Кристаллы толщина слоя

При малой скорости осаждения металла на монокристалле ориентирующее влияние структуры его поверхности может продолжаться до толщины слоя примерно 40 ООО А ( 4 мкм). На поли-кристаллической поверхности с определенной ориентацией кристаллов структура воспроизводилась лишь в очень тонких (0,1—0,2 мкм) осадках при условии, что покрытие и основание [c.339]

Рис. 40. Слоистая структура глин (кристалл монтмориллонита). Толщина слоя может меняться от 9,6 до

Барабанные вращающиеся кристаллизаторы с водяным или воздушным охлаждением длиной до 20 м и диаметром до 1,5 м, установленные с небольшим уклоном частота вращения до 0,3 с -, толщина слоя текущей вдоль барабана суспензии кристаллов до 200 мм при вращении жидкость смачивает всю внутреннюю стенку барабана. Охлаждение осуществляют с помощью водяной рубашки или орошением наружной поверхности барабана водой, которая затем стекает в поддон внутри помещают цепь, снимающую инкрустации со стенки барабана при его вращении. При воздушном охлаждении вдувают внутрь барабана или просасывают через него воздух противотоком суспензии охлаждение достигается в результате теплоотдачи и испарения воды из смачивающего стенку раствора для уменьшения инкрустаций предотвращают теплопередачу через стенку барабана наружному воздуху с помощью теплоизоляции или кожуха с паровым обогревом. [c.252]

По данным А. Т. Баграмяна, при нормальном росте кристаллов из 3 н. раствора АдМОз серебро осаждается на растущих кристаллах слоями толщиной 60—120 атомов. При электроосаждении металлов группы железа толщина слоев достигает 1000 атомов. [c.127]

Установлено, что чем больше толщина слоя, тем меньше скорость распространения слоя по грани кристалла и наоборот. Так довольно толстые слои меди на кристалле меди двигаются со скоростью 0,2 мк/мин. [c.127]

При электролизе не всегда удобно использовать только постоянный ток. Перерыв тока, наложение переменного тока на постоянный, реверсия тока дают возможность при постоянных условиях электролиза (концентрация, температура, состав электролита и электродов) регулировать скорость процесса и качество катодного осадка из-за снятия диффузионных ограничений. Изменяя характер пульсаций, продолжительность периодов обращения тока во времени, можно создавать многие варианты режима электролиза и соответствующие этим режимам условия образования осадков по толщине слоя, крупности кристаллов, их структуре. Подобные режимы в отличие от условий электролиза с постоянной плотностью тока называют нестационарными они характеризуются непостоянством величины и направления тока во времени и другими особенностями. [c.390]

I — толщины слоя надмолекулярной структуры б 2 — толщины сольватного слоя С 3 — устойчивости У 4 — структурно-механической прочности П буквы на кривых — критические точки, б — для необратимой НДС (кристаллит) 5 — толщины сольватного слоя 6 6 — устойчивости У 7 — структурно-ме.ханической прочности П. [c.62]

При контроле эхо-импульсным методом малых толщин аналогичная погрешность возникает, если в толщиномере замеряется временной интервал между зондирующим и первым отраженным импульсами. Очевидно, что временной интервал между отдельными донными импульсами не зависит от толщины слоя контактной смазки. Кроме того, скорость распространения УЗК по всему объему материала не всегда одинакова. Она зависит от неоднородности химического состава, величины кристаллов металла, величины и формы графитных включений в чугунах, содержания ферритной фазы в сварных швах нержавеющих сталей и других факторов. [c.54]

Меняя размеры сосуда, размеры кристалликов медного купороса, толщину слоя поваренной соли и температуру опыта, можно получить медные кристаллы разнообразной формы, порой на редкость необычной. А иногда вырастают дендриты -незавершенные в развитии кристаллы, похожие на ветви деревьев. [c.126]

Свойства. Фосфор кристаллизуется в моноклинной системе [6] и образует квадратные пластинки размером до нескольких миллиметров при толщине 0,5 мм. В зависимости от толщины слоя и положения кристаллов их цвет меняется от ярко- до темно-красного. Фосфор Гитторфа не удается получить Свободным от свинца, содержание которого составляет 1% и более. По данным рентгенографии плотность равна 2,362. Сублимированные иглы состоят большей частью из изложенных друг на друга пластинок со структурой фосфора Гитторфа. [c.550]

Исследования показывают, что и природа источника углерода оказывает существенное влияние на кристаллизацию алмаза. Однако долгое время изучение этого вопроса носило односторонний характер. Главным образом, делались попытки увязать различные физико-химические особенности графитов с технологическими показателями процесса выращивания алмаза (степень превращения графита в алмаз, распределение полученных кристаллов по фракциям, качество конечного продукта и т. д.). Очевидно, что данный подход не позволял вскрыть механизм влияния природы источника углерода, в частности, на этапе стационарного роста образовавшихся зародышей. Было установлено, что одним из факторов, влияющих на кинетику роста, является изменение толщины слоя (пленки) металла-растворителя, определяющего растущий кристалл алмаза от источника углерода-графита, через который путем диффузии поставляется растворенный углерод к растущему кристаллу. [c.355]

Кроме того, обработка результатов многочисленных измерений линейных размеров кристаллов алмаза и толщины соответствующих им механических пленок позволила уточнить связь между этими величинами. Например, обнаружено, что пленки с двух смежных граней алмаза могут отличаться по толщине в 2—3 раза, и полностью однозначная количественная зависимость между размером кристалла и толщиной металлической пленки, отделяющей его от исходного графита, во многих случаях отсутствует. Удалось обнаружить только определенную зависимость, проявляющуюся в увеличении толщины этой пленки с возрастанием длительности процесса синтеза для кристаллов с линейными размерами от 4-10 до 8-10- м. В связи с этим интересно рассмотреть процесс формирования металлического слоя, отделяющего алмаз от графита. Образование и первоначальный рост кристалла алмаза происходят внутри металлического расплава ниже (если алмаз растет вверх) границы графит—металл в условиях, когда этот расплав хорошо смачивает поверхность алмаза и графита. Из-за разницы в плотности металлического расплава и алмаза последний под действием выталкивающей силы всплывает, в чем легко убедиться по смещению центра роста отдельных кристаллов размером более 5- Ю- м вверх относительно исходной границы металл — графит. В случае расположения графитового слоя ниже границы графит — металл (алмаз растет вниз) смещение центра роста кристалла за эту границу не наблюдается. Металлический же слой между алмазом и графитом удерживается силами поверхностного натяжения. На формирование слоя, следовательно, оказывают влияние степень смачиваемости расплавом алмаза и графита (в случае достаточно тонкого слоя проявляется капиллярный эффект) и выталкивающая кристалл сила, зависящая в свою очередь от свойств расплава, степени дефектности объема и поверхности алмаза и т. д. Поскольку величины толщины слоев для кристаллов, росших вверх или вниз, существенно не отличаются, можно считать, что основную роль в формировании металлического слоя играют силы поверхностного натяжения. Тогда увеличение толщины металлического слоя во времени частично объясняется появлением и ростом на одной его поверхности монокристаллической графитовой фазы, т. е. существенным снижением в рассматриваемых условиях смачиваемости этой поверхности расплавом металла. В данном случае толщина слоя действительно не будет зависеть однозначно от размера кристалла алмаза, а определяется комплексом условий, в том числе количеством и распреде-378 [c.378]

Навеску тонко измельченной пробы 0,25 г помещают в коническую колбу емкостью 100 мл, добавляют 10 г пиросульфата калия, нагревают иа горелке Мекера до получения плава и охлаждают. Приливают 5 мл концентрированной серной кислоты, нагревают до растворения плава, охлаждают, вводят 2 мл концентрированной азотной кислоты и выпаривают раствор до появления паров серной кислоты. Продолжают выпаривать еще 0 мин и охлаждают. Добавляют 50 мл 5%-ного раствора оксалата аммония, встряхивают колбу, чтобы растворились все образовавшиеся кристаллы, охлал<дают, переносят раствор в мерную колбу емкостью 100 мл и разбавляют до метки водой. Приливают 1,0 перекиси водорода (100 объеми. %) и измеряют оптическую плотность при длине волны 430 нм в кювете с толщиной слоя 4 см. [c.215]

Далее горячие кристаллы ( 100°С) перхлората аммония выгружают и по наклонному желобу подают в туннельную сушилку. Здесь содержание влаги снижается до величины менее 0,02%. Для равномерного распределения кристаллов поперек сушилки применяют специальный вибрационный питатель. За счет вибрации сушильных лотков (противней) кристаллы передвигаются вдоль сушилки. Амплитуда вибрации регулируется электронным прибором таким образом, что может изменяться толщина слоя кристаллов и время их пребывания в сушилке. Удаление влаги достигается подачей воздуха, нагретого до 140 °С, через замкнутые пространства, расположенные непосредственно под сушильными поверхностями (плитами). Нагретый воздух пропускают также противотоком над лотками для удаления влаги, испаряющейся из материала. Воздух далее отсасывают из сушилки в скруббер. [c.100]

Последовательность операций при постановке опытов по выращиванию кристаллов следующая. Приготавливается раствор, насыщенный при температуре кристаллизации (пусть 60°С), в таком объеме, чтобы после его заливки в кристаллизатор уровень раствора был на 30—40 мм ниже края камеры растворения. Температура в тщательно вымытом (можно влажном) кристаллизаторе поднимается приблизительно до той же температуры. Перегретый на 5—8° С раствор заливается в кристаллизатор. Через трубку для засыпки шихты в камеру растворения загружается не слишком мелкозернистое (не пылеватое) вещество, иначе раствор будет с трудом просачиваться через него. Для таких веществ нужны иная, возможно, более сложная конструкция камеры растворения, или засыпка небольшим по толщине слоем, или помещение его в камеру растворения в мешочках из стеклоткани. Количество вещества должно быть как минимум в 1,5 — 2 раза больше размера ожидаемого кристалла. [c.98]

Предложено множество типов кювет для кристаллических порошков [52—58]. Как при ртутном, так и при лазерном возбуждении в отдельных случаях можно получить спектр порошка в обычной жидкостной кювете. Однако, как правило, такие образцы недостаточно прозрачны для того, чтобы возбуждающее излучение действовало на значительный объем образца, а рассеянное излучение достигало монохроматора. Для создания тонкого слоя образца при возбуждении спектра излучением лампы Торонто предложены различные типы конических кювет. Две простые конструкции показаны на рис. 6, а и б. В таких кюветах размер частиц образца очень сильно влияет на интенсивность спектра КР. Очень тонкие порошки дают обычно плохие спектры. В общем если заполненная образцом кювета освещается с боков, а рассеянное излучение собирается с основания конуса, то определенная часть излучения должна пройти через образец. Если это не происходит, то маловероятно, что удастся обнаружить спектр КР. Ферраро и др. [59] провели на спектрометре Кэри-81 с лампой Торонто детальное исследование влияния формы кюветы, размера кристаллов, толщины слоя образца и положения образца. [c.25]

Структура смазок, загущенных твердыми углеводородами (церезинами, парафинами), отличается от структуры мыльнЬгх смазок. Твердые углеводороды в лабораторных условиях кристаллизуются из легких растворителей и некоторых фракций минеральных масел в виде орторомбических или гексагональных многоступенчатых пирамидальных кристаллов (рис. 12. 1, ж). Продольные и поперечные размеры этих кристаллов значительно превосходят их толщину. Каждый слой, образующий ступеньку такого кристалла, состоит из плотноупакованных молекул углеводорода толщина слоя — одна молекула. [c.656]

Образо11ание тонких слоев этих соединений на поверхности металла вызывает яоявленне цветов побежалости, увеличение толщины слоя продуктов реакции лриводит к окалине. Стадии этого довольно сложного процесса включают адсорбцию газа на поверхности, реакции на поверхности раздела, фаз, образование зародышей кристаллов, образование поверхностного слоя и про-дессы диффузии подвижных частиц сквозь этот слой в обоих направлениях. Это движение обусловлено уменьшением концентрации реагирующих частиц на поверхности и возникшим вследствие этого градиентом концентрации диффундирующих по ионным вакансиям катионов металла (например, Си+) и одновременным движением дефектов электронов (дырок) (например, Си +) к поверхности раздела твердых фаз. На поверхности протекает окислительно-восстановительная реакция с образованием нового твердого вещества. Для системы Си/Оа происходит, например, образование оксида меди(1) [c.436]

До сих пор речь шла о взаимодействии пластинок. Подобные случаи реализуются в коллоидных системах, частицы которых имеют плоскую форму, а также в некоторых глинистых минералах при их внутрикристаллическом набухании. Так, было обнаружено, что в кристалле монтмориллонита, насыщенного ионами лития или натрия, помещенном в слабый раствор хлорида натрия, в несколько раз меняется расстояние между слоями, составляющими его слоистую решетку, и соответственно увеличиваются размеры кристалла. Толщины прослоек раствора Na l, внедряющихся между сетчатыми плоскостями кристалла, могут доходить до 300 А. Таким образом, совершенно очевидна роль расклинивающего давления прослоек в процессе набухания кристалликов монтмориллонита. [c.276]

При малом тд формула (IV.32) переходит в формулу интенсивности для мозаичного кристалла 5 (Н)иитегр = QV. В случае, когда можно пренебречь первичной экстинкцией, размеры блока кристдлла определяются из равенства тд л 0,4—0,5. Поскольку д зависит от А, и структурной амплитуды, то в разных случаях и для разных отражений он будет различным. Для сильных отражений величина поправки на экстинкцию больше. Предельный размер блоков в идеально мозаичном кристалле не должен превышать 1000 атомных слоев, что соответствует 10 — 10 см. Формула интенсивности динамической теории применима к когерентно рассеивающим кристаллам, толщина которых составляет 10 атомных слоев, т. е. к кристаллам толщиной не менее 10 — 10" см. В промежуточной области 10 — 10 см следует пользоваться формулой (IV.32). Отметим, что указанные выше размеры блоков приведены для случая рентгеновского излучения. [c.98]

Витамин А-ацетат — светло-желтые кристаллы, т. пл. 55—57°, хорошо растворяется в органических растворителях, растительном масле, плохо в воде. Масляный раствор прозрачен, желтого или темно-желтого цвета своеобразного вкуса готовят с 10%-ным содержанием аксерофтол-ацетата. С раствором хлористой сурьмы в хлороформе хлороформный раствор препарата дает быстро изменяющееся синее окрашивание. Кислотное число 2,5. Количественное определение по ГФ1Х проводят одним из нижеприведенных методов а) 0,1 г препарата (точная навеска) растворяют в 100 мл хлороформа и полученный раствор разбавляют хлороформом до получения раствора, содержащего около 4 ИЕ в 1жл. Оптическую плотность раствора измеряют на спектрофотометре в кювете толщиной слоя в 1 см при длине волны 328 М]х. [c.648]

Пленочная кристаллизация. Процесс проводят в вертикальном кожухотрубчатом теплообменнике, снабженном спец. оросит, устройством. С его помощью исходная смесь равномерно распределяется по внутр. пов-сти всех труб и стекает по их стенкам в виде тонкой пленки. В межтрубное пространство кристаллизатора подается охлаждающая жидкость. При охлаждении начинается частичная кристаллизация смесн, н внутр. пов-сть труб покрывается ровным слоем кристаллов. По достижении заданной толщины слоя подача разделяемой смеси прекращается, в межтрубное пространство поступает греющий агент (напр., вода или водяной пар), происходит выплавление кристаллнч. фазы. В случае бинарных смесей в оптим. условиях (при плоском фронте кристаллизации) параметр а, можно рассчитать по ур-нию (прн л, 1) [c.525]

Средняя толщина слоя молекул в кристалле составляет 50 А, средняя длина ксилановой цепи при полном растяжении равна [c.216]

Анастасион с сотр. [142] методом молекулярной динамики исследовали поведение 108 молекул воды в прослойке между поверхностями нерастворимого в воде кристалла Na l. Обнаружено образование вблизи поверхности кристалла граничных слоев воды с повышенной и осциллирующе-спадающей плотностью. Толщина граничных слоев составляет 4—5 диаметров молекул. В первом слое молекулы воды ориентированы преимущественно кислородными атомами к подложке. Основным эффектом, ведущим к такому упорядоченному расположению молекул, является притяжение между Na-ионами подложки и кислородными атомами молекул воды. Таким образом, при сильном взаимодействии между водой и поверхностью и при определенном шаге ионной решетки (плоскость 001) граничные слои в отличие от вышерассмотренных случаев имели повышенную плотность. [c.232]

Здесь необходимо различать два случая. В одних случаях эпитаксия способна образовать инородный кристалл любых размеров (очевидно, на более поздней стадии действует уже автоэпитаксия новообразованной кристаллической формы). Во втором случае эпитаксия имеет как бы ограниченный радиус действия и способна навязывать заданную структуру только слоям ограниченной толщины. Так, при кристаллизации на каменной соли паров сульфида кадмия метастабильная форма последней наблюдается только при толщине слоя менее 200А. Очевидно, на большем расстоянии от подложки сказывается относительно малая устойчивость метастабильной модификации. Радиус эпитаксиального действия поверхностных сил также конечен, если между гранью затравочного кристалла и кристаллизующимся веществом имеется инородная аморфная подложка. Согласно работам Р. Брадлея, Д. Ротена, Г. И. Дистлера, эпитаксия способна влиять на расположение атомов кристаллизующегося вещества через прослойки порядка 1000— 1500 А. Механизм такого явления (по выражению Г. И. Дистлера, передачи структурной информации через бесструктурную прослойку) неясен. [c.17]

Методы определения хрома путем измерения интенсивности флуоресценции по линии СтКа, вызванной рентгеновскими лучами, применяют при анализах руд, горных пород, минералов, биологических объектов, металлов, сплавов. Интенсивность аналитической рентгеновской линии обусловлена концентрацией элемента, природой основы, в которой находится элемент, природой и концентрацией других элементов, присутствующих в пробе, и толпщной пробы [41. Измеренная критическая толщина слоя металлического хрома равна 0,003 мм для порошков она значительно выше [534, с. 2301. Теоретические значения предела обнаружения хрома по критерию Зст равны при определении в металлическом железе — 4,0-10 %, в бериллии— 1.0-10 % [4, с. 232]. Пределы обнаружения хрома в растворах 5 мкг/мл [534]. При определении хрома используют различные типы спектрометров с кристаллом Ъ1р, рентгеновской трубкой с У-анодом (50 кв, 30 ма) в качестве приемника излучения используют сцинтилля-ционный счетчик с кристаллом КаТ(Т1) или проточные пропорциональные счетчики. [c.97]

При исследовании горения ПХА как монотоплива экспериментально обнаружено существование нижнего допустимого предела горения по давлению (около 2 МПа), причем скорость горения одиночных кристаллов или высокоплотных дисков ПХА составляет 2- -3 мм с На величину этого порогового давления оказывают влияние добавки и начальная температура. В работе [75] методом сканирующей электронной микроскопии установлено, что при горении на поверхности кристаллов ПХА существует расплавленный слой. Обнаружено, что толщина слоя уменьшается с повышением давления, и сделан вывод о том, что наличие расплава допускает протекание реакций между газовой и конденсированной фазами. Предложена теория [61], в которой расплавленный слой занимает ведущее место. Прежде чем рассказать об этой модели, приведем обзор моделей реакций в газовой и конденсированной фазах. [c.66]

В начальной стадии кристаллизации поток углерода из горячей зоны незначителен, а величина и снижение пересыщения у фронта роста кристаллов, перемеи ающегося в слой металла, аналогичны случаю одного холодного источника. С учетом действия двух источников углерода пересыщение у фронта роста становится Сг (Тх)—Са°(Тх)>СгЧТх)—Са°(Тх). При этом повышение интенсивности потока углерода из горячей зоны все в большей степени замедляет снижение пересыщения на движущемся фронте роста, пока не компенсирует полностью, что соответствует локальному минимуму пересыщения. Дальнейшее возрастание концентрации до Сг (Тх) увеличивает пересыщение на фронте роста, значение которого стремится к максимальному Сг Тх) — Са°(Тх). После установления в слое металла стационарного распределения концентрации углерода пересыщение у обращенной в расплав поверхности кристаллов опять начнет уменьшаться по мере ее перемещения к горячей зоне. Таким образом, с увеличением толщины слоя расплава и уменьшением перепада температуры между поверхностью растворения время достижения локальных минимума и максимума пересыщения возрастает. [c.367]

Для получения фильтрующего слоя непосредственно в тигле Гуччи (см. разд. 9.4) в последний помещают бумажную массу (см. выше), по которой распределяют кристаллы (NH4)2[Pt l6] равномерным слоем, и смачивают этанолом. Толщина слоя кристаллов и бумажной массы должна быть около 10-13 мм. Тигель медленно нагревают до испарения спирта, а затем, постепенно повышая температуру, добиваются полного разложения гексахлороплатина-та(1У) аммония [c.34]

Частично гндролнзованный ксилан березы выделен в кристаллической форме в виде гексагональных пластинок. Основная цепь его молекулы характеризуется тремя согнутыми винтовыми осями с углом вращения 120° для каждого ксилозного остатка и повторяющихся единиц длиной 15А. Средняя толщина слоя молекул в кристалле 50А, средняя длина ксилановой цепи прп полном растяжении 105А. [c.90]