Ионы галогенов

Энергня ионизации атомов фтора и хлора составляет соответственно 17,4 и 13,0 -эВ, а энергия сродства к электрону — 3,45 и 3,61 эВ. Для какого из этих элементов более характерно образование ионных соединений Указать знак заряда ионов галогенов в этих соединениях. [c.60]

В основе получения галогенов в свободном состоянии из их природных соединений лежит окислительно-восстановительная реакция, в результате которой происходит окисление отрицательных однозарядных ионов галогенов до атомов [c.213]

Аналитические ионы галогенов можно определить по характерным качественным реакциям. Так, при взаимодействии растворов галогенидов (кроме фторидов) с нитратом серебра образуются нерастворимые осадки, например [c.107]

В организме человека содержатся ионы галогенов. Какую роль играют ионы хлора, брома и иода в жизнедеятельности организма [c.83]

Ионы галогенов в меньшей степени влияют на аНодное поведение титана, тантала, молибдена, вольфрама и циркония, и их пассивное состояние может сохраняться в среде с высокой концентрацией хлоридов, в отличие от железа, хрома и Ре—Сг-спла-вов, теряющих пассивность. Иногда это объясняют образованием на перечисленных металлах (Т1, Та, Мо и др.) нерастворимых защитных основных хлоридных пленок. Однако в действительности подобная ситуация возникает благодаря относительно высокому сродству этих металлов к кислороду, что затрудняет замещение ионами С1 кислорода из пассивных пленок, вследствие более высоких критических потенциалов металлов, выше которых начинается питтингообразование. [c.85]

Какова конфигурация внешних электронных оболочек ионов галогенов [c.43]

Адсорбируясь на поверхности металла, эти вещества могут существенно снижать скорость электрохимических реакций, вызывающих коррозию. Ионы галогенов в кислых растворах способствуют адсорбции ряда органических соединений (преимущественно азотсодержащих органических оснований) на поверхности железа и мягких сталей и, следовательно, усиливают замедляющее действие ингибиторов. [c.641]

Донорами электронов могут служить молекулы соединений азота (аммиак, триметиламин, пиридин и др.), кислорода (окись углерода, вода, диметиловый эфир и др.), а также ионы галогенов. Благодаря этому они могут соединяться с подходящими акцепторами электронов, а некоторые из них служить мостиками между двумя частями различных структур, например, в многоядерных комплексах (I), в осадках гидроксидов металлов (II) и др. [c.88]

Точно гак же поляризуемость ионов галогенов изменяется в следующей последовательности [c.152]

Рассмотрите реакции между ионами галогенов Р , С1 . Вг I- и следующими комплексными ионами [c.110]

К основаниям по Льюису относятся вещества, содержащие аминный азот (аммиак, алифатические и ароматические амины, пиридин и т. п.), кислородсодержащие соединения общей формулы НгСО, где Н — органический радикал или атом галогена, ионы галогенов. [c.252]

В образовании слабых химических связей могут участвовать как молекулы, так и ионы. Слабые химические взаимодействия, возникающие с участием молекул, наблюдаются при образовании ряда комплексов, например комплекса п-ксилола с тетрабромидом углерода, и ассоциатов, например (С Не)2. Слабые химические взаимодействия, возникающие с участием ионов, наблюдаются тогда, когда ионы имеют заполненные электронные оболочки. Примером такого взаимодействия мОжет служить взаимодействие отрицательно заряженных одноатомных ионов галогенов с нейтральными молекулами галогенов, которое приводит к образованию полиатомных ионов, например Ь, 1СЦ и др. [c.342]

Состав и pH раствора. Точечная коррозия проявляется прежде всего в нейтральных или почти нейтральных растворах, содержащих ионы галогенов (особенно ионы хлора). Металлы, помещенные в сильнокислые растворы, подвергаются интенсивной равномерной коррозии. Необходимым условием возникновения точечной коррозии является наличие в коррозионной среде, помимо ионов хлора, окислителей (кислорода, Ре +, Си +, Нд2+ и др.). [c.443]

Опыт 6. Характерные реакции на ионы галогенов [c.136]

Все атомы галогенов имеют сходную электронную конфигурацию— семь электронов во внешнем слое (s p5). Эти элементы—наиболее электроотрицательные члены соответствующих периодов. Атомы и ионы галогенов характеризуются также довольно высокой компактностью расположения орбиталей. [c.494]

Величина -потенциала существенно зависит от концентрации ионов в растворе. Чем больше концентрация ионов, тем большее количество противоионов накапливается в слое Гельмгольца и тем меньше их оказывается в диффузном слое. На распределение противоионов в двойном и диффузном слоях оказывает влияние валентность (точнее, заряд) противоинов. Чем больше заряд противоионов, тем сильнее они притягиваются к заряженной поверхности твердого тела, тем тоньше диффузный слой и соответственно меньше величина дзета-потенциала. Существенным также является поляризуемость и гидратация противоионов. Чем больше поляризуемость противоионов, тем больше дополнительные силы притяжения к заряженной поверхности, тем тоньше становится слой Гельмгольца. Поскольку радиусы анионов, как правило, значительно превышают радиусы катионов, то это облегчает их деформацию и способность поляризоваться. Если расположить близкие по своей природе ионы галогенов по возрастанию их радиуса (от Г до 1 ), то в том же порядке возрастут способности этих инов снижать толщину слоя Гельмгольца и соответственно уменьшать дзета-потенциал. [c.412]

Н Яа/а) к этиленовым и ацетиленовым соединениям, регенерируют исходные непредельные под действием ионов галогенов [c.348]

Эта зависимость использована нами для разработки нового метода нахождения энергии сольватации отдельных ионов. Метод основан на том, что разность величин энергии сольватации изоэлектронных ионов галогенов и щелочных металлов [11 — 6 сще+) падением Ип стремится к нулю. [c.169]

И ионов галогенов и из разностей энергий сольватации иона водорода и ионов щелочных металлов. Суммы п разности энергий находят нз э. д. с. цепей без переноса и с переносом. [c.170]

Спектры поглощения большинства ионов галогенов в воде могут быть получены без всяких помех, [c.181]

Пример 3. Определить, какие из отрицательно заряженных ионов галогенов Р , С1 и Вг могут быть окислены до свободных атомов двуокисью свинца (РЬОа) в кислой среде. Находим в табл. 6 приложения стандартные окислительновосстановительные потенциалы соответствующих полуэлементов [c.157]

Все перечисленные выше методы не позволяют однозначно оценить кислотность неводных растворов в единой шкале. Вопрос об этой шкале может быть решен только на основании данных о величинах химической энергии сольватации протонов в различных растворителях. В настоящее время эти данные получены на основании подсчетов сумм и разностей химических энергий сольватации ионов в неводных растворах из данных об электродвижущих силах цепей без переноса и с переносом в неводных растворах. Путем экстраполяции величин суммарной энергии сольватации ионов водорода и ионов галогенов (ионы галогеноводородных кислот) и разностей энергий сольватации ионов водорода и ионов щелочных металлов, как было сказано в гл. IV, была определена энергия сольватации протона и других ионов в различных растворителях. [c.419]

Многие лиганды (в частности, ННз, НаО, ионы галогенов) не имеют таких орбиталей с энергией, близкой к энергии 2 -орбиталей центрального иона. Между этими лигандами и атомом металла не-образуется я-связей. [c.229]

При электролизе с нерастворимым анодом на электроде может окисляться или ион ОН , или другие ионы, или недиссоциированные молекулы восстановителей, присутствующие в растворе. Как видно из табл. 20 и рис. 66, потенциал кислородного электрода в широкой области pH отрицательнее потенциалов галоидных ионов (за исключением иона 1 ). Однако при наличии в растворе ионов галогенов вследствие высокой поляризации реакции выделения кислорода в первую очередь на аноде выделяется иод, затем — бром. При наличии ионов С1 в растворе при малых плотностях тока идет выделение кислорода, при высоких плотностях тока наряду с этой реакцией идет также окисление ионов С1 и выделение С1г. Фтор из-за положительного значения потенциала не может быть выделен из водных растворов на аноде, его получают электролизом расплавленных фторидов. На аноде не окисляются также ионы 50Г, РО4, МОз, поэтому в их присутствии в растворе на нерастворимом аноде протекает лишь реакция выделения кислорода. [c.204]

К кислотам Льюиса относятся галогениды бора, алюминия, фосфора, мышьяка, сурьмы и многих других элементов, ё- и /-ионы комплексообразователи и т. п., к основаниям ЛьюИса — кислород и азотсодержащие соединения, ионы галогенов и др. [c.286]

Наиболее сильные восстановители — атомы элементов щелочных и щелочноземельных металлов. Наиболее слабые восстановители — благородные металлы и ионы галогенов (за исключением нона иода). [c.172]

Напомним, что прп помощи ионов серебра Ag+ можно обнаружить присутствие в растворе ионов галогенов, а при помощи ионов галогенов можно обнаружить ионы серебра Ag+ при помощи ионов Ва + можно обнаружить ионы S04 - и наоборот и т. д. [c.168]

Это противоречие для реакций, протекающих в водном растворе, можно объяснить с учетом приводимых ниже энергий диссоциации молекул и гидратации ионов галогенов [c.141]

Отрицательно заряженные ионы галогенов по своей способности быть донорами электронов резко различаются между собой, располагаясь в такой ряд [c.529]

Энтальпии образования кластеров определены для ионов щелочных металлов, иона водорода и ионов галогенов. Присоединение каждой новой молекулы воды, как и следовало ожидать, отвечает все меньшему значению АЯ (табл. 24). [c.235]

Какой из ионов галогенов (Г ) — F , I", Вг, 1 — можрт быть окислен ноно.м Ре- по схеме Ре - -f Г Ре " - - Г. [c.109]

Запись данных опыта. Что наблюдали В каком случае произошло восстановление Fe lg и соответственно окисление галогена Согласуются ли результаты опытов б и б с относительными значениями стандартных электродных потенциалов соответствующих окислительно-восстановительных систем (опыт 3, в). Как изменяется восстановительная способность отрицательных ионов галогенов Расположить их в ряд по возрастающей восстановительной активности. [c.135]

Выполнение работы. Образование осадков Ag l, AgBr и Agi является характерной реакцией на ионы галогенов. Получить указанные вещества реакцией обмена. Необходимые растворы соответствующих солей брать в количестве 4—5 капель. К полученным осадкам добавить по 2—3 капли 2 и. раствора азотной кислоты. Наблюдается ли их растворение [c.136]

Как уже говорилось выше, водород также можно присоединить к галогенам, так как он может образовать ионы Н", которые, как и ионы галогенов (F , l", Вг, I, At ), изоэлектронны атомам благородных газов (соответственно Не, Ne, Аг, Кг, Хе, Rn). К этому признаку сходства можно добавить газообразное состояние водорода, двухатомность его молекул, легкость замещения водорода в органических соединениях галогенами, близость энергий разложения молекул На и Hal2, соизмеримость потенциалов ионизации водорода и первых потенциалов ионизации галогенов и т, д. Разумеется, нельзя не учитывать отличие водорода от галогенов (оно обусловлено тем, что галогены как р-элементы образуют соединения, в которых имеют степень окисления больше единицы). Однако аналогия в свойствах водорода и галогенов более значительна, чем в свойствах водорода и металлов (см. стр. 90). Есть еще один серьезный довод в пользу этого утверждения — результаты применения методов сравнительного расчета. На одном примере это иллюстрируется рио. 37 на нем сопоставлены температуры и теплоты плавления в ряду галогенов точка для водорода оказалась на одной прямой о точками для гало- [c.95]

Лигандами в комплексных соединениях часто бывают ионы галогенов N , N S", NOa, ОН", SO4 , aO4 , СОз и нейтральные молекулы НаО, NH3, NjH 4 (гидразин), sHeN (пиридин), NHa—СНа— [c.214]

Этот ряд получил название спектрохимического ряда. Величина ЮВ, лежит обычно в интервале 10 000—30 000 см (120—360 кДж/моль). Если выбрать из этого ряда сферические ионы галогенов, то сила создаваемого ими поля действительно изменяется в последовательности, предсказываемой формулой электростатической теории Г <Вг <СГ < <Р <Н . Но в целом ряд указывает, что связь между центральным ионом и лигандами не является чисто электростатическим взаимодействием (ионным или ион-дипольным), как предлагает модель теории кристаллического поля, существенно влияние и других, неэлектростатических эффектов на величину расщепления /-уровня. Таким эффектом может, быть, например, образование я-связей между лигандом и центральным ионом, что не учипзшается теорией кристаллического поля. За границу между слабым и сильным полем весьма условно можно принять 101), =20 ООО см (240 кДж/моль). [c.241]

Расположите ионы галогенов по их восстанавливающему действию. Объясните вёсьма слабую восстановительную активность иона фтора. [c.297]

Помимо рассмотренных, есть еще одна группа реагентов, которые уже в очень малой концентрации мешают образованию па ссивны.ч слоев или пленок и спосо бствуют их разрушению. Это так называемые ионы-активаторы, самыми энергичными из которых являются ионы галогенов С1 , Вг", J и Р . [c.406]

Геометрическая форма (симметрия) комплексного иона зависит и от природы лигандов, т. е. от степени их взаимодействия между собой. Для одинаковых лигандов, например в ацидокомп-лексах, можно предвидеть геометрию комплексных ионов. Как показал М. А. Порай-Кошиц, ацндокомплексы с ионами галогенов, ионами СЫ-, N5-, ЫОз, образованные ионами железа (II) и кобальта (III), имеют форму октаэдра, никель (II) с ионами СЫ дает тетраэдрический комплекс, а с остальными вышеуказанными лигандами октаэдрический, ион меди (И) образует октаэдр с лигандами СЫ и N0 , со всеми остальными получается октаэдр (или искаженный тетраэдр), палладий (II) и платина (II) образуют квадратные комплексы. [c.227]