Подвижность дефектов

Аналогичные расхождения наблюдаются между величинами S и i i пли между электрокинетическим зарядом г]о, вычисленном по (XII. Па) с подстановкой J вместо 1ji, подвижным зарядом, найденным из (ХП.51) и адсорбционным зарядом (XII 55) (т)о = z r ) для целого ряда систем. Это позволила выдвинуть представление о пристенном слое ионов, гидродинамически неподвижных (ие участвующих в электрокинетических явлениях), но обладающих подвижностью в переменном электрическом поле. Это могут быть ионы, находящиеся в ближайшем к поверхности слое жидкости с повышенной вязкостью [не учтенной в классической форме уравнения Гуи (XII. 11, а)], ионы во впадинах шероховатой поверхности, ноны приповерхностного слоя твердой фазы — подвижные ионы в гелеобразном слое, подвижные дефекты кристаллической решетки и др. [c.214]

Со — начальная концентрация примеси в исходном веществе q — концентрация дефектов на границе образца w ( ) — вероятность захвата (химической реакции) подвижного дефекта ионом примеси в единицу времени с образованием дефектного центра w- — вероятность обратного процесса. [c.78]

О. Риз [322] связывает механизм некоторых каталитических процессов с возникновением подвижных дефектов в приповерхностном слое, образованных проникновением туда одного из компонентов реакции. Так, например, для реакции гидрирования этилена на никеле постулируется образование дефекта 0 (Н+) А (0—электроны, А — междуузлие кристаллической решетки), причем реакция осуществляется, когда мигрирующий дефект появляется в соответствующем месте в поверхностном слое под адсорбированным этиленом. Как видно, такой частный механизм также связан с глубокой адсорбцией . Однако пока нет оснований приписывать аналогичным механизмам более общее значение. [c.72]

Прежде всего отметим, что микродефекты, вообще говоря, нельзя считать фиксированными внутри кристалла. Они обладают определенной подвижностью. Подвижность дефектов является следствием периодической структуры решетки. Действительно, при перемещении дефекта в любом направлении внутри решетки энергия системы вследствие периодической структуры решетки изменяется с координатой по периодическому закону минимумы энергии чередуются с максимумами. Таким образом, перемещение дефекта по решетке связано с преодолением потенциальных барьеров, высота которых определяется природой дефекта, структурой решетки и направлением движения дефекта. Следовательно, перемещение требует некоторой энергии активации. Подвижность дефекта возрастает с температурой. В разных кристаллографических направлениях подвижность, вообще говоря, различна. [c.362]

Эти реакции в твердом состоянии обладают следующей особенностью. Кроме подвижности дефектов решетки, которая требовалась в случае рассмотренных выше реакций, при этих процессах должна происходить также агрегация дефектов с выделением зародышей новой фазы. В качестве примера приведем реакции [c.78]

Под действием излучения в кристалле триоксана появляются радиа-ционные дефекты [17]. Образованные при облучении единичные дефекты остаются неизменными лишь в том случае, если облучение велось при достаточно низких температурах, когда подвижность дефектов сильно ограничена. Если температура достаточно велика, чтобы обеспечить подвижность [c.35]

Более сложный случай представляют ионные кристаллы с дефектами Шоттки, где при равной концентрации вакансий обоих знаков характер преобладающего переноса определяется отношением подвижностей обоих сортов вакансий [18, 36]. Как видно из формулы (6.40), основным фактором, определяющим величину подвижности дефектов, является энергия активации миграции и. В большинстве кристаллов с дефектами Шоттки характер электропроводности и, в частности, число переноса ионов определяется этим параметром. [c.184]

Как и в случае ионной проводимости, при описании диффузии в твердых телах существует неоднозначность выбора носителей. С одной стороны, при слабой разупорядоченности можно считать носителями точечные дефекты — вакансии и междуузельные атомы (ионы). В этом случае их коэффициенты диффузии получаются при непосредственной подстановке формул (6.40) и (6.41) для подвижности дефектов в соотношение Нернста— Эйнштейна (6.118) [c.215]

Нельзя сказать точно, к каким именно частицам относится I Сg) или ф(5). Множитель /(С ) является функцией концентрации активных адсорбированных частиц, однако невозможно определить непосредственно, каким образом изменяется эта функция с давлением кислорода или какая часть всего адсорбированного газа находится в активном состоянии. Равным образом мы пока не можем установить природу функции 9(5). Поэтому нельзя сказать, являются ли приведенные значения энергий активации правильными или они содержат неявный член, отражающий изменение концентраций реагентов с давлением или с температурой. Для М 0 наши данные по реакции между изотопами кислорода и обмену можно было бы объяснить с таким же успехом и в том случае, если бы процесс адсорбция — десорбция протекал на определенных центрах, ассоциируемых с дефектами решетки, причем адсорбированные частицы оставались бы относительно неподвижными, а энергия активации, равная 7,7 ккал/моль и представленная на рнс. 3 линией Н1Г относилась бы к подвижности дефектов решетки. Однако такая неподвижность адсорбированного кислорода маловероятна (ср. работу де Бура [40]). Следует отметить, что, хотя начальная адсорбция может быть ограничена определенными центрами, обмен происходит на всей поверхности окисла. [c.256]

Исследования электропроводности окислов свинца при 350— 450 °С показали [13], что у а-РЬО она на два порядка выше, чем у р-РЬО. На этом основании высказано предположение [14], что различная активность двух структур окиси свинца обусловлена разной степенью упорядоченности их кристаллических решеток, т. е. концентрацией и подвижностью дефектов. [c.344]

В работе [2050] показано, что полибутилен-1,4-терефталат имеет конформацию цепи с подвижными дефектами, а элементарная кристаллическая ячейка обладает триклинной симметрией. Для композитных образцов, подвергнутых нагреванию до температуры плавления с последующим резким охлаждением, и для растворных образцов полиэтилентерефталата при помощи метода вычитания получены полосы поглощения в ИК-области, соответствующие кристаллическому и аморфному состояниям полимера [ 2051]. Показано, что для транс-структуры полосы аморфного полимера сдвинуты приблизительно на 1—Зсм по сравнению с полосами спектра кристаллического образца. [c.421]

Расчеты показывают, что достаточно учитывать только комплексы между ближайшими соседями. Образование комплексов, очевидно, определяется подвижностью дефектов в той области температур, где они устойчивы, а их концентрация зависит от [c.192]

Коэффициент электропроводности а может быть выражен через подвижность дефектов и цо и их объемную концентрацию [c.65]

Воспользовавшись уравнением Пуассона, можно найти V(x) как функцию X и, таким образом, характеристическую для приповерхностного слоя дебаевскую длину л, которая приближенно обратно пропорциональна корню квадратному из концентрации подвижных дефектов и, следовательно, сильно растет с падением температуры. В общем случае ширина слоя Дебая составляет несколько сотен атомных расстояний. Мы обсуждали здесь образование слоя поверхностных зарядов, однако любой источник вакансий (или других атомных дефектов) внутри кристалла об- [c.107]

Зависимость подвижности дефектов от давления при постоянной температуре дается соотношением [c.204]

Этот метод давно применяется для решения различных физи-ко-химических задач, но лишь сравнительно недавно показана принципиальная возможность использования его для оценки активного состояния твердых тел [24]. Поскольку такое состояние характеризуется наличием неравновесных дефектов (точечных или протяженных), а сами дефекты при достаточно высоких температурах ионизированы, то активная фаза по сравнению со стабильной характеризуется избыточной концентрацией электронов или дырок. Избыточную концентрацию элементарных носителей заряда предложено [24] определять, измеряя термо-э. д. с. активных образцов как функцию времени в режиме изотермического или политермического нагрева, ведущего в конечном счете к аннигиляции наиболее подвижных дефектов и стабилизации термо-э. д. с. На рис. 4.6 и 4.7 представлены изотермические (580 °С) х= (т ) и политермические кривые x = f(T) для гематита, причем х= (оо—аг)1 ш—Oft) (где ао, щ, аи — значения термо-э. д. с. соответственно в исходный момент времени, в момент tj и после отжига образца при 1050 °С в течение 2 ч). Очевидно, что относительная стабильность неравновесных дефектов и обусловленная ими способность к аннигиляции свободных носителей заряда очень чувствительны к химической и термической предыстории гематита. Из данных, представленных на рис. 4.7, следует, что отжиг неравновесных дефектов, ответственных за избыточную концентрацию носителей заряда у нитратного материала, происходит интенсив- [c.221]

Если дефекты могут находиться в нескольких равноценных кристаллографических положениях, а приложенное напряжение в неодинаковой степени изменяет свободную энергию, связанную с этими положениями, то для восстановления равновесия потребуется соответствующее перераспределение дефектов в решетке. Скорость перехода дефекта в новое состояние зависит от подвижности дефекта, а не от приложенного напряжения и определяется временем релаксации необходимым для перехода дефекта из одного равновесного положения в другое. Как показал Верт [8], для атомов внедрения углерода в а-Ге время релаксации в случае простой экспоненциальной релаксации (для которой процесс перехода атомов внедрения из одних положений в другие описывается одним временем, экспоненциально изменяющимся с температурой) связано с временем оседлой жизни внедренного атома соотношением типа [c.84]

Можно дать два очень близких объяснения этому закону зародышеобразования. С одной стороны, как было показано выше, появление промежуточных частиц М с постоянной скоростью и последующей конденсацией в зародыш может привести к аналогичным соотношениям [формула (3.20)] с другой — не исключена возможность того, что зародышеобразование может происходить в результате нескольких этапов в отличие от зародышеобразования с одинаковой вероятностью, при котором зародыши возникают в ходе одного этапа, вероятность протекания которого постоянна. В результате каждого этапа последовательно появляются химические частицы , II ит. д., причем последняя частица представляет собой уже стабильный зародыш. Для конкретности можно предположить, что зародыши образуются в ходе последовательной агломерации подвижных дефектов кристаллической решетки, которыми могут быть, например, атомы в междоузельном положении, тогда частица I может соответствовать агломерации двух атомов, частица II — трех атомов и т. д. Стабильный зародыш будет возникать при агломерации ] атомов. [c.54]

При некоторых сочетаниях металл—раствор КРН можно предотвратить поляризацией не Фолько ниже определенного критического потенциала или диапазона потенциалов, но и несколько выше этого диапазона. А разрушение происходит внутри этого диапазона. В этих обстоятельствах, в соответствии с адсорбционной теорией, адсорбция разрушающих ионов на подвижных дефектах [c.142]

С повышением температуры изменение механических свойств в результате облучения (Оказывается в меньшей степени. По-видимому, с повышением темературы увеличивается подвижность дефектов кристаллической решетки, возникающих при облучении. [c.46]

Как уже указывалось (с. 339), мембранный транспорт мон ет быть связан с наличием кинков — подвижных дефектов структуры в жидкокристаллической липидной фазе. Имеются не реализованные еще возможности трактовки такого рода эффектов на основе теории дислокаций. [c.354]

Одним из свойств, решающим образом зависящим от наличия дислокаций, является прочность кристаллических тел. Зная структуру и энергию химической связи между атомами в кристалле, можно рассчитать силу, необхо димую для деформации и разру шения идеального (т. е. не содер жащего дефектов) кристалла т. е. его теоретическую прочность Опыт показывает, что те напря жения, при которых происходят деформации и разрушение реальных монокристаллов, т. е. их реальная прочность, оказываются в 10 ... 10 раз меньше рассчитанных теоретически. В настоящее время доказано, что причина высокой пластичности и пониженной прочности заключается в существовании в реальных кристаллах легко подвижных дефектов — дислокаций. [c.97]

Поэтому в процессе синтеза аммиака и особенно при гидрировании ядов с большим тепловым эффектом возникает значительная подвижность дефектов и их агрегация (отжиг дефектов), и активность катализатора именно вследствие такого изменения химического состава и строения необратимо снижается. Мы полагаем, что особенно вредно действуют серусодержащие соединения, так как при их гидрировании до сероводорода образуются сульфидные соединения с железом и промоторами (с калием и др.), [c.153]

Мы видим, что модель Френкеля — Конторовой позволяет не только описать распределение атомов в ядре дислокации (при К а), но предсказывает возможность механического движения дислокации в кристалле. В континуальном пределе дислокация выступает как подвижный дефект кристаллической решетки, перемещение которого не связано с сопротивлением среды (ее энергия (10.23) не зависит от положения центра дислокации). Конечно, учет дискретности кристаллической структуры и отказ от предположения о фиксированном (заданном) периодическом потенциале (10.4) изменит вывод об отсутствии сил сопротивления движению дислокации. Но наличие динамических свойств дислокаций подтверждено как последовательной теорией, так и экспериментом. [c.192]

В обычных условиях (соответствующих низким гомологическим температурам Т Т , где — температура плавления) все точечные дефекты алмаза практически неподвижны. Диффузионная подвижность reTepoaTONroe интенсифицируется лишь в области, приближающейся к тройной точке диаграммы фазового равновесия углерода [282]. Наиболее подвижными дефектами алмаза при низких температурах являются трещины и микротрещины, а также частичные и 60-градусные дислокации [45. Линейные дефекты типа дислокаций характеризуются различными параметрами, основной из них — вектор Бюргерса Ь. Для ковалентных кристаллов группы 43от Ь епр(Ш) [c.54]

Многие из явных аномалий, которые встречаются в исследованиях каталитических свойств окислов — включ ая различия, наблюдаемые Швабом и Парравано (см. предыдущий раздел),-— могли бы быть объяснены, если бы уделялось больше внимания подвижности дефектов, а не их концентрации (или констатации высоты расположения уровня Ферми). Наконец, вопрос [c.240]

Обозначим через Ui подвижность дефектов i Ui = D fRt), через Пг х) их концентрацию в точке х, а через gradT)j(A ) градиент электрохимического потенциала для этих дефектов [c.379]

В кристаллах нитрата натрия механизм проводимости отчетливо изменяется в точке перехода при температуре 245° С [9]. Нитрат натрия кристаллизуется в тригональной сингонии вплоть до температуры плавления. Однако при 275° С наблюдается фазовый переход с резким изменением физико-химических свойств этого тела. Теплота перехода составляет <0,91 ккал/моль. Замечательно, что при низких температурах i(7 <275° ) введение малых добавок ( 5-10 ) двухвалент-шой примеси Са(НОз)2 снижает проводимость, при высоких (Г>275° С) — увеличивает ее. Анализ изотерм проводимости дает для Г<275° С подвижность дефектов [c.70]

Концентрации и подвижности дефектов в кристаллах Ag l при температуре 350 °С [c.204]

В цитированных работах также получены свободные объемы, связанные с подвижностью дефектов. Свободный объем миграции межузловых ионов серебра в монокристаллах Ag l— —AFS =(3,5—5,1) см /моль- , а активационный объем движения вакансий АУ °=(3,5—9,4) см /моль . Заметим, что эти объемы пропорциональны значениям энергии активации для межузловых ионов серебра A/im = 0,15 эВ и вакансий AftS== = (0,33—0,40) эВ. [c.206]

Из физико-химического механизма, предложенного в [28], следует, что при фазовых переходах происходит разрыв связей в оксидной (сорбционной) пленке с образованием активных частиц. Фазовые превращения сопровождаются увеличёнием подвижности дефектов структуры, ионов, радикалой в сорбционном слое, рекомбинация которых (с последующей десорбцией) является причиной испускания электронов. [c.262]

Если бы в кристалле отсутствовали кинетические затруднения, то при комнатной температуре он содержал бы только крупные ассоциаты. В действительности соотношение между концентрацией различных ассоциатов и монодефектов определяется некоторой эффективной температурой, ниже которой подвижность дефектов пренебрежимо мала. [c.101]

Введение. Определение подвижности ионов и электронов в бромиде серебра при комнатной температуре представляет значительный интерес для теории скрытого изображения и теории полупроводников. Для области высоких температур по этому вопросу имеется обширный материал. Точные измерения постоянной решетки и плотности [1] показали, что в бромиде серебра преобладают дефекты по Френкелю. В посл едующих работах [2, 3] удалось экспериментально определить концентрации и подвижности дефектов при повышенных температурах. Из полученных данных были найдены экспоненциальные зависимости, позволяющие определить концентрацию и подвижность дефектов при любой температуре. Вопрос о пригодности полученной зависимости в структурно-чувстБИте тьной области температур остался невыясненным. [c.73]