексагональных кристаллов (ПГУ), так и для кубических (ОЦК) определяется формулой [c.253]

Концентрация малорастворимого электролита, необходимая для образования зародышей, всегда выше той концентрации, которая достаточна для дальнейшего роста кристаллов. Это объясняется тем, что растворимость мелких кристаллов значительно больше растворимости крупных кристаллов (см. раздел 8.1). Наглядно это показано на рис. 24. Кривая / изображает зависимость растворимости крупных кристаллов от температуры раствора. Область I, находящаяся нил<е этой кривой, соответствует ненасыщенному раствору. Кривая 2 показывает наименьшую концентрацию, при которой начинается образование зародышей кристаллов. В области П, находящейся между обеими кривыми, имеет место рост уже возникших кристалликов. В области 1П происходит как возникновение новых зародышей кристаллов, так и рост уже возникших кристаллов. [c.123]

Температура плавления Тщ сополиамидов зависит как от их состава, так и от способности компонентов образовывать изоморфные кристаллы. Эти вопросы обсуждались выше в частности, на рис. 2.5 приведены зависимости температуры плавления от состава сополиамидов. [c.152]

Установлено, что обработка алмаза при 1870—2070 К продолжительностью до трех часов не приводит к заметным изменениям концентрации С-, а значит, и Л-центров. Только при температурах обработки выше 2120 К происходят существенные изменения начальной концентрации С-центров с одновременным появлением Л-центров. При этом концентрация С-центров максимально снижалась в пять раз, а коэффициент поглощения а- 1282, обусловленный Л-центрами, достигал 15 см . Попытки описать изменения концентрации С- и Л-центров в кристаллах при температуре обработки 2220 К в зависимости от длительности отжига уравне- [c.428]

Проведенные многочисленные исследования диэлектрических свойств синтетического кварца в широком температурном (200— 1500 К) и частотном (0,1—10 МГц) диапазонах позволили установить, что кристаллы, выращенные в щелочных системах, характеризуются наличием температурно-частотных максимумов диэлектрических потерь (tgб) релаксационного типа, сопровождающихся дисперсией диэлектрической проницаемости (е ). В случае синтетического кварца имеет место зависимость температуры и частоты максимумов tgб от скорости роста и температуры кристаллизации, а также от примесного состава. Различия в примесном составе обусловливаются и разной природой щелочных ионов, ответственных за диэлектрические потери в кварце в природном кварце — обычно ионы лития, а в синтетическом ионы натрия играют роль зарядовых компенсаторов при изоморфизме АР+— 51 +. Выше уже отмечалось, что если для низкотемпературной области (tgб 10 —10 , <0,1 эВ) максимумы диэлектрических потерь могут интерпретироваться в рамках дипольно-релаксационной модели Д. Дебая с длиной диполя —0,1 нм, то 136 [c.136]

Кривая ВТ представляет собой кривую плавления. Она показывает, как давление влияет на температуру плавления льда если давление возрастает, температура плавления уменьшается. Такая зависимость температуры плавления от давления встречается редко. Обычно возрастание давления благоприятствует образованию твердого вещества. В случае воды повышение давления приводит к разрушению водородных связей, которые в кристалле льда связывают между собой молекулы воды, заставляя их образовывать громоздкую структуру. В результате разрушения водородных связей происходит образование более плотной жидкой фазы. [c.48]

Рекристаллизация обусловлена зависимостью температуры плавления кристаллов от их ориентации относительно направления действия сил. Прп отсутствии механической нагрузки устойчивость кристаллических областей не зависит от их расположения. При приложении растягивающего усилия, направленного перпендикулярно к этим областям, в полимере возникает напряжение, которое стремится оторвать друг от друга элементы кристаллита, что приводит к снижению температуры плавления. Плавление наступает, как только эта температура достигает температуры образца. [c.454]

О ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРЫ ПЛАВЛЕНИЯ ОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ ОТ ДВИЖЕНИЯ ИХ МОЛЕКУЛ В КРИСТАЛЛАХ [c.244]

Оценим кинетические константы. Для каждого падающего кристалла можно построить зависимость v=v i) и определить величину dvldt с точностью до малых первого порядка dvldt Lv—Подставив dvldt в уравнения (3.185), (3.186), можно разрешить их относительно диаметра сферы, масса которой совпадает с массой падающего кристалла. Подставив найденные значе- ния а в уравнения (3.185), (3.186), легко получить значения для скоростей роста кристаллов в соответствующих временных точках. Однако в нашу задачу входит не только определение скоростей роста по длине трубы, но и определение влияния на скорость роста кристалла пересыщения, температуры раствора, скорости обтекания кристалла раствором, вязкости и плотности среды, окружающей его. Если кристаллизация идет во внешней области (диффузионной), то массовую и линейную скорости роста кристалла можно представить в виде [c.295]

Плавление называют конгруэнтным (от лат. ongruentes — совпадающий), если состав жидкости совпадает с составом твердого химического соединения. Диаграммы состояния систем такого типа (рис. 6.2) представляют собой сочетание двух диаграмм плавкости с одной эвтектикой (см. рис. 6.1), поэтому обозначения полей, линий и точек сохраняются. Появляются два новых поля 6 я 7 — области существования кристаллов химического соединения и расплава А и В. Образованию химического соединения соответствует максимум, характеризующий температуру плавления чистого химического соединения /х с. Кривая Eitl, E-2 выражает зависимость температуры начала кристаллизации химического соединения от состава расплава, и фигуративные точки на этой кривой характеризуют системы, состоящие из кристаллов химического соединения и расплава А и В. Линия ликвидуса имеет сложную форму. На диаграмме [c.88]

Рис. VIII.7. Температурные. зависимости объемов элементарных ячеек дей-терированных кристаллов Rb (Hj j.Djj)2P04 (а) п кривая зависимости температуры Кюри этих кристаллов от степени дейтерирования х этих кристаллов б).

Рис. 65. Диаграмма состояния однокомпоыентной системы К — поле кристаллического состояния вещества Ж — поле жидкого состояния веществ Г—поле газового состояния вещества (пар) О — тройная точка (равновесие трех фаз) ВО — кривая зависимости температуры плавления от давления ЛО —кривая давление пара над жидкостью (зависимость от температуры) ВО — кривая давления пара над кристаллом

Экспериментально температуры плавления чистого, вещества и температуры начала и окончания кристаллизации раствора несложно определить визуально, наблюдая за состоянием вещества и отмечая температуру изменения фазового состояния системы. Но можно поступить и по-другому. Начнем охлаждать чистую жидкость и через некоторые промежутки, времени (30 с, 1 мин) будем отмечать температуру вещества. После того как жидкость превратится в кристаллы, построим график зависимости температуры от времени и получим так называемую кривую охлаждения (при повышении температуры аналогичным образом строится кривая нагревания). Так построена кривая 1 на рис. 74. Наклонный участок А отвечает равномерному охлаждению чистой жидкости А. При температуре ее кристаллизации, равной температуре плавления Тп.чА,. вещество начинает кристаллизовываться, и за счет выделения теплоты температура в системе сохраняется постоянной (число, степеней свободы равно нулю), что на графике отображается площадкой Ат+Ак . Система остается двухфазной, пока вся жидкость не превратится в кристаллы, после чего начинается равномерное охлаждение кристаллов — участок Лк . Таким, образом, определив графически температуру площадки , находим температуру плавления или температуру замерзания чистого вещества. [c.152]

Кривая 3 передает охлаждение смеси с большим содержанием В 60% А и 40% В, и поэтому кристаллизация А начнется при еще более низкой температуре. Вид кривой не отличается от рассмотренной для сплава с 75% А. Вообще охлаждение расплавов всех составов, содержащих больше 45% А, характеризуется кривыми, подобными кривым 2 или 3. Лишь для состава, точно отвечающего 45% А, т. е. точке Е, кривая охлаждения 4 имеет такой же вид, как для чистого вещества. Эта эвтектическая смесь имеет самую низкую температуру плавления. Соединив на диаграмме состояния точки, отвечающие площадкам и изломам на кривых охлаждения, получим линию Т1Е, которая называется линией ликвидуса. При температурах выше этой линии существует только однородная жидкость (область I). Линия ликвидуса Т Е показывает зависимость температуры плавления сплавов от состава и отвечает равновесию между кристаллами А и жидкостью. Горизонтальная прямая ТеТе называется линией солидуса. При температурах ниже этой линии существуют лишь твердые фазы (А и В) и отсутствует жидкость (область IV). Область II, ограниченная кривой Т Е, осью ординат и прямой ТеТе, отвечает двухфазным смесям кристаллы А+ +жидкость. Любой точке Я этой области, например, при температуре Тп соответствует равновесный расплав строго определенного состава — в данном случае содержащий 55% А. Это показывает перпендикуляр, опущенный на ось составов из точки пересечения горизонтали ТвЯЗ с линией ликвидуса. Отношение между массой твердой фазы /Птв и массой оставшейся жидкости т в двухфазной области передается правилом рычага [c.90]

Выше Тс характер температурной зависимости теплоемкости может осложниться вследствие фазовых переходов первого рода — кристаллизации н плавления (рнс. 5,48) Кристалли, ация сопровождается. экстремальным уменьшением теплоемкости с максимумом прк температуре максимальной скорости кристаллизации, а плавлеине — экстремальным ростом теплоемкости с максимумом при температуре плавления. После плавления кристаллов зависимость теплоемкости от температуры снова приобретает линейный характер и при высокой температуре теплоемкость всех тел составляет я 25 Дж/(моль-К) (закон Дюлон-га — Пти). [c.357]

Производную (5Г/5р)/1 можно принять (при рц = onst) равной значению (дТ1др) = —TolpaL, выражающему зависимость температуры фазового равновесия от давления (р — ро) на закрытую грань кристалла [131]. Как уже отмечалось выше (см. уравнение (Х.ИЗ)), зависимости температуры фазового равновесия от давления Т (р) различны для открытой h = оо) грани кристалла и закрытой, граничащей с твердой подложкой через равновесную жидкую прослойку конечной малой толщины h. Поскольку лед в порах граничит с тонкими незамерзающими прослойками, находящимися под действием избыточного внешнего давления (Р — Ро)у к нему применимо уравнение (Х.ИЗ) для закрытой грани кристалла. Тогда вместо (Х.127) получим [c.344]

Рис. 7.20. Изменение избытка тепла в зависимости от температуры во время перехода кристалл за гзг жидкость — кристалл. Тс — температура перехода — энтальпия перехода T < 0,1 С для сиптети ческих фосфолипидов, 10 — 15 для мембран.

NbOIa. Черные игольчатые кристаллы. Зависимость давления пара NbOIa от температуры соответствует эмпирическому уравнению Ig р (бар) = =6500/7-t-9,2. Выше 150°С соединение отщепляет иод и образуется NbOIj. Давление диссоциации при 270 °С p(l2) = l бар. [c.1562]

К несколько отличающимся результатам относительно характера функциональной связи скоростей роста кристаллов и температуры кристаллизации пришли А. А. Чернов и В. А. Кузнецов [29], установившие, что для роста кварца в растворах NaOH и КОН имеет место отклонение от линейного характера зависимости 1ди от, 1/7, тогда как для кристаллизации кварца в растворах, карбоната и бикарбоната натрия и калия наблюдается линейная зависимость. Полученные А. А. Черновым и В. А. Кузнецовым энергии активации для разных сред и разных кристаллографических направлений приведены в табл. 4. Концентрация растворов во всех опытах составляла 0,5 М. Коэффициент заполнения во всех опытах также одинаков и был равен 0,75. [c.39]

При низких температурах преобладает димерная форма двуокиси азота Измерение плотности пара показывает, что при температуре выше 140° наблюдается полная диссоциация N2O4, а при 27° около 20% N2O4 находится в форме мономера Внешний вид N2O4меняется в зависимости от температуры и, следовательно, состояния равновесия от бесцветных кристаллов при температуре —50° до черных паров при 183° [c.335]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология