Ориентация кристалли Гов

Объяснить причину возникновения изомерии только с помощью структурных формул Кекуле невозможно. Первый шаг в этом направлении был сделан в 1848 г. французским химиком Луи Пастером (1822—1895). Кристаллизуя из водного раствора винограднокислый натрий-аммоний при комнатной температуре, Пастер обнаружил, что образованные в этих условиях кристаллы асимметричны. Причем наблюдаются две формы кристаллов правая и левая (при одинаковой ориентации кристаллов небольшая характерная грань у одних кристаллов находилась слева, а у других — справа). Пастер сумел под увеличительным стеклом при помощи пинцета тщательно разделить оба типа кристаллов. Свойства растворов этих кристаллов оказались полностью идентичными исключение составляла только их оптическая активность — растворы обладали противоположным вращением. Превратив кристаллы, обладающие в растворе правым вращением, в кислоту, Пастер обнаружил, что получил известную ранее природную правовращающую винную кислоту, из кристаллов другого типа получался ее оптический изомер — ранее не известная левовращающая винная кислота. Отсюда Пастер сделал вывод, что в кристаллах виноградной кислоты содержится равное количество молекул право- и левовращающих винных кислот и именно поэтому виноградная кислота оптически неактивна. Соединения, подобные виноградной кислоте, стали называть рацемическими (от латинского названия виноградной кислоты). [c.87]

Понятие структура в случае сплавов объединяет совокупность целого ряда свойств сплава, а именно 1) микроструктуру 2) состав фаз 3) напряжения и искажения в кристаллической решетке каждой из фаз 4) ориентацию кристаллов и т. д. [c.417]

Рентгенографический метод, в частности, микроанализ с помощью электронного зонда пригоден для исследования продуктов, образующих пленку на металлах определения размеров и ориентации кристаллов, а также измерения параметров кристаллической решетки. [c.436]

Когда вся поверхность капель покрыта кристаллами, новые кристаллы могут образовываться лишь в случае, если ранее образовавшиеся кристаллы отклонятся от равновесного положения, что может происходить в результате флуктуации. При этом обнажается часть поверхности капли и на этом участке образуются новые кристаллы комплекса, мешающие отклонившемуся кристаллу занять свое первоначальное положение. Дальнейшее комплексообразование и нормальная ориентация кристаллов комплекса на границе раздела фаз происходят благодаря флуктуации. Достижению нормальной упаковки кристаллов комплекса на границе раздела фаз способствуют слияние и дробление капель нефтепродукта, вызываемые перемешиванием при слиянии капель уменьшается общая величина поверхности, что приводит к уплотнению кристаллической оболочки, а при дроблении капель величина поверхности возрастает — при этом она покрывается кристаллами в результате перехода части имеющихся кристаллов в тангенциальное положение и образования новых кристаллов. [c.29]

Согласно результатам исследований полосы поглощения 899 см которая обладает высокой дихроичностью и соответствует кристаллической или геликоидальной структуре [43], релаксация напряжения после ударного нагружения высокоориентированного ПП в начальный период 10—70 с быстрого спада происходит при практически постоянной ориентации кристаллов [35]. При больших временах релаксации наступает состояние насыщения , которое сопровождается уменьшением поглощения полосы 899 см , что свидетельствует в пользу уменьшения кристалличности или геликоидальной упорядоченности [35]. [c.237]

При малой скорости осаждения металла на монокристалле ориентирующее влияние структуры его поверхности может продолжаться до толщины слоя примерно 40 ООО А ( 4 мкм). На поли-кристаллической поверхности с определенной ориентацией кристаллов структура воспроизводилась лишь в очень тонких (0,1—0,2 мкм) осадках при условии, что покрытие и основание [c.339]

В ряде работ показано, что некоторые поверхностно-активные вещества изменяют ориентацию кристаллов в катодном осадке, что объясняется преимущественной адсорбцией данного вещества теми или иными гранями кристалла. [c.347]

Во многих случаях повышение температуры используют с целью увеличения растворимости применяемых солей, повышения анодного выхода по току (предупреждается или устраняется пассивирование анодов) и электропроводности, а также для уменьшения количества водорода в электролитическом осадке. В некоторых случаях температура электролита оказывает влияние и на ориентацию кристаллов в осадке. Чем выше температура по сравнению с оптимальной, тем ниже степень совершенства текстуры. [c.349]

I. Установление сингонии и класса Лауэ (диффракционного класса) и ориентации кристаллов. [c.376]

Исследование структуры катодно осажденного цинка показало, что присутствие в электролите сурьмы приводит к изменению ориентации кристаллов цинка (текстура), что и определяет уменьшение силы сцепления цинка с алюминием. [c.457]

Схемы съемки монокристаллов. При съемке монокристаллов можно выделить три схемы съемка монокристалла с вращением или колебанием съемка неподвижного кристалла на просвет (прямая съемка) в случае, если он прозрачен для рентгеновских лучей съемка неподвижного кристалла на отражение (обратная съемка) в случае непрозрачного массивного образца. Особенностью схем съемки монокристаллов является необходимость определенной ориентации кристалла относительно направления первичного пучка рентгеновских лучей и определенной ориентации пленки относительно образца. [c.81]

Методы структурного анализа моно- и поликристаллов широко используются для решения различных прикладных вопросов установление фазового состава, определение ориентации кристаллов и кристаллических срезов, определение истинных коэффициентов теплового расширения кристаллических веществ, измерение деформаций решетки и внутренних напряжений, анализ дисперсности, определение текстур, контроль процессов отжига и рекристаллизации и т. д.). [c.15]

Будем поворачивать обратную решетку кристалла около начала координат, равномерно варьируя три вращательные степени свободы твердого тела и осуществляя, таким образом, все возможные ориентации кристалла в пространстве. Концы векторов обратной решетки Н , соединяющие узлы решетки с началом координат, опишут при этом бесконечный ряд концентрических сфер, задаваемых последовательностью их радиусов [c.38]

Твердые металлы состоят, как правило, из зерен. В процессе кристаллизации вокруг некоторых центров растут кристаллы. В месте встречи этих кристаллов, имеющих различную ориентацию, возникает граница зерен — некоторая область, в которой должен произойти переход от одной ориентации к другой. В зависимости от угла между направлениями ориентации кристаллов ширина границы может быть разная от единиц до десятков и сотен межатомных расстояний. [c.274]

Изменения ориентации кристалла относительно первичного пучка проще всего достичь, заменив монокристалл поликристаллическим образцом, содержащим кристаллики всех возможных ориентаций. В этом случае используется лишь монохроматическое излучение (наиболее интенсивная линия линейчатого спектра дублет—Ка)-Среди кристалликов образца имеются и такие, ориентации которых (углы хь %2, Уз) удовлетворяют совместному решению трех условий Лауэ. Каждый из них создает один дифракционный луч с определенными индексами pqr. [c.54]

Если к вращению кристалла добавить синхронное перемещение рентгеновской пленки, на которой фиксируется результат дифракции, то ио расположению рефлексов на пленке можно будет судить не только о направлении каждого луча pqr, но и об ориентации кристалла в момент каждой вспышки дифракции. [c.55]

Условия Лауэ, как и уравнение Брэгга, имея алгебраическую форму, по своей сути выражают связь между геометрическими параметрами— направлениями первичного пучка, дифракционного луча, ориентацией кристалла и его па- [c.60]

Возможности автоматизации рентгеновского эксперимента были кратко рассмотрены в гл. III. ЭВМ, управляющая дифрактометром, решает все предварительные задачи кристаллографического характера (определяет ориентацию кристалла, его точечную группу симметрии, определяет и уточняет параметры решетки, находит установочные углы для всех отражений и приводит в действие дифрактометр). Дифрактометр измеряет интенсивность отражений и фона. Управляющая ЭВМ подвергает их первичной обработке. Кроме того, в ее функцию может входить отбраковка и исправление дефектов в изме- [c.121]

Изменения ориентации кристалла относительно первичного пучка проще всего достичь, заменив монокри- сталл поликристаллическим образцом, содержащим кристаллики всех возможных ориентаций. В этом случае используется лишь монохроматическое излучение (наиболее интенсивная линия линейчатого спектра — дублет Ка). Среди кристалликов образца имеются и такие, [c.56]

Интерференционное уравнение. Условие Лауэ и уравнение Брэгга, имея алгебраическую форму, по сути выражают связь между геометрическими параметрами — направлениями первичного пучка, дифракционного луча, ориентацией кристалла и его параметрами. Естественно поэтому перейти к векторному выражению этой взаимосвязи. [c.59]

Для каждого дифракционного луча нужна своя ориентация кристалла. На том же рисунке 29, в показан и другой узел обратной решетки p q r и соответственно вектор Нр с г. Для получения дифракционного луча p q r этот вектор (т. е. кристалл) нужно повернуть на иной угол (D и направление этого дифракционного луча будет, естественно, уже иным. [c.61]

Вспомогательную сферу, позволяющую найти ориентацию кристалла в отражающем положении для любого луча pqr, называют сферой отражения. [c.62]

Остановимся на этом несколько подробнее. На рис. 29, г точка D-узел pqr на поверхности сферы отражения, точка -узел p q r, также попавший на поверхность сферы отражения при той же ориентации кристалла. Так как мы имеем дело с обратной решеткой, в ней должен быть и узел с индексами р—р, q—q, г—г, расположенный (в момент отражения pqr) в точке R. [c.62]

Монокристальные дифрактометры с энергодисперсионной системой регистрации отражений не получили широкого распространения, хотя использование не монохроматического, а белого спектра позволяет существенно упростить кинематическую схему дифрактометра. По существу, в таких приборах используется метод Лауэ каждый дифракционный луч содержит все порядки отражения от одной и той же серии плоскостей, но с разными длинами волн. Детектор-анализатор квантов по их энергии (частоте) позволяет разделить отражения разных порядков к при п=, Х/2 при (1=2 и т. д.) без изменения ориентации кристалла и детектора. [c.76]

Чтобы получить отражения от другой серии плоскостей кМ), нужно либо изменить ориентацию кристалла при неподвижном детекторе, либо изменить угловое положение детектора при неподвижном кристалле. В пер- [c.76]

Если м0родом ЭПР исследуется монокристалл, то при наличии анизотропного д-фактора измеряемая величина д является функцией ориентации кристалла относительно направления поля, поскольку мы определяем эффективный д-фактор, ориентированный вдоль поля. Если мы определим молекулярные оси X, и 2, которые приводят к диагональному виду д-тензор, и возьмем в качестве примера такую систему, где они совпадают с осями кристалла, эффективная величина д-фактора для произвольной ориентации кристалла выражается как [c.32]

Прежде всего необходимо выяснить, на что похожа в этом случае дифракционная картина и как она возникает Представим себе, что порошок— это набор многих небольших кристаллов. Каждый кристалл даст отраженные пучки, если только точки о.р. касаются сферы отражения. В принципе, для данной точки о.р. это может случиться для многих различных ориентаций кристалла при одном главном условии угол между отраженным и падающим пучками должен быть всегда одинаковым, т. е. любое отражение может возникнуть только при одной величине 0 (см. рис. 17.15). Как показано на рис. 17.20, для этого необходимо, чтобы любое отражение было усреднено по всем ориентациям кристалла в конусе рассеянного рентгеновского излучения, т.е. в принципе может быть зарегистрирован один такой конус для каждого воз-М051СН0Г0 отражения, хотя обычно отражением является наиболее интенсивное 100 или подобное ему. Как только счетчик сдвинется на некоторый небольшой угол, скажем на 3°, от падающего пучка по направлению к 90°, щель пересечет каждый конус и зарегистрирует его как пик в дифракционной картине порошкообразного образца. [c.386]

Финч и Кворелл (1933 г.) на основании своих исследований предположили, что ориентация кристаллов образующегося соединения может сопровождаться изменением характера решетки, т. е. образуется псевдоморфный слой, являющийся кристаллографическим продолжением решетки металла. Так, на поверхности металлического магния, обладающего гексагональной структурой, первичный псевдоморфный слой окислов также имеет гексагональную структуру, ориентированную по структуре металлического магния, хотя для компактного окисла MgO характерна кубическая структура. Однако существование таких псевдоморфных слоев в настоящее время считается недоказанным. [c.43]

Исследования [112—115] показали, что парафины в присутствии веществ, модифицирующих их кристаллическую структуру, образуют ромбические кристаллы, подобные кристаллам нормальных углеводородов с длинной цепью. Модификаторы кристаллической структуры изменяют размеры и число кристаллов, усиливают фракционную крйсталлизацию и изменяют ориентацию кристаллов. [c.93]

Целый ряд исследований, посвяпхенных изучению каталитической активности сферических монокристаллов меди [230], указывает иа то, что ориентация кристаллов действительно приводит к различиям в скоростях каталитических реакций. Реакция водорода с кислородом протекает с на-ибольшей скоростью на участках поверхпости медного шарика, параллельньгх кристаллографическим ПЛОСКОС1ЯМ с индексами 111 . Те части сферической поверхности, которые параллельны плоскостям 100 , сильно разрыхляются под влиянием реакции, хотя скорость реакции на них меньше, чем на частях, параллельных плоскостям 111 , которые при этом остаются гладкими [231]. Создается впечатление, что в тех частях поверхности шарика, которые параллельны плоскостям 100 , атомы как водорода, так и кислорода проникают внутрь -металла на некоторую глубину и реагируют там между собой (см. разделы VII, 6 и 7), в то время как в частях, параллельных плоскостям 111 (т. е. граням 111], которые в действительности отсутствуют), быстрее протекающая реакция препятствует проникновению атомов реагирующих веществ внутрь металла. Между теплотами адсорбции и катал-итической активностью не наблюдается прямого параллелизма. [c.128]

Под влиянием этих факторов наряду с размерами кристаллов могут изменяться также форма и ориентация кристаллов, т. е. их взаимное относительное расположение. Преобладание определенной ориентации кристаллов в осадке, т. е. такое расположение кристаллов, когда одно или два кристаллографических направлений оказываются преобладающими, обычно называют текстурой. Чем больше кристаллов, имеющих данное направление роста по отношению к общему числу кристаллов, тем выше степень ориентации, или степень совершенства текстуры. В некоторых случаях текстура, так же как и размер кристаллов, является существенным фактором, определяющим те или иные свойства электролитических осадков (блеск, твердость и др.). Закономерности форм роста кристаллов подробно изучены К. М. Горбуновой [3] и И. А. Пангаровым [5]. [c.338]

Иногда спектры ЯКР используют и для получения данных о таких геометрических параметрах частиц, как валентные углы и межъядерные расстояния. Конечно, эти данные не обладают высокой точностью, но могут служить прикидочными при изучении сложных структур кристаллов. Например, при изучении РВгзО в виде монокристалла были измерены зеемановские расщепления каждой линии ЯКР Вг в зависимости от ориентации кристалла, удалось определить его пространственную группу (Рпта)- [c.102]

В сварных швах из аустенитной стали происходит упорядочение ориентации кристаллов. Особенности распространения акусти- ческих волн в таком материале рассмотрены в п. 3.1.4 (см. При ложение). [c.34]

Для мессбауэровской спектроскопии железа и его соединений в настоящее время в качестве стандартного вещества принят нитро-пруссид натрия Na2[Fe( N)5N0] 2H20, принадлежащий к пространственной группе — Рппт и имеющий орторомбическую решетку с параметрами а = 6,17 0,03 А, Ь = 11,84 + 0,06 Л, с = 15,43 0,08 А. Согласно данным, полученным в Национальном Бюро Стандартов США, нитропруссид натрия имеет величину квадрупольного расщепления АЕ = 1,712 0,004 мм/с при Т = +25° С, причем сама величина АЕ не зависит от ориентации кристалла. Из всех известных к настоящему времени соединений железа нитропруссид натрия имеет самую узкую ширину линии поглощения. Для не очень толстого поглотителя, содержащего от [c.194]

Дифрактометры обладают рядом преимуществ перед камерами с фотографической регистрацией, хотя у них есть и недостатки. К числу достоинств следует отнести большую точность определения интенсивностей, возможность регистрации профиля линий, регистрацию части дифракционной картины, и Т.Д. Однако для практической реализации этих потенциальных преимуществ необходима тщательная подготовка образцов к исследованию. При фотографической регистрации исследователь имеет возможность наблюдать распределение интенсивности по дифракционной линии и их отклонения от идеальной картины, обусловленные большой зернистостью образца, преимущественной ориентацией кристаллитов (текстурой). Поэтому такие факторы не могут быть источником грубых экспериментальных ошибок. В дифрактометре регистрируется распределение интенсивностей лишь вдоль середины дифракционных линий. Предусмотренное во многих случаях вращение образца не может в полной мере устранить источники возможных ошибок. Для уменьшения влияния текстуры приходится иногда добавлять в исследуемый образец аморфный наполнитель, который препятствует преимущественной ориентации кристаллов. Образец для съемки готовится в виде плоского шлифа, суспензии с клеем, нанесенной на плоскую поверхность, либо путем заполнения специальной кюветы. Во всех случаях образец имеет плоскую поверхность и при съемке происходит фокусировка дифракционных линий, так как вследствие одновременного вращения образца и счетчика для регистрируемой линии сохраняется необходимое равенство углов между первичным и отраженным лучами и поверхностью образца (рис. 9). Запись дифракционных линий производится на диаграммную ленту или выводится в виде таблицы. Образцы, чувствительные к воздействию воздуха или паров воды, могут быпз изолированы от [c.25]

Образование сростков кристаллов в процессе формирования физической структуры цементного камня зависит от множества факторов особенностей кристаллической структуры срастающихся кристаллов, состава и свойств водного раствора, ориентации кристаллов, усилия их сжатия между собой и т. д. Установлено, что закономерные сростки кристаллов гидросиликатов и гидроалюминатов кальция, портландита и гипса (структура срастания, прорастания и врастания) появляются на стадии зародышеобразования в пересыщенном по отношению к соответствующим гидратам водном растворе. Зародыши сростков кристаллов (друзы, лучистые агрегаты, дендриты) со временем развиваются, достигая размеров, определяющихся наличием свободного пространства и питательного вещества. Прочность контактных зон кристаллических сростков, возникших из зародышей, соизмерима или даже несколько выше прочности кристаллических ветвей сростка. [c.342]

В гидрометаллургии и особенно в гальванотехиике стремятся получить мелкокристаллические, компактные, беспористые, иногда блестящие отложения металлов. Размеры кристаллов,, образующих осадки, зависят от многих факторов, и прежде всего, от природы электролита, и поляризации, сопровождающей выделение металла. Электролитический осадок металла, как всякое поликристаллическое тело, характеризуется размером и формой (огранением) кристаллов, а также взаимной ориентированностью кристаллов — их текстурой. Текстурой поликристаллического тела называется совокупиость всех имеющихся ориентаций отдельных кристаллов. В зависимости от того, преобладает лп какая-либо определенная ориентация кристаллов или же кристаллы не ориентированы и расположены беспорядочно, судят [c.367]

Установим С-центрированный кристалл в то же положение. Поскольку аналогичные плоскости проходят в этой решетке вдвое гуще при такой ориентации кристалла разность хода лучей, отраженных соседними плоскостями, составит только половину длины волны, т. е. эти лучи будут иметь противоположные фазы и взаимно погасят друг друга. То же, естественно, произойдет при ориентации, отвечающей отражению любого другого нечетного порядка от плоскостей (210). В С-центрированной решетке соответствующие лучи оказываются погашенными . Таким образом, сформулированные выше ограничения в значениях индексов hkl, можно интерпретировать как правила погасания (точнее правила непогасания) лу- [c.70]

Справедливо и обратное. По заданным индексам pqr, а следовательно, и по вектору Нрдг достаточно легко определить и угол ш поворота кристалла из исходного положения в отражающее и направляющие углы дифракционного луча, т. е. найти ориентацию кристалла и положение счетчика в дифрактометре для регистрации дифракционного луча pqr. [c.63]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология