Галоген а лка полы

В полимерах под действием внешнего электрического поля в общем случае может происходить электронная и атомная поляризации, Что же касается ориентационной поляризации, то она может иметь место лишь при наличии в молекулах полярных группировок атомов, в частности — гидроксильных групп, атомов галогенов и др. Поскольку такие группы в высокополимерах входят в состав больших молекул, то изменение ориентации их под действием электрического поля сильно стеснено. Соответственно с этим возрастает их время релаксации и усиливается зависимость поляризации от частоты поля. [c.595]

Если группа Р в В-Р-9-ББН содержит галоген в -поло-жении, то при обработке основанием получаются циклопропаны [c.219]

Некоторые свободные радикалы, например, трет -бутил [44], бензил [45] и циклопропил [46], являются нуклеофильными (они склонны отрывать атомы водорода с пониженной электронной плотностью). Фенильный радикал, по-видимому, обладает нуклеофильным характером в незначительной степени [47]. В случае длинных углеродных цепей эффект поля передается по цепи, р-положение также оказывается дезактивированным для атаки галогеном, хотя и намного меньше, чем а-положение. Как отмечалось в разд. 14.2, отрыв а-водорода от замещенных в кольце молекул толуола можно коррелировать с помощью уравнения Гаммета. Аналогичная корреляция с величинами Ст1 Тафта (т. 1, разд. 9.3) найдена для отрыва водорода от замещенных адамантанов электрофильным радикалом ССЬ [48]. [c.65]

Заместители I рода направляют любой новый заместитель в орто- и пара-пол ожени я по отношению к себе. При этом все они (за исключением галогенов) уменьшают прочность ароматической группировки и облегчают реакции замещения. В содержащих заместители I рода производных бензола водородные атомы ядра замещаются с большей скоростью, чем в самом бензоле. [c.334]

С одной из реакций получения галогенопроизводных — постепенной заменой водородных атомов в углеводородах на атомы галогенов — мы уже познакомились на примере хлорирования метана. Надо лишь отметить, что эта реакция металепсии редко применяется в ряду алканов, поскольку образуются трудно разделяемые смеси изомеров, а также моио- и поли галогенопроизводных. Большее значение эта реакция имеет в ароматическом ряду. [c.141]

Ill группа. В этой группе бор по химическим свойствам сильно отличается от других элементов. Это объясняется малым радиусом атомов бора, и ион В имеет сильное электрическое поле и обладает большой поляризующей способностью. В бинарных соединениях бор проявляет большое сродство к кислороду и меньшее к галогенам. Эти свойства бора в значительной степени проявляются и в его комплексных соединениях. Аквосоли и аммиакаты он практически не образует, так как молекулы воды и аммиака в сильном электрическом поле атомов бора подвергаются диссоциации с отщеплением протона. [c.393]

Одним из характерных примеров могут служить взаимодействия отрицательно заряженных одноатомных ионов галогенов и электрически нейтральных молекул галогенов, приводящие к образованию поли-атомных ионов. [c.90]

Простейший пример образования такого типа связи - взаимодействие ВНз с ЫНз, ведущее к соединению НзВ-ЫНз с распределением заряда, примерно отвечающим схеме HзB -N+Hз. Более сложные конструкции подобного же типа - комплексные ионы [Т1(Н20)б]3+, [Со(КНз)б] и т.п. (Обычно при рассмотрении таких систем используют теорию кристаллического поля или теорию поля лигандов). Несколько иного рода соединения образуются при взаимодействии бензола или ароматических конденсированных углеводородов с молекулами галогенов, например с Вг2 или 12, когда ароматический углеводород играет роль акцептора, причем в качестве акцепторной выступает вакантная л-орбиталь, относящаяся ко всей сопряженной системе. [c.467]

Существует и другой механизм продольной релаксации, важной для спектров ЯМР высокого разрешения. Ядра со спиновым квантовым числом />1/2 имеют сферически несимметричное распределение заряда и характеризуются электрическим квадрупольным моментом Q. Этот момент может взаимодействовать с градиентом электрического поля на ядре, что вызывает релаксацию ядра. Например, для галогенов — хлора, брома и иода — [c.237]

Для генерации радикалов важен также фотолиз галогенов, поли-галогенметанов, арилиодидов, алкил- и арилнитритов [21], кетонов и органических соединений ртути. Гомолитическое расщепление многих классов соединений стимулируется облучением лучами высокой энергии, рентгеновскими или у-лучами, а также быстрыми электронами [22]. [c.576]

Из параметра асимметрии Г может быть получена информация о я-связывании. Обсуждались методы расчета т для различных ядер. Одинарная а-связь с галогеном должна приводить к аксиально-симметричному градиенту поля. Двойные связи ведут к асимметрии, и т зависит от степени л-связывания. Был сделан вывод, что в винилхлориде, винил-бромиде и винилиодиде существует заметное ( 5%) л-связывание углерод — галоген [30]. Берсон [31], исходя из г , провел подробное исследование проблемы качественной оценки степени л-связывания углерод — галоген. [c.279]

МСС с галогенами. Галогены образуют с углеродной матрицей соединения двух типов межслоевые (МСС) — с хлором, бромом, монохлоридом иода и другими гаяоген-галогенными соединениями (галоидидами) и ковалентные — с фтором (поли-фторуглероды). В данном разделе описываются МСС с хлором и бромом. Особенностью многих из них являются повышенная стабильность в условиях высокой влажности или глубокого вакуума. [c.277]

Как уже упоминалось, неподеленные пары электронов иодид-нона, определяющие нуклеофильные свойства, находятся на большем расстоянии от ядра, и притяжение их к ядру ослаблено экранирующим действием электронов внутренних оболочек, по сравнению с остальными галогенами, что делает их более поля )изуемыми при воздействии внешних полей и, следовательно, более реакционноспособными и реакциях нуклеофильного замещения. При оценке же оснонностн решающую роль играет размер иопа н, следовательно, электронная плотность, которая изменяется обратно пропорционально радиусу иона. Чем меньше радиус иона, тем сильнее он притягивает к себе протон и тем больше его основность. [c.104]

При наложении переменного поля резонансной частоты начинаются переходы между уровнями, что ведет к поглощению энергии переменного поля. Это явление и называется ядерным квадрупольным резонансом (ЯКР). В случае ЯКР имеет место прецессия отдельных ядер (а не электронов), способных вращаться в поле своей электронной оболочки (эллипсоидные ядра). В отличие от сферических атомов, у которых заряды распределены равномерно, продолговатые ядра (характерные, например, для галогенов, в частности хлора) обладают квадрупольным электрическим моментом. Для веществ с такими ядрами можно наблюдать четкую линию квадрупольиого резонанса. Чувствительность метода ЯКР настолько велика, что можно фиксировать резонансные частоты атомов, обладающих разными химическими свойствами (так, в случае поливинилхлорида для них получаются значения частот 37,25 и 38,04 МГц). [c.230]

Введем в дальнейшем обозначение е д014 = К-Осевая симметрия поля возникает, например, в молекулах СНзС1, СНзВг, причем наибольший градиент поля совпадает с направлением связи углерод — галоген, принимаемым за ось г. Для указанного случая можно ожидать один переход между уровнями при выполнении условия резонанса = где V — частота радиочастотного диапазона, поглощаемая образцом. Из частоты поглощения можно непосредственно найти константу квадрупольного взаимодействия e qQ = 2h. Обычно ее выражают в единицах частоты (МГц), т. е. в рассмотренном случае она равна просто удвоенной частоте ЯКР. [c.95]

Н НР но НВг ш Электронная конфигурация молекул НЭ, как это следует из рис. 4.19, одинакова и может быть записана так НЭ [... пр ((т )2]. В этой записи указано, что в каждой молекуле 4 электрона, размещающихся на р-подоболочке остаются почти неизменными по энергии, т. е. их МО являются несвязывающими. Эти МО имеют тг-симметрию и их следует обозначить как тг°-МО. Тогда окончательнно электронная конфигурация молекул галогенводородов будет НЭ[(тг°) ((7 )2]. Все эти вещества не имеют неспаренных электронов, поэтому они по отношению к магнитному полю являются диамагнитными (подробнее см. ниже). Энергия ионизации молекул НЭ определяется как абсолютное значение энергии высшей занятой электронами МО (сокращенно — ВЗМО). Из рис. 4.19 видно, что ВЗМО в галогенводородах являются несвязывающие МО, приблизительно совпадающие с р-АО галогена. Поэтому первые энергии ионизации молекул должны быть близки к первым энергиям ионизации атомов галогенов и одинаковым образом (симбатно) изменяться при переходе в подгруппе от фтора к йоду. Соответственно изменяется и восстановительная активность галогеноводородов — [c.126]

О а р а п Р о и Ь е п 1 о р а п - Р о и и п V а г (.Австрия) — универсальные фотомикроскопы, предназначенные для всех известных методов исследования в отраженном и проходящем свете в светлом поле, темном поле, поляризованном свете, при фазовом контрасте, флуоресценции, можно производить микрофотографирование, микрокиносъемку, микротелевидение, микропроекцию, спектральную микрофотометрию, испытание на микротвердость, высокотемпературную микроскопию, измерение крупности зерна, интерферометрию При исследовании применяют низковольтные лампы мощностью 30 Вт, низковольтные галогенные лампы 100 Вт, ксеноновые излучатели высокого давления, ртутные газоразрядные лампы сверхвысокого давления, фотоосветительные устройства для микрофотографирования. [c.112]

Учебное пособие представляет собой сборник упражнений полу-программированного типа по развитию нйвыков в прогнозировании свойств сложных по строению органических соединений, представляющих, как правило, интерес с точки зрения жизнедеятельности растительных и животных организмов, медицины или народного хозяйства. Упражнения сгруппированы по классам органических соединений в соответствии с программой общего курса органической химии, составленной по функциональным группам. Всего 16 тем шесть типов углеводородов (гл. 1-У1), галоген- и кислородсодержащие соединения (гл. УП-ХШ), азотсодержащие органические соединения (гл.Х1У-ХУ) и гетероциклы (гл. ХУ1). Упражнения оформлены в виде тестовых карточек, состоящих из трех частей (информативная, вопросы и набор выборочных ответов). Они могут быть использованы как на стадии обучения и учения (лекции, семинарские занятия, самостоятельная работа), так и дош проверки знаний студентов (контрольные работы, экзамены). [c.2]

Для срывных реакций металлов М с молекулами галогенов предложена модель гарпунирования при сближении М и сначала происходит перескок электрона с образованием и Х , а затем Хг диссоциирует в поле М" с образованием МХ и X [c.84]

Пример 4 ИК-спектр неизвестного соединения, показанный на рис. 1.14, надо использовать для получения первичной информации о природе вещества. Важнейшая особенность этого спектра состоит в отсутствии полос валентных колебаний С—Н на участке 2800— 3000 см , следовательно, вещество вообще не содержит алкильных или циклоалкильных радикалов. Две довольно интенсивные узкие полосы 3070 и 3110 см - по своему положению и контуру должны быть приписаны валентным колебаниям водорода при ароматических кольцах или двойных связях. (Повышенное значение частоты 3110 см - может рассматриваться как указание на гетероароматическую структуру.) Никаких других полос валентных колебаний водорода в спектре нет, так что несомненно отсутствуют т кие функциональные группы, как ОН, СООН, ЫН, 8Н, 51Н, PH. Огсутствуют также тройные связи, но в области двойных связей имеются две неполностью разрешенные полосы 1550 и 1580 см" , которые можно приписать ароматическим кольцам или сопряженным поли-енам. Невысокая их интенсивность свидетельствует скорее в пользу первых. В пользу ароматических структур может быть истолковано и наличие нескольких слабых полос в области 1650— 2000 см . При отсутствии водорода алкильных и циклоалкильных радикалов можно ожидать радикалов, полностью замещенных галогеном. Наличие перфторалкильных групп маловероятно, так как в области 1400— 1100 см имеются только две полосы, однако перхлоралкильные группировки могут присутствовать, поскольку в спектре имеется очень сильная широкая полоса 720 см" с неоднозначным истолкованием. Относительно бром- и кислородсодержащих группировок рас- [c.25]

Пользуясь уравнением (4-4) и значениями найденными для галогенидов щелочных металлов, можно получить радиусы для всех ионов, имеющих электронную конфигурацию инертного га за. Однако следует сказать, что радиусы, определенные таким способом для многозарядных ионов, правильно показывают толь ко их размеры относительно радиусов ионов щелочных металлов I галогенов, но их сумма не образует равновесных межионных. расстояний. Эти относительные радиусы называют одновалент ными радиусами, они представляют собой те радиусы, которые имели бы многозарядные ионы, если бы они сохранили свое элек тронное строение, но вошли в ионные соединения как однозаряд ные ионы. К счастью, для многозарядных ионов можно получить имеющие физический смысл кристаллические радиусы пз однова лентных радиусов, помножив эти величины на множитель, полу чаемый из уравнения Борна [c.114]

Этот ряд получил название спектрохимического ряда. Величина ЮВ, лежит обычно в интервале 10 000—30 000 см (120—360 кДж/моль). Если выбрать из этого ряда сферические ионы галогенов, то сила создаваемого ими поля действительно изменяется в последовательности, предсказываемой формулой электростатической теории Г <Вг <СГ < <Р <Н . Но в целом ряд указывает, что связь между центральным ионом и лигандами не является чисто электростатическим взаимодействием (ионным или ион-дипольным), как предлагает модель теории кристаллического поля, существенно влияние и других, неэлектростатических эффектов на величину расщепления /-уровня. Таким эффектом может, быть, например, образование я-связей между лигандом и центральным ионом, что не учипзшается теорией кристаллического поля. За границу между слабым и сильным полем весьма условно можно принять 101), =20 ООО см (240 кДж/моль). [c.241]

Замещение. Для соединений типа Z H2 H2X, где Z — любая из групп, упомянутых в предыдущем разделе, а также галоген или фенил, скорости SnI-реакций ниже, чем скорости SnI-реакций для незамещенных систем, так как резонансные эффекты, рассмотренные в пункте 4, здесь отсутствуют, а остаются лишь эффекты поля, хотя их действие слабее. На Sn2-реакции эти же группы в р-положении не оказывают значительного влияния, если не могут выступать как соседние и не увеличивают скорость путем анхимерного содействия или же их объем не вызывает снижения скорости по стерическим причинам (см., например, [247]). [c.71]

Галогенирование альдегидов и кетонов. Кетоны и альдегиды легко вступают в реакцию с галогенами (включая иод). При этом происходит замещение водородных атомов в а-поло-жении оксосоединения на атомы галогена. Реакция заметно ускоряется в присутствии разбавленных щелочей или кислот. Кинетические исследования показали, что галоген взаимодействует с енольной формой (или енолят-анионом), а каталитическое действие кислоты и основания заключается в ускорении образования енолят-аниона и соответственно кето-енольного превращения. Реакция молекулы галогена с енолят-анионом или енолом — это обычная электрофильная атака на алкен [c.126]

Реакция с галогенами сопровождается взрывом. Со взрывом идет зеакция с серой, двуокисью углерода и четыреххлористым углеродом 10]. При нагревании взаимодействуют с углеродом (графитом), красным фосфором и кремнием [10]. Выше 300° разрушают стекло, восстанавливая кремний из SIO2 и силикатов [6]. Оказывают сильное корродирующее действие на многие металлы и материалы. Гидриды их МеН образуются при нагревании расплавов в атмосфере водорода. RbH и sH менее устойчивы, чем LiH, и во влажном воздухе окисляются, воспламеняясь [10]. С азотом рубидий и цезий непосредственно не реагируют их нитриды МезЫ, получаемые взаимодействием паров металлов с азотом в поле тихого электрического разряда [6], менее устойчивы, чем LI3N. [c.84]

Большая магнитная анизотропия характерна для галогенов, тройной и двойной связи, карбонильной группы, ароматических колец. Важнейшим источником магнитной анизотропии являются кольцевые токи л-электронов, во щикающие под влиянием внешнего магнитного поля. При этом считают, что л-электронное облако бензола построено в виде двух колец, расположенных по обе стороны плоскости молекулы симметрич- [c.71]

В последующем параграфе будет показано, что по уравнению (2.2) рефракции ионов могут быть вычислены с большой точностью. Однако в данном случае для получения корректного результата следует учесть еще взаимное влияние ионов. Наличие по соседству отри-цатель лого заряда будет уменьшать эффективный заряд иона, а положительного — увеличивать. Отсылая за деталями количественных расчетов 2 в поле противоио-нов к оригинальным работам [51—53], приведем окончательные результаты (табл. 10), причем точность расчетов может быть охарактеризована сравнением вычисленных таким образом рефракций молекул Нг и галогенов с экспериментальными значениями. [c.30]

Действием галогенов на щелочные растворы нитрососдинений можно заместить во вторичных интросоединениях один, а в первичных нитросое-дииениях одни И1н два атома водорода атомами галоида и полу чнть таким образом соедннення [c.215]

АСТАТ (А8(,а( пгт) А1, радиоактивный xи i. элемент VII гр. периодич. сист., ат. и. 85 относится к галогенам. Иаиб. устойчив искусств, изотоп - АС (Т ., 8,3 ч). Полу 1Си (изотоп А1) Д. Корсопом, К. Мак-Кензи и Э. Сегре в 1940. В 1943—46 изотопы А. обнаружены в составе прнр. радиоактивных рядов самый устойчивый из них — - А1 (Гу,,54 с). В поверхностном слое земной коры толщиной 1,6 км содержится ок. 70 мг А1. Из-за малых Т,/. св-ва изучаются на образцах, содержащих ничтожные его кол-ва. По оценке [c.58]

Масс-спестрометрическне Ж. а. Действие их основано на разделении ионов по их Nta avi в магн. или электрич. полях предназначены для качеств, либо количеств, анализа состава жидких сред. Области применения анализ галоген-и серосодержащих соед.. >г.7гводородов, спиртов, альдегидов, кетонов, эфиров и лр предел обнаружения 10 % (см. также Масс-спектро.иетрич). [c.151]

Электрич. св-ва выявляются у М. при воздействии на них электрич. поля, в нек-рых случаях-при нагр. или мех. деформавд1И. По величине электропроводности М. делят на проводники (металлы, интерметаллиды), полупроводники (мн. халькогениды) и диэлектрики (кислородные и галогенные соед.). Диэлектрики не проводят электрич. тока, но на пов-сти нек-рых из них могут возникать электрич. заряды в результате нагревания (пироэлектричество, напр., в турмалине), давления, сжатия, растяжения (пьезоэлектричество в кварце) и трения (трибоэлектричество). [c.88]

Химия галогенов, особенно фтора, получила мощный импульс развития во 2-й пол. 20 в. в связи с развитием металлургии, атомной и ракетной техники, произ-в орг. в-в, полупроводниковых и др. материалов. Заметному увеличению числа исследований неорГ. фторидов способствовало открытие в 1962 фторйдов благородных газов. В 70-80-х гг. расширилось применение атомарных и ионизированных галогенов, каталитич. р-ций галогенировання. Многообразие соед. галогенов и широкий диапазон их св-в сделали эти соед. удобтлми объектами для изучения осн. задач Н.х. [c.211]

Получают Т. методами, используемыми для синтеза полимеров полимеризацией (радикальной, катионной, анионной), поликонденсацией, механохим. обработкой смесей полимеров или сочетанием разл. методов. Важнейшие пром. типы Т.-диенвинилароматические, уретановые, полиэфирные и полиолефиновые (см. табл.). Получены также поли-эфир-полиамидные, силоксановые, галоген- и фосфорсодержащие и другие Т. [c.548]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология