Электроны валентные электроны

Атомы элементов группы углерода имеют на внешнем слое четыре электрона (валентные электроны). Из строения атомов элементов группы углерода и положения их в периодической системе следует, что они занимают промежуточное место между элементами, атомы которых относительно легко отдают электроны, и элементами, атомы которых присоединяют электроны. Поэтому углерод не образует ионных соединений (т. е. атом его не отдает и не принимает электронов). Его соединения с другими атомами, как правило, ковалентны четыре валентных электрона углерода взаимодействуют с четырьмя валентными электронами других атомов и образуют четыре пары общих электронов (четыре ковалентные связи). Иногда углерод, чаще другие элементы этой группы проявляют валентность, равную 2 (например, олово, свинец). [c.191]

Поведение ряда катализаторов окисления в различных реакциях описано в предшествующих разделах. В этой части обзора сделана попытка обобщить и представить в виде таблицы каталитические свойства типичных металлов и окислов металлов, применяемых в качестве катализаторов окисления. Для некоторых типичных реакций каталитического окисления свойства катализаторов могут находиться в соответствии с их поведением. В табл. 1 приведены некоторые свойства металлических окислов. Во втором столбце указано, к какому типу полупроводников относятся эти окислы. В полупроводниках ге-типа электропроводность вызывается электронами, которые появляются при дефектах разного рода решеток, в то время как в полупроводниках р-типа электропроводность обусловлена наличием положительных дырок (недостатком электронов). Внутри группы окислов, отнесенных в таблице к классу изоляторов, проводимость обусловлена электронами, которые после активации получили способность двигаться от уровней валентных связей до уровней связей проводимости. В третьей колонке показан элемент, который по сравнению со стехиометрическим составом окисла находится в избытке, причем таким образом возникают дефекты, которые ответственны за проявление проводимости. В четвертой колонке дается описание качественной природы кислородной адсорбции. Для полупроводников р-типа поверхность окисла имеет высокую степепь покрытия. Многие электроны валентных электронных уровней переходят к адсорбированному кислороду с образованием кислородных ионов 0 и 0 . Окислы п-типа имеют низкую степень покрытия поверхности кислородом, поэтому имеется мало электронов, которые способны перейти от так называемых примесных [c.375]

Обобщенные электроны = Валентные электроны —-о--— Неподеленные электроны [c.137]

Долгое время было неясно, каким образом удерживаются атомы в большинстве органических соединений, а также в некоторых неорганических соединениях (например, в молекуле водорода), которые не способны существовать в виде ионов. Одним из первых ученых, распространившим электронные представления на органические соединения, был русский ученый А. М. Беркенгейм. Он считал, что связь в органических соединениях осуществляется также, при помощи электронов валентный электрон не полностью переходит из одного атома в другой, а лишь смещается из своего нормального положения по направлению к другому атому в отличие от большинства неорганических молекул, в которых электрон полностью переходит из одного атома в другой. [c.29]

Согласно приближению, основанному на модели свободных электронов, валентные электроны свободно движутся по всему объему металла, а ионы металла погружены в электронный газ. Это приближение особенно хорошо применимо к одновалентным металлам и объясняет такие их свойства, как электропроводность и поглощение света. Но пока оно не было изменено в соответствии с положениями квантовой теории, оно не объясняло причин изменения теплоемкости, магнитной восприимчивости и факта существования диэлектриков. [c.33]

На внешнем энергетическом уровне атомы рассматриваемых элементов имеют 2 или 1 электрон (табл. 34), тогда как атомы элементов главной подгруппы V группы имеют на внешнем уровне по 5 электронов. Валентными электронами ванадия и тантала являются три -электрона предвнешнего уровня и два в-электрона наружного уровня, а у ниобия четыре -электрона предвнешнего уровня и один х-электрон наружного уровня. Следовательно, ванадий, ниобий и тантал являются [c.422]

Внешние электроны валентные электроны в рамках") [c.144]

Атомы элементов группы азота имеют на внешнем слое пять электронов (валентные электроны). Они могут отдавать часть или все валентные электроны, их максимальная положительная валентность равна 5. Присоединяя три электрона (недостающие до восьми), атомы элементов этой группы превращаются в отрицательные трехзарядные ионы, которые входят в состав соединений с водородом. [c.187]

В случае если электроотрицательность соприкасающихся атомов также близка, но мала по абсолютной величине, возникает особый вид химической связи—так называемая металлическая связь. Притяжение внешних электронов со стороны нескольких ядер приводит к потере ими связи с определенными атомами и к обобществлению электронов. Валентные электроны объединяют уже целые группы атомов. Так протекает реакция между атомами близких по своим свойствам металлов, например [c.33]

Различают следующие основные типы кристаллических связей металлические, ионные, ковалентные (атомные), молекулярные. При металлическом типе связи кристаллическая решетка представляет собой каркас из положительно заряженных ионов, погруженный в электронный газ , который состоит из валентных электронов. Валентные электроны принадлежат всем атомам одновременно, поэтому силы связей не имеют строгой пространственной направленности. Атомы металлов в кристаллах окружены геометрически максимально допустимым числом соседних атомов. Большая часть металлов имеет кубические гранецентрированные, кубические объемно-центрированные и гексагональные кристаллы. При наиболее плотной гексагональной упаковке (бериллий, магний) достигается наивысший коэффициент заполнения пространства (остается только 26% незаполненного пространства между атомами). Так называемая теория свободных электронов объясняет многие свойства металлов, в частности, их высокую электропроводность, механическую прочность и пластичность. Смазочные пленки из пластичных мягких металлов, нанесенные на твердую подложку (напри-- [c.56]

Справедливость такого описания подтверждается результатами точных расчетов. На рис. 3.13 приведены карты распределения электронной плотности, рассчитанные для 1er-, 1ст - и 2сг-орбиталей, а также для их комбинации, т. е. для полного электронного распределения в Lia- Каждая кривая представляет собой линию, вдоль которой плотность вероятности нахождения электронов постоянна. На этих графиках для отдельных МО даны пространственные контуры плотностей, отличающиеся друг от друга последовательно в четыре раза. Диаграммы для 1er и 10 показывают, что более 90% плотности вероятности заключено в пределах линии, соответствующей плотности 0,053 е /А , с радиусом 0,7 А. Для 2ст-орбитали линия той же плотности проходит между ядрами. Полученная из расчета кривая показывает, что 2сг-орбиталь стягивает электроны в область между ядрами так, что по направлению к периферии молекулы плотность распределения спадает значительно медленнее. Эта орбиталь приводит к распределению вероятности нахождения электрона и в области между ядрами, и вокруг обоих ядер лития, отстоящих друг от друга на равновесное расстояние 2,68 А. Таким образом, природа связи определяется 2сг-орбиталью, на которой расположены два электрона (валентные электроны). [c.94]

Таким образом, можно сказать, что адсорбция атома С происходит в этом случае на электроне решетки . Свободный электрон кристаллической решетки выступает в роли адсорбционного центра. Поскольку наличие свободного электрона в решетке означает наличие нейтрального состояния М, блуждающего по ионам М+ решетки, то полученный результат можно выразить так адсорбционным центром служит нейтральный атом М, присутствующий среди ионов М+ решетки. Адсорбция атома С на таком центре приводит к локализации этого блуждающего центра и означает образование квазимолекулы СМ с характерной для нее двухэлектронной связью. В этой связи участвуют два электрона валентный электрон атома С и электрон решетки. Мы получаем гомеополярную связь того же типа, как в молекуле Нг. [c.45]

В случае сложных многоатомных молекул пе представляется возможным проведение подобного рода расчетов энергетических состояний. Все известные до сих пор спектры индивидуальных соединений получены опытным путем. Достаточно строгий теоретический расчет раепределения интенсивностей в масс-спектре удалось произвести только для молекулы Нг. Масс-спектры многоатомных молекул слишком сложны, чтобы их можно было рассчитать, исходя из простейших представлений, о выбивании из молекулы ионизирующим электроном валентного электрона с распадом образовавшегося иона по слабейшим связям. [c.17]

Основы новой теории были заложены в 1940 г., когда Сиджвик п Пауэлл сделали обзор стереохимии известных тогда неорганических соединений и заключили, что пространственное распределение связей для многовалентных атомов непосредственно связано с общим числом электронов валентного электронного уровня. Они предположили, что электронные пары, находящиеся в валентном уровне многовалентного атома, расположены всегда так, что отталкивание между ними минимально, независимо от того, являются ли они поделенными (связывающими) парами или неподе-ленными (несвязывающими или свободными) парами. В соответствии с этим предположением две пары будут располагаться линейно, три — в плоском треугольнике, четыре — тетраэдрически, пять — в виде тригональной бипирамиды и, наконец, шесть пар — октаэдрически. Оказалось, что указанные конфигурации, объясненные таким простым способом, правильно предсказывают формы молекул во всех известных соединениях непереходных элементов, для которых все электронные пары валентного уровня соединены с идентичными атомами или группами. Если одна или более электронных пар не поделены пли если имеется два или более разных видов присоединенных атомов, то следует ожидать отклонений т геометрически правильных структур. [c.198]

В 1956 г. С. М. Каральник предложил иной механизм химического сдвига атомных уровней — механизм внутреннего экранирования. Этот эффект состоит в том, что внешний валентный электрон часть времени проводит на ядре, экранируя тем самым заряд ядра, действующего наТС-электрон. При образовании химической связи меняется степень экранирования ТС-электрона валентным электроном, за счет чего смещаются атомные уровни и, следовательно, меняется энергия эмиссионной рентгеновской линии. Отметим, что химические сдвиги рентгеновских линий можно наблюдать для большинства элементов периодической системы. [c.273]

На внешнем энергетическом уровне атомы рассматриваемых элементов имеют 2 или 1 электрон (табл. 29), тогда как атомы элементов главной подгруппы V группы имеют на внешнем уровне по 5 электронов. Валентными электронами ванадия и тантала являются три -элек-трона предвнешнего уровня и два х-электрона наружного уровня, а у ниобия четыре -электрона предвнешнего уровня и один -электрон наружного уровня. Следовательно, ванадий, ниобий и тантал являются -элементами. Онн имеют следующие переменные положительные степени окисления V — 2, 3, 4, 5 МЬ—(1), (2),3, 4, 5 Та-(2),3, 4, 5. [c.367]

Если, как мы видели, при возникновении ковалентной и ионной [ едгеток по море сближения атомов-партнеров последние осуществляют перераспределение своих валентных электронов с образованием химических связей, локализованных в валентных оболочках атомов-соседей, то в модели свободных электронов валентные электроны или часть их приобретают в свете этой теории почти полную свободу, теряя связь с исходным атомом и входя в коллектив электронов проводимости. [c.264]

На рис. 7 представлено относительное расположение энергетических уровней валентных электронов. Валентные электроны, которые не участвуют в образовании связей с другими атомами,— неподеленные пары электронов, локализованные в поле одного ядра, — имеют энергию того же порядка, что и валентные электроны в атоме они занимают так называемые несвязывающие орбитали, обозначаемые буквой п. [c.30]

Рассмотрим модель сильно связанных с ионами электронов (валентных электронов), применимую для случая, когда расстояния между соседними атомами велики по сравнению с их размерами. Пусть кристалл представляет собой бесконечную пепочку одинаковых, одновалентных, периодически расположенных атомов. Обозначим через д(г — R ) волновую функцию валентного электрона, где g — номер атома в цепочке, г и R , — радиусы-векторы электрона и д-го атомного остова. Подставляя эту волновую функцию в уравнение Шредингера (9.7), получим [c.234]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология