Ослабляющие электроны и валентность

Главную подгруппу шестой группы составляют кислород, сера, селен, теллур и полоний. Все эти элементы имеют электронные конфигурации внешнего валентного слоя типа ns np (гг=2, 3, 4 и 5 соответственно у кислорода, серы, селена и теллура (см. табл.. 1), что обусловливает прежде всего окислительные свойства этих элементов, хотя при переходе от кислорода к теллуру и полонию окислительная способность элементов резко ослабляется. [c.288]

Энергия связи 51—О (461 33 кДж/моль) гораздо выше, чем у связей С—С и С—О (335 4-356 кДж/моль), а ее полярность 1 = (4,35,0) 10 ° Кл-м намного меньше вычисленной из электроотрицательностей кремния и кислорода, хотя и выше полярности связи С—О [д, = (3,03,7) 10 ° Кл-м. Длина связи (0,163 нм) ца (Ц)2 нм меньше суммы ковалентных радиусов 51 и О. В силоксанах угол связи 51—О—51 (130—160°) значительно больше обычного валентного угла кислорода в 5/ -гибридизации (109°) и не является жестким. Электронодонорные свойства кислорода в них заметно ослаблены по сравнению с их углеродными аналогами. Эти аномалии объясняются участием р-электронов си-локсанового кислорода и вакантных З -орбиталей кремния в Рл — л-сопряжении, которое усиливается под влиянием электроноакцепторных и ослабляется под влиянием электронодонорных заместителей у кремния. Оно не препятствует свободному вращению вокруг связи 51—О, потенциальный барьер которого очень мал (не более нескольких десятых килоджоуля на моль). В цикло- [c.462]

Атомно-абсорбционный метод основан на резонансном поглоще-нни характеристического излучения элемента его невозбужден-нымн атомами, находящимися в свободном состоянии, т. е. в состоянии атомного пара . В результате поглощения кванта света валентный электрон атома возбуждается и переходит па ближайший разрешенный энергетический уровень, а резонансное излучение, проходящее через плазму, ослабляется. Ослабление резонансного излучения элемента, падающего на плазму с интенсивностью /о, до интенсивности / для выходящего светового потока происходит по экспоненциальному закону, который идентичен закону Бугера — Ламберта — Бера [c.48]

Спины электронов, находящихся на одной атомной или молекулярной орбитали, суммируются и взаимно компенсируются. Поэтому валентно-насыщенные частицы не обладают магнитным моментом, обусловленным спином электронов. Тем не менее они взаимодействуют с магнитным полем, хотя и существенно слабее, чем парамагнитные частицы. Это взаимодействие обусловлено действием внешнего магнитного поля на электронные оболочки, т. е. на движущиеся электрические заряды. В результате действий магнитного поля движение электронов искажается, возникает некоторая намагниченность, пропорциональная напряженности приложенного поля и направленная навстречу полю. Тем самым внешнее поле как бы ослабляется. В частности, это приводит к некоторому выталкиванию вещества из магнитного поля, т, е, этим эффектом обусловлен диамагнетизм веществ, построенных из валентно-насыщенных частиц. Естественно, что диамагнетизм присущ и парамагнитным частицам, поскольку они практически всегда наряду с неспаренными электронами имеют и спаренные электроны. Однако в связи с тем что диамагнитные эффекты существенно слабее парамагнитных, в целом частицы не слишком большого размера, обладающие собственным магнитным моментом электронной природы, проявляют парамагнитные свойства. [c.91]

С увеличением номера периода увеличивается радиус атома и ослабляется связь валентных электронов с ядром. С увеличением номера группы для элементов главных подгрупп увеличивается шсло электронов на внешнем энергетическом уровне, увеличивается заряд ядра и усиливается связь валентных электронов с ядром. [c.77]

Наряду с большим сходством щелочные металлы отличны друг от друга. Отличия обусловлены различными атомными массами и различными зарядами ядер атомов, следовательно, и неодинаковым числом электронных слоев в оболочках атомов. Опыт показывает, что по мере увеличения атомной массы и числа электронных слоев в атомах щелочных металлов физические и химические свойства последних закономерно изменяются. Увеличение числа электронных слоев приводит к большему удалению валентных электронов от ядра, благодаря чему ослабляется притяжение валентных электронов ядром. Поэтому самым активным среди щелочных металлов является цезий — его валентный электрон наименее прочно связан с ядром атома. [c.120]

Лантаноидное сжатие внутренних электронных оболочек, происходящее в 6-м периоде, в результате заполнения 4/-подоболочки у элементов, расположенных между лантаном и гафнием, вновь ослабляет притяжение валентных электронов ядром, отчасти компенсируя эффект экранирования ядра оболочкой. Вследствие этого переходные металлы 6-го периода фактически сравнительно мало смещены относительно своих аналогов в 5-м периоде, хотя и имеют, как правило, внешние электронные конфигурации, идентичные металлам 4-го периода. Можно видеть, что наличие внутренней -оболочки у металлов 5-го периода проявляется в пе- [c.36]

Важнейшее отличие полупроводника как объекта воздействия света от металла заключается в том, что в его электронном спектре существует запрещенная зона, разделяющая заполненную электронами (валентную) зону от выше расположенной следующей незаполненной (зоны проводимости). При освещении полупроводника электроны валентной зоны переходят в зону проводимости, оставляя в валентной зоне незаполненные уровни-положительные дырки. Из-за наличия запрещенной зоны взаимодействие между электронными состояниями в валентной зоне и в зоне проводимости ослаблено. Поэтому неравновесные электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне имеют сравнительно большое время жизни (до их рекомбинации), достаточное для их переноса к границе раздела электрод/электролит и участия в электрохимической реакции на этой границе. Фотоэлектрохимические реакции на полупроводниковых электродах, стимулированные генерированными светом электронами и дырками, и составляют предмет этой книги. [c.12]

Основным общим химическим свойством металлов является то, что они сравнительно легко отдают валентные электроны и переходят в положительно заряженные ионы. Способность атома отдавать свои валентные электроны называют его восстановительными свойствами. Металлы обладают сильными восстановительными свойствами. С увеличением металлических свойств усиливаются восстановительные свойства. Восстановительные свойства и активность металлов в химических реакциях ослабляются в ряду [c.56]

Электронные конфигурации внешнего валентного слоя галогенов относятся к типу ns np (л = 2, 3, 4 и 5 соответственно у фтора, хлора, брома и иода). Такие электронные конфигурации обусловливают типичные окислительные свойства галогенов — способностью присоединять электроны обладают все галогены, хотя при переходе к иоду окислительная способность галогенов ослабляется. [c.179]

Если заместить атом кремния в кристаллической решетке на элемент III группы (В, А1, Ga, In), имеющий на один валентный электрон меньше, то механизм возбуждения электрической проводимости будет иным (рис. 133, а, б). Атом бора образует три ковалентные связи с соседними атомами кремния за счет собственных электронов. Четвертая ковалентная связь в невозбужденном кристалле ( 0К) сформироваться не может, вследствие чего атом бора в решетке не имеет устойчивой электронной конфигурации (октета). При нагревании связи между атомами кремния ослабляются и становится возможным переход электрона от одного из соседних атомов кремния к бору с образованием четвертой ковалентной связи (пунктирная стрелка на рис. 133, а). Для такого перехода требуется затратить некоторую энергию АЕа, которая значительно меньше энергии АЕ, необходимой для перехода электрона в зону проводимости. [c.315]

С возрастанием порядкового номера щелочных металлов увеличиваются радиусы их атомов, внешний, или валентный, электрон все дальше отодвигается от ядра, заэкранированного внутренними электронами, и связь его с атомом все более ослабляется. Вследствие этого химическая активность щелочных металлов возрастает с возрастанием порядкового номера. Наименее химически активен из них литий (порядковый номер 3), наиболее активны рубидий и особенно цезий (по- [c.129]

Эффективное действие ядерного заряда на валентные электроны ослаблено, также как и для бериллия. [c.165]

Важную роль играет кислород, который сильно оттягивает к себе валентные электроны и ослабляет связи С-атомов, с которыми он соединен связи же О — С и О — Н оказываются прочнее связей С — С и С — Н при термическом разложении они, как правило, не разрываются. Это приводит к тому, что-температура разложения вещества тем ниже, чем больше в нем кислорода. При разложении кислород удаляется из вещества с летучими продуктами в основном в виде воды и в меньшей степени в виде окислов углерода. [c.79]

Прямое электронномикроскопическое наблюдение растворявшихся при плотности анодного тока 50 мА/см (за 30 с, 1 мин и 5 мин) железных образцов, имеющих Ьа = 30 мВ и = 40 мВ, показало предпочтительное растворение активных дефектных мест в случае Ьа = 30 мВ по сравнению с равномерным поверхностным стравливанием в случае Ьа = 40 мВ [89]. Поэтому логично предполагать, что в таких местах анодная реакция протекает с одновременным участием двух валентных электронов атома железа, у которого связи с решеткой ослаблены. [c.110]

Наличие п-связей в а-положении ослабляет соответствующую С— Х-связь в соединении типа R H= H— Х в силу того, что в радикале R H= H- происходит взаимодействие неспаренного электрона с я-электронами двойной связи, и такая стабилизация свободной валентности снижает энергию гемолитического разрыва С—Н-связи. Сравнение энергий активации термонейтральных реакций отрыва атома водорода от алифатических и непредельных соединений показывает, что я-электроны по соседству с реакционным центром, наоборот, не уменьшают, а увеличивают энергию активации при энтальпии АНе = 0. Это видно из сравнения Eg о (кДж/моль) реакций отрыва Н от С-Н-связи различными радикалами [c.267]

У бора и алюминия в сравнении с -элементами второй группы ослабляются металлические свойства. Это обусловлено увеличением числа валентных электронов. Бор — неметалл. Остальные элементы—металлы. Оксид и гидроксид бора В2О3, Н3ВО3 обладают кислотными свойствами, оксиды и гидроксиды алюминия, галлия и индия Э2О3 и Э (ОН)з амфотерны [c.73]

Силициды в определенной степени являются аналогами карбидов и нитридов. Кремний в возбужденном состоянии имеет зр -кон-фигурацию валентных электронов, которая по сравнению с валентными электронами углерода ослаблена за счет более высокого главного квантового числа (/г = 3). Это приводит к усилению в силицидах непосредственных связей между атомами металлов (связей Ме — Ме). [c.14]

Некоторые выводы мы можем сделать на основании одного простого примера. Рассмотрим металл литий с кристаллической структурой о. ц. к. и кратчайшим возможным расстоянием между ядрами, равным 3,03 А. В атоме лития имеются только три электрона, основное состояние которых (ls) (2s) радиус иона Ы+(15)2 (табл. 28 на стр. 337) равен всего лишь 0,60 А. На внутренние сильно связанные электроны другие атомы лития почти не будут оказывать влияния, поэтому мы приходим к выводу, что один и только один валентный электрон каждого атома сообщает кристаллу металлические свойства. Все связи атома с его ближайшими четырнадцатью соседями обязаны своим существованием этому единственному (на каждый атом) электрону, связывающая сила которого, таким образом, размазана . Это следует также из сравнения длины связи, (2,67 А) в двухатомной молекуле Ыг с кратчайшим возможным расстоянием (3,03 А) между атомами в металле. Увеличенная длина связи в металле означает, что последняя ослаблена в то же время число связей в металле больше, вследствие чего полная энергия связи на один атом возрастает от 13 ккал/моль в молекуле до 39 ккал/моль в металле. Валентные электроны, или электроны проводимости, таким образом, связаны в металле сильнее, чем в молекуле, но их связывающая сила распределена между большим числом объектов. [c.342]

Существенный для явлений, имеющих место в полупроводниках, факт состоит в том, что всякое нарушение правильного строения кристаллической решётки ослабляет сйязь валентных электронов с элементами этой решётки и изменяет расположение энергетических уровней, возможных для электронов. Особенно существенную роль играют нарушения строения кристаллической решётки, имеющие место при наличии в ней посторонних или избыточных атомов. Присутствие таких атомов в отдельных точках внутри кристалла приводит к появлению на энергетической диаграмме новых дозволенных локальных уровней, располо- [c.116]

Сравнительную легкость образования свободных радикалов этими соединениями можно объяснить следующим образом. В полиарилэтане центральная С—С-связь ослаблена вследствие делокализации валентных электронов этой связи, обусловленной их взаимодействием с я-электронами ароматических колец. [c.41]

Литий. Атом лития имеет один валентный электрон, поэтому молекула может иметь не больше двух связывающих электронов. Эти электроны спарены на низшей доступной для них молекулярной орбитали, о,. Следовательно, в молекуле Li2 имеется одна ковалентная связь. Длина этой связи (2,67 А) превышает длину связи в молекуле Н2 (0,74 А), потому что в молекуле лития связь образуется более протяженными атомными орбиталями сп = 2, анесп = 1. По этой же причине связь в слабее, чем в Н2 энергия связи в 2 равна ПО кДж мoль , а в Н2-432 кДж моль Ч Ядра атомов лития расположены дальше друг от друга, электронное облако распределено в большем объеме и силы притяжения между электронами и ядрами соответственно ослаблены. [c.525]

Атака нейтрального радикала R не меняет заряды на атомах (Дац = 0). Однако весьма вероятно, что при зарождении новой связи между неспаренным электроном радикала и электроном атома j, субстрата произойдет частичная локализация электрона атома ц. Легко представить последствия такой локализации. Стремление АО, относящейся к атому ц субстрата, ориентироваться в направлении наибольшего перекрывания с валентной орбиталью радикала ослабляет ее перекрывание с АО соседних атомов v . В результате уменьшается абсолютная величина резонансных интегралов I nv + Д ,av 0. Если теперь принять, что в радикальных реакциях Да = О и приращения резонансных интегралов, относящихся к связям, оканчивающихся у атома (связи ц,—v ), близки между собой (A jiVj- A ), то (4.21) можно записать в виде [c.60]

Вследствие взаимного отталкивания валентные электроны меньшего по размерам атома фтора (горв=0,036 нм) ослабляют притяжение к ядру добавочного электрона (Э+е =Э ) значительнее, чем валентные электроны большего по размерам атома хлора (горб=0,072 нм). Поэтому сродство к электрону у фтора меньше, чем у хлора. [c.191]

Для понимания фундаментальных отличий органических полимеров от элементорганических и неорганических необходимо рассмотреть электронные структуры главных цеп й [24, т. 2, с. 363— 371 . 25, гл. II]. Как известно, углерод занимает в таблице Меиде-леев а особое положение, определяемое способностью к образованию чисто ковалентных связей за счет неспаренных электронов. На языке квантовой механики это означает чисто обменное взаимодействие между валентными электронами смежных С-атомов. Элементы слева от IV группы образуют донорно-акцепторные связи М -Ь за счет вакантных орбиталей атома М, а справа от IV группы—дативные связи М->Ь (за счет неподеленных пар атома М). При образовании подобных гетероатомных связей возникает выраженная их поляризация, т. е. смещение электронной плотности между донором и акцептором электрона или неподеленной пары. Строго говоря, поляризация возникает уже в гетероцепных органических полимерах и может быть усилена или ослаблена за счет боковых радикалов. [c.19]

В высокоспиновом комплексе 1СоРб1 из 18 электронов (в Со +— шесть валентных электронов, в 6F — двенадцать электронов) 12 находятся на шести связывающих молекулярных орбиталях, что соответствует 6 связям металл—лиганд. В [ oFal значеиие А сравнительно мало, поэтому электроны могут располагаться на разрыхляющих орбиталях. Наличие двух холостых электронов иа разрыхляющих ad (х —и 2-)-орбиталях (рис. 9.3) комплексного иона [СоРб1 ослабляет связь Со(1П)—F(l). [c.234]

Спины электронов, находящихся на одной атомной или молекулярной орбитали, суммируются и взаимно компенсируются. Поэтому валентно-насыщенные частицы не обладают магнитным моментом, обусловленным спином электронов. Тем не менее они взаимодействуют с магнитным полем, хотя н существенно слабее, чем парамагнитные частицы. Это взаимодействие обусловлено действием внешнего магнитного поля на электронные оболочки, т. е. на движущиеся электрические заряды. В результате действия магнитного поля движение электронов искажается, возникает некоторая намагниченность, пропорциональная напряженности приложенного поля и направленная навстречу полю. Тем самым внеп нее поле как бы ослабляется. В частности, это приводит к некоторому выталкиванию вещества из магнитного поля, т. е. этим эффектом обусловлен диамагнетизм веществ, построенных из валентно-насыщенных частиц. Естественно, что диамагнетизм присущ и парамагнит- [c.100]

Необычно изменяется в ряду галогенов и их термическая устойчивость. Как видно из значений энергий диссоциации, приведенных выше, термическая устойчивость молекул галогенов при переходе от Рг к I2 увеличивается, а затем в ряду С1—Ь постепенно уменьшается. Последнее легко объясняется возрастанием радиусов атомов в ряду С1 < Вг < I, вследствие чего ослабляется притяжение электронов, осуществляющих связь в молекуле, к ядрам атомов. Повышение же устойчивости молекул при переходе от Рг к СЬ вызвано особенностями химической связи. В то время как в молекуле Рг связь осуществляется только одной парой валентных электронов, в молекулах СЬ, Вгз и I2 наряду с этой связью возникают также донорно-акцентор-ные связи. Ниже схематически показано образование таких связей в молекуле хлора [c.142]

Рассмотрим несколько моделей На рис 5 1 представлены рельефные карты перераспределения валентной электронной плотности в бензольном кольце при введении в это кольцо нитрогруппы (распределения плотности даны в сечениях, проходящих через плоскость молекулы и на расстоянии 0,05 нм от нее, где изменения плотности максимальны) Из рисунка хорошо видно, что разность электронных плотностей в феноле уже в окрестности ближайших атомов углерода близка к нулю в плоскости молекулы и не превышает 3-5% от первоначальной плотности на расстоянии 0,05 нм над плоскостью кольца Такие же по абсолютной величине эффекгы вызывают другие заместители (группы ОН, Р, ЗОзН) Построение карт перераспределения электронной плотности при введении оксигруп-пы в орто-положение к азогруппе в азобензол показывает, что даже в случае классического сопряжения влияние любого заместителя на распределение электронной плотности мало уже в сравнительно близких участках молекулы На рис 5 2 приведена карта распределения электронной плотности при введении оксигруппы в азобензол (сечение 0,05 нм над плоскостью системы) В кольце, содержащем заместитель, изменения плотности — порядка 3-5%, во втором кольце изменений электронной плотности вообще не заметно (оно на рисунке не показано) Учитывая особенности построения рисунков в логарифмической шкале, можно рассчитать, что изменения здесь не превышают 0,001 а е те менее 0,1% При переходе из одного кольца во второе через азомостик электронный эффект замещения ослабляется по меньшей мере в 30-50 раз [c.178]

Существование нелинейных водородных связей типа VII в кристаллах было установлено методом дифракции рентгеновых лучей ср. [2]. Водородный мостик оказывается более прочным, если три атома, участвующие в образовании водородной связи, расположены линейно и связь находится на одной линии с неподелен-ной парой электронов на валентной орбитали акцептора В [60]. Всякое отклонение от линейного расположения ослабляет водородный мостик. Водородная связь в пятичленном внутрикомплексном кольце, например, в таких вицинальных производных, как 1,2-дио-лы или 1,2-аминоспирты, обязательно расположена нелинейно и поэтому она слабая. При переходе от 1,2- к 1,3-, 1,4-замещен-ным соединениям мостики все более приближаются к линейным и, следовательно, должны становиться более прочными. Как было установлено, значения Дг(ОН), которые отражают прочность водородной связи, резко возрастают при таком переходе. [c.124]

Из имеющихся данных с очевидностью вытекает [25, 28, 198], что координация аминов понижает частоты валентных колебаний N—Н на 100—150 см . Было сделано предположение, что основной причиной ЭТОГО понижения является оттягивание электронов от атома азота, что в свою очередь ослабляет связи NH, и указывалось на аналогию с NHJ (частота валентного колебания NH 3125 см ), когда образующаяся донолнительная связь должна быть сильно ковалентЕ[ОЙ [198]. [c.336]

Чатт и Шоу действительно уже отмечали, что к образованию связи с углеродом непосредственное отношение имеет кондиционирование металла в результате связывания его в комплекс также с другими группами. Они предположили, что это должно быть каким-то образом обусловлено близостью -орбит валентной оболочки к 5- и р-орбитам, вероятно потому, что такая близость допускает возбуждение электронов несвязывающих орбит с переходом их на разрыхляющие МО или со связывающих на несвязывающие МО в том и другом случае металл-угле-родная связь ослабляется. Отсюда авторы сделали вывод, что это ослабление должно быть наименьшим при наибольшей разнице в энергии между высшей занятой и низшей незанятой орбитами. [c.50]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология