Электрон максимум и минимум

Энергия, необходимая для отрыва одного электрона от атома, называется первым потенциалом ионизации. Если атом имеет несколько электронов, то он соответственно характеризуется несколькими потенциалами ионизации — вторым потенциалом, т. е. энергией, необходимой для отрыва второго электрона от однозарядного иона, третьим — энергией, необходимой для отрыва электрона от двухзарядного иона, и т.д. Каждый последующий потенциал всегда больше предыдущего, так как по мере увеличения положительного заряда атомного остова он все более прочно удерживает остающиеся электроны в результате усиления кулоновского притяжения. Например, для алюминия первые три потенциала ионизации равны соответственно 6,0 18,8 и 28,4 эВ. Зависимость первых потенциалов ионизации от положения элемента в периодической системе приведена на рис. 13. Видно, что наблюдается отчетливая периодичность в изменении потенциалов ионизации, причем максимумы соответствуют инертным газам, имеющим заполненные электронные оболочки, а минимум — щелочным металлам, имеющим единственный электрон вне конфигурации инертного газа. [c.48]

В соответствии с теорией химической связи комплексы переходных металлов четвертого периода можно классифицировать преимущественно на ионный и ковалентный типы. Центральный атом (металла) в ионном комплексе имеет те же электронное строение и магнитный момент, что и свободный ион металла по правилу Хунда такому состоянию отвечает определенный максимум числа неспаренных электронов. В ковалентных комплексах электронное строение центрального атома отвечает минимуму неспаренных электронов, что достигается за счет спаривания части этих электронов под влиянием поля лигандов. [c.165]

Инж. А. И. Кубарев на электронно-счетной машине Стрела определил точные значения и к,, для сочетания некоторых законов распределения отклонений составляющих звеньев. Затем для сочетания данных законов распределения приближенные значения а,, и определялись по формулам (63) и (64). Приближенные значения определялись потому, что допуск и координаты середины поля допуска замыкающего звена подсчитывались по методу максимум-минимум 32 [c.32]

Остаточная электронная плотность (максимум/минимум) [c.413]

Надежность идентификации абсорбционным методом определяется числом совпадающих спектральных характеристик (максимумов, минимумов и точек перегиба) в спектрах определяемого соединения и надежного стандарта. В видимой и УФ-областях число таких характерных параметров часто ограничено. Идентификация на основе сравнения лишь одной пары спектров может быть сомнительна. Иногда идентичность определяемого вещества и стандарта можно подтвердить сравнением их спектров, полученных при использовании других растворителей, при разных значениях pH или после дальнейшей химической обработки. Следует отметить, однако, что положение максимумов поглощения электронных спектров многих хромофоров мало зависит от структурных особенностей связанных с ними непоглощающих групп поэтому идентифицировать можно только поглощение функциональной группы, а для определения остальных групп следует привлекать другие методы исследования. [c.146]

Этим же коллективом авторов испытан и машинный каталог электронных спектров поглощения (ЭСП) [12]. В информационный банк рассматриваемой системы вводили следующие сведения название соединения, его номер по каталогу основного фонда, брутто-формулу, молекулярный вес, температуры плавления и кипения, если они имеются, код хромофорной группы и описание ЭСП. Кодирование ЭСП проводили представлением спектральной кривой узловыми точками линейно-ломаной линии, аппроксимирующей спектральную кривую с выбранной степенью точности. При этом важно, чтобы все характерные точки спектральной кривой (максимумы, минимумы, перегибы) оказались узловыми точками (рис. 4), [c.22]

Например, для реакции дегидрирования циклогексана на окислах переходных металлов с разным числом -электронов (п) на кривой зависимости lg г от п наблюдаются два максимума при п = 3 и 8, а при =0 5 и 10 — минимумы (рис. 113,6) (к — константа скорости реакции). [c.459]

Фрумкин С сотрудниками [165] изучал действие кислорода "на железо, в результате которого происходит пассивация последнего. В этом случае ионы железа также мигрируют поверх первого мономолекулярного слоя окиси, увеличивая тем самым способность металла испускать электроны. В зависимости от температуры процесс окисления заканчивается после образования на поверхности металлического железа от двух до четырех слоев окиси, которые предохраняют металл от дальнейшего окисления точно также, как два слоя окиси цезия, находящиеся на поверхности цезия, защищают его от окисления при —180° С. При 100° С максимум разности потенциалов по отношению к вольфраму (минимум работы выхода) наблюдается в том случае, когда покрытие адсорбированным кислородом составляет 22-10 молекул на 1 см" истинной поверхности железа (см. рис. 23). При 270° С этот максимум соответствует адсорбции 72-10 молекул кислорода. После перехода через максимум первоначальная разность потенциалов по отношению к вольфраму достигается при указанных температурах в присутствии соответственно 60 10 и 100-10 молекул адсорби- [c.106]

Наряду с резко выраженными максимумами и минимумами кривой энергии ионизации наблюдаются слабо выраженные, что можНо объяснить с помощью двух взаимосвязанных представлений об экранировании заряда ядра и о проникновении электронов к ядру. [c.30]

ОТ электронной конфигурации атома, и в характере его изменения с увеличением порядкового номера элемента наблюдается отчетливо выраженная периодичность. Периодическая зависимость сродства к электрону атома от его порядкового номера показана на рис. 14. Сравнение с кривой энергии ионизации показывает, что максимумы и минимумы сродства к электрону смещены по сравнению с энергией ионизации на один элемент влево. [c.33]

По одну сторону от ядра (на рисунке — справа) волновая функция положительна, и здесь на кривой имеется максимум, по другую сторону от ядра (на рисунке — слева) волновая функция отрицательна, на кривой имеется минимум в начале координат значение ф обращается в нуль. В отличие от я-электронов, [c.55]

На кривой энергии ионизации наряду с резко выраженными экстремальными точками наблюдаются слабовыраженные максимумы и минимумы. Наличие их можно объяснить с помощью двух представлений об экранировании заряда ядра и о проникновении электронов к ядру. Эффект экранирования заряда ядра обусловлен наличием в атоме между электроном и ядром других электронов, которые ослабляют воздействие на этот электрон положительного заряда ядра. Эффект проникновения электронов к ядру обусловлен тем, что все электроны могут находиться в определенные моменты времени в области, близкой к ядру. Внешние электроны также проникают к ядру через слои внутренних электронов. Эффект проникновения увеличивает прочность связи внешних электронов с ядром. [c.228]

Устойчивость комплексов [M(H20)6] +, как и других комплексов со слабыми лигандами, например [МРе] , возрастает по мере заполнения электронами /ге-уровня. Первый максимум на кривой констант нестойкости достигается у иона ванадия [V (Н20)б] что выражается в минимальном значении константы нестойкости этого иона. При переходе к иону [Мп(Н20)б] константы нестойкости повышаются, что отвечает заполнению уровней 28 и eg неспаренными электронами. Далее максимум устойчивости и минимум констант нестойкости приходится на ион [М1(Н20)б] +, у которого 2й УРовень заполнен спаренными электронами, а уровень ед содержит только неспаренные электроны. При дальнейшем заполнении уровня центрального атома электронами константы нестойкости возрастают. [c.343]

Эта функция является периодической и имеет максимумы и минимумы, которые с ростом х становятся все менее заметными. Первые четыре максимума соответствуют значениям х, равным 7,73 14,06 20,46 и 26,66. Очевидно, что умножение функции (sin х)/х на постоянную величину изменит только амплитуду колебаний и не повлияет на положение максимумов. Не изменит их положения также и прибавление к данной функции какой-либо постоянной величины это приведет лишь к поднятию всей кривой над осью х. Таким образом, интенсивность рассеяния электронов двухатомными молекулами, описываемая соотношением (II 1.4), является периодической функцией величины sr эта функция имеет максимумы, отвечающие значениям sr, равным 7,73 14,06 20,46 26,66 и т. д. Из рис. 55 видно, что наиболее резким является первый максимум. [c.126]

Зависимость значений первых потенциалов ионизации от положения элемента в периодической системе приведена на рис. 13. Видно, что наблюдается отчетливая периодичность в их изменении, причем максимумы соответствуют инертным газам, атомы которых имеют заполненные электронные оболочки, а минимумы — атомам щелочных металлов, имеющим единственный электрон вне конфигурации инертного газа. [c.54]

Энергия диссоциации молекулы достигает максимума у и спадает до минимума у Мп , затем снова возрастает. Это можно объяснить тем, что внешний электронный слой всех соответствующих атомов (кроме Сг) —это закрытая 4 оболочка. Как видно было на примере Ве, она не может привести к образованию связи между одинаковыми атомами. Если атом возбудить до ближайшего состояния с открытой оболочкой, он сможет вступить в соединение с другим таким же атомом. Выделяющаяся при этом энергия связи будет компенсировать энергию, затраченную на возбуждение атомов. Чем выше была энергия возбуждения, тем ниже будет энергия диссоциации образовавшейся молекулы. Например, [c.124]

Если эта волна также отвечает сильному отражению, то и она должна быть сдвинута по фазе так, чтобы гребни проходили через точки пересечения (или вблизи точек пересечения) гребней волн к1к и и /12 2 2 (рис. 48, б) это не только усилит максимумы А, но и ослабит ложные минимумы в точках В [первое требование к электронной плотности, р(/ о) 0]. [c.124]

Порядок заполнения электронами энергетических уровней и подуровней диктуется стремлением системы ядро—электроны к состоянию с. . . (минимум, максимум) энергии. [c.368]

Ионизационные потенциалы увеличиваются в следующем порядке А < 2 < 3 < порядкового номера элемента . Резкие максимумы соответствуют атомам благородных газов, которые обладают наиболее устойчивой электронной конфигурацией. Минимумы кривой характерны для щелочных металлов, атомы которых, отдавая свой единственный s -электрон внешнего слоя, приобретают конфигу- [c.28]

ЭФД обладают рядом преимуществ перед другими типами дисплеев высокой контрастностью [отношением яркости (максимум — минимум)/минимум до 40 1] длительностью срока службы (до 10 переключений) малым расходом энергии (токи 0,1 мА/см , 0,5 В) малыми размерами элемента (0,2 мм), позволяющими использовать их для крупных плоскопанельных устройств, например для создания электронной газеты с длительной и твердой памятью (хорошей адгезией к электроду). [c.221]

При сближении двух атомов металла, напр. Li, образуется ковалентная связь, при этом происходит расщепление каждого энергетич. уровня валентного электрона на два. Когда N атомов Li образуют кристаллич. решетку, перекрывание электронных облаков соседних атомов приводит к тому, что каждый энергетич, уровень валентного электрона расщепляется на N уровней, расстояния между к-рыми из-за большой величины N настолько малы, что их совокупность может считаться практически непрерывной зоной энергетич. уровней, имеющей конечную ширину. Поскольку каждый атом участвует в образовании большего числа связей, чем, напр., в двухатомной молекуле при том же числе валентных электронов, то минимум энергии системы (или максимум энергии связи) достигается при расстояниях больших, чем в случае двухцентровой связи в молекуле. Межатомные расстояния в металлах заметно больше, чем в соед. с ковалентной связью (металлич. радиус атомов всегда больше ковалентного радиуса), а координац. число (число ближайших соседей) в кристал1шч. решетках металлов обычно 8 или больше 8, Для наиб, часто встречающихся кристаллич. структур координац. числа равны 8 (объемноцентрир. кубич.), 12 (гранецентрир. кубическая и гексагон. плотноупакованная). Расчеты параметров металлич. решеток с использованием ковалентных радиусов дают заниженные результаты. Так, расстояние между атомами Li в молекуле Lij (ковалентная связь) равно 0,267 нм, в металле Li-0,304 нм. Каждый атом Li в металле имеет 8 ближайших соседей, а на расстоянии, в 2/ч/з раз большем,-еше 6. Энергия связи в расчете на один атом Li в результате увеличения числа ближайших соседей увеличивается с 0,96-10"Дж для Lij до 2,9-10 Дж для кристаллич. Li. [c.41]

Электронно-колебат. взаимод. может быть достаточно сильным для того, чтобы даже в невырожденном основном электронном состоянии минимум на потенц. пов-сти сместился от наиб, симметричной конфигурации йо к менее симметричной б]. Такой эффект наз. псевдоэффектом Яна-Теллера или Я.-Т.э. 2-го порядка, поскольку для расчета волновых ф-ций и электронных энергай используется 2-й порядок теории возмущений. При достаточно слабом псевдоэффекте Яна-Теллера минимум, отвечающий конфигурации Йо, соманяется, но потенц. пов-сть вблизи минимума становится более пологой. При сильном же псевдоэффекте минимум перемещается от конфигурации к конфигурации Q , причем бо становится локальным максимумом (говорят о структурной неустойчивости конфигурации бо)- [c.533]

Энергия ионизации увеличивается в следующем порядке / порядкового номера элемента 2. Резкие максимумы соответствуют атомам благородных газов, которые обладают наиболее устойчивой электронной конфигурацией Минимумы кривой характерны для щелочных металлов, атомы которых, отдавая свой единственный 5-электрон внешнего уровня, приобретают конфигурацию атома предшествующего благородного газа. Таким образом, периоды на кривой рис. 1.7 полностью соответствуют периодам системы Менделеева. В пределах одного периода /1 изменяется не монотонно. На кривой наблюдаются вторичные менее резкие максимумы, соответствую- [c.26]

Наличие глубокой потенциальной ямы на потенциальной кривой слева от положительного максимума объясняет механическую прочность коагулята. Частицы на близких расстояниях прочно связываются друг с другом в результате действия ван-дер-ваальсовых сил, и образовавшиеся агрегаты приобретают некоторые свойства твердого тела. Минимум потенциальной кривой, расположенный в области отрицательных значений энергии взаимодействия, очевидно, объясняется уравновешиванием силы молекулярного притяжения силой отталкивания электронных оболочек (силы Борна) и отвечает физическому контакту обеих частиц. Это наиболее устойчивое состояние системы, в котором она обладает наименьшей свободной энергией. [c.280]

Если вычесть величины ЭСКП, вычисленные по данным выше приведенной таблицы с использованием и экспериментально найденных величин Од, из опытных значений АЯ, то кривая, построенная по уточненным данным, приблизится к плавной кривой. Найдено, что для большинства октаэдрических спин-свободных комплексов переходных металлов как в твердом виде, так и в растворах характерна двугорбая кривая (если не внесены поправки). Аналогичное изменение АЯ с ростом атомного номера, но с некоторыми особенностями и найдено для комплексов иной симметрии, чем октаэдрическая, причем максимум или минимум приходится на электронные конфигурации с , и [c.291]

Для атомов значение первого потенциала ионизации, соответствующего удалению наиболее слабо связанного электрона из атома в основном состоянии, составляют от 3,894 В для Сз до 24,587 В для Не. На рис. 12 приведена зависимость изменения потенциалов ионизации элементов от порядкового номера. Из ри сунка видно, что периодическая зависимость /=/(2) характерна зуется наличием экстремумов. Причем максимумы характернь) для атомов благородных газов, минимумы —для атомов щелоч- [c.69]

Согласно другому виду классификации различают внешне-орбитальные и внутриорбитальные комплексы. Гибридные орбитали центрального атома, участвующие в формировании связей с лигандами, относятся во вн шнеорбитальных комплексах к ПЗ-, пр- и п -подуровням атома металла, а во внутриорби-тальных комплексах —к (п—1) -. пз- и пр-подуровням. По третьему виду классификации комплексы делят на высокоспиновые и низкоспиновые, т. е. содержащие центральные атомы с максимумом и минимумом неспаренных электронов, но без уточнения ионности или ковалентности связи. [c.165]

Согласно этому выражению, минимум энергии отвечает транс-конфигурации молекулы (ф = 0), а максимум—г с-конфигурации (ф = = 180° рис. 8.15). В состоянии ч с-конфигурации расстояние i.... ..С4 = 2,7 А, что значительно меньше 2R — 3,6 А. Следовательно, в iju -конфигурации электронные облака валентно не связанных атомов углерода перекрываются на Д/ = 0,9 А. Поэтому эти атомы будут отталкиваться. Энергетически более устойчивой является транс-конфигурация, согласно которой в н-парафинах атомы углерода образуют зигзагообразные цепочки с валентным углом ССС, несколько большим тетраэдрического. [c.219]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология