Фактор ориентации кристаллитов

Рассмотрим влияние на положение и форму спектров ЭПР анизотропии -фактора. Представим себе монокристалл, в котором все парамагнитные центры ориентированы одинаково относительно кристаллографических осей. При любой ориентации кристалла по отношению к внешнему- магнитному полю спектр будет регистрироваться при значениях поля, равных HQ=hv g , где g определяется по формуле (IX.7) или (IX.8). Поворот кристалла будет изменять величину Ё, а следовательно, и Яо. Так, например, при аксиально анизотропном --факторе (дх= у) g будет меняться от g=g (0 = 0) до g=g (0=я/2), а величины резонансного поля —от iI =h g р до Яx=/lv/gi р. Если парамагнитные центры ориенти- [c.237]

Большинство тел, имеющих кристаллическую структуру, т. е. обладающих на молекулярном уровне трансляционной симметрией, анизотропией и характеризуемых дальним порядком в расположении атомов, тем не менее не являются монокристаллами, так как они образованы большим числом отдельных случайно ориентированных кристаллов. Б макроскопических проявлениях такие тела, называемые поликристаллическими, занимают промежуточное положение между монокристаллами и аморфными телами. Определяющими факторами при отнесении их к той или иной группе являются размеры и степень взаимной ориентации кристаллов. [c.32]

Природа явления будет выяснена только при исследовании точно контролируемых поверхностей, для которых можно установить истинное значение таких факторов, как ориентация кристалла, природа адсорбированных и перестроенных поверхностных слоев, атомная и ионная подвижность в адсорбированных слоях, различие состава поверхности и объема плавленых катализаторов, наличие и природа объемных и поверхностных дефектов кристалла, электронное состояние твердого тела и т. п. Пока таким способом можно контролировать далеко не все важные катализаторы, но для некоторых из них контроль возможен, и это дает надежду на дальнейший успех. [c.190]

Ромбоэдрический угол равен примерно 102°, а расстояния между катионами слишком велики, чтобы был возможен эпитаксиальный рост окиси магния. Поэтому отсутствуют факторы, способствующие какой-либо определенной ориентации кристаллов окиси магния относительно кристаллов доломита. Те же самые соображения имеют силу и в отношении ориентации кристаллов окиси кальция. В то же время кальцит изоморфен с доломитом. Поэтому энергетические соотношения на поверхности раздела двух фаз обеспечивают ориентацию кальцита по отношению к доломиту, если только в ходе реакции не образуется в качестве промежуточного продукта окись кальция. При повышении температуры разложения скорость образования ядер увеличивается, а размер кристаллитов окиси магния уменьшается. [c.87]

Осуществление того или иного типа симметрии зависит от двух факторов ориентации элементов симметрии кристалла относительно [c.256]

По наблюдениям [847] электроны на дислокациях в галоидных кристаллах магнитно поляризованы, благодаря чему такие дислокации проявляют ферромагнитные свойства. Дислокации в кристаллах кремния оказываются носителями парамагнитных свойств [461, 462]. Спектры ЭПР от дислокаций в монокристаллах кремния состоят из ряда узких линий, положение которых зависит от ориентации кристалла в магнитном поле спектрометра. Это обусловлено анизотропией -фактора неспаренных электронов на дислокациях. Дислокации можно рассматривать как выстроенный в линию ряд разорванных связей. [c.271]

В работах [52, 53] приведены результаты исследования зависимости способности молекул к образованию жидких кристаллов от структуры молекул. Было установлено, что обязательным условием являются геометрическая анизотропия молекул и наличие не более одной группы с большим дипольным моментом. Ароматические соединения находятся в жидкокристаллическом состоянии при наличии одного ароматического ядра с заместителями в пара-положении, что обусловливает удлиненную форму. молекул. Если заместитель находится в орто-или мета-положении эта способность утрачивается. Возможность образования жидкокристаллического состояния возрастает при превращении кислоты в соль. Алифатические соединения реже чем ароматические соединения могут находиться в жидкокристаллическом состоянии, что обусловлено неустойчивостью длинных цепей алифатического ряда, что препятствует сохранению их прямолинейности в жидком состоянии. Карбоксильная группа в ароматических соединениях способствует образованию жидких кристаллов, а при превращении кислоты Б соль эта способность резко возрастает вследствие создания дополнительного фактора ориентации. [c.45]

Рассмотренные в предыдущей главе симметричные линии ЭПР могут получаться лишь в тех случаях, когда кристаллическое поле пренебрежимо мало либо имеет сферическую симметрию, т. е. когда = gy = g . В общем случае влияние кристаллических полей может привести, как это было показано в главе П1, к появлению тонкой структуры и зависимости положения линии от ориентации электрической оси кристалла в постоянном магнитном поле. Рассмотрим прежде всего те случаи, когда положение линии ЭПР зависит от ориентации, а тонкая структура отсутствует, т. е. когда расстояние между любыми соседними Зеемановскими уровнями одинаковы (это автоматически выполняется, например, при S Мы ограничимся анализом линий в кристаллическом поле осевой симметрии, т. е. случаем gx = = ёу = gL ёг = ё - В главе П1 было показано, что при произвольной ориентации кристалла в магнитном поле наблюдаемое значение -фактора и вероятность перехода W g) определяются формулами [c.97]

Так же влияет и симметрия самих частиц. Например, для металлов, обладающих шаровой симметрией ионов, фактор ориентации их совсем не играет роли, так как очевидно, что то или другое вращение шара ничего не меняет в расположении его относительно соседних частиц. Для силикатов же при малой симметрии их анионов только небольшое число относительных ориентаций отвечает расположению частиц в кристалле. [c.211]

Был изучен [44, 45]дихроизм полос 11,18 м- и 9,63 м" в капроновых волокнах с различной исходной кристалличностью в зависимости от степени вытяжки. На рис. 8.14 показана зависимость фактора ориентации для аморфных и кристаллических молекул от величины вытяжки. Из этих данных следует, что ориентация молекул, входящих в кристаллы, намного (в 2—3 раза) выше ориентации аморфных молекул и что исходная кристалличность влияет на ориентацию в кристаллах. Ориентация кристаллитов прекращается практически задолго до достижения максимальной вытяжки (насыщение зависимостей / и 2 на рис. 8.14 наблюдается уже при вытяжках Х=3,0). [c.245]

Если форма кристалла не может быть аппроксимирована как цилиндрическая или сферическая, расчет фактора поглощения значительно усложняется. Прежде чем приступить к интегрированию по формуле (29), для каждого отражения надо определить угол найти ориентацию кристалла, произвести разделение кристалла на отдельные участки в соответствии с его положением по отношению к первичному и дифракционному лучам (см. рис. 20,а и б) и определить пределы интегрирования в отдельных участках. После этого можно приступить к самому интегрированию. [c.64]

Это означает, что преимущество цилиндрических объектов заключается не только в упрощении расчета фактора поглощения (не нужно определять ориентацию кристалла, значения А берутся по табличным данным), но и в том, что в первом приближении можно вообще не учитывать ни фактора поглощения, ни размеров пятен и ограничиваться визуальной оценкой средней интенсивности пятна. [c.66]

Обращение к кристаллам цилиндрической или сферической форм позволяет избавиться от зависимости фактора поглощения от формы и ориентации кристалла. Практическое значение этого случая также достаточно велико многие игольчатые кристаллы с примерно изометричным поперечным сечением можно рассматривать как цилиндрические с цилиндрическими образцами мы имеем дело и в методе порошка. [c.72]

Если преобладает действие первого фактора, зерна осадка растут без ориентации, кристаллы получаются очень неправильными, с пустотами внутри и вследствие этого с очень большой поверхностью (пористые кристаллы). Если, наоборот, преобладает действие второго фактора, получаются кристаллы правильной формы. [c.67]

Результаты ряда работ свидетельствуют о том, что при испытании на растяжение основным фактором упрочнения является ор иен-тация. Опыты с кристаллизующимися и некристаллизующимися эластомерами показали, что не ориентация кристаллов [c.199]

Если м0родом ЭПР исследуется монокристалл, то при наличии анизотропного д-фактора измеряемая величина д является функцией ориентации кристалла относительно направления поля, поскольку мы определяем эффективный д-фактор, ориентированный вдоль поля. Если мы определим молекулярные оси X, и 2, которые приводят к диагональному виду д-тензор, и возьмем в качестве примера такую систему, где они совпадают с осями кристалла, эффективная величина д-фактора для произвольной ориентации кристалла выражается как [c.32]

Под влиянием этих факторов наряду с размерами кристаллов могут изменяться также форма и ориентация кристаллов, т. е. их взаимное относительное расположение. Преобладание определенной ориентации кристаллов в осадке, т. е. такое расположение кристаллов, когда одно или два кристаллографических направлений оказываются преобладающими, обычно называют текстурой. Чем больше кристаллов, имеющих данное направление роста по отношению к общему числу кристаллов, тем выше степень ориентации, или степень совершенства текстуры. В некоторых случаях текстура, так же как и размер кристаллов, является существенным фактором, определяющим те или иные свойства электролитических осадков (блеск, твердость и др.). Закономерности форм роста кристаллов подробно изучены К. М. Горбуновой [3] и И. А. Пангаровым [5]. [c.338]

Дифрактометры обладают рядом преимуществ перед камерами с фотографической регистрацией, хотя у них есть и недостатки. К числу достоинств следует отнести большую точность определения интенсивностей, возможность регистрации профиля линий, регистрацию части дифракционной картины, и Т.Д. Однако для практической реализации этих потенциальных преимуществ необходима тщательная подготовка образцов к исследованию. При фотографической регистрации исследователь имеет возможность наблюдать распределение интенсивности по дифракционной линии и их отклонения от идеальной картины, обусловленные большой зернистостью образца, преимущественной ориентацией кристаллитов (текстурой). Поэтому такие факторы не могут быть источником грубых экспериментальных ошибок. В дифрактометре регистрируется распределение интенсивностей лишь вдоль середины дифракционных линий. Предусмотренное во многих случаях вращение образца не может в полной мере устранить источники возможных ошибок. Для уменьшения влияния текстуры приходится иногда добавлять в исследуемый образец аморфный наполнитель, который препятствует преимущественной ориентации кристаллов. Образец для съемки готовится в виде плоского шлифа, суспензии с клеем, нанесенной на плоскую поверхность, либо путем заполнения специальной кюветы. Во всех случаях образец имеет плоскую поверхность и при съемке происходит фокусировка дифракционных линий, так как вследствие одновременного вращения образца и счетчика для регистрируемой линии сохраняется необходимое равенство углов между первичным и отраженным лучами и поверхностью образца (рис. 9). Запись дифракционных линий производится на диаграммную ленту или выводится в виде таблицы. Образцы, чувствительные к воздействию воздуха или паров воды, могут быпз изолированы от [c.25]

Образование сростков кристаллов в процессе формирования физической структуры цементного камня зависит от множества факторов особенностей кристаллической структуры срастающихся кристаллов, состава и свойств водного раствора, ориентации кристаллов, усилия их сжатия между собой и т. д. Установлено, что закономерные сростки кристаллов гидросиликатов и гидроалюминатов кальция, портландита и гипса (структура срастания, прорастания и врастания) появляются на стадии зародышеобразования в пересыщенном по отношению к соответствующим гидратам водном растворе. Зародыши сростков кристаллов (друзы, лучистые агрегаты, дендриты) со временем развиваются, достигая размеров, определяющихся наличием свободного пространства и питательного вещества. Прочность контактных зон кристаллических сростков, возникших из зародышей, соизмерима или даже несколько выше прочности кристаллических ветвей сростка. [c.342]

В гидрометаллургии и особенно в гальванотехиике стремятся получить мелкокристаллические, компактные, беспористые, иногда блестящие отложения металлов. Размеры кристаллов,, образующих осадки, зависят от многих факторов, и прежде всего, от природы электролита, и поляризации, сопровождающей выделение металла. Электролитический осадок металла, как всякое поликристаллическое тело, характеризуется размером и формой (огранением) кристаллов, а также взаимной ориентированностью кристаллов — их текстурой. Текстурой поликристаллического тела называется совокупиость всех имеющихся ориентаций отдельных кристаллов. В зависимости от того, преобладает лп какая-либо определенная ориентация кристаллов или же кристаллы не ориентированы и расположены беспорядочно, судят [c.367]

Влияние анизотропии д-фактора на положение и и форму спектра ЭПР. Представим себе монокристалл, в котором все парамагнитные центры ориентированы одинаково относительно кристаллографических осей. При любой ориентации кристалла по отношению к внешнему магнитному полю спектр будет регистриро- [c.24]

П. Механизм активации водорода, азота и кислорода на поверхности металлических катализаторов. Превращение о = Н2 р = Н2 реакции с тяжелым водородом. Механизм активации непредельных соединений при гидрировании. Каталитическая активность металлов. Работы Г. К. Ворескова. Полугидрированные формы. Работы Бяки, Элея. Кинетика и механизм каталитического гидрирования в жидкой фазе. Активная форма водорода при гидрировании. Значение параметров решетки катализаторов и ориентации кристаллов. Механизм синтеза аммиака на железных катализаторах. Преобладание энергетических факторов для реакции синтеза аммиака. Работы М. И. Темкина, [c.218]

Таким образом, -фактор определяется разностью энергий орбитальных уровней и постоянной спин-орбитальной связи. X может иметь положительные и отрицательные значения. Существует эмпирическое правило, связанное, вероятно, со знаком производной (IV йг, заключающееся в том, что О, если электронная оболочка атома заполнена меньше, чем наполовину, и О, если она заполнена больше, чем наполовину. Таким образом, -фактор может принимать различные значения в зависимости от значения Д, а также знака и величины X. Например, для иона Си++ -фактор в зависимости от ориентации кристалла меняется от 2,15 до 2,4, что соответствует А X = —852 см" , тогда как в Со++ о 300 и -фактор меняется от 3,5 до 6,5. Чем дальше отсгоят орбитальные уровни, тем ближе -фактор к чисто спиновому его значению. [c.21]

Наклеп. При восстановлении л-нитрофенола в /г-аминофенол в щелочи скорость реакции иа электролитическом серебре оказалась больше, чем на серебре, подвергнутом наклепу [59]. В лаборатории автора выходы пентана из метилиропилкетопа, полученные на кадмиевых прутках, расплющенных в плоские электроды, были ниже, чем на первоначальных прутках. Размер зерен в плоских листках много меньше, чем размер зерен в прутках [50]. Выходы анилина при электролитическом восстаиовлении нитробензола на катоде из малоуглеродистой стали прогрессивно возрастали по мере того, как сталь подвергали все б( )льшим напряжениям. Когда напряжения в стали увеличивали до точки разрыва кристаллов, выход анилина понижался [60]. Другим фактором, который может влиять иа эффективность катода, является ориентация кристаллов в катоде. Найдено, что выходы бензилового спирта на катодах из штампованных свинцовых стержней значительно выше, чем выходы на том же свинце после его повторной отливки [55]. Возможно, что, когда свинец рекристаллизуется после штамповки, происходит некоторая преимущественная ориентация кристаллов. На таком свинце получаются более высокие выходы бензилового спирта, чем на свинце, электроосажденном из раствора перхлората. [c.327]

КСН Zr o,9o изучалось в зависимости от температуры для нескольких систем скольжения [21]. При изменении ориентации кристалла возникает скольжение по разным системам, выбор конкретной системы зависит от фактора Шмидта. Например, скольжение по плоскостям 110 более предпочтительно, чем по 111 , хотя различие между ними не очень велико. В то же время критическое скалывающее напряжение по плоскостям 100 почти в два раза больше, чем по двум другим плоскостям. [c.157]

Ориентация в рукавных пленках может быть охарактеризована с помощью полюсных фиг5ф и факторов ориентации Уайта-Спрюэлла для осей кристаллов [51,66,67], которые определяются как (см. раздел 2.7.2) [c.203]

При исследовании эпитаксии органических веществ на минералах, как и в ранее изученных случаях ориентированного роста, ряд авторов обращает внимание па два фактора способ кристаллизации и твердость подложки. Важность первого из них неоднократно подчеркивалась Виллемсом [50] и Монье [17, 25, 27, 85]. Эти авторы установили, что аналогично случаю эпитаксии солей уменьшение диэлектрической постоянной растворителя благоприятствовало ориентации кристаллов осадка. Относительно второго из упомянутых выше факторов — твердости подложки, следует заметить, что как и при срастаниях различных неорганических веществ, повышение температуры конден- [c.155]

Сосновский [37]изучал разложение муравьиной кислоты на монокристал-лических пластинках серебра при нескольких температурах. Образцы использовали в том виде, в каком они были извлечены из формы без специальной подготовки и без проведения исследования поверхности. Таким образом, общая ориентация кристалла являлась единственным контролируемым структурным фактором. Было найдено, что скорости реакций в зависимости от граней отличаются менее чем в 10 раз, а для большинства температур менее чем в 2 раза. Энергия активации для различных образцов изменялась от 16,0 до 30.4 ккал1моль. [c.112]

Холодная прокатка. При восстановлении л-нитрофенола до п-аминофенола в щелочи скорость реакции на электролитическом серебре была большей, чем на серебре, обработанном холодной прокаткой [431. В нашей лаборатории на кадмиевых стержнях, расплющенных молотком в плоские электроды, получались более низкие выходы пентана из метилпропилкетона, чем на самих исходных стержнях. Размер зерен в плоских пластинках был гораздо меньишм, чем в стержнях [36]. Выходы анилина при электрохимическом восстановлении нитробензола на катоде из низкоуглеродистой стали прогрессивно возрастают по мере того, как сталь подвергают большему напряжению. Когда напряжение стали доведено до точки разрыва кристаллов, выход анилина понижается [44]. Другим фактором, который может влиять на эффективность катода, является ориентация кристаллов в катоде. Выходы бензилового спирта на свинцовом катоде, только что полученном штамповкой с вытяжкой, были значительно выше, чем на катоде, перелитом из того же самого свинца [39]. Возможно, что после штамповки с вытяжкой произошла некоторая предпочтительная ориентация кристаллов в результате рекристаллизации свинца. На таком катоде выходы бензилового спирта выгодно отличаются и от выходов, полученных на свинце, электрооса-жденном из перхлоратной ванны. [c.20]

Вековое уравнение (3.68) действительно при любой относительной ориентации внешнего магнитного поля и электрической оси кристалла (термин кристалл следует здесь понимать в обобщенном смысле — см. стр. 42). Мы видели выше, что при параллельной ориентации не равны нулю только диагональные, а при перпендикулярной — только недиагональные матричные элементы (3.63). При расчете произвольной ориентации кристалла в магнитном поле удобно вместо гамильтониана РЯ ( + 25) ввести так называемый эффективный спиновый гамильтониан [8]. Мы видели также, что орбитальный момент гасится, а действие оператора орбитального момента L сводится к тому, что вместо обычного спинового гиромагнитного отношения g = 2 возникает анизотропный g -фактор с компонентами gxigy и gz- Пусть произвольно ориентированное поле Я имеет компоненты Нх, Ну и Н . Тогда вместо гамильтониана ря (L + 25) можно записать [c.67]

Если, например, получена рентгенограмма нулевой слоевой линии при вращении вокруг оси X, то пятна 0 0, ОМ, 0к2 и т. д., имеющиеся как на этой рентгенограмме, так и на рентгенограммах, снятых при вращении вокруг оси Z, дают основу для приведения данных разных рентгенограмм к общей шкале. Однако этот способ обладает невысокой точностью, так как интенсивности отдельных отражений, по которым производится приведение, всегда определяются с известной погрешностью. Если кристалл заметно поглощает рентгеновские лучи, то одно и то же отражение, полученное на разных рентгенограммах, может отличаться по интенсивности очень резко вследствие )8зличия факторов поглощения при разных ориентациях кристалла. Лоэтому лучше в качестве эталонной использовать рентгенограмму качания, полученную при той же ориентации кристалла, которая имелась при съемке серии рентгенгониометрических снимков. [c.164]

При дальнейшем повышении концентрации, когда весь раствор становится жидкокристаллическим, следует учитывать два фактора ориентацию и межмолекулярное (межагрегатное) взаимодействие. Ориентация на какой-то стадии достигает предельного значения, поэтому вязкость может либо оставаться постоянной, либо возрастать, если межмолекулярное взаимодействие настолько велико, что не будет нарушаться при используемых для измерения вязкости напряжениях и скоростях сдвига. Вообще говоря, слабая сетка, связывающ,ая агрегаты, существует для всех анизотропных растворов (об это будет сказано ниже), однако она разрушается уже при напряжениях, не превышающих 1 Па [17]. Здесь же имеется в виду прочная трехмерная сетка, узлы которой в ряде случаев можно рассматривать как зародыши трехмерных кристаллов. Для системы ПБГ — ДМФ этого процесса не наблюдается до с 20%, но начиная с с>22% вязкость растворов ПБГ возрастает с увеличением концентрации [69]. [c.185]

Причина распространения поверхностной теории — чрезвычайная чувствительность работы выхода к различным факторам, определяющим состояние поверхности твердого тела к ним прежде всего относятся плотность и расположение атомов на гранях кристалла [462, 648, 1060, 1226], а также адсорбция чужеродных атомов [583, 762], главным образом газов [160, 666, 1141, 1316]. Для поликристаллическчх образцов работа выхода завишт от преимущественной ориентации кристаллов на поверхности [502], которая, в свою очередь, определяется способо м обработки и нанесения эмиттера на подложку [1293]у а также природой самой подложки [319, 608, 680]. Наличие полей пятен у поликристаллических образцов приводит к изменению работы выхода с изменением ускоряющего поля [267, 934]. [c.8]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология