Распределение затравочное

Соответствующее распределение температур показано на рис. 1.10. Вещество испаряется в зоне а и конденсируется в зоне Ь, где пар вследствие понижения температуры становится пересыщенным. Если температурный градиент велик и поток вещества неограничен, то обычно образуется много центров кристаллизации. Введение затравочного кристалла в таких случаях не эффективно. Все же из многих зародышей, образовавшихся вначале, в процессе роста одни обгоняют другие, так что в результате получается несколько крупных кристаллов на поликристаллическом основании. В таком весьма простом варианте сублимацию использовали для выращивания кристаллов сульфида кадмия, окиси цинка (в проточных и замкнутых системах) и карбида кремния (проточные системы). [c.29]

Продукт кристаллизации является, как правило, полидисперс-ным, причем распределение частиц по размерам — нормальное или нормально логарифмическое. Как уже отмечено, увеличение размеров кристаллов может быть достигнуто осуществлением процесса кристаллизации при малом пересыщении (медленное охлаждение насыщенного раствора, медленная упарка). Среди других методов укрупнения кристаллов можно назвать введение в раствор затравочных кристаллов (готовых центров кристаллизации), удаление наиболее мелких кристаллов в процессе кристаллизации, а также повторную обработку кристаллического продукта в насыщенном растворе. Последний прием основан на несколько большей растворимости мелких кристаллов по сравнению с крупными, поэтому последние будут расти в насыщенном растворе за счет растворения первых. [c.688]

Особенность выращивания монокристаллов из расплава состоит в том, что в процессе кристаллизации меняется пространственное расположение и число областей с различным агрегатным состоянием исходного материала (шихты), расплава и монокристалла. Очевидно, что существенно меняется и теплообмен с окружающими поверхностями. При этом следует иметь в виду, что в распределение тепловых потоков определенный вклад может внести скрытая теплота кристаллизации. Все это усложняет создание общей физической модели тепломассопереноса [47]. Поэтому целесообразно весь процесс выращивания монокристаллов разделить на отдельные этапы, для которых проще создать физическую модель. Так, например, в методе Багдасарова целесообразно рассмотреть четыре этапа и, соответственно, четыре состояния кристаллизационной системы [58]. Первый этап — состояние системы от момента перемещения контейнера до начала кристаллизации. Второй этап — равновесие в контейнере между исходной шихтой, расплавом и затравочным кристаллом. Третий этап — полное расплавление шихты в контейнере имеется только кристалл и расплав. Четвертый этап — охлаждение выросшего монокристалла. [c.58]

Таким образом, плотность дислокаций зависит от кристаллографического направления. В связи с этим при выращивании монокристаллов лейкосапфира были выявлены три оптимальные кристаллографические ориентации, способствующие росту с минимальной плотностью дислокаций. Одно из них — направление роста перпендикулярно оптической оси. При этом выращивание осуществляется либо в направлении <1120> (первая ориентация), либо вдоль направления <1010> (вторая ориентация). И, наконец, третья ориентация — направление, параллельное оптической оси <0001>. Как показал опыт, каждой кристаллографической ориентации характерны свои специфические условия выращивания. На рис. 48 для второй ориентации представлено распределение дислокаций по длине монокристалла в двух кристаллографических плоскостях (1120) и (0001). Плотность дислокаций на плоскости (ООО 1) явно ниже по сравнению с затравочным монокристаллом. Дислокации, находящиеся в плоскости призмы, перпендикулярны к направлению роста и поэтому не наследуются. Согласно рис. 49, с увеличением осевого градиента температуры плотность дислокаций возрастает, причем наблюдается общая закономерность (независимо от величины осевого градиента температуры) плотность дислокаций вначале резко падает, а затем растет. На этот рост существенное влияние могут оказывать примеси при К < 1 они, оттесняясь к концу кристаллизации, способствуют увеличению плотности дислокаций. [c.69]

Целесообразно поэтому поступить следующим образом. Разобьем все опыты на две группы с числом опытов N1 и (N1 + N.2 = Мо). Вторую группу используем как затравочные эксперименты для дискриминационного планирования. Число опытов, которые должны быть наиболее надежными из имеющихся, в данной группе можно брать близким к максимальному числу параметров рассматриваемых гипотез. Первая группа из N1 опытов применяется для сцепки априорного распределения параметров. Для этого примем, что априорное распределение параметров /-ой гипотезы 0 является нормальным распределением со средним 0 (N1) и дисперсионной матрицей О, (iVl) = а М] (Л х)- Здесь 0 [М1) — наилучшие квазилинейные оценки параметров /-ой гипотезы, найденные на основании N1 экспериментов по формуле (VI,9) Mj (ЛГ ) определяется формулой ( 1,10). [c.221]

Для практических целей, с точки зрения контроля процесса, методы третий и четвертый можно рассматривать как эквивалентные. Механическое воздействие перемешивающих устройств на кристаллы или кристаллов друг на друга составляет лишь малую долю от общего вклада в кристаллообразование и зависит от скорости перемешивания, числа и размера кристаллов, находящихся в данный момент в аппарате. Этими же переменными определяется другой, значительно более важный эффект — эффект затравки. Так, например, повышение скорости перемешивания способствует более однородному распределению кристаллов в растворе, что, в свою очередь, увеличивает их затравочное воздействие. Перемешивание повышает скорость образования центров кристаллизации больше, чем скорость роста кристаллов. Это позволяет объяснить известный факт, что перемешивание приводит к возникновению небольших кристаллов. [c.587]

При ручном внесении антисептиков, для равномерного их распределения пользуются маркером или шнуром с пометками. Еще удобнее пользоваться затравочной сеткой , изготовленной из толстой проволоки или деревянных планок, а также жесткой металлической рамой с сеткой. Размер ячеек сетки может быть различным Б зависимости от характера антисептика и условий его применения. Антисептик вводится инжектором в центр каждой ячейки. [c.518]

Из уравнений (4.4.1)—(4.4.8) следует, что для описания внешне-кинетического режима необходимы данные о скоростях превращения и коэффициентах распределения каждой формы примеси. При большом числе форм для получения таких данных целесообразно комбинировать изучение захвата примеси из свежеприготовленных и состарившихся материнских фаз. В свежеприготовленной материнской фазе (например, растворе) имеется только исходная форма примеси. Поэтому, если в пересыщенный раствор ввести примесь и сразу же вызвать сокристаллизацию введением затравочных кристаллов и интенсивным перемешиванием, то согласно равенствам (4.4.2), (4.4.3) и (4.4.8) должно выполняться условие [c.126]

В связи с тем, что реализация режима с подпиткой требует применения платиновых тиглей специальной конструкции (с разделением камер растворения и кристаллизации), для получения высококачественных кристаллов при выращивании в однокамерном кристаллизаторе интерес представляет применение комбинированного температурного режима кристаллизации, при котором первая стадия протекает при постоянной температуре, а вторая— с понижением температуры. Для этого предварительно в режиме с понижением температуры на дне и стенках тигля осаждают кристаллы. После того, как необходимый температурный интервал пройден и достигнуто равновесие раствора-расплава с выпавшими кристаллами, в него вводят затравочный кристалл, рост которого начинается в режиме с подпиткой вследствие растворения осажденных кристаллов. По мере того, как подпитывающее вещество выбирается , необходимое пересыщение создается понижением температуры раствора-расплава. Эффективность начальной стадии зависит от того, насколько развита поверхность подпитывающих кристаллов и каково их распределение по стенкам тигля. [c.159]

При известном распределении по размерам затравочных кристаллов, независимости линейной скорости роста от размеров частиц, отсутствии агрегации и дробления должен быть справедлив закон Маккейба [12] [c.121]

Качество гексахлорциклогексана зависит не только от его химического состава, но и от распределения кристаллов продукта по размерам. Дисперсный состав может регулироваться скоростью охлаждения раствора на любой стадии процесса, связанной с образованием осадка, а также путем использования затравочных кристаллов. [c.275]

Приток массы затравочных кристаллов равен произведению плотности распределения затравочных кристаллов /зс1т на объем суспензии, поступающей в систему извне Кь [c.48]

Кристаллизатор DTB состоит из закрытой емкости с вертикальной циркуляциоиной трубой, внутри которой находится пропеллерная мешалка. Последняя обеспечивает циркуляцию кристаллизата из нижней в верхнюю часть аппарата, отличающуюся наибольшим пересыщением, способствуя росту кристаллов и устраняя образование нежелательных центров кристаллизации. Кристаллизатор DTB можно заменить моделью каскада аппаратов с образованием центров кристаллизации в первом аппарате по следующим причинам [118] 1) кристаллизатор имеет развитую поверхность затравочных кристаллов 2) пропеллерная мешалка сводит к минимуму образование новых центров кристаллизации и создает благоприятные условия роста существующим кристаллам 3) образование центров кристаллизации осуществляется преимущественно вблизи свободной поверхности, а рост кристаллов — ниже этой поверхности. Весовое распределение продукта, выходящего из к-то аппарата, выражается с помощью уравнения (1.538). [c.142]

Преимущество методов кристаллизации из расплавов заключается в возможности исключения прямого контакта очищаемого образца со вспомогательной аппаратурой. Поэтому эти методы применяют для глубокой очистки тугоплавких металлов, оксидов и солей. В методе вытягивания из расплава проводят выращивание монокристалла вещества на вращающейся затравочной пластинке с параллельной его очисткой от примесей с коэ( ициентом распределения меньшим единицы. Рассматриваемые методы кристаллизации из расплава позволяют не только очищать вещества, но и вводить в них заданные количества тех или иных микропримесей. В настоящее время кристаллизационные методы очистки считаются самыми тонкими и их обычно применяют на заключительных стадиях получения особо чистых веществ, в том числе полупроводниковых материалов. [c.318]

Для выращивания кристаллов кварца можно применять затравочные пластины самых различных ориентаций, в том числе и иррациональных. Применение заготовок указанных ориентаций в первую очередь определялось требованиями к качеству выращиваемых кристаллов. Проведенными исследованиями было пока-зано, что на различно ориентированных затравках образуются кристаллы с различной однородностью и различной степенью дефектности. Наиболее однородные и в значительной степени мо-нопирамидные кристаллы удается получить именно на затравках указанных выше ориентаций. На рис. 1 приведены фотографии кристаллов, получаемых на затравках различных ориентаций. Следствием гранного механизма роста кристаллов синтетического кварца является их ярко выраженное секториальное строение. На рис. 2 представлено идеализированное секториальиое строение для различных типов кристаллов кварца. Захват структурных и не-структурных примесей существенно зависит от кристаллографической ориентации поверхности затравки скорости и других условий роста. Поэтому возникающие неоднородности распределения примесей по пирамидам и зонам роста (в пределах каждой пирамиды) образуют секториальное и зонарное строение (рис. 3). [c.21]

Количество адсорбированных частиц примеси варьирует на различных участках поверхности акцессорий. Следствием этого является сложное макромозаичное распределение неструктурной примеси, которое наиболее отчетливо прослеживается в наружных зонах кристалла. Весьма малые (в пределах градуса) искривления поверхности базиса вызывают резкие изменения градиента концентрации примеси вдоль зон, параллельных растущей поверхности. На разрезах, параллельных плоскости х, видно, что наиболее активно примесь адсорбируется склонами акцессорий, обращенными в стороны грани отрицательного ромбоэдра. Вдоль границ секторов <с> и <х>, а также <с> и часто наблюдаются примесные шлейфы , возникающие в результате адсорбирования неструктурной примеси поверхностями положительной и отрицательной бипирамиды. Такие поверхности интенсивно развиты вдоль ребер с/—X и / + s на кристаллах, удлиненных вдоль оси у. Если интенсивность молочно-белой окраски на затравке выше, чем в прилегающих слоях кристалла, то это свидетельствует о более высокой концентрации неструктурной примеси в кристалле, из которого вырезаны затравочные пластины. [c.115]

Методика гидротермального синтеза монокристаллов кварца состоит в следующем довольно тонко измельченные кусочки а-кварца помещают на дно реактора (рис. 106), а в верхней части реактора — зоне роста подвешивают соответствующим образом ориентированные монокристаль-ные затравочные пластинки а-кварца. Определенную часть свободного объема реактора, равную примерно 0,7... 0,8, заполняют щелочным раствором, чаще всего МаОН. Реактор помещают в печь вертикально и нагревают, причем нижнюю часть реактора, в которой происходит растворение, нагревают изотермически до более высокой температуры Т , чем верхнюю — зону роста, в которой температура Т поддерживается постоянной. При повышении температуры уровень раствора поднимается, давление растет и в конце концов при некоторой температуре, не превышающей критическую, реактор целиком заполняется жидкой фазой. Давление зависит от температуры, распределения температур и исходной степени заполнения сосуда. При температуре в зоне растворения равной 400°С, и в зоне роста, равной 350°С, и давлении 200 МПа рост кварца идет с заметной скоростью приблизительно 1 мм/сут в направлении (0001). За скорость роста принимают приращение толщины затравки, деленное на длительность экспозиции. Как показали исследования, кинетика роста кристаллов кварца определяется следующими факторами [c.370]

В условиях постоянства осевого градиента температуры дТ/дх на расстоянии г = 2гк (где г к — радиус кристалла) область монокристалла, прилегающая к фронту роста, испытывает свободный температурный изгиб независимо от распределения температуры в остальной части монокристалла. В этом случае монокристалл свободен от напряжений и растет без дислокаций при условии, что затравочный монокристалл является бездис-локационным, а в процессе охлаждения высокие остаточные напряжения не возникают. [c.41]

Так как в случае метода Бриджмена при высоких температурах невозможно визуально наблюдать положение фронта роста, то процесс кристаллизации ведут либо в режиме спонтанного зарождения, либо в режиме кристаллизации на затравку. В первом случае исходная шихта полностью расплавляется, а для усиления геометрического отбора в нижнюю часть контейнера устанавливается диафрагма с отверствием (см. рис. 71). Во втором случае предварительно с помощью термопары устанавливается определенное распределение температуры на нагревателе и находится область, в которой температура соответствует температуре плавления исходного вещества. Именно в этой области располагают контейнер с затравочным кристаллом таким образом, чтобы перед началом кристаллизации указанный кристалл частично (примерно наполовину) расплавился. [c.112]

Изучение в лабораторных условиях закономерностей процесса массовой кристаллизации при периодическом режиме его проведения обладает рядом недостатков. Основной из них состоит в том, что в процессе периодической кристаллизации наблюдается изменение условий роста кристаллов в результате понижения температуры раствора. Это значительно усложняет анализ результатов экспериментальных исследовании. В этой связи процесс непрерывной кристаллизации предпочтительнее. Основные взаимосвязи при непрерывной массовой кристаллизации отражает формальная структурная схема (рис. 2.3). В стационарных условиях в аппарате устанавливается некоторая температура ta, которой соответствует равновесная концентрация по целевому компоненту с. Пересыщение П в кристаллизаторе непрерывного действия, создается за счет подачи исходной смеси. Величина П влияет на скорость роста ц 1) и зародыще-образования /, при этом с увеличением П их значения возрастают. Существует обратная связь, заключающаяся в том, что при образовании кристаллических зародышей и за счет роста кристаллов пересыщение П уменьшается. При установившемся режиме величина П остается постоянной, а / и г)(/), в сочетании с гидродинамической обстановкой в аппарате, формируют численную плотность распределения кристаллов по размерам. При работе кристаллизатора полного перемешивания в установившемся режиме концентрация целевого компонента См в жидкости, покидающей аппарат, равна концентрации в объеме аппарата с, то есть См = с. Скорость линейного роста кристаллов, зависящую от П и /, можно представить уравнением (1.75). Затравочные кристаллы в аппарат не подаются. Численная плотность распределения кристаллов по их размерам /(/) определяется уравнением (1.88). [c.83]

Пусть в аппарат непрерывной кристаллизации поступает объемный расход У исходного раствора, не содержащего затравочных кристаллов, В результате удаления некоторого объ-ема растворителя Ур создается постоянное пересыщение П. В единицу времени происходит образование N зародышей кри-тическох о размера Гп, которые растут с линейной скоростью, зависящей от П и текущего радиуса кристалла г. Поступление частиц в группу с размерами г- г- -йг) происходит за счет роста кристаллов, имеющих меньший граничный размер их число в единицу времени равно //(Хр),, Из рассматриваемого интервала размеров в единицу времени за счет вырастания из него выходит Ы кр)г+йг частиц. Некоторая часть кристаллов с размерами в интервале г-ь(г+с/г) покидает аппарат вместе с выгружаемым продуктом. При полном перемешивании суспензии в аппарате это количество составит М р)гУк/У, где У — = Ун—Кр —объемный расход суспензии, выходящей из аппарата У — объем суспензии в аппарате, В стационарном режиме работы плотность распределения кристаллов по размерам в аппарате и на выходе из него неизменна во времени, поэтому количества входящих и выходящих из группы кристаллов должны быть одинаковыми [c.170]

Здесь р г, т)—плотность распределения гранул по их размерам г, в общем, нестационарном случае зависящая от времени переходного режима Л = dr Idx — интегральная величина линейной скорости роста гранул в псев-доожиженно.м слое ( г)—гранулометрический состав вводимого затравочного материала k = NlM ji — константа выгрузки N, — число выводимых и вводимых гранул в единицу времени Мел — число гранул в слое. [c.354]

Определение коэф1фициента равновесного распределения при наращивании затравочных кристаллов. Затравочные кристаллы вносят в термостатированную среду, содержащую примесь. Кристаллы наращивают с достаточно малой скоростью в течение времени, за которое на их поверхности отложится слой в несколько микрометров. Затем определяют массу наросшего кристаллизанта и количество захваченной им примеси и вычисляют коэффициент равновесного распределения [45—48]. [c.253]

Широко регулировать дисперсность латексов ПВХ и получать латексы с частицами крупных размеров (до 2 мк) позволяет предварительное введение в зону реакции готового латекса (так называемая затравка ), полученного в предшествующих операциях При полимеризации в присутствии затравочного латекса заметно повышается скорость полимеризации, так как реакция протекает в основном на введенных полимерных частицах . При этом в ходе полимеризации происходит постепенный рост частиц затравочного латекса. Изменяя количество затравки , ее дисперсность и размеры исходных полимернь1Х частиц, можно синтезировать латексы с частицами достаточно большого диаметра как с узким, так и с широким распределением их по размерам. Этот метод особенно удобен для получения пастосбразующего полимера . [c.106]

Репликация последовательности при ферментативных (Е. соН) синтезах ДНК была изучена с использованием меченных Р субстратов и ДНК затравки, изолированной из вирусных, бактериальных и животных источников. Гидролиз полученных полидезоксинуклеотидов диэстеразой до дезоксинуклеозид-З -фосфатов с последующим определением распределения радиоактивности показал, что в каждом случае присутствуют все 16 возможных динуклеотидных (ближайший сосед) последовательностей, что это распределение является уникальным, не случайным, репродуцируемым и не предопределяется нуклеотидным составом затравочной ДНК и что эта ферментативная репликация включает образование пар аденин — тимин и гуанин — цитозин в двух цепях с противоположной последовательностью оснований (т. е. с противоположной полярностью ), как в модели Уотсона и Крика. [c.322]

Присутствие в растворе примесей растворимых соединений может повлечь за собой изменение кинетики фазового превращения. Примеси нередко значительно повышают скорость образования зародышей. Есть и такие примеси, которые замедляют процесс появления центров кристаллизации или даже вообще делают его невозможным [27]. Причины замедления спонтанного зародыщеобразования могут быть разными. Либо присутствие примеси приводит к повышению растворимости и тем самым к уменьшению реального пересыщения, либо они тормозят непосредственно сам ход формирования зародыша. Если внести в такой раствор затравочные кристаллы, произойдет некоторое распределение примеси между фазами. При значительном переходе примеси из раствора в кристаллы у поверхности последних создается зона раствора с меньшей их концентрацией. Уменьшение концентрации примеси в этом случае приводит к стимулированию процесса зародышеобразования. Схематически картина распределения примесей изображена на рис. П1-4. В прилегающем к поверхности кристалла слое толщиной аЬ концентрация примеси постепенно уменьшается от значений, отвечающих концентрации в объеме (точка Ь), до с О в точке а у поверхности. [c.58]

Для профилированных кристаллов, вытягиваемых по способу Степанова, совместное исследование тепловых условий выращивания и полей термоупругих напряжений впервые было выполнено в [188—190]. Термоупругие напряжения т возникают в том случае, если наблюдается отклонение температурного поля от линейного т Г", где Г" — кривизна температурного поля вдоль оси выращивания oz [167]. Выращивались кристаллы германия в форме цилиндра диаметром 8 мм и тонкой ленты размером 3x24x72 мм. Формообразователь был изготовлен из графита выращивание велось в вакууме. Скорость вытягивания составляла 1,2 мм/мин. В кристалл вращивалась термопара в изолирующем кварцевом чехле, С помощью ее изучалось распределение температуры по оси выращиваемого кристалла. В качестве затравочного кристалла использовался предварительно выращенный кристалл того Hie сечения длиной 80—90 мм. Это обеспечивало стационарность процесса при измерении температуры. Кроме того, измерялись температуры формообразователя и тепловых экранов. Температурное поле определялось из решения двухмерного уравнения теплопроводности [c.90]

Смотреть страницы где упоминается термин Распределение затравочное: [c.51] [c.349] [c.67] [c.95] [c.166] [c.77] [c.349] [c.349] [c.349] [c.72]

Теория фазовых переходов Строгие результаты (1980) -- [ c.142 ]

ПОИСК

Смотрите так же термины и статьи:

ДНК-затравочная

Справочник химика 21

Химия и химическая технология