Однородный слой ионита

До сих пор речь шла о молекулярных силах в системах, составленных из однородных по своим свойствам слоев. Ситуация осложняется, например, в случае растворов, состав и концентрация которых в тонкой прослойке становятся зависящими от координаты точки внутри прослойки. Как показано в главах VI и V, в этом случае силы взаимодействия не сводятся только к молекулярным и появляются дополнительные составляющие, связанные с перекрытием диффузных слоев ионов (электростатическая составляющая расклинивающего давления) или нейтральных молекул (адсорбционная составляющая). [c.94]

Состав электролита, плотность тока и другие условия должны быть подобраны так, чтобы получался очень мелкозернистый однородный слой, прочно сцепленный с подложкой. Для улучшения сцепления иногда предварительно наносят очень тонкий слой какого-нибудь металла, который образует твердые растворы и с металлом подложки, и с наносимым поверх него металлом. Образованию микрокристаллической структуры обычно способствует применение в качестве электролита комплексных соединений (чаще всего солей цианистоводородной кислоты). Растворы для нанесения гальванических покрытий могут также содержать буферные добавки, небольшие добавки поверхностно-активных веществ, которые, как установлено опытным путем, улучшают структуру покрытия, и инертные электролиты. От раствора требуется хорошая рассеивающая способность , т. е. способность давать однородное покрытие и в том случае, когда у изделия имеются выступы (они расположены ближе к аноду) или впадины (где, по-видимому, плотность тока меньше). От инертных электролитов зависит относительное количество материала, приносимого к поверхности за счет проводимости. На рассеивающую способность влияют также изменение перенапряжения (см.) при изменении плотности тока, скорость диффузии и химическая устойчивость различных комплексных ионов, имеющихся в приповерхностном слое. [c.37]

В случае большой скорости адсорбции поверхность электрода практически все время и полностью покрыта слоем по-верхностно-активного вещества, поэтому она ведет себя как энергетически однородная, и ионы металла в этом случае разряжаются одинаково на всех участках поверхности,, несмотря на наличие адсорбированных молекул. Благодаря этому электролитический осадок получается равномерным. [c.120]

Прежде чем заполнить колонку, смолу взмучивают в прокипяченном водном спирте той же концентрации, что и элюирующая смесь, и выдерживают некоторое время, чтобы из смолы удалились пузырьки воздуха. Когда ионит осядет на дно, избыток растворителя отделяют декантацией и густую суспензию (объем смолы в двух объемах водного спирта) переносят в колонку. Колонку промывают элюентом до тех пор, пока не образуется однородный слой ионита. После этого растворитель, находящийся над слоем смолы, отсасывают, в колонку переносят новую порцию суспензии и операцию повторяют. Перед хроматографическим разделением заполненную колонку приводят в состояние равновесия с элюентом данного состава, промывая ее элюентом не менее 16 ч. [c.60]

Заряд ионного двойного электрического слоя определяется избыточным количеством ионов одного знака в структурной геометрической единице. Под поверхностным избытком ионов здесь понимается та разность, которая существует между количеством ионов в объеме, включающем в себя область поверхности, и тем количеством, которое находилось бы, если бы фазы были полностью однородны вплоть до разделяющей их границы. Очевидно, что чем больше избыточных ионов одного знака находится на границе раздела, тем больше величина заряда. [c.15]

Адгезия (прилипание) — молекулярная связь между поверхностями двух соприкасающихся разнородных твердых или жидких тел (фаз). Адгезия измеряется работой Ар разрыва, или сопротивлением разрыва, на единицу площади контакта при данном виде деформации (отрыв, скалывание). Эту работу относят к единице площади. Адгезионное взаимодействие распространяется между жидкой и твердой фазами в глубь жидкости на расстояние нескольких молекулярных слоев и постепенно уменьшается. В более глубоких слоях начинает появляться когезионное взаимодействие. Когезия (сцепление) характеризует прочность однородных тел — силу сцепления молекул, ионов, атомов вещества в данном теле. Адгезионное взаимодействие между соприкасающимися поверхностями двух разнородных тел может перейти в проявляющееся в объеме однородного тела когезионное, или, образно говоря, разрыв соединяемых тел может произойти не по склеивающему шву, а по самому соединяемому материалу. Когезия определяется величиной работы Ак, необходимой для разделения од- [c.180]

Возможность зарождения двумерного зародыша, состоящего из одного слоя атомов, на чужеродной подложке невелика. Это может быть либо на активной сильно взаимодействующей подложке либо при очень больших пересыщениях, т. е. когда диаметр критического зародыша не превышает нескольких атомных размеров. В том случае, когда подложка идеальная (плоская, однородная и изотропная), образование зародышей равновероятно в любой ее точке. Но в большинстве случаев она неоднородна геометрически (ступени, углы, изломы, выходы дислокаций и т. п.), химически (различный состав ионов, адсорбция примесей) и электрически. Все это усложняет процесс гетерогенного зарождения кристаллика и затрудняет выяснение его закономерностей. [c.238]

Хотя в ряде работ экспериментально было доказано существование на поверхности металлов фазовых поли-молекулярных окисных пленок, все же на смену старым представлениям о пассивирующем слое с некоторым количеством сквозных пор как об изолирующем слое пришло представление об однородной сплошной пленке, состав которой зависит от потенциала электрода и которая имеет небольшую ионную и электронную проводимость. [c.437]

Перспективен метод молекулярно-пучковой эпитаксии. Процесс осуществляют в условиях глубокого вакуума (10 -10 мм рт.ст.) при использовании мол. пучков соответствующих элементов. Применение особо чистых исходных в-в, создание многокамерных установок с охлаждаемыми до низких т-р и вращающимися держателями подложек позволяют резко повысить чистоту выращиваемых слоев и их однородность. Разработан метод получения эпитаксиальных композиций, содержащих неск. летучих компонентов. Сушественно повышается гибкость процесса применением при наращивании слоев и их легировании ионных пучков, а также летучих соед. в качестве источников соответствующих элементов. Детальное исследование механизмов кристаллизации позволило оптимизировать условия травления подложек с получением атомно-гладких и атомно-чистых пов-стей, увеличить скорости роста слоев при сохранении рекордно низких т-р эпитаксиального наращивания. Все это позволяет получать этим методом многослойные эпитаксиальные структуры со сверхтонкими слоями и найм, толщинами переходных слоев. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращивают эпитаксиальные композиции 81, соед. типа А "В , А°В , А В и твердых р-ров на их основе. [c.61]

Работа мешалок в смесителях должна обеспечивать однородность пульпы и возможно большую скорость потока жидкой фазы по отношению к поверхности частиц фосфата. Перемешивание ускоряет диффузионный обмен ионов в пограничном слое и объеме раствора и повышает скорость реакции разложения фосфата. [c.48]

Проблема отложения осадков на поверхности мембран и способы снижения влияния осадков на поток через мембраны изучены в работе /5/. Исследования модуля с плоскопараллельными мембранами показали, что поверхностная скорость раствора является определяющим фактором стабильности потока через мембраны в широком интервале давлений и скоростей. Хотя это и не доказано, но влияние скорости на отложение осадков связано, возможно, с толщиной граничного слоя и способностью ионных и коллоидных веществ ди( >-фундировать от поверхностей мембран в объем раствора. Толщина граничных слоев зависит от числа Рейнольдса потока раствора, протекающего вдоль мембран. При определенной конфигурации оборудования в процессе обработки жидкости с однородными во всех точках объема свойствами толщина граничного слоя в данной точке определяется одной лишь скоростью /5,6/. [c.281]

В последние годы все шире исследуются свойства заряженных пленок, например пленок жирной кислоты иа щелочных подложках или пленок солей четвертичного аммония, и разрабатывается их теория. Как указывается в разд. П1-11Б, один из подходов к таким системам состоит в том, что поверхностный слой рассматривается как тонкая объемная фаза, ионный состав которой определяется доннановским равновесием. Картина электрических силовых линий в заряженном монослое дана на рис. 111-44 [211]. В плоскости СО, проходящей через ионные группы, поле является переменным, тогда как в растворе уже на небольшом расстоянии от этой плоскости дискретные заряды действуют почти так же, как однородная заряженная поверхность. Доннановский подход, по-видимому, наиболее оправдан, если ионы из раствора проникают в собственно область СО и фактически могут находиться между плоскостями СО и АВ. [c.145]

X у (средняя область концентраций). На поверхности этой системы могут образовываться а) отдельные слои соединений двух металлов б) слой смеси окислов в) слой двойного соединения типа шпинели, иапример М1Мв20 . Поведение сплавов при образовании на них однородных слоев (области концентраций 1 и 2), когда ионы легирующего металла растворимы в поверхностном соединении основного металла, может быть описано для диффузионного механизма процесса теориями Вагнера—Хауффе и Смирнова. [c.83]

Масс спектры лазерной десорбционной ионизации были за регистрированы на этой системе для ряда нелетучих образ цов — аминокислот, пептидов нуклеозидов сахаридов В боль шинстве случаев предел обнаружения составлял 1 нг/ см и менее Основная трудность при работе с этой системой зак лючалась в отсутствии воспроизводимости как относительных интенсивностей пиков основных ионов так и их абсолютных интенсивностей Главный источник этих изменений — неодно родность покрытия поверхности ленты образцом примеси и фоновые загрязнения Непосредственное нанесение раствора образца на ленту с последующим испарением растворителя не дает удовлетворительных результатов так как степень смачи ва1шя ленты и движение жидкости по поверхности влияют на однородность слоя и как следствие на форму пиков [61] Для полного испарения растворителя при ограничении испаре ния образца необходим тщательный баланс между потоком растворителя и скоростью испарения [c.43]

Первые теоретические исследования по эллипсометрии двойного слоя с учетом ионной адсорбции на ртути были проведены Стедманом [107], выполнившим расчеты для растворов NaF и КС1. Особое внимание было уделено важному вопросу о показателе преломления двойного слоя (ср. [105, 106]). В расчетах были приняты следующие допущения а) поверхностный избыток катионов и анионов дается теорией Гуи-Чэпмена для диффузного слоя, б) оптические свойства области двойного слоя могут быть описаны в терминах реорганизованного однородного слоя, оптически эквивалентного исходному двойному слою, в) влияние специфически адсорбированных ионов на показатель преломления не зависит от их взаимодействия с металлом (это предположение может нарушаться при крайних значениях потенциала ср. [21]) и г) для оценки показателя преломления ионных растворов может быть использовано уравнение Лоренц-Лореща (ср. [106]). Вопрос о показателе преломления межфазного слоя и его зависимости от типа присутствующих ионов и поля представляет интерес в связи с интерпретацией эллипсометрических результатов Геншоу и Бокриса [105], о которых мы уже упоминали выше. [c.443]

Понятие поляризуемости было использовано Вейлем и сотрудниками б91 для объяснения поверхностных явлений. Применительно к битумным покрытиям первостепенное значение имеет эффект поляризации ионов поверхности минеральных агрегатов при адсорбции воды. В этом отношении интересны опыты Вейля с вайо-мингским бентонитом. Поверхность этого адсорбента изменяли путем адсорбции различных катионов. Для удаления воды и получения однородных слоев глины заданной толщины гомогенные суспензии глины распыляли на пористые керамические плиты. После сушки покрытых глиной плит при ПО °С определяли смачиваемость слоя глины путем нанесения на,него капли свежеперегнанной воды. Измеряли контактный угол капли воды немедленно после нанесения, а также время, необходимое для полного исчезновения капли. Для сравнения брали глину, обработанную лауриламином, который, как известно, снижает смачиваемость водой вследствие наличия в нем длинных углеводородных цепей. [c.67]

Микроскопическое и рентгенографическое исследования электроосажденных сплавов показывают, что часто получаются пересыщенные, неустойчивые твердые растворы иногда получается слоистая структура, происходящая от периодического обеднения прикатодного слоя ионами более положительного металла и т. д. Методом длительного отжига часто можно привести сплавы в более однородное и равновесное состояние, (см. стр. 274). [c.363]

Начав с модификации формулы Киноситы, Францен и др. (1966) вывели гибкое аналитическое выражение для точного расчета отклика любого низкожелатинного слоя во всем диапазоне экспозиций. Вывод основан на представлениях об одноударных процессах взаимодействия на единичном однородном слое зерен AgBr и сложной функции распределения V, которая учитывает разброс размеров зерен, их форму и глубину проникновения ионов. Это уравнение можно представить в следующем виде [c.119]

В случае образования однородных слоев, когда ионы легирующего металла растворимы в поверхностных соединениях, образуемых легируемым металлом и газом, влияние легирования на скорость окисления можно предсказать на основе механизма Вагнера, как об этом уже говорилось на стр. 131. Вкратце характер влияния зависит от того, увеличивают или уменьщают ионы легирующего металла число дефектов в поверхностном соединении легируемого металла. [c.166]

Агрегат — структура, образованная из однородных или разнородных атомов или молекул и содержащая ядро из сочетания фракталов и слой потенциалсодержащих ионов. [c.315]

При газовом азотировании образование на поверхности е-фазы происходит в результате диффузии и постепенного увеличения концентрации азота в твердом растворе. При ионном азотировании в образовании диффузионного слоя помимо обычного процесса диффузии участвует процесс обратного катодного распыления, в результате которого атомы материала катода, выбитые с поверхности, соединяются в плазме тлеющего разряда с азотом и оседают на поверхности образца, покрывая ее равномерным слоем е -фазы. Если материалом служит легированная сталь, явление катодного распыления усложняется. В начале процесса один из металлов удаляется быстрее другого, в результате чего на поверхности сплава образуется тонкий спой нового однородного соединения. Это позволяет предположить, что приобретение поверхностью образцов из стали 38Х2МЮА защитных свойств связано, кроме нитридного слоя какого-либо из легирующих элементов. [c.173]

Количеств. И. м. проводят, используя теоретич. и эмпирич. градуировочные характеристики С, =/( 1, . Первые основаны на квантовомех. или термодинамнч. моделях механизма вторичной ионной эмиссии. Однако более точны эмпирич. методы с использованием многоэлементных однородных стандартных образцов, чистых в-в или ионнолегированных поверхностных слоев с заданным распределением элементов. При этом обычно рассчитывают коэф. относит, чувствительности (КОЧ)-отношение выходов вторичных ионов определяемого элемента для исследуемого и стандартного образцов К.ОЧ = (1J J) ( J J где и / -соотв. концентрация определяемого элемента и интенсивность ионной эмиссии в стандартном образце, /, и Х-доли измеряемых изотопов соотв. в исследуемом и стандартных образцах. [c.260]

Эффект Дорна связан с конвективным переносом ионов диффз ной части ДЭС при движении частицы в электролите. Конвективные потоки ионов поляризуют двойной слой, и частицы в целом приобретают дипольный момент. При этом силовые линии электрич. поля выходят за пределы двойного слоя. При движении в электролите ансамбля частиц с диполь-ными моментами, имеющими одну и ту же ориентацию, порождаемые этими моментами электрич. поля складываются и в системе возникает однородное электрич. поле, направленное параллельно (или антипараллельно) скорости движения частиц (фуппу движущихся с одинаковой скоростью частиц можно рассматривать как своеобразную мембрану, сквозь к-рую протекает электролит). Если частицы движутся в пространстве между двумя электродами, то на последних возникает разность потенциалов, к-рая м. б. измерена. В частном случае осаждения ансамбля частиц под действием сил фавитации эта разность потенциалов наз. потенциалом оседания (седиментац. потенциалом). [c.429]

Имеются также три главных недостатка 1) противоточный процесс является стационарным бинарным сепаратором. Если необ.кодимо отдельно получить три компонента, то потребуется иметь две колонки. Мы можем получить А как один продукт и смесь В и С как другой продукт в первой колонке, затем следовало бы разделить смесь В и С во второй колонке 2) устройство достаточно сложное 3) в практическом смысле до настоящего времени мы не знаем, как передвигать насадку в виде однородной пробки без перемешивания. Таким образом, разработка устройств с приемлемыми ВЭТТ — трудная задача. Исследования по развитию истинно противоточной хроматографии рассмотрено Баркером [7], Ренделлом [8], Сассманом и Разоре [9], Сассманом [10] и Баркером и сотр. [11, 12]. Одним из перспективных методов является использование магнитно-стабилизированных ожиженных слоев [13], разработанных Экзоном. Системы с движущимися слоями широко используют для ионного обмена [14, 15], однако там требуется намного меньше ступеней. [c.162]

При малых пересыщениях зарождение и рост кристаллов протекают с меньшими скоростями. В этих условиях кристалл растет за счет присоединения отдельных ионов (или молекул) и двухмерных зародышей, его грани развиваются равномерно и форма приближается к совершенной. Наоборот, при больших пересыщениях раствора скорость роста кристаллов увеличивается в результате присоединения трехмерных зародышей (более толстых слоев) и микрообразований (блоков относительно большого размера). При этом увеличивается разность скоростей нарастания отдельных граней, и форма кристалла отклоняется от совершенной. Присоединение крупных блоков часто приводит к образованию разветвленных кристаллических агрегатов (дендритов) и к их загрязнению включенными прослойками маточника. С увеличением пересыщения раствора скорость роста кристаллов отстает от скорости образования зародышей (пересыщение расходуется преимущественно на образование новых зародышей), поэтому уменьшается средний размер образующихся кристаллов. Следовательно, для получения крупнокристаллического продукта приходится осуществлять процесс при малом пересыщении в ущерб производительности. На практике стремятся обычно к получению крупных и однородных кристаллов, так как они легче отделяются от маточного раствора путем фильтрации, а также удобнее для упаковки, хранения и дозирования. [c.688]

Проиллюстрируем явление концентрационной поляризации в электродиа-лизной ячейке [19]. Для этого рассмотрим развитие течения в каналах концентрата и диализатора (рис. 7.5) при условии равенства концентрации соли в растворе на входе в эти каналы. Это условие означает, что раствор обладает постоянной электропроводностью. Во входном сечении профиль скорости считается развитым, а профиль концентрации — однородным. Поэтому вблизи входа распределение концентрации соли близко к однородному и раствор под действием электрического поля ведет себя как среда с постоянной по сечению электропроводностью. В частности, в такой среде и в мембранах падение потенциала линейное. Дальше, вниз по течению концентрация возле мембран в канале диализата падает, а в канале концентрата растет. У поверхности образуется концентрационный пограничный слой, толщина которого растет с увеличением расстояния от входа. В канале диализата падение потенциала, вызванное градиентом концентрации у мембран, больше, чем падение в растворе с такой же однородной средней электропроводностью. Резкое падение потенциала возле поверхности мембраны имеет ту же природу, что и падение потенциала возле электрода (см. раздел 7.1). После того, как концентрационные пограничные слои достигают оси канала, концентрация ионов начинает изменяться и на осях [c.145]

Снижение давления не препятствует формированию аметистовых центров окраски, однако ромбоэдрические кристаллы в подобных условиях интенсивно растрескиваются из-за недостаточно эффективного предварительного гидротермального протравливания затравочных пластин н сохранения дефектного, аморфизиро-ванного слоя кварца. При прочих равных условиях использование затравок, параллельных г-грани, обеспечивает возможность массового производства однородных кристаллов аметиста с промышленно приемлемыми скоростями и необходимой интенсивностью и чистотой фиолетовой окраски. При этом следует создавать в гидротермальном растворе избыток трехвалентных ионов железа и снижать содержание примесных ионов алюминия, с которыми, как уже отмечалось, связаны дырочные центры дымчатой окраски. В облученном кристалле спектры поглощения от обоих типов центров накладываются один на другой, что, естественно, ухудшает чистоту аметистовой окраски. Поскольку коэффициент захвата структурной примеси алюминия находится в прямой зависимости от температуры выращивания, в то время как коэффициент поглощения примеси железа в исследованном температурном интервале существенно не зависит от температуры, предпринимались попытки получения аметистов без дымчатого оттенка окраски за счет температуры синтеза. Однако они не увенчались успехом из-за снижения скорости роста и растрескивания кристаллов на разных стадиях процесса. Задача была решена путем более тщательного подбора шихтового кварца с минимальным содержанием примеси алюминия, а также за счет специальной обработки выращенных кристаллов, устраняющей дымчатую составляющую окраски. [c.182]

Переход от слоя с пузырями к равномерному исевдоожиже-нию наблюдали Харрисон и др, [40] и Кок [23] при псевдоожижении парафином поочередно частиц ионообменных смол, стекла, стали и свинца. На фото 7 (см. стр. 165) показаны псевдоожиженные системы при двух значениях порозности каждая. В то время как при псевдоожижении свинцовой дроби наблюдалось значительное образование иузырей, для системы ионит — парафин было характерно плавное и однородное псевдоожиже-иие. Частицы свинца, стали, стекла и ионообменной смолы имели примерно одинаковые размеры, но плотности нх были равны соответственно 11,32 7,43 2,90 и 1,50 г/слр. [c.100]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология